一種釩基玻璃熔料以及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)施例涉及一種改進(jìn)的用于玻璃制品的密封。特別是本實(shí)施例涉及一種組合物，用來(lái)密封絕緣玻璃單元。在該實(shí)施例中，所述組合物包括克分子百分比為45-50%的氧化釩、克分子百分比為20-23%的氧化鋇、克分子百分比為19-21%的氧化鋅、以及至少4個(gè)其他添加劑。例如，其他添加劑可以是不同的金屬氧化物或不同的金屬氯化物。在該實(shí)施例中，真空絕緣玻璃單元包括第一和第二基板，其通過(guò)密封體被密封在一起，該密封體包括上述的組合物。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種釩基玻璃熔料以及其制備方法
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交互參照 本申請(qǐng)為2011年2月22日提交的美國(guó)專(zhuān)利No. 12/929,875的部分繼續(xù)，在此其全部 內(nèi)容被納入此處作為參考。 發(fā)明領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一個(gè)改進(jìn)的用于玻璃制品（例如，用于真空絕緣玻 璃或VIG單元）的玻璃熔料和/或其制備方法，以及含有所述改進(jìn)的玻璃熔料的制品和/ 或其制備方法。更具體來(lái)說(shuō)，示例性實(shí)施方式涉及一個(gè)具有降低的熔點(diǎn)的釩基玻璃熔料和/ 或其制備方法。在該示例性實(shí)施方式中，將所述改進(jìn)的絕緣密封體用于真空絕緣玻璃（VIG) 單元，和/或提供一個(gè)通過(guò)所述改進(jìn)的密封體來(lái)密封VIG單元的方法。
[0003] 發(fā)明背景和示例性實(shí)施例概述 真空IG單元在本領(lǐng)域中為已知技術(shù)。例如，參照美國(guó)專(zhuān)利Nos. 5, 664, 395、5, 657, 607、 和5, 902, 652,其公開(kāi)的內(nèi)容全部被納入此處作為參考。
[0004] 圖1-2示出了常規(guī)的真空IG單元（真空IG單元或VIG單元）。真空IG單元1包 括兩個(gè)具間隔的玻璃基板2和3,其之間具有被排空或低壓的空間6。玻璃片/基板2和3 通過(guò)熔融焊接玻璃4的外圍或封邊以及一排支撐柱或間隔物5被互連。
[0005] 泵出管8通過(guò)焊接玻璃9被氣密密封至從玻璃片2的內(nèi)表面通向玻璃片2外表面 的凹陷11底部的孔隙或孔洞10。將真空裝置連接至泵出管8使基板2和3之間的內(nèi)腔被 排空，以產(chǎn)生低壓區(qū)域或空間6。排空后，管8被熔化來(lái)密封真空。凹陷11則用來(lái)保持密封 的管8?？蛇x擇地，凹陷13內(nèi)可包含化學(xué)吸氣劑12。
[0006] 常規(guī)的帶有熔融焊接玻璃外圍密封4的真空IG單元可如下被制備。首先溶液狀 的玻璃熔料（最終形成焊接玻璃封邊4)沿基板2的外圍被沉積。將另一塊基板3置于基 板2的頂部之上，從而將間隔物5和玻璃熔料/溶液夾在其之間。包含玻璃片2、3、間隔物 和密封材料的整個(gè)組件被加熱至約500°C的溫度，此時(shí)玻璃熔料熔化，潤(rùn)濕玻璃片2和3的 表面，并最終形成氣密外圍或封邊4。該約500°C的溫度被維持約1-8小時(shí)。當(dāng)外圍/封邊 4和管8周?chē)拿芊庑纬芍?，將組件冷卻至室溫。應(yīng)該指出，美國(guó)專(zhuān)利No. 5, 664, 395的第 二段指出常規(guī)真空IG加工溫度約為500°C持續(xù)1小時(shí)。'395專(zhuān)利的發(fā)明人LenzeruTurner 和Collins指出："封邊加工目前相當(dāng)緩慢：通常示例的溫度每小時(shí)增加200°C，并且取決于 焊接玻璃的組成，以430°C _530°C范圍內(nèi)的恒定值保持1小時(shí)"。在封邊4形成后，通過(guò)管 來(lái)抽取真空以形成低壓空間6。
