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      一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料的制作方法

      文檔序號(hào):1866644閱讀:255來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料。
      背景技術(shù)
      微晶材料又稱玻璃陶瓷。它是由某些特定配方組成的各種硅酸鹽原料,通過特定的溫度制度或(和)光照(稱光敏)處理受控微晶化而形成的具有特定優(yōu)異性能的微晶相和殘余硅酸鹽相組成的多相固體材料。目前,市場(chǎng)上有一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,該微晶材料包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為83. 38%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 66%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 29%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為7. 7%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為I. 97%,這種微晶材料的導(dǎo)磁率為100000亨利/米,最大導(dǎo)磁率為300000亨利/ 米。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種導(dǎo)磁率與最大導(dǎo)磁率都更大的一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料。為解決上述問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 12±0. 05%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 81±0. 03%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 29±0. 02%、娃元素所占的質(zhì)量百分比為8. 2 ±O. I %、硼兀素所占的質(zhì)量百分比為2. 58±0. 05%。本發(fā)明的有益效果是上述一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,其導(dǎo)磁率為170000亨利/米,最大導(dǎo)磁率為440000亨利/米,其導(dǎo)磁率與最大導(dǎo)磁率較之前者都得到了增加。
      具體實(shí)施例方式下面通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料進(jìn)一步描述。實(shí)施例一一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 17%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 79%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 28%、娃元素所占的質(zhì)量百分比為8. 19%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為2. 57%。實(shí)施例二 一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 07%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 83%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為
      I.3%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為8. 21%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為2. 59%。實(shí)施例三一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 15%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5.8%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 27%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為8. 21%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為 2. 57%。
      權(quán)利要求
      1 一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,其特征在于所述一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 12±0. 05%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 81±0. 03%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 29±0. 02%、娃元素所占的質(zhì)量百分比為8. 2 ±O. I %、硼兀素所占的質(zhì)量百分比為2. 58±0. 05%。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種具有導(dǎo)磁率的微晶材料,包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素,其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82.12±0.05%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5.81±0.03%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為1.29±0.02%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為8.2±0.1%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為2.58±0.05%,其導(dǎo)磁率為170000亨利/米,最大導(dǎo)磁率為440000亨利/米,其導(dǎo)磁率與最大導(dǎo)磁率較之前都得到了增加。
      文檔編號(hào)C03C10/00GK102923956SQ201210398748
      公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
      發(fā)明者朱正才 申請(qǐng)人:張家港市清大星源微晶有限公司
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