面板裝置及觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種面板裝置及觸控面板，其中面板裝置包括一硬質(zhì)基板，包括一離子強(qiáng)化表面層，完整地包覆于硬質(zhì)基板的全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強(qiáng)化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度相同；一下基板，與硬質(zhì)基板相對(duì)；以及一組件層，配置于硬質(zhì)基板與下基板之間。觸控面板包括此硬質(zhì)基板。本實(shí)用新型的面板裝置以機(jī)械強(qiáng)度理想的硬質(zhì)基板提供承載而具有良好的品質(zhì)及耐用性。
【專利說明】面板裝置及觸控面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種裝置及觸控面板，且特別是有關(guān)于一種面板裝置及觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著使用者直接接觸面板裝置的機(jī)率大幅提升，面板裝置因機(jī)械強(qiáng)度不足而損壞的可能也隨之升高。所以，面板裝置的機(jī)械強(qiáng)度成為電子產(chǎn)品是否耐用的重要因素。目前，已采用強(qiáng)化過的基板(例如強(qiáng)化過的玻璃板，或是業(yè)界所稱的覆蓋板)來制作面板裝置以提高其機(jī)械強(qiáng)度。也就是說，觸控或顯示等作用的電子組件可以制作于強(qiáng)化過的基板上以提高整體面板裝置的機(jī)械強(qiáng)度。
[0003]然而，強(qiáng)化過的基板為了符合產(chǎn)品的尺寸設(shè)計(jì)一般都經(jīng)過切削成型的處理，切削成型的過程會(huì)在切削過的邊緣產(chǎn)生大小不一的裂隙，而這些大小不一的裂隙往往成為應(yīng)力的集中區(qū)。因此，這樣的基板對(duì)于面板裝置的機(jī)械強(qiáng)度的提升仍有其限制，特別是，基板往往由這些切削過的邊緣開始破裂。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型提供一種面板裝置及觸控面板，以機(jī)械強(qiáng)度理想的硬質(zhì)基板提供承載而具有良好的品質(zhì)及耐用性。
[0005]本實(shí)用新型提供一種面板裝置，其包括有硬質(zhì)基板、組件層與下基板。硬質(zhì)基板包括一離子強(qiáng)化表面層，其完整地包覆于硬質(zhì)基板的全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強(qiáng)化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度實(shí)質(zhì)上相同。硬質(zhì)基板與下基板相對(duì)設(shè)置。組件層設(shè)置于硬質(zhì)基板與下基板之間。
[0006]本實(shí)用新型還提供一種觸控面板，包括一硬質(zhì)基板、一觸控組件、一裝飾圖案層以及一保護(hù)層。硬質(zhì)基板包括一離子強(qiáng)化表面層，其完整地包覆于硬質(zhì)基板的全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強(qiáng)化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度實(shí)質(zhì)上相同。觸控組件配置于硬質(zhì)基板上。裝飾圖案層配置于硬質(zhì)基板上，且至少位于觸控組件的一側(cè)邊。保護(hù)層至少覆蓋該觸控組件。
[0007]基于上述，本實(shí)用新型提供一種面板裝置及觸控面板，硬質(zhì)基板經(jīng)機(jī)械加工或材料移除處理過的切割壁進(jìn)行蝕刻而形成蝕刻壁。蝕刻壁具有的裂隙大小大于經(jīng)機(jī)械加工或材料移除處理而未蝕刻前的切割壁，且蝕刻壁具有的平均表面粗糙度小于經(jīng)切削而未蝕刻的切割壁。所以，蝕刻壁相對(duì)于切割壁而言較不容易在特定區(qū)域產(chǎn)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象。如此一來，經(jīng)離子強(qiáng)化處理的蝕刻壁可以有效提升硬質(zhì)基板的機(jī)械強(qiáng)度也隨之使具有此硬質(zhì)基板的觸控面板具有理想的品質(zhì)及耐用性。
[0008]進(jìn)一步而言，因?yàn)榍岸螜C(jī)械加工或材料移除處理加工的品質(zhì)不一，這樣的前段加工所造成的裂隙深度將會(huì)不一致，這會(huì)影響離子強(qiáng)化之后所能夠達(dá)到的效果。不過，本實(shí)用新型實(shí)施例通過將前段加工之后的硬質(zhì)基板先進(jìn)行蝕刻后再全面施行化學(xué)強(qiáng)化，這可以更確保裂隙可以實(shí)質(zhì)上被離子強(qiáng)化表面層所涵蓋。此時(shí)，離子強(qiáng)化表面層可以衍生出一對(duì)應(yīng)的壓應(yīng)力分布層，而壓應(yīng)力層可約束玻璃表層的裂隙成長(zhǎng)而提高玻璃受破壞的強(qiáng)度，因此可使得成品強(qiáng)度更穩(wěn)固。
[0009]除上述之外，從另一角度來看，由于裂隙深度已預(yù)先經(jīng)由蝕刻被減低；因此，后續(xù)的全面化學(xué)強(qiáng)化，其處理?xiàng)l件就不需這么嚴(yán)苛即可使離子強(qiáng)化表面層涵蓋裂隙，例如:處理時(shí)間可相對(duì)較短等等。
[0010]為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1至圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例的硬質(zhì)基板的處理方法的示意圖；
[0012]圖5及圖6分別為切割壁100A與蝕刻壁102A在顯微鏡下放大50倍時(shí)的態(tài)樣圖；
[0013]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的基板的切割壁100A與蝕刻壁102A的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0014]圖8為本實(shí)用新型一實(shí)施例的觸控面板圖；
