具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其中該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)主要是由一氮化硅(SiNx)層及一硅氧化物(SiOx)層所組成，因此，該光學(xué)匹配層在成形時所使用的鍍膜機(jī)臺，其在鍍膜腔體內(nèi)僅需架設(shè)單一種硅(Si)靶材(當(dāng)然也是架設(shè)硅-鋁(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)，并通入特定氣體后即可反應(yīng)成形該硅氧化物(SiOx)層或氮化硅(SiNx)層，是以，該光學(xué)匹配層的制程上，所架設(shè)的該硅(Si)靶材皆可被利用到，而不需更換把材，藉以提升鍍膜機(jī)臺利用率、產(chǎn)能極大化及靶材配置最少化，最終達(dá)到提升該光學(xué)匹配層制程產(chǎn)能的目的，更同時達(dá)到降低該光學(xué)匹配層的材料成本及原物料管控成本、以及提升該光學(xué)匹配層的良率。
【專利說明】具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及觸控面板，特別是指一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002]一般觸控面板(Touch panel)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上都至少包含一基板、一設(shè)于該基板的圖案化電極，為降低該觸控面板的透明電極圖案明顯度并提升光透射率，會在該圖案化電極上設(shè)置一光學(xué)匹配層；然而，該光學(xué)匹配層于制程上仍具有下述須立即改善的缺陷:
[0003]其一、目前該光學(xué)匹配層主要是由鈮氧化物(NbOx)層結(jié)合硅氧化物(SiOx)層為主，因此，該光學(xué)匹配層在成形時所使用的鍍膜機(jī)臺，其上必須同時架設(shè)鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材，以通入反應(yīng)氣體形成該光學(xué)匹配層，然而，在進(jìn)行硅氧化物(SiOx)層制程時，架設(shè)鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)位置無法使用，造成作業(yè)硅氧化物(SiOx)層制程產(chǎn)能下降，同樣的，在進(jìn)行鈮氧化物(NbOx)層制程時，架設(shè)硅(Si)靶材位置無法使用，造成作業(yè)鈮氧化物(NbOx)層制程產(chǎn)能下降，藉以凸顯出該光學(xué)匹配層在制程產(chǎn)能不足的缺陷。
[0004]其二、鈮(Nb)靶材或鈮氧化物(NbOx)靶材的材料成本比硅(Si)靶材的材料成本高，造成該觸控面板(Touch panel)在成形該光學(xué)匹配層的成本增加，且必須同時管控兩種靶材(即鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材)，造成原物料的管控較為不易。
[0005]其三、該光學(xué)匹配層中的鈮氧化物(NbOx)層光學(xué)折射率(η )值較高，通常是大于2，而膜厚對該光學(xué)匹配層的搭配影響甚巨，故機(jī)臺膜厚均勻性需控制在小于5%或3%，制程范圍過小穩(wěn)定性控制不易，凸顯出良率較低的缺陷。
[0006]因此，需要開發(fā)出一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板及該光學(xué)匹配層的成形方法，主要提升該光學(xué)匹配層的制程產(chǎn)能。
[0008]本實(shí)用新型所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板及該光學(xué)匹配層的成形方法，主要降低該光學(xué)匹配層的材料成本及原物料管控成本。
[0009]本實(shí)用新型還要解決的技術(shù)問題在于提供一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板及該光學(xué)匹配層的成形方法，主要提升該光學(xué)匹配層的良率。
[0010]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，包含:一基板；一圖案化電極，設(shè)置于該基板上；以及一光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板與該圖案化電極之間，其中該光學(xué)匹配層包含:一第一薄膜層，成形在該基板，并具有一成形在該基板表面的第一表面、及一反向于該第一表面的第二表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，并具有一成形在該第二表面的第三表面、及一反向于該第三表面且供該圖案化電極成形的第四表面。[0011]較佳地，更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該圖案化電極上且至少部份覆蓋該圖案化電極。
[0012]較佳地，該圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