[0007] 常規(guī)封邊的組成為本領(lǐng)域中的已知技術(shù)。例如參照美國(guó)專(zhuān)利Nos. 3, 837, 866、 4, 256, 495、4, 743, 302、5, 051，381、5, 188, 990、5, 336, 644、5, 534, 469、7, 425, 518 和美國(guó)公 開(kāi)No. 2005/0233885,其公開(kāi)的內(nèi)容全部被納入此處作為參考。
[0008] 但是，上述封邊4的制備中所使用的整個(gè)組件被高溫和長(zhǎng)時(shí)間地加熱是不理想 的，特別是在真空IG單元中需使用熱強(qiáng)化或鋼化玻璃基板2、3的情況下。如圖3-4中所示， 鋼化玻璃在暴露于高溫后，隨加熱時(shí)間而失去回火強(qiáng)度。此外，在一些情況下，該較高的加 工溫度可能會(huì)對(duì)施加至一個(gè)或兩個(gè)玻璃基板上的低輻射涂層具有不利影響。
[0009] 圖3是示出整個(gè)熱鋼化平板玻璃在暴露于不同時(shí)段的不同溫度后如何失去原始 回火強(qiáng)度的示圖，其中，原始中心抗拉應(yīng)力為每英寸3, 200MU。圖3中的X-軸是指數(shù)方式表 示的以小時(shí)為單位的時(shí)間（從1小時(shí)至1，〇〇〇小時(shí)），而y-軸表示在熱暴露后殘留的原始 回火強(qiáng)度的百分比。圖4是與圖3類(lèi)似的圖表，區(qū)別在于圖4中的X-軸以指數(shù)方式從0延 伸至1小時(shí)。
[0010] 圖3中示出了 7條不同的曲線(xiàn)，每條曲線(xiàn)指示出單位為華氏度（T)的不同溫度。 不同的曲線(xiàn)/線(xiàn)為400 °F (橫穿圖3圖標(biāo)的頂部）、500 °?、600 °?、700 °?、800 °?、900 °?和 950 °F (圖3圖表的底部曲線(xiàn)）。900 °F的溫度約為482°C，其在用于形成上述圖1-2中的 常規(guī)焊接玻璃外圍密封4的溫度范圍之內(nèi)。因此，圖3中的900 T曲線(xiàn)通過(guò)參照符號(hào)18被 特別標(biāo)出。正如所示，在溫度（900 °F或482°C)下1小時(shí)后，僅殘留了 20%的原始回火強(qiáng) 度。該回火強(qiáng)度的明顯損失（即80%的損失）是非常不理想的。
[0011] 如圖3-4所示，殘留回火強(qiáng)度的百分比根據(jù)暴露于鋼化玻璃的溫度而變化。例如， 在900 T下僅殘留約20%的原始回火強(qiáng)度。當(dāng)玻璃片暴露的溫度被降低至800 T，即約 428°C時(shí)，殘留的強(qiáng)度約為70%。最后，當(dāng)溫度降低至約600 °F，即約315°C時(shí)，結(jié)果玻璃片的 原始回火強(qiáng)度殘留約95%。因此，需要一個(gè)可減少因鋼化玻璃片暴露于高溫而造成的任何回 火強(qiáng)度損失的方法。
[0012] 如上所述，VIG單元的制備包括形成氣密密封，其能夠抵抗單元內(nèi)部所產(chǎn)生的由真 空施加的壓力。如上所述，通常密封的形成涉及等于或高于500°C的溫度。該溫度是為了獲 得足夠高的溫度來(lái)將用于密封的玻璃熔料熔化，并形成VIG單元所需的密封。如上所述，該 溫度可能使鋼化玻璃的VIG單元的強(qiáng)度降低。
[0013] 將玻璃基板密封在一起的一個(gè)常規(guī)解決方案是使用環(huán)氧樹(shù)脂。然而，在為VIG單 元的情況下，環(huán)氧樹(shù)脂組合物可能不足以在真空狀態(tài)下保持密封。此外，環(huán)氧樹(shù)脂易受環(huán)境 因素的影響，從而會(huì)進(jìn)一步降低其被應(yīng)用于VIG單元的有效性。
[0014] 另一個(gè)常規(guī)解決方案是使用含有鉛的玻璃熔料溶液。正如所知，鉛具有相對(duì)低的 熔點(diǎn)。因此，與其他玻璃熔料相比，用于密封VIG單元的溫度可能不需要太高，因此，鋼化玻 璃基板的回火強(qiáng)度下降可能與其他的玻璃熔料不同。然而，盡管鉛基熔料可解決上述的結(jié) 構(gòu)問(wèn)題，但熔料中鉛在使用可產(chǎn)生新的問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，含鉛的產(chǎn)品會(huì)影響人的健康。此外， 一些國(guó)家（例如，在歐盟）可能對(duì)特定產(chǎn)品中的含鉛量設(shè)有嚴(yán)格的要求。事實(shí)上，一些國(guó)家 (或顧客）可能要求產(chǎn)品完全不含鉛。
