加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種加工方法，在對晶片等板狀物進(jìn)行擴(kuò)張來進(jìn)行分割時，能夠完全防止板狀物的分割屑和粘接片的碎屑等異物的附著。當(dāng)在晶片（1）配設(shè)在擴(kuò)展帶（13）上的狀態(tài)下擴(kuò)張擴(kuò)展帶（13）而將晶片（1）分割成芯片（3）時，將具有伸縮性的保護(hù)帶（11）配設(shè)在晶片（1）的表面（1a）。在晶片（1）被分割成芯片（3）時產(chǎn)生的分割屑（1e）通過芯片（3）之間的間隙而附著在保護(hù)帶（11）的背面?zhèn)鹊酿ぶ鴮樱瑥亩乐狗指钚迹?e）附著在晶片（1）的表面（1a）。
【專利說明】加工方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體晶片等薄的板狀物分割成多個芯片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在表面形成有多個器件的半導(dǎo)體晶片等圓板狀晶片被沿著器件間的分割預(yù)定線分割而被單片化成半導(dǎo)體芯片。在分割晶片中實施了這樣的方法:在沿著分割預(yù)定線將從表面?zhèn)冗M(jìn)行半切割而形成的槽或照射激光光束而形成的改性層等薄弱部分設(shè)為分割起點后，通過擴(kuò)張粘貼在晶片的帶等來施加外力，由此，沿著分割起點來斷裂晶片，從而單片化成芯片。另外在該方法中存在這樣的問題:斷裂時產(chǎn)生的分割屑附著在晶片表面的器件上。
[0003]另一方面，為了預(yù)先將安裝芯片時的粘接層形成到背面而提供了這樣的技術(shù):在將DAF (Die Attach Film，芯片貼膜)等粘接層形成用的粘接片粘貼到晶片的背面的狀態(tài)下，來分割晶片。該情況下，粘接片形成為直徑比晶片直徑稍大，粘貼在晶片背面的粘接片的一部分從晶片的外周探出。這時，在分割晶片時，粘接片與晶片一起被分割，但是在采用通過經(jīng)擴(kuò)展帶等擴(kuò)張晶片來分割晶片的方法時，存在這樣的問題:從晶片的外周探出的部分也被分裂，并且在那時產(chǎn)生的粘接片的碎屑會附著在晶片的表面。
[0004]因此，為了解決該問題，提出了這樣的技術(shù):在晶片的擴(kuò)張中通過鼓風(fēng)構(gòu)件對晶片表面噴出空氣，以便使晶片的分割屑和粘接片的碎屑不會附著在晶片表面(專利文獻(xiàn)I)。
[0005]現(xiàn)有專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-272503號公報
[0007]但是，即使通過上述文獻(xiàn)所記載的技術(shù)也難以完全防止晶片的分割屑和粘接片的碎屑等異物附著到晶片表面。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述事情而完成的發(fā)明，其主要的技術(shù)課題在于提供一種加工方法，當(dāng)對晶片等板狀物進(jìn)行擴(kuò)張來進(jìn)行分割時，能夠完全防止板狀物的分割屑和粘接片的碎屑等異物的附著。
