專利名稱：低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法、燒結(jié)助劑及材料和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及介質(zhì)陶瓷材料領(lǐng)域，特別涉及一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及其燒結(jié)助劑和應(yīng)用，以及采用上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制備低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法。
背景技術(shù)：
低溫共燒介質(zhì)陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics,簡稱 LTCC)技術(shù)作為一種整合組件技術(shù)，其具體的工藝流程就是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成生瓷帶，作為電路基板材料，在生瓷帶上利用打孔、微孔注漿、導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖形，并將多個(gè)無源元件(如電容、電阻、電感等)埋入其中，然后疊壓在一起，在較低溫度(通常是小于900°C)下燒結(jié)，制成三維電路網(wǎng)絡(luò)的無源集成組件，也可制成內(nèi)置無源元件的三維電路基板，在其表面可以貼裝IC和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。LTCC技術(shù)為信息時(shí)代各種電子系統(tǒng)的元器件以及模塊小型化、輕量化提供了比較好的解決途徑 ，并以其優(yōu)異的電子、機(jī)械、熱力特性而成為未來電子元件集成化、模組化的首選方式，在軍事、航天、航空、電子、計(jì)算機(jī)、汽車電子、醫(yī)療電子等領(lǐng)域?qū)@得越來越廣泛的應(yīng)用。LTCC是近年發(fā)展起來的一種無源元件集成技術(shù)，與其他集成技術(shù)相比，LTCC具有如下特點(diǎn)1、使用印刷布線及內(nèi)埋元器件，易于提高組裝密度，減少產(chǎn)品體積和重量；2、采取非連續(xù)式生產(chǎn)工藝，便于對多層基板中的每一層進(jìn)行印刷、填孔的質(zhì)量檢查，有利于提高產(chǎn)品的質(zhì)量及成品率，降低成本；3、具有良好的高頻、高速傳輸特性；4、與薄膜多層布線技術(shù)具有良好的兼容性，從而實(shí)現(xiàn)更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多芯片組件。盡管LTCC有著諸多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，但是因?yàn)長TCC材料通常含有玻璃相成分較多，使得燒結(jié)后的基板容易存在機(jī)械強(qiáng)度低且介電性能較低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種能夠提高低溫共燒介質(zhì)陶瓷的介電性能和機(jī)械性能的燒結(jié)助劑及含有該燒結(jié)助劑的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料和應(yīng)用，以及采用上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制備低溫共燒介質(zhì)陶瓷的方法。一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，按質(zhì)量百分比，包括31 % 45 %的二氧化硅、I % 10 %的氧化硼、5. I % 10 %的氧化鋅、18% ^30%的氧化鋁、11 % 24 %的堿土金屬氧化物及5% 15%的通式為R2O3的氧化物，其中，R為鑭、鋪、鐠、釹、釤、銪及鏑中的至少一種；所述堿土金屬氧化物為氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇及氧化鍶中的至少一種。一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，按質(zhì)量百分比，包括40% 59%的氧化鋁、39% 57%的上述的燒結(jié)助劑及I. 5% 15%的改性劑；其中，所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、四氧化三鈷、三氧化二釔、二氧化鋯及三氧化二鉍中的至少一種。在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括40% 55%的氧化鋁、39% 56%的燒結(jié)助劑及2% 15%的改性劑。一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括如下步驟 按照質(zhì)量百分比為40 59 %、39 57 %及I. 5 % 15 %稱取氧化鋁、上述燒結(jié)助劑和改性劑，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料；所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、四氧化三鈷、三氧化二釔、二氧化鋯及三氧化二鉍中的至少一種；及將所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型后，在溫度為800°C、00°C中保溫15分鐘 150分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。在其中一個(gè)實(shí)施例中，制備所述燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁、堿土金屬的氯化物、R的氯化物為原材料，分別配制成水溶液，按所述燒結(jié)助劑中所述氧化鋁、堿土金屬氧化物及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，加入沉淀劑，采用化學(xué)共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅、氧化鋅、硼酸為原料，按照所述燒結(jié)助劑中所 述二氧化硅、氧化鋅、氧化硼的質(zhì)量百分比將所述二氧化硅、氧化鋅、硼酸與所述前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到所述燒結(jié)助劑。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沉淀劑為碳酸氫銨、碳酸鉀、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉、氫氧化鈉及碳酸氫鈉中的一種。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在濾波器、功率分配器、多層基板及封裝基板中的應(yīng)用。上述配方的燒結(jié)助劑添加到氧化鋁(Al2O3)中可以有效地降低燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在800°C、00°C的溫度下進(jìn)行燒結(jié)；且燒結(jié)助劑中各組分的質(zhì)量百分比配比有利于低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在燒結(jié)過程中形成均勻的玻璃-陶瓷結(jié)構(gòu)，使得燒結(jié)后的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有高致密度，進(jìn)一步保證了所制成的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的熱機(jī)械性能及介電性能。


