半導(dǎo)體晶片切片方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括提供具有正面和背面并且其上制造有集成電路的陣列的半導(dǎo)體晶片。所述集成電路具有在晶片的正面上的有源面。從背面沿著在集成電路之間的鋸道機(jī)械地切割溝槽，部分地切過(guò)晶片。接著通過(guò)如下來(lái)將集成電路單顆化：在正面沿著鋸道并在鋸道內(nèi)掃描激光束，其從正面將晶片劃片；以及燃后，通過(guò)沿著鋸道機(jī)械地使晶片裂開(kāi)。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體晶片切片方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切片(dicing)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]制造半導(dǎo)體裝置包括在半導(dǎo)體晶片中制備集成電路的陣列。晶片通常由單晶半導(dǎo)體材料(例如，硅)或化合物半導(dǎo)體材料形成。通過(guò)例如沉積金屬、多晶半導(dǎo)體和其它材料，外延生長(zhǎng)，蝕刻，圖案化，摻雜和氧化等步驟在晶片中以及晶片上形成電路中的有源和無(wú)源元件。集成電路可以包括例如電子元件和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。
[0003]在制備集成電路的陣列之后,將晶片切片以制造單顆化的(singulated)半導(dǎo)體管芯(die)。切片操作包括沿著正交的鋸道(saw street)分割半導(dǎo)體裝置。傳統(tǒng)的切片技術(shù)包括通常用鋸、激光切割和激光劃片的機(jī)械切割。半導(dǎo)體管芯的尺寸不斷減小而集成在管芯中的電子電路具有相同或者更高的功能性和復(fù)雜性，這意味著鋸道的寬度可能表示晶片中形成的管芯的密度的顯著降低。將期望減小鋸道的寬度，從而允許晶片上會(huì)有要多的面積用于形成電路。
[0004]簡(jiǎn)要說(shuō)明
[0005]根據(jù)本公開(kāi)一個(gè)方面，提供了一種分離形成在晶片上的半導(dǎo)體管芯的方法，包括:提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片具有正面和背面并且其中制造有半導(dǎo)體管芯的陣列，所述半導(dǎo)體管芯具有在所述晶片的所述正面的有源面；從所述晶片的背面沿著在所述半導(dǎo)體管芯之間的鋸道機(jī)械地切割溝槽，部分地切過(guò)所述晶片；以及將所述半導(dǎo)體管芯單顆化，包括在所述晶片的正面上，沿著所述鋸道并在所述鋸道內(nèi)掃描激光束。
[0006]根據(jù)本公開(kāi)另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括:提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片具有正面和背面并且其中制造有半導(dǎo)體管芯的陣列，所述半導(dǎo)體管芯具有在所述晶片的所述正面的有源面；從所述晶片的背面沿著在所述半導(dǎo)體管芯之間的鋸道機(jī)械地切割溝槽，部分地切過(guò)所述晶片；將所述半導(dǎo)體管芯單顆化，包括在所述晶片正面上，在所述鋸道內(nèi)并沿著所述鋸道掃描激光束，其中單顆化的半導(dǎo)體管芯具有邊緣，并且所述溝槽在所述邊緣中在所述有源面之下形成底切，并且所述有源面具有比所述背面大的寬度；提供具有支撐表面的管芯支撐部件；以及以管芯附接材料將所述半導(dǎo)體管芯的所述背面附接到所述支撐表面，其中該管芯附接材料流入所述底切中并且在所述底切中形成填充物。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]下面通過(guò)示例的方式說(shuō)明本發(fā)明，然而本發(fā)明并不限于附圖中示出的實(shí)施例，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表標(biāo)相以的元件。附圖中的元件是出于簡(jiǎn)單清楚的目的而示出的，并不必然按比例繪制。例如，某些垂直的尺寸相對(duì)于水平的尺寸有所夸大。
[0008]圖1是已封裝的半導(dǎo)體裝置的示意性截面圖，其包括使用傳統(tǒng)的單顆化技術(shù)制造的半導(dǎo)體管芯；
[0009]圖2和3是在傳統(tǒng)的單顆化技術(shù)的相繼的多個(gè)階段處的包含集成電路陣列的晶片的示意性截面圖；