[0013]較佳地，各該第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應(yīng)各該第二軸向電極的橋接部，該橋接部與各該第二軸向電極之間設(shè)有一絕緣層。
[0014]較佳地，更包含多個導(dǎo)線及多個外圍走線位于該圖案化電極的至少一側(cè)，其中各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經(jīng)由各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接。
[0015]較佳地，更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第四表面并覆蓋該圖案化電極、該導(dǎo)線與該外圍走線，其中該保護(hù)層具有至少一接觸開口且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
[0016]較佳地，更包含一裝飾層，設(shè)置于該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并至少對應(yīng)該導(dǎo)線及該外圍走線配置。
[0017]較佳地，該圖案化電極與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0018]較佳地，該導(dǎo)線與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0019]較佳地，該圖案化電極、該導(dǎo)線與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0020]較佳地，該第一薄膜層的折射率大于該第二薄膜層的折射率。
[0021]較佳地，該第一薄膜層為一氮化硅(SiNx)層，該第二薄膜層為一硅氧化物(SiOx)層，且該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.75至1.95之間，該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.55至1.42之間。
[0022]其次，為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，包含:一基板；一圖案化電極，設(shè)置于該基板上；以及一光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板，且該圖案化電極位于該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)與該基板之間，其中該光學(xué)匹配層包含:一第一薄膜層，成形在該基板且包覆該圖案化電極，并具有一成形在該基板表面的第一表面、一反向于該第一表面的第二表面、及一連接該第一表面并成形在該圖案化電極表面的第三表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，并具有一成形在該第二表面的第四表面、及一反向于該第四表面的第五表面。
[0023]較佳地，該圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
[0024]較佳地，各該第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應(yīng)各該第二軸向電極的橋接部，該橋接部與各該第二軸向電極之間設(shè)有一絕緣層。
[0025]較佳地，更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第五表面且至少對應(yīng)該絕緣層。
[0026]較佳地，更包含多個導(dǎo)線及多個外圍走線位于該圖案化電極的至少一側(cè)，其中各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經(jīng)由各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接。
[0027]較佳地，該第一薄膜層與該第二薄膜層覆蓋該基板，該第一薄膜層與該第二薄膜層各具有至少一開口，且該開口至少暴露部分該外圍走線。
[0028]較佳地，更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第五表面并覆蓋該基板，該保護(hù)層具有至少一接觸開口，且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。[0029]較佳地，更包含一裝飾層，設(shè)置于該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并至少對應(yīng)該導(dǎo)線及該外圍走線配置。
[0030]較佳地，該圖案化電極部分覆蓋該裝飾層。
[0031]較佳地，該絕緣層至少配置于圖案化電極與該裝飾層之間。
[0032]較佳地，該圖案化電極與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0033]較佳地，該導(dǎo)線與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0034]較佳地，該圖案化電極、該導(dǎo)線與該外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
[0035]較佳地，該第一薄膜層的折射率小于該第二薄膜層的折射率。