圖I為一實(shí)施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及其燒結(jié)助劑和應(yīng)用、以及低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。一實(shí)施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，按質(zhì)量百分比，包括40% 59%的氧化鋁(Al203)>39% 57%的燒結(jié)助劑及I. 5% 15%的改性劑。優(yōu)選地，按質(zhì)量百分比，低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料包括40% 55%的氧化鋁、39% 56%的燒結(jié)助劑及2% 15%的改性劑。氧化鋁(Al2O3)具有良好高頻性能、較低的介電常數(shù)(小于10)、較低的介電損耗和近乎線性的介電-溫度特性，保證了低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制作成低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的電性能。但由于氧化鋁(Al2O3)的燒結(jié)溫度較高(一般大于1400°C)，不能與銀等低熔點(diǎn)金屬導(dǎo)體共燒，所以必須通過加入燒結(jié)助劑來降低燒結(jié)溫度，實(shí)現(xiàn)與低熔點(diǎn)金屬導(dǎo)體共燒的目的。其中，按質(zhì)量百分比，燒結(jié)助劑包括31% 45%的二氧化硅(Si02)、l% 10%的氧化硼(Β203)、5· I % 10%的氧化鋅(ZnO)、18% 30%的氧化鋁(Al2O3)、11 % 24%的堿土金屬氧化物及5% 15%的通式為R2O3的氧化物。其中，堿土金屬氧化物為氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)及氧化鍶(SrO)中的至少一種。R為鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)^jc(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)及鏑(Dy)中的至少一種。上述配方的燒結(jié)助劑添加到氧化鋁(Al2O3)中可以有效地降低燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在800°C、00°C的溫度下進(jìn)行燒結(jié)；且燒結(jié)助劑中各組分的質(zhì)量百分比配比有利于低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在燒結(jié)過程中形成均勻的玻璃-陶瓷結(jié)構(gòu)，使得燒結(jié)后的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有高致密度，進(jìn)一步保證了所制成的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的熱機(jī)械性能及介電性能。其中，改性劑為二氧化鈦(Ti02)、二氧化猛(Μη02)、四氧化三鈷(Co304)、三氧化二釔(Y203)、二氧化鋯(ZrO2)及三氧化二鉍(Bi2O3)中的至少一種。上述改性劑中的二氧化鈦、二氧化鋯是一類很好的玻璃成核劑，能促進(jìn)玻璃微晶化，防止玻璃析晶，金紅石相的二氧化鈦具有較高的介電常數(shù)(約100)，負(fù)的溫度特性(_750ppm/°C)，二氧化鋯介電常數(shù)約18， 溫度特性+100ppm/°C ;二氧化錳、四氧化三鈷在燒結(jié)過程中能促進(jìn)陶瓷材料中各組分之間的混溶，提高燒結(jié)致密度；三氧化二釔、三氧化二鉍能與玻璃互溶，能改變燒結(jié)過程中液相出現(xiàn)的時(shí)間及玻璃的流變性。根據(jù)配方組成中燒結(jié)助劑的理化特性及介電性能，調(diào)整上述改性劑的加入種類及加入量，能夠調(diào)整本發(fā)明低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的介電常數(shù)(ε 介電-溫度特性U J和降低介電損耗；上述改性劑還可以阻止低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在燒結(jié)過程中玻璃的二次析晶，減少低溫共燒介質(zhì)陶瓷的內(nèi)部缺陷，這對提高低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的耐壓強(qiáng)度及絕緣性能也起到很好的作用。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中的氧化鋁(Al2O3)保證了低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制成的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的電性能，上述配方的燒結(jié)助劑添加到氧化鋁(Al2O3)中可以有效地降低燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在800°C、00°C的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，上述燒結(jié)助劑中各組分的質(zhì)量百分比配比有利于低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在燒結(jié)過程中形成均勻的玻璃-陶瓷結(jié)構(gòu)，使得燒結(jié)后的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有高致密度，進(jìn)一步保證了所制成的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的熱機(jī)械性能及介電性能；上述改性劑能夠調(diào)整低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的介電常數(shù)(L)、介電-溫度特性(α ε)和降低介電損耗，阻止低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在燒結(jié)過程中玻璃的二次析晶，減少陶瓷內(nèi)部缺陷；而通過按照質(zhì)量百分比為40% 59%的氧化鋁(Al203)、39% 57%的燒結(jié)助劑及I. 5% 15%的改性劑，使得上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制備得到的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有較好的介電性能和熱機(jī)械性倉泛。且上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料不含鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、鉻(Cr6+)等不利于環(huán)保的有害元素，較為環(huán)保。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料可以應(yīng)用于制作濾波器、功率分配器、多層基板及封裝基板中。如圖I所示，一實(shí)施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括如下步驟步驟SllO :按照質(zhì)量百分比為40% ^59%,39% 57%及I. 5% 15%稱取氧化鋁(Α1203)、燒結(jié)助劑及改性劑，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。其中，改性劑為二氧化鈦(TiO2)、二氧化錳(MnO2)、四氧化三鈷(Co3O4)、三氧化二釔(Y2O3)、二氧化鋯(ZrO2)及三氧化二鉍(Bi2O3)中的至少一種。
其中，按質(zhì)量百分比，燒結(jié)助劑包括31% 45%的二氧化硅(Si02)、l% 10%的氧化硼(Β203)、5· I % 10%的氧化鋅(ZnO)、18% 30%的氧化鋁(Al2O3)、11 % 24%的堿土金屬氧化物及5% 15%的通式為R2O3的氧化物。其中，R為鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、衫(Sm)、銪(Eu)及鏑(Dy)中的至少一種。 堿土金屬氧化物為氧化鎂(MgO)、氧化I丐(CaO)、氧化鋇(BaO)及氧化鍶(SrO)中的至少一種。制備所述燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁、堿土金屬的氯化物、R的氯化物為原材料，分別配制成水溶液，按所述燒結(jié)助劑中所述氧化鋁、堿土金屬氧化物及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，加入碳酸鈉(NaCO3)作為沉淀劑，采用化學(xué)共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅、氧化鋅、硼酸為原料，按照所述燒結(jié)助劑中所述二氧化硅、氧化鋅、氧化硼的質(zhì)量百分比將所述二氧化硅、氧化鋅、硼酸與所述前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到所述燒結(jié)助劑。其中，制備燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁(AlCl3)、堿土金屬的氯化物、R的氯化物為原材料，分別配制成水溶液，按燒結(jié)助劑中氧化鋁(Al2O3)、堿土金屬氧化物及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，加入沉淀劑，采用化學(xué)共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比將二氧化硅(SiO2 )、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)與前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。其中，煅燒溫度為750°C。其中，沉淀劑為本領(lǐng)域常用的沉淀劑，沉淀劑可以為碳酸氫銨(NH4HC03)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鉀(Κ0Η)、碳酸氫鉀(KHCO3)、碳酸鈉(Na2CO3)、氫氧化鈉(NaOH)及碳酸氫鈉(NaHCO3)中的一種。