[0010]圖4到8是以示例的方式給出的、根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體管芯的方法的單顆化操作的相繼的多個(gè)階段處的包含集成電路陣列的晶片的示意性截面圖；以及
[0011]圖9是附圖4到8中所示的半導(dǎo)體管芯的制造方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]圖1示出了一種已封裝的半導(dǎo)體裝置100，其包括使用傳統(tǒng)的單顆化技術(shù)制造的半導(dǎo)體管芯102。半導(dǎo)體管芯102具有有源面104、背面106和邊緣108。半導(dǎo)體裝置100還包括管芯支撐構(gòu)件110 (例如，引線框的導(dǎo)熱板(flag))，其具有接合表面112。半導(dǎo)體管芯102在邊緣108處具有溝槽114，位于有源面104中并圍繞有源面104。半導(dǎo)體槽芯102的背面106被利用管芯附接材料接合到管芯支撐構(gòu)件110的接合表面112，其中管芯附接材料的填充物(fillet) 116被容納在溝槽114中。
[0013]已封裝的半導(dǎo)體裝置100包括一組暴露的電接觸元件118，其可以由引線框的一部分形成，該引線框還提供管芯支撐件110。半導(dǎo)體管芯102的有源面104具有多個(gè)電接觸元件120，其與暴露的電接觸元件118 (諸如，接合弓丨線122)電連接，這可以使用傳統(tǒng)弓I線接合工藝和設(shè)備進(jìn)行。模制化合物124覆蓋第一表面104、填充物116和接合引線122。
[0014]如圖2中所示，制造已封裝的半導(dǎo)體裝置100包括在晶片200中制備半導(dǎo)體裝置102的陣列，它們的有源面104處在晶片200的正面，而它們的背面處在晶片200的背面。晶片200的正面承載有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)，其用來(lái)使用于單顆化工藝的鋸道與晶片中半導(dǎo)體裝置的陣列的結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)，該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通過(guò)在制造半導(dǎo)體裝置陣列時(shí)使用的工序制造，并與之對(duì)準(zhǔn)。晶片200被以半導(dǎo)體管芯102的背面106在背襯(backing) 202 (諸如，粘性支撐膜)上的方式安裝。
[0015]背襯202上的晶片200被安裝在圖中由第一鋸片(saw blade) 204表示的鋸中。第一鋸片204用來(lái)在晶片200的正面中進(jìn)行第一切割，以在半導(dǎo)體管芯102的有源面104中部分地切過(guò)晶片200的厚度形成溝槽206。
[0016]第一鋸片204是沿著在相鄰的半導(dǎo)體管芯102之間的一組平行的鋸道和正交的一組平行的鋸道移動(dòng)來(lái)形成溝槽206。第一鋸片204的移位由晶片200的第一表面104上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)。溝槽206的寬度SI由第一鋸片204的寬度決定。每個(gè)溝槽206將在有源面104和相鄰半導(dǎo)體管芯102的邊緣108中形成溝槽114。
[0017]參見(jiàn)圖3，接著，使用第二鋸片300來(lái)將半導(dǎo)體管芯102單顆化。也就是，第一鋸片204被第二鋸片300取代，并使用第二鋸片300來(lái)沿著在相鄰的半導(dǎo)體管芯102之間的同樣的一組平行的鋸道和正交的一組平行的鋸道進(jìn)行第二切割，再次由晶片200正面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)。第二鋸片300的寬度S2小于第一鋸片204的寬度SI。第二鋸片300從與半導(dǎo)體管芯102的有源面104同一側(cè)完全切穿晶片200在溝槽206中剩下的厚度，以將半導(dǎo)體管芯102單顆化。接著，通過(guò)管芯附接粘接劑將每一個(gè)半導(dǎo)體管芯102附接到管芯支撐構(gòu)件110的接合表面112，管芯附接粘接劑流入到溝槽114中，形成填充物116，其背容納在溝槽114中，如圖1所示。[0018]由于鋸齒切割的定位冗余，在晶片200正面中的鋸道具有比第一鋸片204的切口寬度SI大的寬度。實(shí)際上，以當(dāng)前可用的技術(shù)，難以把鋸道的被浪費(fèi)的寬度減少到40μπι以下，這代表著晶片中管芯的有源面的面積的顯著減少。