[0009]本發(fā)明的加工方法是在表面配設(shè)有具有伸縮性的保護(hù)帶并且沿著分割預(yù)定線形成有分割起點的板狀物的加工方法，上述加工方法的特征在于，具有:粘貼步驟，將擴(kuò)展帶粘貼到在表面粘貼有上述保護(hù)帶的板狀物的背面?zhèn)?；擴(kuò)展步驟，在實施了上述粘貼步驟后，在上述保護(hù)帶配設(shè)于板狀物的表面的狀態(tài)下擴(kuò)張上述擴(kuò)展帶，從而從上述分割起點將板狀物分割成一個個芯片；以及保護(hù)帶除去步驟，在實施了上述擴(kuò)展步驟后，除去配設(shè)在板狀物的表面的上述保護(hù)帶。
[0010]在本發(fā)明的加工方法中`，在實施擴(kuò)展步驟時板狀物被分割成芯片，但是由于在板狀物的表面預(yù)先粘貼有具有伸縮性的保護(hù)帶，所以由板狀物的分割而產(chǎn)生的分割屑通過芯片間的間隙而附著在保護(hù)帶。在實施了擴(kuò)展步驟后，由于通過保護(hù)帶除去步驟而從板狀物上除去附著有分割屑的保護(hù)帶，所以能夠完全防止分割屑附著在板狀物的表面。[0011 ] 在本發(fā)明中，包括如下的方式，上述加工方法具有環(huán)狀框架粘貼步驟，在該環(huán)狀框架粘貼步驟中，在實施了上述保護(hù)帶除去步驟后，在維持了分割板狀物而形成的一個個芯片間的間隔的狀態(tài)下將環(huán)狀框架粘貼到上述擴(kuò)展帶，形成將分割板狀物而形成的多個上述芯片收納在上述環(huán)狀框架的開口的方式。根據(jù)該方式，維持分割后的一個個芯片間的間隔，通過對環(huán)狀框架進(jìn)行處理能夠使芯片不損傷地進(jìn)行搬送等。
[0012]另外，在本發(fā)明中，包括這樣的方式，上述加工方法具有間隔形成步驟，在該間隔形成步驟中，在實施了上述保護(hù)帶除去步驟后，在實施上述環(huán)狀框架粘貼步驟之前，擴(kuò)張上述擴(kuò)展帶，從而在分割板狀物而形成的一個個芯片間形成預(yù)定的間隔。通過追加該間隔形成步驟，能夠確保分割出的一個個芯片之間的間隔，能夠更可靠地防止因芯片之間的碰撞而損傷芯片。
[0013]另外，在本發(fā)明中，包括這樣的方式，在上述粘貼步驟中，板狀物經(jīng)直徑比板狀物大的粘接片而粘貼在上述擴(kuò)展帶上，在上述擴(kuò)展步驟中，沿著上述分割預(yù)定線來分割上述粘接片，并且對向板狀物的外周探出的上述粘接片進(jìn)行分裂。在該方式中，通過擴(kuò)展步驟來使向板狀物的外周側(cè)探出的粘接片斷裂。斷裂時產(chǎn)生的粘接片的碎屑附著在保護(hù)帶上，從而防止碎屑直接附著在板狀物的表面。
[0014]發(fā)明效果
[0015]根據(jù)本發(fā)明，具有這樣的效果，提供了一種加工方法，當(dāng)對晶片等板狀物進(jìn)行擴(kuò)張來進(jìn)行分割時，能夠完全防止板狀物的分割屑和粘接片的碎屑等異物的附著。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式的加工方法的保護(hù)帶粘貼步驟的立體圖。
[0017]圖2是表示第I實施方式的加工方法的背面磨削步驟的立體圖。
[0018]圖3是表示第I實施方式的加工方法的改性層形成步驟的立體圖。
[0019]圖4是表示改性層形成步驟的詳細(xì)情況的晶片的局部剖視圖。
[0020]圖5是表示第I實施方式的加工方法的粘貼步驟的立體圖。
[0021]圖6是表示第I實施方式的加工方法的擴(kuò)展步驟的立體圖。
[0022]圖7是表示擴(kuò)展步驟的剖視圖。
[0023]圖8是表示擴(kuò)展步驟后的狀態(tài)的立體圖。
[0024]圖9是表示第I實施方式的加工方法的保護(hù)帶除去步驟的立體圖。
[0025]圖10是表示第I實施方式的加工方法的間隔形成步驟的立體圖。