[0015] 因此，仍舊需要一個(gè)用于玻璃制品的技術(shù)來(lái)形成改進(jìn)的密封。而且在本領(lǐng)域中需 要一個(gè)能夠與鋼化玻璃單元例如VIG單元整合在一起的改進(jìn)的密封體。該密封體可被設(shè)計(jì) 成允許低溫密封，從而在將退火玻璃或鋼化玻璃進(jìn)行密封時(shí)不會(huì)對(duì)玻璃的性質(zhì)產(chǎn)生不利影 響。
[0016] 在示例性實(shí)施例中，玻璃熔料可提供足夠燒結(jié)粘合的玻璃來(lái)用于VIG (例如，結(jié)構(gòu) 強(qiáng)度)。在示例性實(shí)施例中，提供的玻璃熔料可提供具適當(dāng)濕潤(rùn)性的玻璃。在示例性實(shí)施例 中，熔塊可密封具結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和同質(zhì)玻璃結(jié)構(gòu)來(lái)提供合適的屏障，從而防止一段時(shí)間后的示 例性VIG單元的真空退化。
[0017] 在示例中，熔體流動(dòng)的改善可使改進(jìn)的玻璃熔料與玻璃擴(kuò)展相匹配，和/或增加 加工精度來(lái)燒結(jié)焊珠。通過(guò)減少燒結(jié)至玻璃的粘合失誤，玻璃熔料的改進(jìn)的濕潤(rùn)性和粘合 性可增加 VIG產(chǎn)率。另外，晶化的減少可進(jìn)一步或方便選擇性組合物來(lái)滿(mǎn)足不同的加熱環(huán) 境(例如，內(nèi)部密封、外部密封等)。
[0018] 在示例性例中，提供一種具有組合物的玻璃熔料。所述玻璃熔料可包括：重量百分 比為50-60%的氧化銀、重量百分比為27-33%的氧化鋇、和重量百分比為9-12%的氧化鋅。 在示例性實(shí)施例中，玻璃熔料還可包含選自以下的至少一個(gè)添加劑：Ta 205，Ti203，SrCl2， Ge02, CuO, AgO, Nb205, B203, MgO, Si02, Te02, T1203, Y203, SnF2, Sn02, CuCl, SnCl2, Ce02, AgCl, ln203, SnO, SrO, MgO, M〇03, CsC03, CuCl2，和 A1203。
[0019] 在示例性實(shí)施例中，提供一種真空絕緣玻璃（VIG)單元。所述VIG單元可包括基 本平行并具間隔的第一和第二玻璃基板。所述第一和第二玻璃基板的外圍配置有封邊，形 成氣密密封，并在所述第一和第二玻璃基板之間至少部分地定義間隙。所述第一和第二玻 璃基板之間定義的間隙低于大氣的壓力。所述封邊包括玻璃熔料，例如在此說(shuō)明的由基本 組合物制成的玻璃熔料。
[0020] 在示例性實(shí)施例中，提供一種制備玻璃熔料的方法，包括：將基本組合物提供至容 器，所述基本組合物包括：重量百分比為50%-60%的氧化釩、重量百分比為27%-33%的氧化 鋇、重量百分比為9%-12%的氧化鋅、以及選自以下的至少一種添加劑：Ta 205，Ti203，SrCl2， Ge02, CuO, AgO, Nb205, B203, MgO, Si02, Te02, T1203, Y203, SnF2, Sn02, CuCl, SnC12, Ce02, AgCl, In203, SnO, SrO, MgO, M〇03, CsC03, CuCl2，和 A1203 ;熔化所述基 本組合物；冷卻所述基本組合物被或允許冷卻從而形成媒介玻璃制品；將所述媒介玻璃制 品研磨來(lái)制成所述玻璃烙料。
[0021] 在示例性實(shí)施例中，提供一種制備真空絕緣玻璃（VIG)單元的方法，包括：提供第 一和第二玻璃基板，基本互相平行并具間隔；使用玻璃熔料將所述第一和第二基板密封，并 在所述第一和第二基板之間定義間隙，且其中，將所述玻璃熔料以不超過(guò)400°C的溫度熔化 來(lái)執(zhí)行密封，所述玻璃熔料由基本組合物形成，包含重量百分比為50-60%的氧化釩、重量 百分比為27-33%的氧化鋇、和重量百分比為9-12%的氧化鋅，以及至少一個(gè)基于氧化物、 氯化物的添加劑。