[0015]圖9至圖11為本實(shí)用新型的多個(gè)實(shí)施例的觸控組件的設(shè)計(jì)圖；
[0016]圖12為本實(shí)用新型另一實(shí)施例中經(jīng)由機(jī)械加工或材料移除處理的硬質(zhì)基板初坯的剖面示意圖；
[0017]圖13為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖；
[0018]圖14為本實(shí)用新型一實(shí)施例的裝飾圖案層的剖面示意圖；
[0019]圖15為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的裝飾圖案層的剖面示意圖；
[0020]圖16A為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖；
[0021]圖16B為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖；
[0022]圖17為本實(shí)用新型一實(shí)施例的雙層電極層的示意圖；
[0023]圖18為本實(shí)用新型又一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖；
[0024]圖19為本實(shí)用新型又一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖；
[0025]圖20為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖；
[0026]圖21為本實(shí)用新型在一實(shí)施例的面板裝置的局部面示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明:
[0028]10:硬質(zhì)母板；
[0029]20:抗蝕膜；
[0030]20A:孔洞；
[0031]100、100’:硬質(zhì)基板初坯；
[0032]102:硬質(zhì)基板；
[0033]100A、100A，:切割壁；
[0034]100B ’:上表面；
[0035]100C’:下表面；
[0036]102A:蝕刻壁；
[0037]200,300:觸控面板；
[0038]210、310:觸控組件；[0039]220、320、320A、320B:裝飾圖案層；
[0040]322A、322B、324A、324B、326A、326B:層結(jié)構(gòu)；
[0041]330:導(dǎo)線；
[0042]340:保護(hù)層；
[0043]400A、400B、500、600、700、800:面板裝置；
[0044]410、710:下基板；
[0045]420A,420B,520,620,720,820:組件層；
[0046]422、424、522、524、622、624:電極層；
[0047]426:絕緣層；
[0048]428:絕緣圖案；
[0049]430、530、630、640:光學(xué)膠；
[0050]650:中間基板；
[0051]722:顯示介質(zhì)；
[0052]724:彩色濾光層；
[0053]726:主動(dòng)組件層；
[0054]B:裂隙；
[0055]dl、d2:深度；
[0056]O、T:裂隙末端；
[0057]R:導(dǎo)角；
[0058]S1:第一感測(cè)串行；
[0059]S2:第二感測(cè)串行；
[0060]S3:條狀電極；
[0061]S4:矩形電極；
[0062]TH:穿孔；
[0063]W1、W2:尺寸。
【具體實(shí)施方式】
[0064]要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中所謂的玻璃的離子強(qiáng)化表面層的深度是指鉀離子從玻璃表面擴(kuò)散進(jìn)入玻璃內(nèi)部的平均深度，而較佳的定義是指在玻璃全表面劃分出多個(gè)區(qū)域時(shí)，鉀離子在這些區(qū)域中的最大擴(kuò)散深度的平均值。離子強(qiáng)化表面層的深度一般可以通過儀器檢測(cè)鉀離子是否存在而得知。由于即使在同一處理過程下，離子擴(kuò)散深度仍會(huì)有深淺不一的情形存在，因此本文中將采取擴(kuò)散深度的平均值作為判定離子強(qiáng)化表面層的深度的標(biāo)準(zhǔn)。
[0065]也就是說，在一實(shí)施例中，離子強(qiáng)化表面層的深度可定義為在多個(gè)測(cè)量點(diǎn)上由玻璃表面朝內(nèi)部量測(cè)鉀離子(K+)的濃度以取得對(duì)應(yīng)的深度，并將這些點(diǎn)所測(cè)量得的深度求取平均值所獲得的值。通常，鉀離子分布情形為表層部位最高，然后漸次向玻璃內(nèi)部遞減至零或是背景值。因此，每一測(cè)量點(diǎn)測(cè)量的深度實(shí)質(zhì)上為玻璃表面到鉀離子分布遞減至零或是背景值的位置兩者的距離，其中背景值是指玻璃制造時(shí)所含有的原料部分。
[0066]例如，玻璃原本的成分中即含有鉀離子時(shí)，其原料中鉀離子的濃度即可定義為背景值。換句話說，由于離子強(qiáng)化表面層是交換離子(例如鉀離子)通過交換/擴(kuò)散等機(jī)制進(jìn)入玻璃的深度所界定而來的。交換離子的濃度分布會(huì)由玻璃基板表面往中心慢慢降低至零或是背景值，因此離子強(qiáng)化表面層是否存在可以通過儀器檢測(cè)交換離子的存在而得知。另夕卜，這里所謂的平均深度可以是離子強(qiáng)化表面層在多個(gè)測(cè)量點(diǎn)的深度的平均值。較佳地，平均深度是交換離子在玻璃內(nèi)每個(gè)測(cè)量區(qū)域中的最大擴(kuò)散深度的平均值所定義。
[0067]實(shí)際上，同一道離子強(qiáng)化處理過程可能形成深度些許不同的離子強(qiáng)化表面層，因此在此可以通過檢測(cè)幾個(gè)不同位置的離子強(qiáng)化表面層的深度，再取其平均值。例如，選取強(qiáng)化后的玻璃基板上5個(gè)不同位置點(diǎn)，用儀器檢測(cè)鉀離子的擴(kuò)散深度，再加以將量測(cè)的五個(gè)數(shù)值求取平均，并以此平均數(shù)值代表整個(gè)離子強(qiáng)化表面層的平均深度。另外，前述鉀離子置換鈉離子的離子交換行為僅為例示性說明而不用以限定本實(shí)用新型，其它能產(chǎn)生提高強(qiáng)度的效果的離子交換行為，均能應(yīng)用于本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例。再者，上述的玻璃材質(zhì)并不特別地限定，其例如包括鈉鈣硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等材質(zhì)均可。