[0036]較佳地,該第一薄膜層為一娃氧化物(SiOx)層,該第二薄膜層為一氮化娃(SiNx)層，且該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.75至1.95之間，該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.55至1.42之間。
[0037]最后，為解決上述問題，本實(shí)用新型所提供一種觸控面板的光學(xué)匹配層的成形方法，包含在一鍍膜腔體內(nèi)設(shè)置硅(Si)靶材、硅-鋁(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材，并配合通入氬(Ar)氣體及氧(02)氣體，藉以反應(yīng)形成一硅氧化物(SiOx)層，通入通入氬(Ar)氣體及氮(Ν2)氣體,藉以反應(yīng)形成一與該娃氧化物(SiOx)層結(jié)合的氮化娃(SiNx)層。
[0038]較佳地，控制該氧(02)氣體的流量介于50至300之間，使該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.85至1.42之間。
[0039]較佳地，控制該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.55至1.42之間。
[0040]較佳地，控制該氮(Ν2)氣體的流量介于150至480之間，使該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.66至1.95之間。
[0041]較佳地，控制該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.75至1.95之間。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0042]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的示意圖，顯示光學(xué)匹配層的結(jié)構(gòu)組態(tài)。
[0043]圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的成形方法示意圖。
[0044]圖3Α是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的曲線圖，顯示氧(02)氣體流量對硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值的變化。
[0045]圖3Β是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的曲線圖，顯示氮(Ν2)氣體流量對氮化娃(SiNx)層的折射率(η )值的變化。
[0046]圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的示意圖，顯示光學(xué)匹配層的結(jié)構(gòu)組態(tài)。
[0047]圖5是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的成形方法示意圖。
[0048]圖6是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的上視圖，顯示本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0049]圖7是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0050]圖8是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的另一種結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0051]圖9是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0052]圖10是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的另一種結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0053]圖11是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的再一種結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0054]圖12是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的剖面圖，顯示本實(shí)用新型的次一種結(jié)構(gòu)狀態(tài)。[0055]附圖標(biāo)記說明
[0056]10是基板
[0057]11是表面
[0058]20是圖案化電極
[0059]21是第一軸向電極
[0060]211是電極部
[0061]212是橋接部
[0062]212是第二軸向電極22
[0063]30是氮化硅(SiNx)層
[0064]31是第一氮化娃表面
[0065]32是第二氮化硅表面
[0066]33是開口
[0067]40是硅氧化物(SiOx)層
[0068]41是第一硅氧化物表面
[0069]42是第二硅氧化物表面
[0070]43是第三硅氧化物表面
[0071]44是開口
[0072]50是保護(hù)層
[0073]51是接觸開口
[0074]60是絕緣層