[0026]圖11中，(a)是表示第I實施方式的加工方法的環(huán)狀框架粘貼步驟的立體圖，(b)是表示環(huán)狀框架粘貼步驟后的擴(kuò)展帶切斷的剖視圖。
[0027]圖12是表示在切斷擴(kuò)展帶后從擴(kuò)展裝置搬出了晶片的狀態(tài)的立體圖。
[0028]圖13是表示本發(fā)明的第2實施方式的加工方法的粘貼步驟的立體圖。
[0029]圖14是表示第2實施方式的加工方法的擴(kuò)展步驟的立體圖。
[0030]圖15是表示第2實施方式的擴(kuò)展步驟的剖視圖。
[0031]圖16是表示第2實施方式的擴(kuò)展步驟后的狀態(tài)的立體圖。
[0032]圖17是表示第2實施方式的加工方法的保護(hù)帶除去步驟的立體圖。
[0033]圖18是表示本發(fā)明的第3實施方式的擴(kuò)展裝置的剖視圖，(a)表示放置了晶片的狀態(tài)，(b)表示進(jìn)行了擴(kuò)展步驟的狀態(tài)。
[0034]標(biāo)號說明
[0035]I…晶片(板狀物)
[0036]Ia…晶片的表面
[0037]Ib…晶片的背面
[0038]Ic…改性層(分割起點)
[0039]3…芯片 [0040]11…保護(hù)帶
[0041]12…粘接片
[0042]12a…粘接片的探出部
[0043]13…擴(kuò)展帶
[0044]14…環(huán)狀框架
[0045]14a…環(huán)狀框架的開口。
【具體實施方式】
[0046]以下，參照附圖對包括本發(fā)明的加工方法的第I實施方式的晶片的加工方法進(jìn)行說明。
[0047](I)第I實施方式
[0048](1-1)保護(hù)帶粘貼步驟
[0049]如圖1所示，將具有伸縮性的保護(hù)帶11粘貼到半導(dǎo)體晶片等圓板狀的晶片(板狀物)1的表面Ia整個面。在晶片I的表面(圖1中下表面?zhèn)葹楸砻?Ia呈格子狀地設(shè)定有多條分割預(yù)定線，在由分割預(yù)定線劃分出的多個矩形形狀的各器件區(qū)域分別形成有具有LSI(大規(guī)模集成電路)等電子回路的器件2。關(guān)于保護(hù)帶11，使用在具有伸縮性的聚氯乙烯或聚烯烴等合成樹脂性的帶的一面形成有黏著層的保護(hù)帶等，經(jīng)黏著層以覆蓋晶片I的表面的方式來粘貼保護(hù)帶U。
[0050]( 1-2)背面磨削步驟
[0051]接下來，如圖2所示，使保護(hù)帶11側(cè)對準(zhǔn)保持工作臺21通過保持工作臺21來保持晶片1，通過磨削構(gòu)件22來磨削向上方露出的晶片I的背面lb，從而使晶片I薄化為預(yù)定厚度(例如50~10011111左右)。
[0052]保持工作臺21是通過空氣吸引產(chǎn)生的負(fù)壓作用而將被加工物吸附保持到由多孔性材料形成的圓形形狀的水平保持面上的一般眾所周知的負(fù)壓卡盤工作臺，利用未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)來使保持工作臺21繞軸旋轉(zhuǎn)。磨削構(gòu)件22是這樣的構(gòu)件:在沿鉛直方向延伸并由未圖示的馬達(dá)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的主軸23的末端經(jīng)凸緣24固定有磨削輪25，磨削構(gòu)件22上下可動地配設(shè)于保持工作臺21的上方。在磨削輪25的下表面外周部呈環(huán)狀地排列緊固有多個磨具26。磨具26使用與晶片I的材質(zhì)相應(yīng)的材質(zhì)，例如，使用通過金屬粘合劑或樹脂粘合劑等粘合劑來來將金剛石磨粒聚在一起而成形的金剛石磨具等。
