專利名稱：一種晶體切割定位粘接臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于晶體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及晶體切割前的粘接固定裝置。
背景技術(shù)：
晶體切割時(shí)，對(duì)切割晶體的角度要求非常嚴(yán)格，一般應(yīng)控制在1(V以內(nèi)，因此，粘接晶體的方法和裝置非常重要?，F(xiàn)有技術(shù)中一般是手工來粘接操作，只能切割一種角度的晶體，塊數(shù)在1-2塊。缺陷是對(duì)操作人員的要求高，并且過程復(fù)雜、重復(fù)性差、效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有粘接方法的效率低、重復(fù)性差的缺陷， 提供了一種高效、準(zhǔn)確，重現(xiàn)性好的定位粘接裝置。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案一種晶體切割定位粘接臺(tái)，包括垂直固定在一起的擋板和底座，底座上固定有與底座垂直的彈性壓緊件，其壓緊頭與擋板垂直；在所述底座上面、接近擋板的一側(cè)，設(shè)有石墨托條。該晶體切割定位粘接臺(tái)，適用的晶體為碳化硅、藍(lán)寶石或VGF砷化鎵。所述彈性壓緊件包括立柱、軸套、壓緊頭和彈簧，所述軸套垂直固定在立柱上，彈簧位于軸套內(nèi)，壓緊頭一端設(shè)于軸套內(nèi)，另一端在彈簧的作用下壓緊加工件。所述立柱與底座滑動(dòng)連接。因?yàn)榫w大小和厚度不一，將立柱設(shè)計(jì)為可移動(dòng)式，有利于擴(kuò)大使用范圍。所述石墨托條固定處的底座上設(shè)凹槽，石墨托條位于凹槽內(nèi)，且托條的上平面低于底座平面。凹槽內(nèi)的石墨托條與擋板形成固定角，一是保證晶體不易壓偏且使晶體受力均勻，二是避免膠凝固過程中的晶體的角度發(fā)生改變。本實(shí)用新型工作原理是晶體粘接之前，先把晶體要加工的角度打磨出來，磨外圓，制作參考面。把各種角度的一個(gè)晶體或多個(gè)晶體放入切割粘接臺(tái)粘接固定，晶體與晶體之間使用膠固定。使用此切割粘接臺(tái)的有益效果是粘接晶體操作方便，且使晶體切割的角度控制在10'以內(nèi)，從而簡(jiǎn)化了工藝、降低了成本、提高了效率。

附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中圖I是本實(shí)用新型晶體切割定位粘接臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I的粘接臺(tái)的彈性壓緊件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖I所示，一種晶體切割定位粘接臺(tái)，包括垂直固定在一起的擋板3和底座1，底座I上固定有與底座I垂直的彈性壓緊件，其壓緊頭21與擋板3垂直；在所述底座I上面、接近擋板3的一側(cè)設(shè)凹槽4，石墨托條5位于凹槽4內(nèi)，且托條5的上平面低于底座平面。凹槽4內(nèi)的石墨托條5與擋板3形成固定角，一是保證晶體不易壓偏且使晶體受力均勻，二是避免膠凝固過程中的晶體的角度發(fā)生改變。彈性壓緊件包括立柱24、軸套22、壓緊頭21和彈簧23，軸套22垂直固定在立柱24上，彈簧23位于軸套內(nèi)，壓緊頭21 —端設(shè)于軸套22內(nèi)，另一端在彈簧23的作用下壓緊加工件7。其中，立柱24與底座I滑動(dòng)連接?？梢苿?dòng)式立柱可滿足晶體大小和厚度不一的需求。實(shí)施例I使用晶體定位粘接臺(tái)時(shí)，把磨好的0°、4°、8°碳化硅晶體準(zhǔn)備好，根據(jù)晶體長(zhǎng)度調(diào)節(jié)立柱在底座上的位置，把石墨托條放入凹槽內(nèi)，涂上環(huán)氧樹脂膠(圖I的6所示)，再把上述晶體放在石墨托條上，然后用壓緊頭頂緊，I個(gè)小時(shí)之后進(jìn)行切割。切割完成可以得到晶向角度偏差在1(V以內(nèi)的晶片。實(shí)施例I方法切割碳化硅晶片的檢測(cè)記錄表，如表I所示表I實(shí)施例I方法切割碳化硅晶片的檢測(cè)記錄表
編號(hào) |0311036日期元11.10.13 2011. 10. 13 ~2011. 10. 15~2011. 10. 15 2011.10.20 2011.10.20 ￥11前角度 F 20' ~° 20' ° 15' 8° 9' ~8° 14' 8° 13' 一 ￥11后角度 |3。15' |4。15' |θ。14' |8。rV |8。11' |8。6' —實(shí)施例2使用晶體定位粘接臺(tái)時(shí)，把磨好的藍(lán)寶石或者砷化鎵角度不同的晶體準(zhǔn)備好，根據(jù)晶體長(zhǎng)度調(diào)節(jié)立柱在底座上的位置，把石墨托條放入凹槽內(nèi)，涂上環(huán)氧樹脂膠(圖I的6所示)，把上述晶體放在石墨條上，然后用壓緊頭頂緊，I個(gè)小時(shí)之后進(jìn)行切割。切割完成可以得到晶向角度偏差在1(V以內(nèi)的晶片。實(shí)施例2方法切割藍(lán)寶石晶片的檢測(cè)記錄表，如表2所示表2實(shí)施例2方法切割藍(lán)寶石晶片的檢測(cè)記錄表
晶體編號(hào)|1311034[1511042[1611038
切割日期2011.10.24一2011.10.242011.10.13'
切割前角A(ll-202) ±0. 2°_A(11-207) ±0. 2°A(ll-207) ±0. 2°
切割后角度|a(11-202) ±0. 1°|a(11-207) ±0. 1°|a(11-207) ±0. 1°最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶體切割定位粘接臺(tái)，其特征在于包括垂直固定在一起的擋板和底座，底座上固定有與底座垂直的彈性壓緊件，其壓緊頭與擋板垂直；在所述底座上面、接近擋板的一偵牝設(shè)有石墨托條。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體切割定位粘接臺(tái)，其特征在于所述彈性壓緊件包括立柱、軸套、壓緊頭和彈簧，所述軸套垂直固定在立柱上，彈簧位于軸套內(nèi)，壓緊頭一端設(shè)于軸套內(nèi)，另一端在彈簧的作用下壓緊加工件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體切割定位粘接臺(tái)，其特征在于所述立柱與底座滑動(dòng)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體切割定位粘接臺(tái)，其特征在于所述石墨托條固定處的底座上設(shè)凹槽，石墨托條位于凹槽內(nèi)，且托條的上平面低于底座平面。
專利摘要一種晶體切割定位粘接臺(tái)，本實(shí)用新型屬于晶體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及晶體切割前的粘接固定裝置。包括垂直固定在一起的擋板和底座，底座上固定有與底座垂直的彈性壓緊件，其壓緊頭與擋板垂直；在所述底座上面、接近擋板的一側(cè)，設(shè)有石墨托條。使用此切割粘接臺(tái)時(shí)，粘接晶體操作方便，且使晶體切割的角度控制在10′以內(nèi)，從而簡(jiǎn)化了工藝、降低了成本、提高了效率。
文檔編號(hào)B28D7/00GK202668781SQ20122013481
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者李旭明, 吳星, 倪代秦, 李闖, 高鵬成, 賈海濤, 張世杰 申請(qǐng)人:北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司