[0022] 在示例性實(shí)施例中，提供具有組合物的玻璃熔料。所述玻璃熔料可包括重量百分 比為50-60%的氧化釩（克分子百分比為40-55%，更優(yōu)選是克分子百分比為45-50%)、重量百 分比為27-33%的氧化鋇(例如碳酸鋇全部或部分轉(zhuǎn)化至BaO )(克分子百分比為15-35%， 更優(yōu)選是克分子百分比為20-23% )、和重量百分比為9-12%的氧化鋅（克分子百分比為 15-25%，更優(yōu)選是克分子百分比為19-22%)。所述玻璃熔料包含至少第一添加劑和第二添 力口劑，其選自 SnCl2，CuCl2，Mo03，Te02，Ta 205，Nb205，ΑΙΑ" Si02，和 Cs⑶3。
[0023] 示例性實(shí)施例可包含至少兩個(gè)添加劑。例如SnC12和Si02。示例性實(shí)施例可包含 三個(gè)或四個(gè)添加劑，其選自Si0 2，SnCl2，A1203，和Te02。示例性實(shí)施例可使用5-10個(gè)不 同的添加劑，其選自 SnCl2, CuCl2, M〇03, Te02，Ta205，Nb205，A1 203, Si03，和 CsC03。
[0024] 在此所述的特點(diǎn)、方面、優(yōu)點(diǎn)和示例性實(shí)施例能夠通過(guò)任何適當(dāng)?shù)慕M合或子組合 被結(jié)合，來(lái)實(shí)現(xiàn)其他實(shí)施例。
[0025] 附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明 以下參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，來(lái)更好更全面地了解本發(fā)明的上述和其 他特征及優(yōu)點(diǎn)。
[0026] 圖1是常規(guī)的真空IG單元的橫截面視圖； 圖2是沿圖1中示出的剖面線(xiàn)獲得的圖1的真空IG單元的底部基板、封邊和間隔物的 俯視圖； 圖3是有關(guān)時(shí)間（小時(shí)）與殘留回火強(qiáng)度百分比相比較的圖表，示出了熱鋼化玻璃板 暴露于不同時(shí)間段的不同溫度后的原始回火強(qiáng)度的損失； 圖4是與圖3類(lèi)似的有關(guān)時(shí)間與殘留回火強(qiáng)度百分比相比較的圖表，區(qū)別在于X-軸上 提供了更小的時(shí)間段； 圖5是根據(jù)示例性實(shí)施例的真空絕緣玻璃單元的橫截面圖； 圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施方例的使用玻璃熔料制備真空絕緣玻璃單元的流程圖； 圖7A-7D是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的組合物的性質(zhì)的圖表； 圖8A-8C是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的組合物的質(zhì)量的圖表； 圖9是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的組合物添加其他元素時(shí)的結(jié)果圖表； 圖10A-10C是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的添加劑被添加至釩基玻璃熔料的影響的示圖； 圖11A-11C是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的釩基玻璃熔料在可視和紅外波長(zhǎng)中的吸收率 圖表；以及 圖12A-12C是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的玻璃熔料的流動(dòng)特性的圖表。
[0027] 示例性實(shí)施例的具體說(shuō)明 以下對(duì)一些示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，該示例性實(shí)施例可能具有相同的特征、特點(diǎn)等。應(yīng) 理解，任何一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特征可與其他實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特征組合。此外，單 個(gè)特征或組合特征可構(gòu)成另外的實(shí)施例。