[0019]圖4到9示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯的制造方法。該方法包括提供半導(dǎo)體晶片200，其具有正面400和背面402以及在其中制備的管芯(集成電路)102的陣列。管芯(集成電路)102具有在晶片正面400的有源面104。從背面402沿著管芯(集成電路)102之間的鋸道部分地切過(guò)晶片200機(jī)械地功割出溝槽604。然后，將管芯(集成電路)102單顆化，所述單顆化包括將激光束704沿著鋸道并在鋸道內(nèi)掃描到正面400上。
[0020]溝槽604減少了晶片200在鋸道內(nèi)的厚度，從而使得單顆化的寬度S2和鋸道的被浪費(fèi)的寬度可以顯著減小。溝槽604的寬度SI并不減少可用于管芯(集成電路)102的有源面104的面積，因?yàn)闇喜?04是從晶片200的背面402切割的而且并不切穿到正面400。[0021 ] 在本發(fā)明的方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子中，掃描激光束704從正面400對(duì)晶片200劃片(scribe)，并且將管芯(集成電路)102單顆化包括機(jī)械地對(duì)晶片200加以負(fù)荷以使晶片沿著鋸道裂開(kāi)。將管芯102單顆化包括:在切割溝槽604之后，安裝晶片200，以背面402附接到背面粘性支撐元件700。機(jī)械地對(duì)晶片200加負(fù)荷包括徑向地拉伸背面粘性支撐元件700，以向背面402施加徑向的張應(yīng)力。在對(duì)晶片200的劃片操作中，由于通過(guò)溝槽604減小了晶片200的厚度，因此可以減小受激光束影響的區(qū)域的寬度S2。
[0022]在本發(fā)明的方法的實(shí)施方式的另一個(gè)例子中，掃描激光束704從正面400切割晶片200并將管芯(集成電路)102單顆化。再次地，由于通過(guò)溝槽604減小了晶片200的厚度，因此可以減小受激光束影響區(qū)域的寬度S2。
[0023]在本發(fā)明的方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子中，激光束704在小于并且被包含在溝槽604寬度內(nèi)的寬度上改變晶片200的結(jié)構(gòu)。在對(duì)晶片200劃片的操作中，激光束704產(chǎn)生在正面400之下的缺陷區(qū)域。激光束704是脈沖的，并且以分別聚焦在晶片200中的各自的深度的多個(gè)掃描來(lái)掃描每個(gè)鋸道。缺陷是由在激光束的焦點(diǎn)處晶片200的材料迅速熔化并且再次凝固而導(dǎo)致的。
[0024]在本發(fā)明的方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子中，通過(guò)圖4到9示出的方法制造的半導(dǎo)體管芯具有邊緣108，且溝槽604在有源面104下方在邊緣108中形成底切。有源面104具有大于背面106的寬度，因?yàn)闇喜?04是從半導(dǎo)體管芯102的背面106切割的。半導(dǎo)體管芯102的背面106被利用管芯附接材料附接到管芯支撐構(gòu)件110的支撐面112。管芯時(shí)接材料流入由溝槽604形成的底切中，并且在底切中形成填充物116。填充物116被包含在該底切中，而底切并不會(huì)減少半導(dǎo)體管芯102的有源面104的面積。
[0025]在本發(fā)明的方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子中，切割溝槽604包括:安裝晶片200，以正面400附接到正面支撐元件500 ；以及從背面402部分地鋸過(guò)晶片200。晶片200包括正面400上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是可通過(guò)正面支撐元件500而被識(shí)別的。從背面402部分地鋸過(guò)晶片是通過(guò)正面400上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)的。在正面400上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還可以引導(dǎo)隨后的激光束704在正面400上的掃描。
[0026]圖9概述了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的例子的半導(dǎo)體管芯的制造方法900的步驟。方法900從涉驟902通過(guò)提供其中制造有半導(dǎo)體管芯102的陣列的晶片200開(kāi)始。圖4示出了該晶片200，其可以由單晶半導(dǎo)體材料制成(諸如，硅)或者化合物半導(dǎo)體材料形成。通過(guò)諸如沉積金屬、多晶半導(dǎo)體和其它材料，外延生長(zhǎng)，蝕刻，圖案化，摻雜，氧化等步驟，在晶片200上或在晶片200中，形成管芯102的有源和無(wú)源元件，在很多情況下可以從晶片的正面400開(kāi)始的操作來(lái)執(zhí)磁步驟。管芯102可以包括構(gòu)成集成電路(IC)的電子元件和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。同樣的制造步驟形成與半導(dǎo)體管芯102的結(jié)構(gòu)相關(guān)地對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)。