步驟S120 :將低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型后，在溫度為800°C、00°C中保溫15分鐘 150分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。其中，低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型方法可以為流延成型或干壓成型。其中，干壓成型法的步驟包括在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa 15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C 450°C排膠后，進(jìn)行燒結(jié)。其中，流延成型法的步驟包括在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)及溶劑，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，經(jīng)350°C 450°C排膠后，進(jìn)行燒結(jié)。其中，溶劑為甲苯與無水乙醇的混合液。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，制備方法簡單、能耗低。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法燒結(jié)溫度低，在800°C、00°C的溫度范圍實(shí)現(xiàn)燒結(jié)，可使用電導(dǎo)率高的金屬材料(如銀、銅等)作為導(dǎo)體，燒結(jié)后的低溫共燒介質(zhì)陶瓷缺陷少、致密，能夠生產(chǎn)出電性能優(yōu)良、可靠性高的低溫共燒介質(zhì)陶瓷產(chǎn)品。且采用上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高，不易翹曲的特點(diǎn)，將被動元件嵌入多層電路基板中，能更好地實(shí)現(xiàn)基板的高密度組裝。以下為具體實(shí)施例部分實(shí)施例I本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸氫銨(NH4HCO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為830°C中保溫120分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。
實(shí)施例2本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸鉀(K2CO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(SiO2 )、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為800°C中保溫150分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例3本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鐠(PrCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入氫氧化鉀(Κ0Η)，采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)450°C排膠后，在溫度為900°C中保溫15分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例4本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。
本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鈰(CeCl3)、氯化鐠(PrCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸氫鉀(KHCO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在IOMPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為850°C中保溫120分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例5本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)、氯化銪(EuCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸鈉(Na2CO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為830°C中保溫120分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例6本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鈰(CeCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入氫 氧化鈉(NaOH)，采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在12MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)380°C排膠后，在溫度為880°C中保溫60分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例7本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入氫氧化鈉(NaOH)，采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(SiO2 )、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為840°C中保溫50分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例8本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。
本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鈰(CeCl3)、氯化鐠(PrCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸氫鈉(NaHCO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在SMPa的壓力下干壓成型，經(jīng)420°C排膠后，在溫度為860°C中保溫90分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫 共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例9本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鐠(PrCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)、氯化銪(EuCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸氫銨(NH4HCO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(SiO2 )、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為830°C中保溫120分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例10本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸氫鈉(NaHCO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化娃(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為800°C中保溫150分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例11 本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鐠(PrCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入碳酸鉀(K2CO3),采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)450°C排膠后，在溫度為900°C中保溫15分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。