[0028] 示例性實(shí)施例涉及一個(gè)玻璃單元（例如，VIG單元），其包括兩個(gè)玻璃基板，以改 進(jìn)的密封體被密封，該密封體包含例如釩基玻璃熔料。在示例性實(shí)施例中，改進(jìn)的密封體 可包括下列材料：氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅。此外，示例性實(shí)施例可包含一個(gè)或多個(gè)化合 物：Ta 205，Ti203，SrCl2，Ge0 2，CuO，AgO，Nb205，BA" MgO，Si02，Te02，T1203，Y203， SnF2, Sn02, CuCl, SnC12, Ce02, AgCl, In203, SnO, SrO, MgO, M〇03, CsC03, CuCl2, 和 A1203。
[0029] 圖5是根據(jù)示例性實(shí)施例的真空絕緣玻璃單元的橫截面圖。VIG單元500可包括 第一玻璃基板和第二玻璃基板502a和502b，其被隔開(kāi)并在之間定義空間。玻璃基板502a 和502b可通過(guò)改進(jìn)的密封體504被連接，該密封體可以是釩基玻璃熔料或包含釩基玻璃熔 料。支撐柱506可用于維持第一玻璃基板和第二玻璃基板502a和502b，使其基本上互相 平行并具間隔。在此，改進(jìn)的密封體504和玻璃基板502a和502b的CTE基本上互相匹配。 由此在降低玻璃開(kāi)裂等方面比較有利。盡管圖5的說(shuō)明涉及VIG單元，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，但釩 基玻璃熔料或包含釩基玻璃熔料的改進(jìn)的密封體504可用來(lái)連接其他制品，和/或包括絕 緣玻璃（IG)單元和/或其他制品的組合體。
[0030] 圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施方例的使用玻璃熔料制備真空絕緣玻璃單元的流程 圖。在步驟600中，將基本化合物混合并置于適當(dāng)?shù)娜萜鳎ɡ?，?lèi)似陶瓷容器的耐熱容器） 中。在步驟602中，將混合的化合物熔化。優(yōu)選地，熔化混合材料的溫度可為至少1000°C。 在示例性實(shí)施例中，將混合的化合物在l〇〇〇°C下熔化30至60分鐘之間。在示例性實(shí)施 例中，將混合的化合物在1100°C下熔化60分鐘。在示例性實(shí)施例中，將混合的化合物在 1200°C下熔化60分鐘。在示例性實(shí)施例中，熔化溫度為包括500°C 15分鐘、550°C 15分鐘、 600°C 15分鐘、以及斜升至1000°C 60分鐘的周期。
[0031] 當(dāng)混合的化合物熔化后，在步驟604中可將材料冷卻來(lái)形成玻璃片。冷卻后，在 步驟606中，將玻璃壓碎或研磨成細(xì)小顆粒。在示例性實(shí)施例中，顆粒的尺寸可不超過(guò) lOOmesh。玻璃被研磨成粉末后，在步驟608中，將其置于基板之間。在示例性實(shí)施例中，粉 末以帶粘合劑的糊狀物被分配。然后，在步驟610中，對(duì)玻璃基板和粉末進(jìn)行加熱。在示例 性實(shí)施例中，可在300°C至400°C之間進(jìn)行加熱，或者更優(yōu)選是在325°C至375°C之間進(jìn)行 加熱。在此，與超過(guò)350°C的溫度對(duì)鋼化玻璃進(jìn)行加熱時(shí)相比，當(dāng)以上述溫度對(duì)鋼化玻璃進(jìn) 行加熱時(shí)鋼化玻璃則失去較少的強(qiáng)度。因此，優(yōu)選是，示例性實(shí)施例中熔塊熔化溫度低于 500°C ;更優(yōu)選是低于425°C ;且有時(shí)低于350°C。
[0032] 在示例性實(shí)施例中，混合的化合物包括下列物質(zhì)：氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅。
[0033] 圖7A-7D是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的組合物的性質(zhì)的圖表。
[0034] 下面的表對(duì)應(yīng)于圖7A中示出的數(shù)據(jù)，其中，表中省略了熔體質(zhì)量低于4(0-5的范 圍）的組合物。
【權(quán)利要求】