[0053]在磨削步驟中，使保護(hù)帶11側(cè)對準(zhǔn)保持面將晶片I裝載到保持工作臺21上，通過負(fù)壓卡盤來吸附保持晶片I。并且，自保持工作臺21以預(yù)定速度向一個方向旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)起使磨削構(gòu)件22下降，將旋轉(zhuǎn)的磨削輪25的磨具26按壓到晶片I的背面lb，從而對背面Ib整面進(jìn)行磨削。
[0054](1-3)改性層形成步驟
[0055]接下來，沿著分割預(yù)定線照射相對于晶片I具有透射性的波長的激光光束，從而在晶片I的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改性層。關(guān)于改性層的形成，如圖3所示，使保護(hù)帶11側(cè)對準(zhǔn)與上述保持工作臺21同樣的能夠旋轉(zhuǎn)的負(fù)壓卡盤式保持工作臺31的保持面，將晶片I裝載到保持工作臺31上，通過負(fù)壓卡盤來吸附保持晶片I。并且，如圖4所示，在將聚光點定位到晶片I的內(nèi)部的狀態(tài)下，從配設(shè)于保持工作臺31上方的激光照射構(gòu)件32的照射部33，從磨削過的背面Ib側(cè)，沿著分割預(yù)定線照射相對于晶片I具有透射性的波長的激光光束L,從而形成改性層lc。
[0056]保持工作臺31能夠在圖3所示的X方向以及Y方向移動，例如通過使保持工作臺31在X方向移動的加工進(jìn)給來進(jìn)行激光光束L針對晶片I的掃描。該情況下，通過使保持工作臺31在Y方向移動的分度進(jìn)給來選擇照射激光光束L的分割預(yù)定線。另外，為了將分割預(yù)定線設(shè)定為沿著X方向的狀態(tài)，使保持工作臺31旋轉(zhuǎn)。從激光光束L的被照射面(晶片I的背面Ib)在一定深度的位置以一定的層厚形成改性層lc。改性層Ic具有強(qiáng)度比晶片I內(nèi)的其他部分低的特性，并且在之后的擴(kuò)展步驟中成為晶片I的分割起點。
[0057](1-4)粘貼步驟
[0058]接下來，如圖5所示，將晶片I的背面Ib側(cè)配設(shè)到擴(kuò)展帶13上。擴(kuò)展帶13例如是在聚氯乙烯或聚烯烴等具有伸縮性的合成樹脂片等的一面形成有黏著層的擴(kuò)展帶，使用比晶片I大的矩形形狀的擴(kuò)展帶或卷繞為卷筒狀的擴(kuò)展帶。粘貼步驟中，將晶片I的背面Ib對準(zhǔn)并粘貼到擴(kuò)展到13的中央部的黏著層側(cè)。
[0059](1-5)擴(kuò)展步驟
[0060]接下來，進(jìn)行如下的擴(kuò)展步驟:在保護(hù)帶11配設(shè)于晶片I的表面Ia的狀態(tài)下擴(kuò)張擴(kuò)展帶13，從改性層Ic將晶片I分割成一個個芯片3。
[0061]在擴(kuò)展步驟中，使用圖6以及圖7所示的擴(kuò)展裝置40。擴(kuò)展裝置40具有夾緊部件41，夾緊部件41分別把持?jǐn)U展帶13四個邊的端緣并向與端緣正交的外側(cè)牽拉。夾緊部件41是以上下對稱的狀態(tài)組合了截面為L字狀的框架42而得到的結(jié)構(gòu)，在各框架42的內(nèi)側(cè)接近地排列有多個輥子43。這些輥子43以能夠以正交于框架42的長邊方向的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)的方式支撐在框架42。擴(kuò)展帶13被夾持在上下的輥子43之間，當(dāng)擴(kuò)展帶13在夾持狀態(tài)下在沿著端緣的方向伸長時，輥子43追隨于此而滾動。