[0027]在步驟904中，晶片200的背面被研磨，以減小晶片的厚度。在一個(gè)例子中，晶片200在制造半導(dǎo)體管芯102的步驟期間是750 μ m厚，而在背面研磨操作之后是150 μ m厚。
[0028]接著，在步驟906中，安裝晶片200，其正面400被附接到正面支撐元件500，如圖5中所示。然后，如圖6中所示，位于其支撐物500上的晶片200被安裝在鋸切機(jī)中，該鋸切機(jī)中包括穿過(guò)支撐物500感測(cè)位于正面400上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的攝像裝置(camera) 602和任意卡盤(pán)。攝像裝置602使得該機(jī)器的引導(dǎo)模塊能夠引導(dǎo)晶片200的相對(duì)運(yùn)動(dòng)和鋸片600的旋轉(zhuǎn)。
[0029]在步驟908中，使用鋸片600來(lái)在晶片200的背面402中進(jìn)行切割，以在該晶片的背面402和半導(dǎo)體管芯102的背面106中部分地切過(guò)晶片200的厚度形成溝槽604。該溝槽沿著鋸道的正交的組延伸。溝槽604被示出為具有矩形的截面，但應(yīng)理解，溝槽604也可以具有任何合適的截面，其通常由鋸片600的截面決定。在本例子中，溝槽604的寬度為大約40 μ m。溝槽604的深度大約為晶片200的厚度的一半(背研磨之后)。
[0030]在切割溝槽604之后，將支撐物500從晶片200移開(kāi)，接著在步驟910中，通過(guò)其背面402將晶片200附接到粘性的彈性支持撐物700。在步驟912中，圖7中示出的激光器702將激光束704掃描到正面400上，在鋸道內(nèi)并沿著鋸道，由與引導(dǎo)切割溝槽604的同樣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)。激光束704是脈沖的，并且以分別聚焦在晶片200中相應(yīng)深度的多個(gè)掃描來(lái)掃描晶片的正面400上的每個(gè)鋸道。激光束704在正面400之下產(chǎn)生缺陷區(qū)域，其在小于并且被包括在溝槽604的寬度內(nèi)的寬度上對(duì)晶片進(jìn)行劃片。在本發(fā)明的實(shí)施方式的這個(gè)例子中，使用了紫外光(波長(zhǎng)小于400nm)。在對(duì)晶片200劃片的操作中，通過(guò)溝槽604減小了晶片200的厚度，在這個(gè)例子中，激光劃片在硅中的深度達(dá)20 μ m，并且受激光掃描影響的區(qū)域的寬度S2可以實(shí)際減小到10 μ m以下，這減小了切片道的被浪費(fèi)的寬度和在晶片中的管芯的有源面的被浪費(fèi)的面積。
[0031]在步驟914中，半導(dǎo)體裝置102被單顆化。單顆化操作包括對(duì)晶片200的背面402機(jī)械地加負(fù)荷以使晶片沿著切片道裂開(kāi)。如圖8所示，機(jī)械地對(duì)晶片200的背面402加負(fù)荷是通過(guò)如下進(jìn)行的:急劇地徑向地伸展粘生支撐元件700，如箭頭800所示，來(lái)向背面402施加徑向的張應(yīng)力。半導(dǎo)體管芯102的邊緣沿著由切片道所限定的裂開(kāi)線分開(kāi)，如802所
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[0032]單顆化之后，在步驟916中，為半導(dǎo)體管芯102提供外部連接元件。外部連接元件可以是圖1所示類型的暴露的電接觸元件118，由也提供管芯支撐件110的引線框的一部分形成。在半導(dǎo)體管芯102的有源面104上的電接觸元件120例如可以通過(guò)接合引線122與暴露的電接觸元件118電連接?？梢詫雽?dǎo)體管芯102包封在模制化合物124中?？梢詫⒁粋€(gè)或多個(gè)管芯包封在同一個(gè)封裝件內(nèi)。