1. 一種具有組合物的玻璃熔料，包括： 成分 標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比 氧化釩 ?45-50% 氧化鋇 ?20-23%，和 氧化鋅 ?19-21%，以及 從以下組中選擇至少 6 個(gè)添加劑：Ta205、Ti203、SrCl 2、Ge02、CuO、AgO、Nb205、B20 3、MgO、 Si02、Te02、T1203、Y20 3、SnF2、Sn02、SnCl2、Ce02、AgCl、ln 203、SnO、SrO、M〇03、CsC03、和 A1203。
2. 如權(quán)利要求1所述的玻璃熔料，其中，所述至少6個(gè)添加劑中的至少一個(gè)是標(biāo)準(zhǔn)化克 分子百分比為1_3%的Nb 205。
3. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，所述至少6個(gè)添加劑中的至 少一個(gè)是標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比為2. 75-3. 25%的M〇03。
4. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，所述至少6個(gè)添加劑中的至 少一個(gè)是標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比為3. 40-4. 50%的Te02。
5. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，所述至少6個(gè)添加劑中的至 少一個(gè)是標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比為〇. 5-1. 5%的Ta205。
6. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，所述至少6個(gè)添加劑包含 M〇03、Te02、Ta205、Al2〇3、Si0 2、和 Nb205。
7. 如權(quán)利要求6所述的玻璃熔料，其中，在由鋁土和/或硅土制成的熔爐中制備M〇03、 Te02、Ta205、和Nb205，其產(chǎn)生的結(jié)果中包含有所述氧化鋁和二氧化硅。
8. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，以下M〇03、Te02、Ta20 5、A1203、 Si02、和Nb205被包含的百分比： 成分 標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比 Mo〇3 2. 75%-3. 25% Te02 3 . 25%-4. 00% Ta205 0. 25%-2. 5% Al2〇3 0. 5%-2. 5% Si02 1. 5%-4. 5% Nb205 1. 00%-3. 00%〇
9. 如權(quán)利要求1所述的玻璃熔料，其中，M〇03、Nb205、和Ta 205被包含在所述至少6個(gè)添 加劑中。
10. 如權(quán)利要求9所述的玻璃熔料，其中，所述組合物中包含的Nb205比Ta20 5要多。
11. 如上述權(quán)利要求項(xiàng)中任何一項(xiàng)所述的玻璃熔料，其中，所述玻璃熔料的熔化溫度為 低于或等于400°C。
12. -種真空絕緣玻璃VIG單元，包括： 第一和第二平行并具間隔的玻璃基板； 封邊，配置在所述第一和第二基板的外圍形成氣密封口，并在所述第一和第二基板之 間至少部分地定義間隙，且 其中，所述間隙以低于大氣的壓力被制備， 其中，所述封邊由玻璃熔料形成，所述玻璃熔料具有如權(quán)利要求1所述的組合物。
13. -種制備玻璃熔料的方法，所述方法包括： 將組合物提供至容器，所述組合物包括： 成分 標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比 氧化釩 ?45-50% 氧化鋇 ?20-23% 氧化鋅 ?19-21%，以及 從以下組中選擇至少 4 個(gè)添加劑：Ta205、Ti203、SrCl 2、Ge02、CuO、AgO、Nb205、B20 3、MgO、 Si02、Te02、T1203、Y20 3、SnF2、Sn02、SnCl2、Ce02、AgCl、ln 203、SnO、SrO、M〇03、CsC03、和 A1203 ; 熔化所述組合物； 冷卻所述熔化的組合物，和/或允許所述熔化的組合物冷卻從而形成媒介玻璃制品； 研磨所述媒介玻璃制品來(lái)制成所述玻璃熔料。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述容器由鋁土和/或硅土制成，作為熔化所述 組合物的結(jié)果，A1203和Si02自所述容器濾出進(jìn)入至所述組合物。
