專利名稱：晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體硅塊切割過程中漿料噴射設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置。
背景技術(shù)：
太陽能晶體硅塊是由多晶硅料熔鑄成硅錠，然后由破錠機(jī)切割而成。太陽能晶體硅塊一般采用線鋸切割方法，通過鋼線的高速運(yùn)動(dòng)來對(duì)晶體硅塊進(jìn)行切割。但是，鋼線在高速運(yùn)動(dòng)中，要完成對(duì)硅塊的切割，必須向鋼線噴灑漿料，使得漿料對(duì)鋼線進(jìn)行冷卻，并使得鋼線攜帶漿料切割晶體硅塊。噴嘴裝置是均勻噴灑漿料的主要裝置。漿料的流量是否均勻、流量是否達(dá)到切割的要求，對(duì)鋼線的切割能力和切割效率起著關(guān)鍵的作用。 目前，現(xiàn)有的噴嘴裝置為側(cè)面設(shè)有出料孔的漿料管，出料孔為條形孔，從漿料管的首端延伸至漿料管的尾端。漿料泵將漿料從儲(chǔ)料箱輸送至漿料管，再由漿料管通過出料孔將漿料噴到鋼線上，使得漿料管噴出的漿料形成一條瀑布，均勻的噴灑在待切割的硅塊上，鋼線攜帶漿料進(jìn)行切割。由于硅塊的尺寸和鋼線的布置形式，切割硅塊的鋼線相間隔125mm或者156mm，所以只有落在鋼線上和落在硅塊被鋼線切割的位置上的漿料起到了作用。但是，現(xiàn)有漿料管的出料孔為條形孔，從漿料管的首端延伸至漿料管的尾端，使得硅塊的切割處和非切割處均會(huì)被噴灑到漿料，那么漿料管噴出的未落于鋼線上的、位于非切割處的漿料沒有起到任何作用，被完全浪費(fèi)掉，增加了漿料的使用量，最終增加了晶體硅塊的切割成本。另外，現(xiàn)有的噴嘴裝置沒有對(duì)漿料的溫度進(jìn)行控制。冬季時(shí)，由于室內(nèi)溫度較低，使得漿料的溫度也較低，常常出現(xiàn)漿料凝固的現(xiàn)象，影響了鋼線的正常切割，從而降低了晶體硅塊的切割質(zhì)量；同時(shí)，漿料凝固也不便于鋼線進(jìn)行切割，較易導(dǎo)致鋼線發(fā)生斷線現(xiàn)象。綜上所述，如何提供一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，以減少漿料的使用量，進(jìn)而降低晶體硅塊的切割成本，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，減少了漿料的使用量，進(jìn)而降低了晶體硅塊的切割成本。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，所述出料孔自所述漿料管的首端延伸至所述漿料管的尾端；與所述漿料管固定貼合相連的擋板，所述擋板上設(shè)有若干與所述出料孔相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個(gè)所述導(dǎo)流孔的孔心距為 1 25mm 或者 156mm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導(dǎo)流孔為條形孔，所述導(dǎo)流孔的長度為4cm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述擋板位于所述漿料管的內(nèi)部。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導(dǎo)流孔包括兩排若干相互平行的第一導(dǎo)流孔和第二導(dǎo)流孔，且所述第一導(dǎo)流孔和第二導(dǎo)流孔均能夠與所述出料孔相連通；所述漿料管的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于所述出料孔延伸方向的方向延伸的，且呈條形狀的導(dǎo)向孔；
·[0016]所述擋板上設(shè)置有與所述導(dǎo)向孔相配合的導(dǎo)向柱，所述擋板可沿所述導(dǎo)向孔的延伸方向移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第一導(dǎo)流孔和第二導(dǎo)流孔與所述出料孔切換連通；套設(shè)在所述導(dǎo)向柱的外側(cè)，固定所述擋板和漿料管的鎖母。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導(dǎo)向孔和導(dǎo)向柱的數(shù)目均為兩個(gè)，兩個(gè)所述導(dǎo)向孔分別位于所述漿料管的兩端。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個(gè)所述第一導(dǎo)流孔的孔心距為125mm,相鄰的兩個(gè)所述第二導(dǎo)流孔的孔心距為156mm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括設(shè)置在所述漿料管內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行加熱的加熱器和測(cè)量所述漿料溫度的測(cè)溫器。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括均與所述測(cè)溫器和加熱器相連，并接收所述測(cè)溫器測(cè)量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的所述溫度數(shù)據(jù)控制所述加熱器的控制器。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述加熱器具體為加熱絲和與所述加熱絲相連的可控硅；所述測(cè)溫器為熱電偶；所述擋板為不銹鋼板。本實(shí)用新型提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，出料孔自漿料管的首端延伸至漿料管的尾端；與漿料管固定貼合相連的擋板，擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通，且與切割晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔。上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，由于擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔，擋板與出料孔相對(duì)的部位未設(shè)置導(dǎo)流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費(fèi)，最終減少了漿料的使用量，進(jìn)而降低了晶體硅塊的切割成本。