[0075]71是導(dǎo)線
[0076]72是外圍走線
[0077]80是裝飾層
[0078]91是鍍膜腔體
[0079]92是硅(Si)靶材
[0080]93是氬(Ar)氣體
[0081]94是氮(N2)氣體
[0082]95是氧(02)氣體
【具體實(shí)施方式】 [0083]參閱圖1所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例所提供的一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其主要是由一基板10、一圖案化電極20、及一光學(xué)匹配層所組成，其中:
[0084]該基板10,具有一表面11。
[0085]該圖案化電極20，設(shè)置于該基板10上。
[0086]該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板10與該圖案化電極20之間，其中該光學(xué)匹配層包含一第一薄膜層及一第二薄膜層，且該第一薄膜層的折射率大于該第二薄膜層的折射率，需先說明的是，本實(shí)施例中該第一薄膜層為氮化硅(SiNx)層30、且對應(yīng)所述的第一薄膜層的第一、二表面為第一、二氮化娃表面31、32，該第二薄膜層為娃氧化物(SiOx)層40、且對應(yīng)所述的第二薄膜層的第三、四表面為第一、二硅氧化物表面41、42，其中:[0087]該氮化硅(SiNx)層30，成形在該基板10，并具有一成形在該基板10表面11的第一氮化娃表面31、及一反向于該第一氮化娃表面31的第二氮化娃表面32。
[0088]該硅氧化物(SiOx)層40，成形在該氮化硅(SiNx)層30，并具有一成形在該第二氮化硅表面32的第一硅氧化物表面41、及一反向于該第一硅氧化物表面41且供該圖案化電極20成形的第二硅氧化物表面42 ;本實(shí)施例中，該第二硅氧化物表面42同時供該圖案化電極20及一至少部分覆蓋該圖案化電極20的保護(hù)層50所成形。
[0089]以上所述即為本實(shí)用新型第一實(shí)施例各主要結(jié)構(gòu)說明。至于本實(shí)用新型的成形方法及功效作以下說明。
[0090]參閱圖2所示，該觸控面板的光學(xué)匹配層的成形方法，包含在一鍍膜腔體91內(nèi)設(shè)置三硅(Si)靶材92(亦可為硅-鋁(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材)，并對應(yīng)其中的一硅(Si)靶材92而通入氬(Ar)氣體93及氮(N2)氣體94，藉以反應(yīng)形成該氮化硅(SiNx)層30，對應(yīng)其中的二硅(Si)靶材92而配合通入氬(Ar)氣體93及氧(02)氣體95，藉以反應(yīng)形成一與該氮化硅(SiNx)層30結(jié)合的該硅氧化物(SiOx)層40。
[0091]參閱圖3A所示，例如當(dāng)通入的氧(02)氣體流量越多，該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值則越小，本實(shí)施例中是控制該氧(02)氣體的流量介于50至300之間，使該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.85至1.42之間，而最佳是控制該硅氧化物(SiOx)層的折射率(η )值介于1.55至1.42之間，但并不限以此方式為限，也可以藉由控制鍍膜的溫度、功率或是電壓等參數(shù)達(dá)到調(diào)整不同折射率變化的方式。
[0092]參閱圖3Β所示，當(dāng)通入的氮(Ν2)氣體流量越多，該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值則越大，本實(shí)施例中是控制該氮(Ν2)氣體的流量介于150至480之間，使該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.66至1.95之間，而最佳是控制該氮化硅(SiNx)層的折射率(η )值介于1.75至1.95之間，但并不限以此方式為限，也可以藉由控制鍍膜的溫度、功率或是電壓等參數(shù)達(dá)到調(diào)整不同折射率變化的方式。
[0093]據(jù)此，由于本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層主要是由氮化硅(SiNx)層30及硅氧化物(SiOx)層40所組成，因此，該光學(xué)匹配層在成形時所使用的鍍膜機(jī)臺，其在鍍膜腔體91內(nèi)僅需架設(shè)單一種硅(Si)靶材92 (當(dāng)然也可架設(shè)硅-鋁(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材)，并通入特定氣體后即可反應(yīng)成形該氮化硅(SiNx)層30或硅氧化物(SiOx)層40，是以，該光學(xué)匹配層的制程上，所架設(shè)的該硅(Si)靶材92皆可被利用到，而不需更換把材，藉以提升鍍膜機(jī)臺利用率、產(chǎn)能極大化及靶材配置最少化，最終達(dá)到提升該光學(xué)匹配層制程產(chǎn)能的目的。
[0094]另外，本實(shí)用新型更可達(dá)到下列目的及功效。