[0062]關(guān)于擴(kuò)展帶13的擴(kuò)張，首先，使擴(kuò)展帶13的四個邊的端緣穿過擴(kuò)展裝置40的各夾緊部件41的上下框架42之間，使上下的框架42彼此靠近，通過上下的輥子43來夾持?jǐn)U展帶13。接著，使夾緊部件41向外側(cè)(圖6以及圖7的箭頭方向)移動從而擴(kuò)張擴(kuò)展帶13。由于由夾緊部件41的輥子43來夾持，即使由于擴(kuò)張而在擴(kuò)展帶13產(chǎn)生不平衡的形變，通過輥子43的滾動，能夠釋放該形變，能夠均勻地擴(kuò)張擴(kuò)展帶13。
[0063]通過像這樣擴(kuò)張擴(kuò)展帶13，如圖8所示，晶片I被從分割起點即改性層Ic沿著分割預(yù)定線分割成一個個芯片3。由于保護(hù)帶11具有伸縮性，所以保護(hù)帶11在粘貼在晶片I的表面Ia的情況下與擴(kuò)展帶13 —起擴(kuò)張，由此允許擴(kuò)大各芯片3之間的間隔。
[0064]在將晶片I分割成芯片3時產(chǎn)生分割屑，分割屑要穿過芯片3之間的間隙而飛散到晶片I的表面?zhèn)?，但是該分割屑附著在保護(hù)帶11的背面的黏著層。[0065](1-6)保護(hù)帶除去步驟
[0066]接下來，如圖9所示，除去配設(shè)在晶片I的表面Ia的保護(hù)帶11。在除去的保護(hù)帶11的背面?zhèn)鹊酿ぶ鴮痈街腥鐖D所示由分割而產(chǎn)生、要穿過芯片3之間的間隙而飛散的分割屑le，除去了保護(hù)帶11的晶片I的表面Ia是清潔的狀態(tài)。
[0067](1-7)間隔形成步驟
[0068]接下來，如圖10所示，再次通過擴(kuò)展裝置40來擴(kuò)張擴(kuò)展帶13，在分割晶片I而形成的一個個芯片3之間形成預(yù)定的間隔。
[0069]( 1-8)環(huán)狀框架粘貼步驟
[0070]接下來，在維持了分割晶片I而形成的一個個芯片3之間的間隔的狀態(tài)下，如圖11的(a)所示，將環(huán)狀框架14粘貼到擴(kuò)展帶13的形成有黏著層的表面?zhèn)?。環(huán)狀框架14是具有能夠配設(shè)在夾緊部件41內(nèi)側(cè)的大小的框架，該環(huán)狀框架14由不銹鋼等具有剛性的金屬板形成。環(huán)狀框架14以與晶片I為同心狀的方式粘貼到擴(kuò)展帶13，由此分割晶片I而形成的多個芯片3為收納在環(huán)狀框架14的開口 14a的狀態(tài)。
[0071]然后，如圖11的(b)所示，通過切斷機(jī)50來切斷環(huán)狀框架14的背面?zhèn)鹊臄U(kuò)展帶13的粘貼部分。由此，從擴(kuò)展裝置40搬出圖12所示的結(jié)構(gòu)，上述結(jié)構(gòu)處于這樣的狀態(tài):晶片I被分割而形成的多個芯片3粘貼于擴(kuò)展帶13的中心。通過使用環(huán)狀框架14來處理芯片3，并轉(zhuǎn)移到下一工序(例如從擴(kuò)展帶13拾取芯片3的拾取工序)。
[0072](1-9)作用效果
