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      可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷Li<sub>2</sub>Ca<sub>2</sub>BiV<sub>3</sub>O<sub>12</sub>及其制備方法

      文檔序號:1876589閱讀:577來源:國知局
      專利名稱:可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷Li<sub>2</sub>Ca<sub>2</sub>BiV<sub>3</sub>O<sub>12</sub>及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及介電陶瓷材料,特別是涉及在微波頻率使用的介質(zhì)諧振器、濾波器等微波元器件,以及陶瓷電容器或溫度補償電容器的介電陶瓷材料及其制備方法。
      背景技術(shù)
      微波介電陶瓷是指應(yīng)用于微波頻段(主要是UHF、SHF頻段)電路中作為介質(zhì)材料并完成一種或多種功能的陶瓷,在現(xiàn)代通訊中被廣泛用作諧振器、濾波器、介質(zhì)基片、介質(zhì)導波回路等元器件,是現(xiàn)代通信技術(shù)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,已在便攜式移動電話、汽車電話、無繩電話、電視衛(wèi)星接受器、軍事雷達等方面有著十分重要的應(yīng)用,在現(xiàn)代通訊工具的小型化、集成化過程中正發(fā)揮著越來越大的作用。應(yīng)用于微波頻段的介電陶瓷,應(yīng)滿足如下介電特性的要求(I)高的相對介電常 數(shù)4以利于器件的小型化,一般要求&彡20; (2)高的品質(zhì)因數(shù)Q值或介質(zhì)損耗tan δ以降低噪音,一般要求Qf > 3000 GHz ; (3)諧振頻率的溫度系數(shù)tf盡可能小以保證器件具有好的熱穩(wěn)定性,一般要求_10/°C<tf彡+10 ppm/°C;國際上從20世紀30年代末就有人嘗試將電介質(zhì)材料應(yīng)用于微波技術(shù)。根據(jù)相對介電常數(shù)&的大小與使用頻段的不同,通??蓪⒁驯婚_發(fā)和正在開發(fā)的微波介質(zhì)陶瓷分為3類。(I)低er和高Q值的微波介電陶瓷,主要是BaO-MgO-Ta2O5, BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5, BaO-ZnO-Nb2O5系統(tǒng)或它們之間的復合系統(tǒng)MWDC材料,其ε =25 30,Q= (I 2) X 104(在f彡10 GHz下),O0主要應(yīng)用于f彡8 GHz的衛(wèi)星直播等微波通信機中作為介質(zhì)諧振器件。(2)中等ε r和Q值的微波介電陶瓷,主要是以BaTi4O9, Ba2Ti9O20和(Zr、Sn) TiO4等為基的 MWDC 材料,其 ε r = 35 40,Q= (6 9) XlO3 (在 f=3 一4GHz 下),tf ^ 5ppm/° C。主要用于4 8 GHz頻率范圍內(nèi)的微波軍用雷達及通信系統(tǒng)中作為介質(zhì)諧振器件。(3)高ε ^而Q值較低的微波介電陶瓷,主要用于O. 8 4GHz頻率范圍內(nèi)民用移動通訊系統(tǒng),這也是微波介電陶瓷研究的重點;80年代以來,Kolar、Kato等人相繼發(fā)現(xiàn)并研究了類鈣鈦礦鎢青銅型BaO — Ln2O3 — TiO2系列(Ln=La, Sm, Nd, Pr等,簡稱BLT系)、復合韓欽礦結(jié)構(gòu)CaO —Li2O一Ln2O3一TiO2系列、鉛基系列材料、CahLn2xjZ3TiO3系等聞ε ! 微波介電陶瓷,其中BLT體系的BaO— Nd2O3— TiO2材料介電常數(shù)達到90,鉛基系列(Pb,Ca)ZrO3介電常數(shù)達到105。以上這些材料體系的燒結(jié)溫度一般高于1300° C,不能直接與Ag、Cu等低熔點金屬共燒形成多層陶瓷電容器,近年來,隨著低溫共燒陶瓷技術(shù)(Low Temperature Co-firedCeramics, LTCC)的發(fā)展和微波多層器件發(fā)展的要求,國內(nèi)外的研究人員對一些低燒體系材料進行了廣泛的探索和研究,主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷復合材料體系,因低熔點玻璃相具有相對較高的介質(zhì)損耗,玻璃相的存在大大提高了材料的介質(zhì)損耗,因此研制無玻璃相的低燒微波介質(zhì)陶瓷材料是當前研究的重點,但是,對于用于低燒微波介質(zhì)陶瓷的體系仍然比較有限,這在很大程度上限制了低溫共燒技術(shù)及微波多層器件的發(fā)展;我們對石榴石結(jié)構(gòu)型陶瓷NaCa2 (Mgl_xZnx)2V3012、LiCa3Mg1^xZnxV3O12進行了燒結(jié)特性與微波介電性能研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)該類陶瓷具有優(yōu)異的綜合微波介電性能同時燒結(jié)溫度低于960° C,可廣泛用于各種介質(zhì)基板、諧振起器、濾波器等微波器件的制造,可滿足低溫共燒技術(shù)及微波多層器件的技術(shù)需要;為了進一步降低燒結(jié)溫度,我們發(fā)現(xiàn)組成為石榴石結(jié)構(gòu)氧化物陶瓷Li2Ca2BiV3O12 比 NaCa2(MghZnx)2V3O12' LiCa3Mg1^xZnxV3O12 等具更低的燒結(jié)溫度,同時具有更高介電常數(shù)與更近零的諧振頻率的溫度系數(shù),因此具有更優(yōu)異的綜合性能。