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      一種用于制造ogs結構的涂布刀頭的制作方法

      文檔序號:1889097閱讀:239來源:國知局
      一種用于制造ogs結構的涂布刀頭的制作方法
      【專利摘要】本實用新型揭示了一種用于制造OGS結構的涂布刀頭,所述的涂布刀頭由兩個刀片合并構成,所述的刀片之間存在涂布間隙,所述的間隙兩端各設有一個墊片,所述的墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度。改造的涂布機刀頭能夠避讓靶標,使對位靶標不被BM光刻膠遮擋。
      【專利說明】—種用于制造OGS結構的涂布刀頭
      【技術領域】
      [0001 ] 本實用新型涉及電容觸控屏的生產(chǎn)設備。
      【背景技術】
      [0002]在社會進步快速發(fā)展下,人們對觸摸屏追求越來越高。為了滿足智能終端超薄化和提升顯示效果需求,OGS結構已經(jīng)得到廣泛的運用,OGS即在保護玻璃(蓋板)上直接形成ITO導電膜及傳感器的技術。ー塊玻璃同時起到保護玻璃和觸摸傳感器的雙重作用,能達到節(jié)省了ー層玻璃成本和減少了一次貼合成本,減輕了重量及厚度;増加了透光度,將是高端品牌終端的必然選擇。
      [0003]目前生產(chǎn)OGS結構時,需要利用涂布刀頭對玻璃蓋板表面涂布光刻膠,如圖5所示,正常涂布刀頭,刀頭內(nèi)墊片沒有加寬16-22mm。涂布出來的光阻寬度等于基板玻璃寬度。涂布后黑光刻膠完全覆蓋基板玻璃,對位靶標會被黒色覆蓋,曝光機對位燈源無法透過黑色物質,分辨十字對位靶標。
      實用新型內(nèi)容
      [0004]本實用新型所要解決的技術問題是實現(xiàn)一種涂布黒色光刻膠時不會遮擋對位靶標的涂布刀頭。
      [0005]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用的技術方案為:
      [0006]一種用于制造OGS結構的涂布刀頭,所述的涂布刀頭由兩個刀片合并構成,所述的刀片之間存在涂布間隙,所述的間隙兩端各設有ー個墊片,所述的墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度。
      [0007]所述的墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度20mm,所述的墊片厚度為40um。
      [0008]本實用新型的優(yōu)點在于改造后的涂布機刀頭能夠避讓靶標,使對位靶標不被BM光刻膠遮擋。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0009]下面對本實用新型說明書中每幅附圖表達的內(nèi)容及圖中的標記作簡要說明:
      [0010]圖1為電容屏OGS結構剖視圖;
      [0011]圖2為涂布光刻膠示意圖;
      [0012]圖3為涂布光刻膠后蓋板玻璃結構示意圖;
      [0013]圖4為涂布刀頭結構示意圖;
      [0014]圖5為目前使用的涂布刀頭進行涂布光刻膠エ藝示意圖
      [0015]上述圖中的標記均為:1、蓋板玻璃;2、高溫ITO跳躍導體層;3、BM邊框;4、絕緣架橋層;5、低溫ITO単元圖案層;6、導電圖層;7、樹脂保護層;8、對位靶標;9、涂布刀頭;10、光刻膠;901、刀片;902、墊片;903、涂布間隙?!揪唧w實施方式】
      [0016]光刻膠10涂布過程,其涂布刀頭9由兩個刀片901合并構成,刀片901為鎢鋼材質板,刀片之間存在涂布間隙903,涂布間隙903 (涂布時光刻膠噴涂ロ)兩端各設有ー個墊片902,光刻膠10就是由中間沒有墊片902的涂布間隙903位置噴涂出來,墊片902之間的間距小于蓋板玻璃I的寬度,這樣涂布時可以避讓BM光刻膠10遮擋對位靶標8。
      [0017]墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度20mm,墊片902的厚度為40um。這也是本專利關鍵所在,必通過避讓BM黒色光刻膠10,避免涂布時遮擋高溫ITO跳躍導體層2制程留下來的對位靶標8,而導致無法對位曝光。
      [0018]行業(yè)常規(guī)設計對位靶標位置8的位置一般離蓋板玻璃I邊緣的距離為5_7mm。圖形區(qū)域離基板玻璃邊緣> 12_。制作BM邊框3制程涂布時,對位靶標8可以袒露在外面,不被黑色光刻膠10所覆蓋住。