[0095]其一、由于本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層所使用的硅(Si)靶材92(或硅-鋁(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材)成本較普通光學(xué)匹配層所使用的鈮(Nb)靶材及鈮氧化物(NbOx)靶材的材料成本低(預(yù)估可低于30%)，因此，本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層的成形成本較低，且僅須管控單一靶材(即硅(Si)靶材、硅-鋁(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材)，達(dá)到降低該光學(xué)匹配層的材料成本及原物料管控成本的目的。
[0096]其二、由于本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層中的氮化硅(SiNx)層30及硅氧化物(SiOx)層40的光學(xué)折射率(η )值較低于普通光學(xué)匹配層中的鈮氧化物(NbOx)層光學(xué)折射率(η )值，因此，本實(shí)用新型可將該氮化硅(SiNx)層30的光學(xué)折射率(η )值調(diào)控在該1.75?1.95，并搭配將硅氧化物(SiOx)層40的光學(xué)折射率(η )值調(diào)控在1.42?1.55，使得膜厚均勻性控制在小于10%即可達(dá)該光學(xué)匹配層需求效果，故本實(shí)用新型制程范圍大較易控制，確實(shí)達(dá)到提升該光學(xué)匹配層良率的目的。
[0097]參閱圖4、5所示，本實(shí)用新型第二實(shí)施例所提供的一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其同樣是由一基板10、一圖案化電極20、及一光學(xué)匹配層所組成，由于其功效、目的及成形方法同于第一實(shí)施例，故不再贅述，至于第二實(shí)施例不同之處在于:
[0098]該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板10，且該圖案化電極20位于該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)與該基板10之間，其中該光學(xué)匹配層主要是由一第一薄膜層及一第二薄膜層所組成，且該第一薄膜層的折射率小于該第二薄膜層的折射率，需先說明的是，本實(shí)施例中該第一薄膜層為娃氧化物(SiOx)層40、且對應(yīng)所述的該第一薄膜層的第一、二、三表面為第一、二、三硅氧化物表面41、42、43，該第二薄膜層為氮化硅(SiNx)層30、且對應(yīng)所述的該第二薄膜層的第四、五表面為第一、二氮化娃表面31、32，其中:
[0099]該硅氧化物(SiOx)層40，成形在該基板10且包覆該圖案化電極20，并具有一成形在該基板10表面11的第一硅氧化物表面41、一反向于該第一硅氧化物表面41的第二硅氧化物表面42、及一連接該第一硅氧化物表面41并成形在該圖案化電極20表面的第三硅氧化物表面43。
[0100]該氮化硅(SiNx)層30，成形在該硅氧化物(SiOx)層40，并具有一成形在該第二硅氧化物表面42的第一氮化硅表面31、及一反向于該第一氮化硅表面31的第二氮化硅表面32。
[0101]因此，此形態(tài)的光學(xué)匹配層的成形方法，是在鍍膜腔體91內(nèi)設(shè)置三硅(Si)靶材92后，先應(yīng)其中的二硅(Si)靶材92而配合通入氬(Ar)氣體93及氧(02)氣體95，藉以反應(yīng)形成該硅氧化物(SiOx)層40，再對應(yīng)其中的一硅(Si)靶材92而通入氬(Ar)氣體93及氮(Ν2)氣體94，藉以反應(yīng)形成一與該硅氧化物(SiOx)層40結(jié)合的該氮化硅(SiNx)層30。
[0102]參閱圖6、7所示，為本實(shí)用新型的第三實(shí)施例，其主要顯示本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層應(yīng)用在觸控面板的狀態(tài)，該光學(xué)匹配層的架構(gòu)同于第一實(shí)施例，故不再贅述，至于其不同處在于圖6、7中呈現(xiàn)出完整的觸控面板的結(jié)構(gòu)組態(tài)，其中:
[0103]該圖案化電極具有多個第一軸向電極21及與該些第一軸向電極21絕緣的多個第二軸向電極22，各該第一軸向電極21包含多個電極部211、及電性連接相鄰電極部211且對應(yīng)各該第二軸向電極22的多個橋接部212，且該些橋接部212成形在該硅氧化物(SiOx)層40的第二硅氧化物表面42，又各該橋接部212與各該第二軸向電極22之間設(shè)有一絕緣層60。
[0104]另外，在該圖案化電極的至少一側(cè)設(shè)有多個導(dǎo)線71及外圍走線72，各該導(dǎo)線71與各該外圍走線72電性連接，且各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經(jīng)由各該導(dǎo)線71與各該外圍走線72電性連接。