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中漿料管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I的局部放大圖；圖3為圖I的A向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中擋板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4的局部放大圖；圖6為圖4的B向結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7的局部放大圖；圖9為圖7的C向結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。 上圖I-圖10中漿料管I、導(dǎo)向孔11、出料孔12、擋板2、加熱絲21、第一導(dǎo)流孔22、導(dǎo)向柱23、第二導(dǎo)流孔24、熱電偶25。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，減少了漿料的使用量，進(jìn)而降低了晶體硅塊的切割成本。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參考附圖1-10，圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中漿料管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I的局部放大圖；圖3為圖I的A向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中擋板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4的局部放大圖；圖6為圖4的B向結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7的局部放大圖；圖9為圖7的C向結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔12的漿料管1，出料孔12自漿料管I的首端延伸至漿料管I的尾端；與漿料管I固定貼合相連的擋板2，擋板2上設(shè)有若干與出料孔12相連通，且與切割晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，擋板2上設(shè)有若干與出料孔12相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔，擋板2與出料孔12相對(duì)的部位未設(shè)置導(dǎo)流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費(fèi)，最終減少了漿料的使用量，進(jìn)而降低了晶體硅塊的切割成本。由于切割晶體硅塊的鋼線一般布置時(shí)相間隔125mm或者156mm，為了進(jìn)一步減少漿料的浪費(fèi)，減少漿料的使用量，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個(gè)導(dǎo)流孔的孔心距為125mm或者156mm。當(dāng)然，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體地限定，只要保證導(dǎo)流孔與鋼線相對(duì)應(yīng)即可。[0043]優(yōu)選的，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導(dǎo)流孔為條形孔，導(dǎo)流孔的長度為4cm。當(dāng)然，本實(shí)用新型對(duì)導(dǎo)流孔的形狀和長度不作具體地限定，只要保證由導(dǎo)流孔噴出的漿料可滿足鋼線切割晶體硅塊所需漿料量即可。為了便于噴射漿料，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，擋板2位于漿料管I的內(nèi)部。當(dāng)然，擋板2也可位于漿料管I的外部，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體地限定。為了進(jìn)一步優(yōu)化上述技術(shù)方案，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導(dǎo)流孔包括兩排若干相互平行的第一導(dǎo)流孔22和第二導(dǎo)流孔24，且第一導(dǎo)流孔22和第二導(dǎo)流孔24均能夠與出料孔12相連通；漿料管I的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于出料孔12延伸 方向的方向延伸的，且呈條形狀的導(dǎo)向孔11 ;擋板2上設(shè)置有與導(dǎo)向孔11相配合的導(dǎo)向柱23，擋板2可沿所述導(dǎo)向孔11的延伸方向移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)流孔22和第二導(dǎo)流孔24與出料孔12切換連通；套設(shè)在導(dǎo)向柱23的外側(cè)，固定擋板2和漿料管I的鎖母。在使用上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置過程中，可根據(jù)鋼線的間隔來選擇使用第一導(dǎo)流孔22還是使用第二導(dǎo)流孔24。若使用第一導(dǎo)流孔22，則將擋板2向漿料管I的底端移動(dòng)，使得第一導(dǎo)流孔22與出料孔12相連通，通過鎖母固定導(dǎo)向柱23，來實(shí)現(xiàn)對(duì)擋板2和漿料管I的固定；若使用第二導(dǎo)流孔24，則將擋板2向漿料管I的頂端移動(dòng)，使得第二導(dǎo)流孔24與出料孔12相連通，通過鎖母固定導(dǎo)向柱23，來實(shí)現(xiàn)對(duì)擋板2和漿料管I的固定，方便了晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的使用。為了更加穩(wěn)固地固定擋板2和漿料管1，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導(dǎo)向孔11和導(dǎo)向柱23的數(shù)目均為兩個(gè)，兩個(gè)導(dǎo)向孔11分別位于漿料管I的兩端。當(dāng)然，導(dǎo)向孔11和導(dǎo)向柱23的數(shù)目還可為多個(gè)或者一個(gè)，只要保證能夠?qū)醢?