[0073]在如上所述的第I實施方式的加工方法中，在實施擴(kuò)展步驟時晶片I被分割成芯片3，但是由于在晶片I的表面Ia預(yù)先粘貼有具有伸縮性的保護(hù)帶11，所以分割晶片I而產(chǎn)生的分割屑Ie通過芯片3之間的間隙而附著在保護(hù)帶11的背面?zhèn)鹊酿ぶ鴮?。在實施了擴(kuò)展步驟后，由于通過保護(hù)帶除去步驟而從晶片I除去附著有分割屑Ie的保護(hù)帶11，所以能夠完全防止分割屑Ie附著在晶片I的表面la。
[0074]在本實施方式中，在實施了擴(kuò)展步驟而將晶片I分割成多個芯片3之后，在維持了分割后的一個個芯片3之間的間隔的狀態(tài)下，將環(huán)狀框架14粘貼到擴(kuò)展帶13。由此，擴(kuò)展帶13以擴(kuò)張了的狀態(tài)保持在環(huán)狀框架14，從而維持分割后的一個個芯片3之間的間隔。因此通過對環(huán)狀框架14進(jìn)行處理，能夠不使芯片3損傷地進(jìn)行搬送等。
[0075]另外，在本實施方式中，在實施了保護(hù)帶除去步驟后，在實施環(huán)狀框架粘貼步驟之前，實施間隔形成步驟，在該間隔形成步驟中，再次擴(kuò)張擴(kuò)展帶，在分割晶片I而形成的一個個芯片3之間形成預(yù)定的間隔。通過實施該間隔形成步驟，能夠確保分割出的一個個芯片3之間的間隔，能夠更可靠地防止因芯片3之間的碰撞而損傷芯片3。
[0076]另外，在上述實施方式中，保護(hù)部件11是防止晶片I的分割屑Ie附著在晶片表面的保護(hù)部件，但是由于在開頭的加工即背面磨削步驟之前將保護(hù)部件11粘貼到晶片表面，所以在背面磨削步驟以后，在除去保護(hù)部件11之前進(jìn)行的加工中，存在這樣的優(yōu)點:通過保護(hù)部件11例如使保持工作臺21、31不直接抵接于表面la，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)部件11活用為用于保護(hù)器件2的保護(hù)部件。
[0077]另外，也可以根據(jù)需要來進(jìn)行間隔形成步驟，如果通過擴(kuò)展步驟而在芯片3之間形成有足夠?qū)挼拈g隔的話，也可以省略間隔形成步驟。
[0078](2)第2實施方式[0079]接下來，對變更了上述粘貼步驟以后的第2實施方式進(jìn)行說明。
[0080](2-1)粘貼步驟
[0081]如圖13所示，經(jīng)直徑比晶片I大的粘接片12將晶片I的背面Ib側(cè)配設(shè)到擴(kuò)展帶13上。在該粘貼步驟中，將由DAF等構(gòu)成的粘接片12呈圓形形狀地配設(shè)到擴(kuò)展帶13的黏著層側(cè)，接著將晶片I的背面Ib側(cè)對準(zhǔn)并粘貼到該粘接片12上。另外，也可以將晶片I粘貼到預(yù)先配設(shè)有圓形形狀的粘接片12的擴(kuò)展帶13?；蛘?，還可以將粘接片12粘貼到晶片I的背面lb，再將該粘接片12粘貼到擴(kuò)展帶13的黏著層。粘接片12形成為直徑比晶片I大的圓形形狀，成為在晶片I的外周側(cè)出現(xiàn)了粘接片12的探出部12a的狀態(tài)。
[0082](2-2)擴(kuò)展步驟
[0083]接下來，如圖14以及圖15所示，在保護(hù)帶11配設(shè)于晶片I的表面Ia的狀態(tài)下擴(kuò)張擴(kuò)展帶13。
[0084]如圖16所示，通過擴(kuò)張擴(kuò)展帶13，晶片I被從分割起點即改性層Ic沿著分割預(yù)定線分割成一個個芯片3，并且粘接片12沿著分割預(yù)定線分裂，從而形成帶有粘接片12的芯片3，并擴(kuò)大了各芯片3之間的間隔。另外，粘接片12的向晶片I的外周側(cè)探出的探出部12a同時分裂。由于保護(hù)帶11具有伸縮性，所以保護(hù)帶11在粘貼在晶片I的表面Ia的狀態(tài)下與擴(kuò)展帶13 —起擴(kuò)張，由此允許各芯片3之間的間隔變寬。