[0068]圖1至圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例的硬質(zhì)基板的處理方法的示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D1，提供一硬質(zhì)母板10。具體而言，硬質(zhì)母板10的材質(zhì)為玻璃,其例如有鈉玻璃(soda-limeglass)、硼玻璃(boro-silicate glass)、招娃酸玻璃(alumo-silicate glass)等。不過，本實(shí)用新型不特別地局限硬質(zhì)母板10的材質(zhì)，而凡是可以在面板裝置中作為承載用的玻璃板材都可以應(yīng)用以下所公開的處理方法進(jìn)行處理。
[0069]接著，進(jìn)行一機(jī)械加工或材料移除處理以將圖1的硬質(zhì)母板10圖案化成至少一個(gè)具有所需外型的硬質(zhì)基板初坯100，如圖2所示。在一實(shí)施例中，硬質(zhì)母板10可以被切削成I個(gè)、2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)，或是多于4個(gè)硬質(zhì)基板初坯100。也就是說，此處不特別地限定切削過程使硬質(zhì)母板10所切削出來的硬質(zhì)基板初坯100的數(shù)量。因此，圖2僅示出一個(gè)硬質(zhì)基板初坯100以便于說明。
[0070]另外，此處所記載的機(jī)械加工或材料移除處理可以包括切割步驟、磨邊步驟、鑿孔步驟、導(dǎo)角步驟、圖案化蝕刻步驟及拋光步驟等至少其中一種工序。因此，切割后的硬質(zhì)基板初坯100除了具備所設(shè)定的尺寸外還可以具有研磨過的導(dǎo)角R，這有利于硬質(zhì)基板初坯100應(yīng)用于產(chǎn)品時(shí)提升產(chǎn)品的美觀并且避免產(chǎn)品的尖角刮傷使用者。另外，切割后的硬質(zhì)基板初坯100還可以隨著設(shè)計(jì)需求而通過鑿孔形成穿孔TH，其可以作為實(shí)際電子產(chǎn)品中的耳音孔、麥克風(fēng)孔、或是裝飾孔等。
[0071]當(dāng)然，上述結(jié)構(gòu)僅是舉例說明之用，并非用以限定本實(shí)用新型。在其他的實(shí)施例中，硬質(zhì)基板初坯100可選擇性地具有尖銳的轉(zhuǎn)角。甚至，在另一實(shí)施例中，如圖12所示出的本實(shí)用新型另一實(shí)施例的經(jīng)機(jī)械加工或材料移除處理過的硬質(zhì)基板初坯的剖面示意圖，硬質(zhì)基板初還100’可以具有圓弧狀的切割壁100A’。此時(shí)，硬質(zhì)基板初還100’具有實(shí)質(zhì)上平坦的上表面100B'與下表面100C’且圓弧狀的切割壁100A’連接于上表面100B’與下表面100C’之間。當(dāng)然，這樣的設(shè)計(jì)僅是舉例說明之用，在其他的實(shí)施例中，上表面100B’也可以具有圓弧狀外型。
[0072]值得一提的是，在切割步驟、磨邊步驟、鑿孔步驟、導(dǎo)角步驟、圖案化蝕刻步驟及拋光步驟等機(jī)械加工或材料移除處理的過程中，硬質(zhì)基板初坯100的切割壁100A會(huì)數(shù)次地受到撞擊(刀具的撞擊、研磨粒子的撞擊、蝕刻劑的侵蝕或是拋光粒子的撞擊等)，所以切割壁100A實(shí)際上會(huì)具有多個(gè)大小不一且規(guī)則性不佳的裂隙。這些裂隙由受到?jīng)_擊的表面向內(nèi)部延伸而往往在后續(xù)的制作工序或是使用過程中構(gòu)成應(yīng)力的集中區(qū)域。特別是，這些裂隙的規(guī)則性越差則應(yīng)力越容易集中在特定的局部區(qū)域。所以，切削加工之后的硬質(zhì)基板初坯100雖然已經(jīng)具備所需外型卻無法具有理想的機(jī)械強(qiáng)度。
[0073]因此，本實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)硬質(zhì)基板進(jìn)行其他的處理程序。舉例而言，請(qǐng)參照?qǐng)D3，本實(shí)施例的處理方法進(jìn)一步將一抗蝕膜20貼附于硬質(zhì)基板初坯100上，且讓抗蝕膜20暴露出切割壁100A甚至鄰近于切割壁100A的一部分。另外，由于穿孔TH也是經(jīng)由前述的機(jī)械加工或材料移除處理而制作的且定義出穿孔TH的壁面也是所謂的切割壁100A，所以，抗蝕膜20還設(shè)有暴露出穿孔TH的孔洞20A。接著，對(duì)抗蝕膜20暴露出來的切割壁100A以及定義出穿孔TH的壁面進(jìn)行一蝕刻處理。
[0074]在一實(shí)施例中，蝕刻處理可以是讓硬質(zhì)基板初坯100接觸一干蝕刻媒介或一濕蝕刻媒介，且其中干蝕刻媒介包括含氟氣體或等離子體，而濕蝕刻媒介包括至少含氫氟酸或含氟的溶劑。在此，硬質(zhì)基板初坯100的材質(zhì)為玻璃，所以所選用的蝕刻媒介可以是氫氟酸或是可以對(duì)玻璃侵蝕的材質(zhì)。
[0075]在蝕刻處理的進(jìn)行下，硬質(zhì)基板初坯100接觸于蝕刻媒介的局部表面會(huì)侵蝕，因而切割壁100A上的裂隙會(huì)發(fā)生改變。舉例而言，切割壁100A上分布及尺寸皆不均勻的裂隙可以經(jīng)蝕刻媒介的作用而轉(zhuǎn)變?yōu)榉植技俺叽缃暂^為均勻的狀態(tài)。因此，經(jīng)由蝕刻處理后，移除抗蝕膜20并且對(duì)整個(gè)硬質(zhì)基板初坯100進(jìn)行離子強(qiáng)化處理即可以獲得如圖4所示出的具有理想機(jī)械強(qiáng)度的硬質(zhì)基板102。此處的離子強(qiáng)化處理可以是已知的應(yīng)用于強(qiáng)化玻璃板的離子強(qiáng)化過程，其例如是將表面沒有貼附其他膜層的硬質(zhì)基板初坯100完整地接觸離子強(qiáng)化液。也即，將表面沒有貼附其他膜層的硬質(zhì)基板初坯100整個(gè)浸沒于離子強(qiáng)化液中。值得一提的是，在蝕刻處理后，也可先進(jìn)行其它處理，之后再進(jìn)行離子強(qiáng)化處理。