和漿料管I固定即可，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體地限定。優(yōu)選的，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個(gè)第一導(dǎo)流孔22的孔心距為125mm，相鄰的兩個(gè)第二導(dǎo)流孔24的孔心距為156mm。為了避免漿料由于溫度較低而凝固，堵塞導(dǎo)流孔和出料孔12，影響鋼線對(duì)晶體硅塊的切割，進(jìn)而降低硅塊切割過程中發(fā)生斷線的幾率，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括設(shè)置在漿料管I內(nèi)并對(duì)漿料進(jìn)行加熱的加熱器和測(cè)量漿料溫度的測(cè)溫器。擋板2的端部設(shè)有與加熱器和測(cè)溫器相連的加熱接口和測(cè)溫接口。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)漿料的溫度進(jìn)行自動(dòng)控制，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括均與測(cè)溫器和加熱器相連，并接收測(cè)溫器測(cè)量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的溫度數(shù)據(jù)控制加熱器的控制器，通過控制器實(shí)現(xiàn)了對(duì)漿料溫度的自動(dòng)控制。優(yōu)選的，上述實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，加熱器具體為加熱絲21和與加熱絲21相連的可控硅；測(cè)溫器為熱電偶25 ;擋板2為不銹鋼板。當(dāng)然，加熱器和測(cè)溫器還可為其他，擋板2也可以為其他材料的擋板，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體地限定。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔(12)的漿料管(1)，所述出料孔(12)自所述漿料管⑴的首端延伸至所述漿料管⑴的尾端；其特征在于，還包括 與所述漿料管(I)固定貼合相連的擋板(2)，所述擋板(2)上設(shè)有若干與所述出料孔(12)相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述導(dǎo)流孔的孔心距為125mm或者156mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流孔為條形孔，所述導(dǎo)流孔的長度為4cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述擋板(2)位 于所述漿料管(I)的內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流孔包括兩排若干相互平行的第一導(dǎo)流孔(22)和第二導(dǎo)流孔(24)，且所述第一導(dǎo)流孔(22)和第二導(dǎo)流孔(24)均能夠與所述出料孔(12)相連通； 所述漿料管(I)的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于所述出料孔(12)延伸方向的方向延伸的，且呈條形狀的導(dǎo)向孔(11); 所述擋板(2)上設(shè)置有與所述導(dǎo)向孔(11)相配合的導(dǎo)向柱(23)，所述擋板(2)可沿所述導(dǎo)向孔(11)的延伸方向移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第一導(dǎo)流孔(22)和第二導(dǎo)流孔(24)與所述出料孔(12)切換連通； 套設(shè)在所述導(dǎo)向柱(23)的外側(cè)，固定所述擋板(2)和漿料管(I)的鎖母。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導(dǎo)向孔(11)和導(dǎo)向柱(23)的數(shù)目均為兩個(gè)，兩個(gè)所述導(dǎo)向孔(11)分別位于所述漿料管(I)的兩端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述第一導(dǎo)流孔(22)的孔心距為125mm，相鄰的兩個(gè)所述第二導(dǎo)流孔(24)的孔心距為156mm0
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述漿料管(I)內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行加熱的加熱器和測(cè)量所述漿料溫度的測(cè)溫器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，還包括均與所述測(cè)溫器和加熱器相連，并接收所述測(cè)溫器測(cè)量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的所述溫度數(shù)據(jù)控制所述加熱器的控制器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述加熱器具體為加熱絲(21)和與所述加熱絲(21)相連的可控硅；所述測(cè)溫器為熱電偶(25);所述擋板(2)為不銹鋼板。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，所述出料孔自所述漿料管的首端延伸至所述漿料管的尾端；與所述漿料管固定貼合相連的擋板，所述擋板上設(shè)有若干與所述出料孔相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔。本實(shí)用新型提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，由于擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流孔，擋板與出料孔相對(duì)的部位未設(shè)置導(dǎo)流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費(fèi)，最終減少了漿料的使用量，進(jìn)而降低了晶體硅塊的切割成本。
文檔編號(hào)B28D5/04GK202479981SQ201220026150
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者馮文宏, 朱國新 申請(qǐng)人:英利能源(中國)有限公司