[0085]在分割晶片I并且分裂粘接片12時，產(chǎn)生晶片I的分割屑和粘接片12的碎屑。這些分割屑和碎屑要通過芯片3之間的間隙而飛散至晶片I的表面Ia側(cè)，但是附著在保護(hù)帶11的背面的黏著層。另外，在粘接片12與晶片I的分割一起分裂時，粘接片12的向晶片I的外周側(cè)探出的探出部12a同時分裂，從探出部12a產(chǎn)生碎屑并分散，但是該探出部12a的碎屑附著在保護(hù)帶11的表面。
[0086]在分裂粘接片12時冷卻粘接片12的話，粘接片12容易分裂，所以是優(yōu)選的。例如從表面?zhèn)戎苯印⒒蚪?jīng)背面?zhèn)鹊臄U(kuò)展帶13將冷卻的空氣等冷卻流體噴出到粘接片12，由此能夠冷卻粘接片12。另外，也可以采用這樣的方法:將擴(kuò)展裝置40整體收納到冷卻室內(nèi)，將冷卻室內(nèi)的氣氛溫度設(shè)定為例如OV?_30°C左右從而在冷卻了整體的狀態(tài)下來進(jìn)行擴(kuò)張。
[0087](2-3)保護(hù)帶除去步驟
[0088]接下來，如圖17所示，除去配設(shè)在晶片I的表面Ia的保護(hù)帶11。在除去的保護(hù)帶11的表面和背面附著有分裂粘接片12時產(chǎn)生并飛散的粘接片12的碎屑12b和分割晶片I時產(chǎn)生并飛散的晶片I的分割屑le，除去了保護(hù)帶11的晶片I的表面Ia是潔凈的狀態(tài)。然后，與上述第I實施方式同樣地，在根據(jù)需要而進(jìn)行間隔形成步驟之后進(jìn)行環(huán)狀框架粘貼步驟，獲得分割成帶有粘接片12的芯片3的晶片I粘貼在擴(kuò)展帶13的狀態(tài)。
[0089](2-4)作用效果
[0090]在第2實施方式中，通過實施擴(kuò)展步驟，將晶片I分割成芯片3并且沿著分割預(yù)定線來分裂粘接片12，晶片I的外周側(cè)的粘接片12的探出部12a也被分裂。并且，分割、分裂時產(chǎn)生的粘接片12的碎屑12b和晶片I的分割屑Ie附著在保護(hù)帶11。在實施了擴(kuò)展步驟后，由于從晶片I除去附著有粘接片12的碎屑12b和晶片I的分割屑Ie的保護(hù)帶11，所以能夠完全防止碎屑12b和晶片的分割屑附著在晶片I的表面la。
[0091](3)第3實施方式[0092]圖18表示使用與上述不同的擴(kuò)展裝置60來擴(kuò)張擴(kuò)展帶13的樣子，在上述擴(kuò)展帶13經(jīng)粘接片12粘貼有圖12所示的晶片I。即，通過該擴(kuò)展裝置60也能夠進(jìn)行上述的擴(kuò)展步驟。
[0093]此時的擴(kuò)展裝置60構(gòu)成為:在圓筒狀的工作臺61的周圍，配設(shè)有通過氣缸裝置62能夠升降的升降工作臺63，在將上述環(huán)狀框架14預(yù)先粘貼到經(jīng)粘接片12粘貼有晶片I的擴(kuò)展帶13的狀態(tài)下來放置晶片I。工作臺31的內(nèi)部配設(shè)有向擴(kuò)展帶13噴出冷卻流體的噴嘴64。
[0094]關(guān)于擴(kuò)展帶13的擴(kuò)張，首先，如圖18的(a)所示，將升降工作臺63的高度位置設(shè)定為與工作臺61相同，將擴(kuò)展帶13上的晶片I裝載到工作臺61的上端面，將環(huán)狀框架14裝載到升降工作臺63上。接下來，通過設(shè)置在升降工作臺63的夾緊裝置65來將環(huán)狀框架14固定在升降工作臺63。