[0076]在其它實(shí)施例中，也可不采用抗蝕膜20，而是改成將整個(gè)裸露的硬質(zhì)基板初坯接觸一干蝕刻媒介或一濕蝕刻媒介，使得硬質(zhì)基板初坯接觸于蝕刻媒介的表面全部都會(huì)侵蝕，經(jīng)由蝕刻處理后，再對(duì)硬質(zhì)基板初坯的上表面與下表面進(jìn)行表面處理工序，例如拋光處理，以移除上表面與下表面的蝕刻結(jié)構(gòu)，或是降低其平均表面粗糙度，接著再進(jìn)行后續(xù)的離子強(qiáng)化處理。
[0077]值得一提的是，在上述各實(shí)施例中，當(dāng)經(jīng)由離子強(qiáng)化處理后，可進(jìn)一步通過另一表面處理工序，例如拋光，以移除上表面及/或下表面的部份離子強(qiáng)化表面層，因?yàn)槿詺埩粲胁糠蓦x子強(qiáng)化表面層，因此強(qiáng)度仍然足夠。如此一來，上表面及/或下表面即會(huì)有拋光后的拋光結(jié)構(gòu)，有別于蝕刻壁上的蝕刻結(jié)構(gòu)。由于上表面及/或下表面被移除部份離子強(qiáng)化表面層，因此離子強(qiáng)化表面層在上表面及/或下表面的平均深度會(huì)低于其在蝕刻壁的平均深度，且在上表面及/或下表面的表層上的交換離子濃度會(huì)低于蝕刻壁的表層上的交換離子濃度，交換離子例如是鉀離子，但不以此為限。
[0078]另外，請(qǐng)參照?qǐng)D4，硬質(zhì)基板102具有蝕刻壁102A，并且圖4中雖未特別地示出，不過硬質(zhì)基板102整個(gè)全表面上實(shí)質(zhì)上完整地包覆著離子強(qiáng)化表面層。并且，離子強(qiáng)化表面層在蝕刻壁102A的平均深度實(shí)質(zhì)上相同于在蝕刻壁102A以外的表面的平均深度。在一實(shí)施例中，蝕刻壁102A可以包括多個(gè)裂隙(如圖7所示)，而離子強(qiáng)化表面層的平均深度實(shí)質(zhì)上大于裂隙的平均深度。在此，離子強(qiáng)化表面層的深度的定義與測(cè)量方式已記載于上文中，不另贅述。[0079]值得一提的是，此處的蝕刻壁102A不同于圖3的切割壁100A之處包括有:切割壁100A的平均表面粗糙度為1.0um-3um，而蝕刻壁102A的的平均表面粗糙度為
0.03um-0.8um。另外，圖5及圖6分別為切割壁100A與蝕刻壁102A在顯微鏡下放大50倍時(shí)的態(tài)樣圖。同時(shí)參照?qǐng)D5與圖6可以清楚知道，切割壁100A的表面均勻性相對(duì)較差(裂隙分布較不均勻)而蝕刻壁102A的表面均勻性相對(duì)較好(裂隙分布較均勻)。此外，如圖6所示，蝕刻壁102A包括多個(gè)裂隙B，且這些裂隙B的孔徑大小為3微米-15微米。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，具有蝕刻壁102A的硬質(zhì)基板102相對(duì)于具有切割壁100A的硬質(zhì)基板初坯100而言，較不容易發(fā)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象。
[0080]舉例而言，圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的硬質(zhì)基板的切割壁100A與蝕刻壁102A的剖面結(jié)構(gòu)圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，在機(jī)械加工或材料移除處理的過程當(dāng)中，切割壁100A的表面會(huì)直接受到刀具、研磨粒子等物質(zhì)的撞擊，所以切割壁100A的剖面結(jié)構(gòu)會(huì)呈現(xiàn)出許多大小不一且尖銳的裂隙。然而，在經(jīng)過蝕刻液的作用之后，蝕刻壁102A的表面會(huì)相對(duì)于切割壁100A的表面內(nèi)縮，因此，除了裂隙深度d2降低(相較于裂隙深度dl)之外，原本尖銳的裂隙末端T還可以變得相對(duì)地圓滑(如裂隙末端O)并且原來裂隙的尺寸Wl也相對(duì)地增大(如裂隙尺寸W2)。
[0081]根據(jù)Griffith’ s理論，裂隙末端T、O的曲率半徑越大(越圓滑)則應(yīng)力集中效應(yīng)越小。因此，本實(shí)施例在切削過程后進(jìn)行一蝕刻處理使得均勻性相對(duì)較差的切割壁100A變成均勻性相對(duì)較好的蝕刻壁102A，這有助于降低硬質(zhì)基板102發(fā)生應(yīng)力集中而破損的機(jī)率。另外，本實(shí)施例的處理方法在蝕刻壁102A形成后再進(jìn)行離子強(qiáng)化步驟，可以更進(jìn)一步提升硬質(zhì)基板102的機(jī)械強(qiáng)度。
[0082]整體而言，無論切削過程的處理?xiàng)l件是否受到嚴(yán)謹(jǐn)?shù)乜刂贫苊饬严兜漠a(chǎn)生，在切削過程后使用蝕刻液接觸切割壁100A都有助于讓原本在切割壁100A上的裂隙深度降低，以及使得裂隙變的更為平緩而形成均勻度較高的蝕刻壁102A。如此一來，經(jīng)過處理的硬質(zhì)基板102在機(jī)械強(qiáng)度上可以優(yōu)于硬質(zhì)基板初坯100。因此，上述的處理步驟中，除了離子強(qiáng)化過程外，蝕刻液的蝕刻作用也可以使得切削過的硬質(zhì)基板初坯100的強(qiáng)度進(jìn)一步地被強(qiáng)化，這有助于提升硬質(zhì)基板102的良率。舉例而言，在通過破壞性試驗(yàn)以測(cè)量硬質(zhì)基板102的機(jī)械強(qiáng)度時(shí)，硬質(zhì)基板102的通過率可以較硬質(zhì)基板初坯100更為提升。
[0083]圖8為本實(shí)用新型一實(shí)施例的觸控面板圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8，本實(shí)施例可以直接將觸控組件210制作在經(jīng)由上述步驟處理之后的硬質(zhì)基板102上以構(gòu)成觸控面板200。另外，硬質(zhì)基板102上還可以設(shè)置有裝飾圖案層220，且裝飾圖案層220可以位于觸控組件210周邊。裝飾圖案層220可選擇性地如圖8所示位于觸控組件210所在位置的一側(cè)。不過，在其他的實(shí)施例中，觸控組件210與裝飾圖案層220可以分別地位于硬質(zhì)基板102的相對(duì)兩偵U。裝飾圖案層220的材質(zhì)可以是油墨、類鉆碳或陶瓷材料等。