      [0019]改進涂布刀頭的目的是為了適應電容屏OGS結構制作エ藝。其制作エ藝按照以下制造步驟進行:
      [0020]步驟1、在經(jīng)過強化工藝處理后的蓋板玻璃I 一面鍍制ITO層,蓋板玻璃I厚度為
      0.7-2.0mm,強化后應カ層為10_12um,應カ值為550_650mpa。
      [0021]步驟2、將步驟I中涂布的ITO層制作成高溫ITO跳躍導體層2,同時在邊緣制作出兩個對位靶標8,此步驟是為了避免BM邊框3 (感光劑黑膜層)在高溫鍍膜過程中受熱過高受損,以及避免多次酸堿藥液制程(清洗液,顯影液,蝕刻液脫膜液)BM邊框3附著力脫落,就此先進行高溫ITO跳躍導體層2制作。
      [0022]ITO層渡制采用真空磁控濺射方法高溫鍍制,制作高溫ITO跳躍導體層2時采用觸摸屏黃光光刻技術,對ITO層依次進行:清洗,涂布,軟烤,曝光,顯影,硬烤,蝕刻、剝膜エ藝處理。制作成高溫ITO跳躍導體層2 (ITO-jumper圖層)。制作高溫ITO跳躍導體層2吋,必須要在邊緣留下2個對位靶標,ー個為制作BM邊框3時對位使用,另ー個是在OC絕緣架橋層4制程時使用。
      [0023]步驟3、涂布光刻膠10,涂布時采用本實用新型的涂布刀頭9,使得設有對位靶標8的邊緣部分不涂布光刻膠10,通過涂布機刀頭9避讓對位靶標8可以確保對位曝光エ序。之后將涂布之后將光刻膠制成BM邊框3,BM邊框3制作在高溫ITO跳躍導體層2上,主要代替貼合蓋板玻璃I及貼合蓋板玻璃I上的黑框油墨。
      [0024]BM邊框3制作為常規(guī)手段,即采用觸摸屏黃光光刻技木,對光刻膠10進行:清洗,涂布,軟烤,曝光,顯影,硬烤エ藝處理。制作成BM邊框3。
      [0025]步驟4、在高溫ITO跳躍導體層2及BM邊框3上制作一層絕緣架橋層4,這里制作緣架橋層4也是常規(guī)手段,即采用觸控屏的觸控部黃光光刻技木,依次進行涂布,烘烤,曝光,顯影,硬烤エ藝處理,制作絕緣架橋層4。制作架橋層4時,必須要在邊緣留下3個對位靶標,ー個為制作低溫ITO単元圖層5使用,另外2個分別依次為制作金屬導電圖層6及樹脂保護層7時對位使用,
      [0026]步驟5、采用真空磁控濺射方法低溫(25-35°C )鍍制ITO層。其中ITO-pattern可以采用低溫濺鍍方式。而本實用新型制作兩層ITO層是為了要避讓BM邊框3經(jīng)過高溫濺鍍ITO及與ITO跳躍導體層2為同一物質帶來的異常。
      [0027]步驟6、將ITO層制成低溫ITO單元圖案層5,制作時采用觸摸屏黃光光刻技術,對步驟5中鍍制的ITO層進行:清洗,涂布,軟烤,曝光,顯影,硬烤,蝕刻,烘烤,剝膜エ藝處理。其中草酸進行蝕刻后,再進行烘烤,烘烤的溫度為200-220°C,持續(xù)時間為20-30分鐘,使得低溫濺鍍出的ITO面電阻能還原到規(guī)格標準范圍內(nèi)。
      [0028]步驟7、之后采用真空磁控濺射方法在制作好的低溫ITO単元圖案層5上鍍上ー層金屬導電層(mo/al/mo)。
      [0029]步驟8、將金屬導電層制作導電圖層,可采用觸摸屏黃光光刻技術,對金屬導電層進行:清洗,涂布,軟烤,曝光,顯影,硬烤,蝕刻,剝膜エ藝處理。
      [0030]步驟9、最后在導電圖層6外制作一層樹脂保護層7進行保護。這里樹脂保護層7也是采用觸摸屏黃光光刻技術制作,依次進行清洗,涂布,軟烤,曝光,顯影,硬烤エ藝處理。
      [0031]至此制作完成。
      【權利要求】
      1.一種用于制造OGS結構的涂布刀頭,所述的涂布刀頭由兩個刀片合并構成,所述的刀片之間存在涂布間隙,其特征在于:所述的間隙兩端各設有ー個墊片,所述的墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度。
      2.根據(jù)權利要求1所述的涂布刀頭,其特征在于:所述的墊片之間的間距小于蓋板玻璃寬度20mm,所述的墊片厚度為40um。
      【文檔編號】C03C17/36GK203411473SQ201320465144
      【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月31日 優(yōu)先權日:2013年7月31日
      【發(fā)明者】沈勵, 許沭華, 胡里程 申請人:蕪湖長信科技股份有限公司
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