實(shí)施例12本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I及表2。本實(shí)施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化鋇(BaCl2)、氯化鐠(PrCl3)為原料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，然后加入氫氧化鉀(Κ0Η)，采用化學(xué)共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在IOMPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為850°C中保溫120分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到本實(shí)施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實(shí)施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。對比例傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2。傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備燒結(jié)助劑以二氧化硅、硼酸、氧化鋅、氧化鋁、碳酸鈣、碳酸鋇為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅、氧化鵬、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈣、氧化鋇的配比稱量各物料，經(jīng)混料、高溫熔融(1250°C 1400°C的溫度范圍)、淬火、超細(xì)粉碎后，得到燒結(jié)助劑。
(2)按照氧化鋁、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比分別為稱取各組分，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(3)在傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進(jìn)行造粒，在IOMPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為850°C中保溫60分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在對比例制備的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進(jìn)行涂銀、燒銀、清洗后測試其電性能、抗彎強(qiáng)度及熱導(dǎo)率見表3。表I表示的是實(shí)施例f實(shí)施例12的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)助劑和對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)助劑的質(zhì)量百分比的組成。表2表示的是實(shí)施例f實(shí)施例12的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)助劑和對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)助劑的質(zhì)量百分比的組成。表I
I燒結(jié)助劑的質(zhì)量百分比丨％)
堿土金屬的氯化物
S1O2 B2O3 ZnO AI2O3
MgO CaO SrO BaO La Ce Pr Nd Sm Eu Dy
實(shí)施 I 31 I 10 I 5.1 30 I I 3 I 4 I 3 I 5 I O I O I 5 I O I O I 2.j~
權(quán)利要求
1.一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，其特征在于，按質(zhì)量百分比，包括31 % 45%的二氧化硅、1% 10%的氧化硼、5. 1% 10%的氧化鋅、18% 30%的氧化鋁、11% 24%的堿土金屬氧化物及5% 15%的通式為R2O3的氧化物，其中，R為鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪及鏑中的至少一種；所述堿土金屬氧化物為氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇及氧化鍶中的至少一種。
2.一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于，按質(zhì)量百分比，包括40% 59%的氧化鋁、39% 57%的如權(quán)利要求I所述的燒結(jié)助劑及I. 5% 15%的改性劑； 其中，所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、四氧化三鈷、三氧化二釔、二氧化鋯及三氧化二鉍中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于，包括40% 55%的氧化鋁、39% 56%的燒結(jié)助劑及2% 15%的改性劑。
4.一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 按照質(zhì)量百分比為40% ^59%,39% 570A及I. 5% 15%稱取氧化鋁、如權(quán)利要求I所述的燒結(jié)助劑和改性劑，加入去離子水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料；所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、四氧化三鈷、三氧化二釔、二氧化鋯及三氧化二鉍中的至少一種；及 將所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型后，在溫度為800°C、00°C中保溫15分鐘 150分鐘進(jìn)行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，制備所述燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁、堿土金屬的氯化物、R的氯化物為原材料，分別配制成水溶液，按所述燒結(jié)助劑中所述氧化鋁、堿土金屬氧化物及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進(jìn)行混合，加入沉淀劑，采用化學(xué)共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅、氧化鋅、硼酸為原料，按照所述燒結(jié)助劑中所述二氧化硅、氧化鋅、氧化硼的質(zhì)量百分比將所述二氧化硅、氧化鋅、硼酸與所述前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到所述燒結(jié)助劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述沉淀劑為碳酸氫銨、碳酸鉀、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉、氫氧化鈉及碳酸氫鈉中的一種。
7.如權(quán)利要求2所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在濾波器、功率分配器、多層基板及封裝基板中的應(yīng)用。
全文摘要
一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，按質(zhì)量百分比，包括31％~45％的二氧化硅、1％~10％的氧化硼、5.1％~10％的氧化鋅、18％~30％的氧化鋁、11％~24％堿土金屬氧化物及5％~15％的通式為R2O3的氧化物，其中，R為鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪及鏑中的至少一種；堿土金屬氧化物為氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇及氧化鍶中的至少一種。上述燒結(jié)助劑添加到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中能夠使得所制成的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)良的熱機(jī)械性能及介電性能。此外，還要提供一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及其應(yīng)用、和低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法。
文檔編號C04B35/622GK102863221SQ201210356299
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月20日
發(fā)明者張火光, 肖澤棉, 唐浩, 宋永生, 吳海斌, 莫方策, 葉向紅, 張彩云 申請人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司