[0084]值得一提的是，上述圖1至圖4所記載的步驟中，硬質(zhì)基板102已經(jīng)被切割成設(shè)計(jì)所需的尺寸大小。因此，制作觸控面板200的方法可以是直接在硬質(zhì)基板102上制作觸控組件210。并且制作觸控組件210之后不需進(jìn)一步進(jìn)行分割，這有利于避免額外的分割步驟造成觸控面板200的強(qiáng)度下降。另外，為了量產(chǎn)所需或是為了減少設(shè)備成本，還可以選擇地將多個(gè)硬質(zhì)基板102貼附于輔助載板(未示出)上，并且利用輔助載板的承載，同時(shí)在多個(gè)硬質(zhì)基板102上制作對(duì)應(yīng)的觸控組件210。如此一來，僅需一次的制作工序就可以完成多個(gè)觸控面板200的制作。由于硬質(zhì)基板102具備理想的機(jī)械強(qiáng)度，則觸控面板200可以不需額外的保護(hù)蓋保護(hù)即可以具備良好的品質(zhì)。因此，觸控面板200可以作為電子裝置中最外側(cè)的組件而不需以其他構(gòu)件保護(hù)。
[0085]此外，觸控組件210可以由單層感測(cè)電極層或是多層感測(cè)電極層所構(gòu)成，并且觸控組件210可由多種設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)。舉例而言，觸控組件210可以由圖9所示出的相互絕緣的多個(gè)第一感測(cè)串行SI與多個(gè)第二感測(cè)串行S2所構(gòu)成，而絕緣的方式可以是通過整面的絕緣層，或是多個(gè)僅設(shè)置在第一感測(cè)串行SI與第二感測(cè)串行S2交叉處之間的島狀絕緣圖案。另外，須說明的是，感測(cè)串行并不限于圖式所示的形狀，例如第一感測(cè)串行與第二感測(cè)串行也可以是直條狀等其他形狀。或是，觸控組件210可以由圖10所示出的多個(gè)條狀電極S3所構(gòu)成，其中每個(gè)條狀電極S3的寬度由一端向另一端逐漸減少。當(dāng)然，觸控組件210也可以由多個(gè)圖11所示出的矩形電極S4所構(gòu)成。值得一提的是，上述各種觸控組件210的設(shè)計(jì)僅是舉例說明，并非限定本實(shí)用新型所記載的觸控組件210的實(shí)施方式。
[0086]舉例來說，圖13為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D13，觸控面板300包括有上述的硬質(zhì)基板102、觸控組件310、裝飾圖案層320、多條導(dǎo)線330以及一保護(hù)層340。硬質(zhì)基板102具有前述說明所記載的特點(diǎn)，在此不再重復(fù)。裝飾圖案層320配置于硬質(zhì)基板102上，并且裝飾圖案層320所設(shè)置的位置位于硬質(zhì)基板102的周邊。觸控組件310配置于硬質(zhì)基板102上。同時(shí)，導(dǎo)線330配置于裝飾圖案層320上并且這些導(dǎo)線330分別的電性連接至觸控組件310。保護(hù)層340至少覆蓋觸控組件310，還可以進(jìn)一步覆蓋這些導(dǎo)線330，甚至全面覆蓋硬質(zhì)基板102及其上的組件。在本實(shí)施例中是以保護(hù)層340覆蓋觸控組件310以及導(dǎo)線330來說明，不過在其他的實(shí)施例中保護(hù)層340可以僅覆蓋住觸控組件310。另外，保護(hù)層340在圖13中雖接觸于觸控組件310，但是在其他實(shí)施例中保護(hù)層340不一定接觸觸控組件310。保護(hù)層340例如可以是有機(jī)層，例如由光阻材料制作，或是無機(jī)層，例如由氧化硅(SiOx)或是氧化硅(SiOx)與氮化硅(SiNx)的復(fù)合層來構(gòu)成。此外，保護(hù)層340也可以是無機(jī)層與有機(jī)層的堆棧。
[0087]在本實(shí)施例中，觸控組件310可以具有前述圖9至圖11中任何一種設(shè)計(jì)，因此這些導(dǎo)線330可以分別連接至其中一個(gè)感測(cè)串行或是其中一個(gè)條狀電極或是其中一個(gè)矩形電極。裝飾圖案層320在本實(shí)施例中位于硬質(zhì)基板102的周邊，所以裝飾圖案層320圍繞觸控組件310。另外，裝飾圖案層320在本實(shí)施例中可以具有單層結(jié)構(gòu)，不過裝飾圖案層320的設(shè)計(jì)不以此為限。
[0088]圖14為本實(shí)用新型一實(shí)施例的裝飾圖案層的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D14，裝飾圖案層320A可以應(yīng)用于圖13中以替代裝飾圖案層320。在此，配置于硬質(zhì)基板102上的裝飾圖案層320A包括有一次堆棧的多個(gè)層結(jié)構(gòu)322A、324A以及326A。在本實(shí)施例中，這些層結(jié)構(gòu)中322A、324A以及326A至少一層，即層結(jié)構(gòu)324A被另外層結(jié)構(gòu)322A與層結(jié)構(gòu)326A包圍。
[0089]圖15為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的裝飾圖案層的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D15，裝飾圖案層320B可以應(yīng)用于圖13中以替代裝飾圖案層320。在此，配置于硬質(zhì)基板102上的裝飾圖案層320B包括有一次堆棧的多個(gè)層結(jié)構(gòu)322B、324B以及326B。在本實(shí)施例中，層結(jié)構(gòu)322B的寬度大于層結(jié)構(gòu)324B，而且層結(jié)構(gòu)324B的寬度大于層結(jié)構(gòu)326B，使得層結(jié)構(gòu)322B.324B以及326B依序堆棧成階梯狀。也就是說，越遠(yuǎn)離硬質(zhì)基板102的一層具有越小的寬度。當(dāng)然，這些由多個(gè)層結(jié)構(gòu)所堆棧而成的裝飾圖案層320A與320B僅是舉例說明之用，本實(shí)用新型不須以此為限。