[0033]應(yīng)了解，也可以采用其它方式來(lái)提供外部電接觸，例如球柵陣列(BGA)或平面柵格陣列(LGA)，并且可以利用或不利用再分配管芯封裝(RCP)，其中在有源管芯面上的內(nèi)部電接觸元件通過(guò)用于路由信號(hào)以及電源和接地連接的再分配面板(redistributionpanel)連接到封裝件表面上暴露的焊盤(pán)(pad)。還應(yīng)了解，半導(dǎo)體管芯也可以封裝在所述包封以外的其它封裝內(nèi)，并且替代地，也可以“裸著”(bare)提供半導(dǎo)體管芯以整合在裝置中然后將該裝置封裝。
[0034]在前文的說(shuō)明中，已經(jīng)參考本發(fā)明的實(shí)施例的具體例子描述了本發(fā)明。然而，很明顯，其中可以進(jìn)行各種修改和改變，而不脫離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的寬泛的宗旨和范圍。
[0035]例如，此處描述的半導(dǎo)體襯底可以是任何半導(dǎo)體材料或材料的組合，例如砷化鎵、硅鍺、絕緣體上硅(SOI)、硅、單晶硅等以及上述的組合。
[0036]此外，說(shuō)明書(shū)中和權(quán)利要求中的“正”、“背”、“頂”、“底”、“上”、“下”等術(shù)語(yǔ)(如果
有的話)，被用于描述的目的，并不必然描述永久性的相對(duì)位置。應(yīng)理解，這樣使用的術(shù)語(yǔ)在某些合適的情況下是可互換的，從而此處描述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠在此處示出或以其它方式描述的取向之外的其它取向上操作。
[0037]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，上述的操作之間的分界僅僅是說(shuō)明性的。多個(gè)操作可以合并成一個(gè)操作，一個(gè)操作可以分布在額外的操作中，并且可以以在時(shí)間上至少部分重疊的方式執(zhí)行多個(gè)操作。此外，替代的實(shí)施例可以包括特定操作的多個(gè)例子，并且在不同的其它實(shí)施例中操作的順序可以改變。
[0038]在權(quán)利要求中，“包含”或“具有”的字樣并不排除權(quán)利要求中所列的要素之外的其它要素或步驟的存在。此處所用的術(shù)語(yǔ)“一”(“a”或“an”)被定義為一個(gè)或多于一個(gè)。此夕卜，權(quán)利要求中的引語(yǔ)如“至少一個(gè)”和“一個(gè)或多個(gè)”，的使用不應(yīng)被理解為暗示由“一”(不定冠詞“a”或“an”)所引述的另一個(gè)權(quán)利要求要素將包含這樣引述的權(quán)利要求的任何特定權(quán)利要求限制到僅包含一個(gè)這樣的要素的發(fā)明，即使當(dāng)在同一權(quán)利要求中包含引語(yǔ)“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”以及“一”(不定冠詞“a”或“an”)時(shí)也是如此。定冠詞的使用也是如此。除非另外說(shuō)明，諸如“第一”和“第二”這樣的術(shù)語(yǔ)被用來(lái)任意地區(qū)分這些術(shù)語(yǔ)描述的要素。因此，這些術(shù)語(yǔ)并不必然用來(lái)表示這些要素的在時(shí)間上的或其它的優(yōu)先次序。在彼此不同的權(quán)利要求中引述了某些手段并不意味著不能有利地使用這些手段的組合。
【權(quán)利要求】
1.一種分離形成在晶片上的半導(dǎo)體管芯的方法，包括: 提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片具有正面和背面并且其中制造有半導(dǎo)體管芯的陣列，所述半導(dǎo)體管芯具有在所述晶片的所述正面的有源面； 從所述晶片的背面沿著在所述半導(dǎo)體管芯之間的鋸道機(jī)械地切割溝槽，部分地切過(guò)所述晶片；以及 將所述半導(dǎo)體管芯單顆化，包括在所述晶片的正面上，沿著所述鋸道并在所述鋸道內(nèi)掃描激光束。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中掃描所述激光束，將所述晶片從所述正面劃片，并且將所述半導(dǎo)體管芯單顆化包括對(duì)所述晶片機(jī)械地加負(fù)荷以使所述晶片沿著所述鋸道裂開(kāi)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中單顆化所述半導(dǎo)體管芯包括:切割所述溝槽之后安裝所述晶片，以其背面附接到背面粘性支撐元件。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中機(jī)械地時(shí)所述晶片加負(fù)荷包括:徑向地拉伸所述背面粘性支撐元件以向所述背面施加徑向的張應(yīng)力。