15. 如權(quán)利要求項(xiàng)14所述的方法，其中，自所述容器濾出的A1203的標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分 比為0. 5-2%，且自所述容器濾出的Si02的標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比為0. 5-2%。
16. 如權(quán)利要求項(xiàng)13-15中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑中包括標(biāo) 準(zhǔn)化克分子百分比為1-3%的Nb205。
17. 如權(quán)利要求項(xiàng)13-16中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑中包括標(biāo) 準(zhǔn)化克分子百分比為2. 75-3. 25%的M〇03。
18. 如權(quán)利要求項(xiàng)13-17中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑中包括標(biāo) 準(zhǔn)化克分子百分比為〇. 5-1. 5%的Ta205。
19. 如權(quán)利要求項(xiàng)13-18中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑中包括標(biāo) 準(zhǔn)化克分子百分比為3-4%的Te02。
20. 如權(quán)利要求13-19中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑包含M〇03、 Te02、Ta205、A1203、Si0 2、和 Nb205。
21. 如權(quán)利要求13-20中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少4個(gè)添加劑包含M〇03、 Te02、Ta205、A1203、Si0 2、和Nb205,以下為其被包含的百分比： 成分 標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比 Mo〇3 2. 75%-3. 25% Te02 3 . 25%-4. 00% Ta205 0. 25%-2. 5% Nb205 1. 00%-3. 00%〇
22. 如權(quán)利要求13-21中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，M〇03、Nb205、和Ta20 5被包含在所 述至少4個(gè)添加劑中。
23. 如權(quán)利要求22所述的玻璃熔料，其中，所述組合物中包含的Nb205比Ta20 5要多。
24. 如權(quán)利要求13-23中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，所述玻璃熔料的熔化溫度為低 于或等于400°C。
25. -種制備真空絕緣玻璃VIG單元的方法，所述方法包括： 提供第一和第二玻璃基板，互相平行并具間隔； 使用玻璃熔料將所述第一和第二基板密封，并在所述第一和第二基板之間定義間隙， 且 其中，將所述玻璃熔料以不超過(guò)400°C的溫度熔化來(lái)執(zhí)行密封，所述玻璃熔料由基本組 合物形成，包含： 成分 標(biāo)準(zhǔn)化克分子百分比 氧化釩 ?45-50% 氧化鋇 ?20-23%，和 氧化鋅 ?19-21%，以及 至少4個(gè)基于氧化物、氯化物、和/或氟化物的添加劑。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述至少4個(gè)基于氧化物、氯化物、和/或氟化物 的添加劑包含：M〇03、Te02、Ta205、A1 203、Si02，、和 Nb205。
【文檔編號(hào)】C03C8/04GK104066696SQ201280053882
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月21日
【發(fā)明者】蒂莫西·A.·丹尼斯 申請(qǐng)人:葛迪恩實(shí)業(yè)公司