[0090]除了上述觸控面板的實(shí)施方式之外，本實(shí)用新型也可以應(yīng)用于其他設(shè)計(jì)形態(tài)的面板裝置中。舉例而言，圖16A為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D16A，面板裝置400A包括有前述的硬質(zhì)基板102、下基板410、組件層420A以及光學(xué)膠430。在此，硬質(zhì)基板102具有前述說明所記載的特性，不再重復(fù)。組件層420A在本實(shí)施例中配置于下基板410上。在光學(xué)膠430將下基板410與硬質(zhì)基板102貼附在一起后，組件層420A是位于下基板410與硬質(zhì)基板102之間。另外，組件層420A可以包括有機(jī)發(fā)光組件層、非自發(fā)光組件層、觸控組件層、彩色濾光層或上述的組合。當(dāng)組件層420A為觸控組件層時(shí)，組件層420A例如可以具有前述圖9至圖11中任一種設(shè)計(jì)，但不限于此。下基板410可以為可撓性薄膜基板或是另一硬質(zhì)基板。在此，下基板410指的是，位在硬質(zhì)基板102下方的基板，并不一定是指最下方的基板，因此，下基板可以是面板裝置400A的其中一基板，例如可以是顯示器的彩色濾光片基板或主動(dòng)組件基板，或是有機(jī)發(fā)光二極管的封裝蓋板等。當(dāng)然，如面板裝置包括有顯示器，則下基板410也可以是顯示器外部的基板，例如是設(shè)置在顯示器外部的一基板。
[0091]圖16A是以組件層420A為雙層電極層422與424所構(gòu)成的觸控組件層作為示例進(jìn)行說明。電極層422與電極層424可以通過一絕緣層426的設(shè)置而分隔開來。也就是說，電極層422與電極層424是彼此電性獨(dú)立的。而此絕緣層426例如可以是一基板，且電極層422與電極層424分別設(shè)置在該基板的二相對(duì)面，當(dāng)然，并不以此為限，該絕緣層也可以是膠層或薄膜層。在其他的實(shí)施例中，如圖17所示，電極層422與電極層424可以為彼此交錯(cuò)的設(shè)計(jì)。此時(shí)，可以僅在電極層422與電極層424交錯(cuò)處設(shè)置絕緣圖案428來分隔兩者。圖17中雖然僅表示一個(gè)絕緣圖案428，但不以此為限。在電極層422與電極層424具有多數(shù)個(gè)交錯(cuò)處時(shí)，絕緣圖案428的數(shù)量即為多數(shù)個(gè)。
[0092]在此所謂的一個(gè)電極層可以表示為由單一層導(dǎo)電材料層所構(gòu)成的組件，或是由多層導(dǎo)電材料層所構(gòu)成的一個(gè)電性連續(xù)的組件。也就是說，此處所謂的單一電極層，是指電信號(hào)特性上具有相同功能的導(dǎo)電組件而非限定要以相同的導(dǎo)電材料層來構(gòu)成。舉例來說，組件層420A具有如圖9的設(shè)計(jì)時(shí)，電極層422與電極層424可以分別構(gòu)成第一感測(cè)串行SI與第二感測(cè)串行S2。也就是，第一感測(cè)串行SI與第二感測(cè)串行S2其中一者由電極層422構(gòu)成而另一者為電極層424構(gòu)成。不過，由圖9可知，每一條第一感測(cè)串行SI都具有寬度較大的部份以及寬度較小的部分，其中寬度較小的部分會(huì)與第二感測(cè)串行S2交錯(cuò)。因此，在其他實(shí)施例中，每一條第一感測(cè)串行SI中寬度較大的部分與第二感測(cè)串行S2可以由電極層422與電極層424其中一者來構(gòu)成，而每一條第一感測(cè)串行SI中寬度較小的部分可以由電極層422與電極層424的另一者構(gòu)成。因此，第一感測(cè)串行SI在這樣的設(shè)計(jì)中是由兩個(gè)電極層422與424所組成的，而第二感測(cè)串行S2僅由電極層422與424其中一者組成。上述導(dǎo)電材料層可以包括透明導(dǎo)電材料(例如金屬氧化物)或是非透明導(dǎo)電材料(例如金屬)，但不以此為限；此外，導(dǎo)電材料層的形態(tài)可以是網(wǎng)格狀，例如可以是金屬網(wǎng)格。
[0093]另外，圖16B為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的觸控面板的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D16B，面板裝置400B包括有前述的硬質(zhì)基板102、下基板410、以及光學(xué)膠430，其中組件層420B不同于前述的組件層420A。組件層420B在其他實(shí)施例中可以由單層電極層來構(gòu)成。此時(shí)，構(gòu)成組件層420B的單層電極可以直接制作于下基板410上，再通過光學(xué)膠430將下基板410與其上的單層電極的組件層420B貼附于硬質(zhì)基板102上。在這樣的實(shí)施方式中，單層電極層所構(gòu)成的組件層420B上可以選擇地覆蓋一層保護(hù)層以保護(hù)組件層420。因此，組件層420B與光學(xué)膠430之間可選擇地存在一層保護(hù)層。
[0094]圖18為本實(shí)用新型又一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D18，面板裝置500包括有前述的硬質(zhì)基板102、下基板410、組件層520以及光學(xué)膠530。在此，硬質(zhì)基板102、下基板410具有前述說明所記載的特性，不再重復(fù)。圖18是以組件層520為雙層電極層522與524所構(gòu)成的觸控組件層作為示例進(jìn)行說明。電極層522與524分別配置于硬質(zhì)基板102與下基板410上。同時(shí),光學(xué)膠530配置于電極層522與電極層524間以將硬質(zhì)基板102與下基板410貼附在一起。值得一提的是，電極層524也可設(shè)置在下基板410的下方，例如是在下基板410的下表面。
[0095]圖19為本實(shí)用新型又一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D19，面板裝置600包括有前述的硬質(zhì)基板102、下基板410、組件層620、光學(xué)膠630、另一光學(xué)膠640以及中間基板650。在此，硬質(zhì)基板102、下基板410具有前述說明所記載的特性，不再重復(fù)。圖19是以組件層620為雙層電極層622與624所構(gòu)成的觸控組件層作為示例進(jìn)行說明。同時(shí)，中間基板650位于下基板410與硬質(zhì)基板102之間。中間基板650通過光學(xué)膠630貼附于硬質(zhì)基板上102且電極層622與624分別配置于中間基板650與下基板410上。光學(xué)膠640配置于電極層622與電極層624間以將中間基板650與下基板410貼附在一起。中間基板650可以是可撓性薄膜基板，例如塑料基板。另一提的是，電極層624也可設(shè)置在下基板410的下方，例如是下基板410的下表面；同樣的，電極層622也可設(shè)置在中間基板650的上方,例如是中間基板650的上表面。此外,在其他實(shí)施例中，電極層622與電極層624還可以分別設(shè)置在硬質(zhì)基板102與中間基板650上，例如電極層622設(shè)置在硬質(zhì)基板102的下表面，電極層624設(shè)置在中間基板650的下表面,但不以此為限。