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷Li2Ca2BiV3O12及其制備方法。本發(fā)明涉及的可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷的組成化學式為 Li2Ca2BiV3O12O上述可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷的制備方法具體步驟為
      (1)將純度為99.9%以上的Li2CO3' CaCO3> Bi2O3和V2O3的原始粉末按Li2Ca2BiV3O12化學式稱量配料;
      (2)將步驟(I)原料濕式球磨混合12小時,溶劑為蒸餾水,烘干后在650°C大氣氣氛中預燒6小時;
      (3)在步驟(2)制得的粉末中添加粘結(jié)劑并造粒后,再壓制成型,最后在70(T750°C大氣氣氛中燒結(jié)4小時;所述的粘結(jié)劑采用質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇溶液,劑量占粉末總量的3% ο本發(fā)明制備的陶瓷在70(T750°C燒結(jié)良好,其介電常數(shù)達到37 43,品質(zhì)因數(shù)Qf值高達65000-94000GHZ,諧振頻率溫度系數(shù)小,在工業(yè)上有著極大的應(yīng)用價值。
      具體實施例方式實施例
      表I示出了構(gòu)成本發(fā)明的不同燒結(jié)溫度的4個具體實施例及其微波介電性能;其制備方法如上所述,用圓柱介質(zhì)諧振器法進行微波介電性能的評價。本陶瓷可廣泛用于各種介質(zhì)諧振起器、濾波器等微波器件的制造,可滿足移動通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)的技術(shù)需要。本發(fā)明決不限于以上實施例,具有與Bi等相似結(jié)構(gòu)與化學性質(zhì)的元素如La、Eu、Y、Ce、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb和Lu等也可以做出與本發(fā)明類似晶體結(jié)構(gòu)與性能的的介電陶瓷。表1:
      權(quán)利要求
      1.一種含鋰石榴石結(jié)構(gòu)復合氧化物作為微波介電陶瓷的應(yīng)用,其特征在于所述復合氧化物的組成化學式為=Li2Ca2BiV3O12 ;所述復合氧化物的制備方法步驟為(1)將純度為99.9%以上的Li2CO3' CaCO3> Bi2O3和V2O3的原始粉末按Li2Ca2BiV3O12的化學式稱量配料;(2)將步驟(I)原料濕式球磨混合12小時,溶劑為蒸餾水,烘干后在650°C大氣氣氛中預燒6小時;(3)在步驟(2)制得的粉末中添加粘結(jié)劑并造粒后,再壓制成型,最后在70(T750°C大氣氣氛中燒結(jié)4小時;所述的粘結(jié)劑采用質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇溶液,劑量占粉末總量的3% ο
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種可低溫燒結(jié)含鋰石榴石結(jié)構(gòu)微波介電陶瓷Li2Ca2BiV3O12及其制備方法。介電陶瓷材料的組成化學式為Li2Ca2BiV3O12;(1)將純度為99.9%以上的Li2CO3、CaCO3、Bi2O3和V2O3的原始粉末,按Li2Ca2BiV3O12的組成化學式稱量配料;(2)將步驟(1)原料濕式球磨混合12小時,溶劑為蒸餾水,烘干后在650℃大氣氣氛中預燒6小時;(3)在步驟(2)制得的粉末中添加粘結(jié)劑并造粒后,再壓制成型,最后在700~750℃大氣氣氛中燒結(jié)4小時;所述的粘結(jié)劑采用質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇溶液,劑量占粉末總量的3%。本發(fā)明制備的陶瓷在700~750℃燒結(jié)良好,其介電常數(shù)達到37~43,品質(zhì)因數(shù)Qf值高達65000-94000GHz,諧振頻率溫度系數(shù)小,在工業(yè)上有著極大的應(yīng)用價值。
      文檔編號C04B35/495GK103011810SQ20121052254
      公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月7日
      發(fā)明者張輝, 向飛, 方亮, 蘇聰學 申請人:桂林理工大學
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