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶片包括在所述正面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)所述激光束的所述掃描。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述激光束在小于并且被包含在所述溝槽的寬度內(nèi)的寬度上改變所述晶片的結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述激光束是脈沖的，并以分別聚焦在所述晶片中的相應(yīng)深度的多個(gè)掃描來(lái)掃描每一所述鋸道。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 對(duì)所述晶片進(jìn)行背研磨以提供所述背面。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中切割所述溝槽包括:安裝所述晶片，以其所述正面附接到正面支撐元件；以及從所述背面部分地鋸過(guò)所述晶片。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述晶片包括在所述正面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記穿過(guò)所述正面支撐元件而被感測(cè)，并且引導(dǎo)所述從所述背面部分地鋸過(guò)所述晶片。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述正面上的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)所述激光束的掃描。
12.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括: 提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片具有正面和背面并且其中制造有半導(dǎo)體管芯的陣列，所述半導(dǎo)體管芯具有在所述晶片的所述正面的有源面； 從所述晶片的背面沿著在所述半導(dǎo)體管芯之間的鋸道機(jī)械地切割溝槽，部分地切過(guò)所述晶片； 將所述半導(dǎo)體管芯單顆化，包括在所述晶片正面上，在所述鋸道內(nèi)并沿著所述鋸道掃描激光束，其中單顆化的半導(dǎo)體管芯具有邊緣，并且所述溝槽在所述邊緣中在所述有源面之下形成底切，并且所述有源面具有比所述背面大的寬度； 提供具有支撐表面的管芯支撐部件；以及 以管芯附接材料將所述半導(dǎo)體管芯的所述背面附接到所述支撐表面，其中該管芯附接材料流入所述底切中并且在所述底切中形成填充物。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中掃描所述激光束從所述正面將所述晶片劃片，并且單顆化所述半導(dǎo)體管芯包括對(duì)所述晶片機(jī)械地加負(fù)荷以使所述晶片沿著所述鋸道裂開(kāi)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中單顆化所述半導(dǎo)體管芯包括:在切割所述溝槽之后，安裝所述晶片，以其背面附接到背面粘性支撐元件。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中機(jī)械地對(duì)所述晶片加負(fù)荷包括:徑向地拉伸所述背面粘性支撐元件以向所述背面施加徑向的張應(yīng)力。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述激光束在小于并且被包含在所述溝槽的寬度內(nèi)的寬度改變所述晶片的結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述激光束是脈沖的，并且以分別聚焦在所述晶片中相應(yīng)深度的多個(gè)掃描掃描每一所述鋸道。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括: 對(duì)所述晶片進(jìn)行背研磨以提供所述背面。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中切割所述溝槽包括:安裝所述晶片，以其正面附接到正面支撐元件，以及從所述背面部分地鋸過(guò)所述晶片。
【文檔編號(hào)】B28D5/02GK103568139SQ201210352749
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】邱書(shū)楠, 貢國(guó)良, 李軍, 劉海燕 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司