[0096]上述實(shí)施例都是以組件層為觸控組件層來說明，不過本實(shí)用新型不以此為限。圖20為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的面板裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D20，面板裝置700包括硬質(zhì)基板102、下基板710以及組件層720，其中組件層720位于硬質(zhì)基板102與下基板710之間。在此，硬質(zhì)基板102具有前述說明所記載的特性，不再重復(fù)。組件層720具體來說包括有顯示介質(zhì)722、彩色濾光層724與主動(dòng)組件層726，且顯示介質(zhì)722位于彩色濾光層724與主動(dòng)組件層726之間。也就是說，面板裝置700為一種顯示面板。顯示介質(zhì)722可以為非自發(fā)光型顯示介質(zhì)或是自發(fā)光型顯示介質(zhì)。當(dāng)顯示介質(zhì)722為非自發(fā)光型顯示介質(zhì)時(shí)，其材質(zhì)例如為液晶材料、電泳材料、電濕潤(rùn)顯示材料等。當(dāng)顯示介質(zhì)722為自發(fā)光型，其材質(zhì)例如為有機(jī)發(fā)光材料。此外，當(dāng)顯示介質(zhì)722為自發(fā)光型，面板裝置700可以省略彩色濾光層。
[0097]舉例而言，圖21為本實(shí)用新型在一實(shí)施例的面板裝置的局部面示意圖。面板裝置800包括硬質(zhì)基板102、下基板710以及組件層820。在此，硬質(zhì)基板102具有前述說明所記載的特性，不再重復(fù)。組件層820例如為有機(jī)發(fā)光單元數(shù)組，且組件層820配置于下基板710上。此時(shí)，面板裝置800例如為有機(jī)發(fā)光顯示面板，而硬質(zhì)基板102即為有機(jī)發(fā)光顯示面板的蓋板。綜上所述，本實(shí)用新型對(duì)切削加工后的硬質(zhì)基板的壁(也即切割壁)以蝕刻液進(jìn)行局部的蝕刻。所以，硬質(zhì)基板具有蝕刻壁，其中蝕刻壁相對(duì)于切割壁具有更佳的均勻性。所以，經(jīng)離子強(qiáng)化過的蝕刻壁不容易發(fā)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象而有助于提升硬質(zhì)基板的機(jī)械強(qiáng)度，例如抗彎曲(bending)強(qiáng)度。值得一提的是，因?yàn)榍岸螜C(jī)械加工或材料移除處理加工的品質(zhì)不一，這樣的前段加工所造成的裂隙深度將會(huì)不一致，這會(huì)影響離子強(qiáng)化之后所能夠達(dá)成的效果。不過，本實(shí)用新型實(shí)施例通過將前段加工之后的硬質(zhì)基板先進(jìn)行蝕刻后再全面施行化學(xué)強(qiáng)化，這可以更確保裂隙可以實(shí)質(zhì)上被離子強(qiáng)化表面層所涵蓋。此時(shí)，離子強(qiáng)化表面層可以衍生出一對(duì)應(yīng)的壓應(yīng)力分布層，而壓應(yīng)力層可約束玻璃表層的裂隙成長(zhǎng)而提高玻璃受破壞的強(qiáng)度，因此可使得成品強(qiáng)度更穩(wěn)固。
[0098]如此一來，以這樣的硬質(zhì)基板制作觸控面板、顯示面板等面板結(jié)構(gòu)可以讓觸控面板具有理想的機(jī)械強(qiáng)度及良好的品質(zhì)。
[0099]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種面板裝置，其特征在于，包括: 一硬質(zhì)基板，包括一離子強(qiáng)化表面層，完整地包覆于該硬質(zhì)基板的全表面，且該硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中該離子強(qiáng)化表面層在該蝕刻壁的平均深度與其在該蝕刻壁以外的表面的平均深度相同； 一下基板，與該硬質(zhì)基板相對(duì)；以及 一組件層，配置于該硬質(zhì)基板與該下基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該硬質(zhì)基板的該蝕刻壁的平均表面粗糙度為 0.03um-0.8um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該硬質(zhì)基板的該蝕刻壁包括多個(gè)裂隙，且這些裂隙的孔徑大小為3微米-15微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該硬質(zhì)基板的該蝕刻壁包括多個(gè)裂隙，該離子強(qiáng)化表面層的平均深度大于這些裂隙的平均深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該組件層包括有機(jī)發(fā)光組件層、非自發(fā)光組件層、觸控組件層、彩色濾光層或上述的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該組件層包括一觸控組件層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的面板裝置，其特征在于，該觸控組件層為金屬網(wǎng)格。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的面板裝置，其特征在于，該觸控組件層包括一第一電極層與一第二電極層，該第一電極層與該第二電極層彼此電性獨(dú)立。