[0095]并且，如圖18的(b)所示，在通過從噴嘴64噴出冷卻流體而使粘接片12冷卻了的狀態(tài)下，進(jìn)行如下的擴(kuò)展步驟:縮小氣缸裝置62，來分割晶片I和粘接片12從而分割成一個個芯片3。當(dāng)升降工作臺63下降時，擴(kuò)展帶13向外側(cè)擴(kuò)張，從而按芯片3來分割晶片I和粘接片12，并且粘接片12的探出部12a分裂。
[0096]即使像這樣通過擴(kuò)展裝置60也能夠進(jìn)行擴(kuò)展步驟。由于擴(kuò)展步驟中在晶片I的表面Ia粘貼有保護(hù)帶11，所以由擴(kuò)展步驟產(chǎn)生的粘接片12的碎屑12b不會附著在晶片I的表面la。
[0097]另外，在上述第I實施方式中，通過基于激光光束照射而形成的改性層Ic來構(gòu)成沿著晶片I的分割預(yù)定線形成的分割起點，但是分割起點也可以由例如通過切削加工和激光加工等而沿著晶片I的表面Ia的分割預(yù)定線形成的槽等構(gòu)成。
[0098]另外，晶片I的背面磨削與形成分割起點的順序是任意的，也可以是與上述第I實施方式相反，在形成分割起點之后進(jìn)行晶片I的背面磨削。
【權(quán)利要求】
1.一種加工方法，是在表面配設(shè)有具有伸縮性的保護(hù)帶并且沿著分割預(yù)定線形成有分割起點的板狀物的加工方法， 上述加工方法的特征在于，具有: 粘貼步驟，將擴(kuò)展帶粘貼到在表面粘貼有上述保護(hù)帶的板狀物的背面?zhèn)龋? 擴(kuò)展步驟，在實施了上述粘貼步驟后，在上述保護(hù)帶配設(shè)于板狀物的表面的狀態(tài)下擴(kuò)張上述擴(kuò)展帶，從而從上述分割起點將板狀物分割成一個個芯片；以及 保護(hù)帶除去步驟，在實施了上述擴(kuò)展步驟后，除去配設(shè)在板狀物的表面的上述保護(hù)帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于， 上述加工方法具有環(huán)狀框架粘貼步驟，在該環(huán)狀框架粘貼步驟中，在實施了上述保護(hù)帶除去步驟后，在維持了分割板狀物而形成的一個個芯片間的間隔的狀態(tài)下將環(huán)狀框架粘貼到上述擴(kuò)展帶，形成將分割板狀物而形成的多個上述芯片收納在上述環(huán)狀框架的開口的方式。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加工方法，其特征在于， 上述加工方法具有間隔形成步驟，在該間隔形成步驟中，在實施了上述保護(hù)帶除去步驟后，在實施上述環(huán)狀框架粘貼步驟之前，擴(kuò)張上述擴(kuò)展帶，從而在分割板狀物而形成的一個個芯片間形成預(yù)定的間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加工方法，其特征在于， 在上述粘貼步驟中，板狀物經(jīng)直徑比板狀物大的粘接片而粘貼在上述擴(kuò)展帶上，在上述擴(kuò)展步驟中，沿著上述分割預(yù)定線來分割上述粘接片，并且對向板狀物的外周探出的上述粘接片進(jìn)行分裂。
【文檔編號】B28D5/00GK103681491SQ201310399686
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】關(guān)家一馬 申請人:株式會社迪思科