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，該第一電極層與該第二電極層分別配置于該下基板與該硬質(zhì)基板上，且該下基板通過一光學(xué)膠貼附于該硬質(zhì)基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，該第一電極層與該第二電極層都配置于該下基板上，且該下基板通過一光學(xué)膠貼附于該硬質(zhì)基板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，還包括一中間基板，該中間基板位于該下基板與該硬質(zhì)基板之間，該中間基板通過一光學(xué)膠貼附于該硬質(zhì)基板上且該第一電極層與該第二電極層分別配置于該中間基板與該下基板上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，還包括一中間基板，該中間基板位于該下基板與該硬質(zhì)基板之間，該中間基板通過一光學(xué)膠貼附于該硬質(zhì)基板上且該第一電極層與該第二電極層分別配置于該硬質(zhì)基板與該中間基板上。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，該第一電極層與該第二電極層通過一絕緣層分隔。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面板裝置，其特征在于，該第一電極層與該第二電極層通過多個(gè)絕緣圖案分隔。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，還包括一裝飾圖案層，配置于該硬質(zhì)基板上，位于該硬質(zhì)基板與該下基板之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的面板裝置，其特征在于，該裝飾圖案層為單層結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的面板裝置，其特征在于，該裝飾圖案層包括依次堆棧的多個(gè)層結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的面板裝置，其特征在于，該些層結(jié)構(gòu)堆棧成階梯狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的面板裝置，其特征在于，該些層結(jié)構(gòu)中至少一層被另外兩層包圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板裝置，其特征在于，該下基板為一顯示器的一彩色濾光片基板，或是一有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一封裝蓋板。
21.一種觸控面板，其特征在于，包括: 一硬質(zhì)基板，該硬質(zhì)基板包括一離子強(qiáng)化表面層，完整地包覆于全表面，且該硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，且該離子強(qiáng)化表面層在該蝕刻壁的平均深度與其在該蝕刻壁以外的表面的平均深度相同； 一觸控組件，配置于該硬質(zhì)基板上； 一裝飾圖案層，配置于該硬質(zhì)基板上，且至少位于該觸控組件的一側(cè)邊；以及 一保護(hù)層，至少覆蓋該觸控組件。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁的平均表面粗糙度為0.03um_0.8um。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個(gè)裂隙，且這些裂隙的孔徑大小為3微米-15微米。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個(gè)裂隙，該離子強(qiáng)化表面層的平均深度大于這些裂 隙的平均深度。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該裝飾圖案層為單層結(jié)構(gòu)。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該裝飾圖案層包括依次堆棧的多個(gè)層結(jié)構(gòu)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的觸控面板，其特征在于，該些層結(jié)構(gòu)堆棧成階梯狀。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的觸控面板，其特征在于，該些層結(jié)構(gòu)中至少一層被另外兩層包圍。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，還包括多條導(dǎo)線，該些導(dǎo)線配置于該裝飾圖案層上并且分別連接至該觸控組件。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的觸控面板，其特征在于，該觸控組件為金屬網(wǎng)格。
31.一種面板裝置，其特征在于，包括: 一硬質(zhì)基板，包括一離子強(qiáng)化表面層，完整地包覆于該硬質(zhì)基板的全表面，且該硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中該離子強(qiáng)化表面層在該蝕刻壁的平均深度高于其在該蝕刻壁以外的表面的平均深度； 一下基板，與該硬質(zhì)基板相對(duì)；以及 一組件層，配置于該硬質(zhì)基板與該下基板之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的面板裝置，其特征在于，該硬質(zhì)基板包括相對(duì)的一上表面與一下表面，且該蝕刻壁位于該上表面與該下表面之間。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的面板裝置，其特征在于，該硬質(zhì)基板包括相對(duì)的一上表面與一下表面，且在該上表面及該下表面具有拋光結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C03C21/00GK203561959SQ201320494205
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】李佳鴻, 吳明坤, 郭恒嘉 申請(qǐng)人:聯(lián)勝（中國）科技有限公司, 勝華科技股份有限公司