[0105]該觸控面板更包含一至少部份覆蓋該圖案化電極的保護(hù)層50，本實(shí)施例中，該保護(hù)層50是全面成形在圖案化電極、導(dǎo)線71及外圍走線72的表面，且該保護(hù)層50具有至少一接觸開口 51，且該接觸開口 51是至少暴露部分對應(yīng)的該外圍走線72，以供外部組件(例如軟性電路板FPC)透過該接觸開口 51而與該等外圍走線72電性連接，藉以達(dá)成另一實(shí)施狀態(tài)。[0106]其中上述的圖案化電極材質(zhì)舉例而言可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物等可導(dǎo)電且光穿透率佳的金屬氧化物或是網(wǎng)格狀金屬、奈米銀絲、石墨烯、硅烯、或者是上述至少二者的堆棧層或者是金屬氧化物與金屬組合的堆棧結(jié)構(gòu)，例如是銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物，但并不以此為限；橋接部212與導(dǎo)線71舉例而言可以是金、銀、銅、鋁、鉻、鉬、銠、鑰、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者、或者是上述至少二者的堆棧層、或者是奈米銀絲、石墨烯、硅烯，但并不以此為限；而外圍走線72的材質(zhì)可以與圖案化電極或是導(dǎo)線71相同。另外，圖案化電極、導(dǎo)線71及外圍走線72也可以是由同一導(dǎo)電材料所形成；保護(hù)層50可以是有機(jī)材料、無機(jī)材料或是混成材料。
[0107]此外，參閱圖8所示，在第三實(shí)施例中當(dāng)基板10為一覆蓋板時，該觸控面板更包含一裝飾層80，該裝飾層80位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并對應(yīng)于在導(dǎo)線71及外圍走線72區(qū)域配置，且設(shè)置于該氮化硅(SiNx)層30的第一氮化硅表面31與該基板10的表面11之間。
[0108]另外，也可以在該第一軸向電極21的電極部211部分與該硅氧化物(SiOx)層40的第二硅氧化物表面42之間設(shè)置該絕緣層60 ;其中覆蓋板可包括玻璃覆蓋板、塑料覆蓋板或其他具有高機(jī)械強(qiáng)度材質(zhì)所形成具有保護(hù)(例如防刮)、覆蓋或是美化其對應(yīng)裝置的基板。覆蓋板可為平面形狀或曲面形狀，或前述的組合，但并不以此為限。另外，也可以選擇在覆蓋板面向使用者進(jìn)行操作的一側(cè)設(shè)置一防污鍍膜(Ant1-Smudge Coating)。
[0109]參閱圖9所示，為本實(shí)用新型的第四實(shí)施例，其主要顯示本實(shí)用新型的光學(xué)匹配層應(yīng)用在觸控面板的狀態(tài)，該光學(xué)匹配層的架構(gòu)同于第二實(shí)施例，故不再贅述，至于其不同處在于第9圖中呈現(xiàn)出完整的觸控面板的結(jié)構(gòu)組態(tài)，其中:
[0110]該圖案化電極具有多個第一軸向電極21及與該些第一軸向電極21絕緣的多個第二軸向電極22，各該第一軸向電極21包含多個電極部211、及電性連接相鄰電極部211且對應(yīng)各該第二軸向電極22的多個橋接部212，且該些橋接部212成形在該基板10的表面11，又各該橋接部212與各該第二軸向電極22之間設(shè)有一絕緣層60。
[0111]另外，該觸控面板更包含一保護(hù)層50，對應(yīng)該絕緣層60處在該氮化硅(SiNx)層30的第二氮化硅表面32成形有該保護(hù)層50，或者如圖10所示，該保護(hù)層50是全面成形在該氮化娃(SiNx)層30的第二氮化娃表面32。
[0112]另外，在該圖案化電極的至少一側(cè)設(shè)有多個導(dǎo)線71及外圍走線72，各該導(dǎo)線71與各該外圍走線72電性連接，且各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經(jīng)由各該導(dǎo)線71與各該外圍走線72電性連接。
[0113]復(fù)參閱圖9所示，該保護(hù)層50也可設(shè)置在導(dǎo)線71及外圍走線72區(qū)域，而該保護(hù)層50具有至少一接觸開口 51，且該接觸開口 51是至少暴露部分對應(yīng)的該外圍走線72，以供外部組件(例如軟性電路板FPC)透過該接觸開口 51而與該等外圍走線72電性連接，藉以達(dá)成另一實(shí)施狀態(tài)。
[0114]其中上述的圖案化電極、導(dǎo)線71及外圍走線72的材料搭配設(shè)計(jì)可與實(shí)施例三相同。
[0115]此外，參閱圖11所示，在第四實(shí)施例中當(dāng)基板10為一覆蓋板時，該觸控面板更包含一裝飾層80，本實(shí)施例中，該裝飾層80設(shè)置于該硅氧化物(SiOx)層40的第一硅氧化物表面41與該基板10的表面11之間，且該裝飾層80位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并至少對應(yīng)該導(dǎo)線71及該外圍走線72配置，且該裝飾層80至少設(shè)置在該導(dǎo)線71與該基板10的表面11之間，亦可同時被該圖案化電極部分所覆蓋，圖11中，該裝飾層80是被第一軸向電極21部分的電極部211所覆蓋。
[0116]另外，該絕緣層60至少配置于圖案化電極與該裝飾層80之間，亦即在該第一軸向電極21的電極部211部分與該裝飾層80之間設(shè)置該絕緣層60 ;其中覆蓋板可與第三實(shí)施例相同；同樣的，該圖案化電極、導(dǎo)線71及外圍走線72的材質(zhì)也與第三實(shí)施例相同。
[0117]參閱圖12所示，第四實(shí)施例中，可不需設(shè)置該保護(hù)層，并在該圖案化電極的至少一側(cè)設(shè)有多個導(dǎo)線71及多個外圍走線72、及讓各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經(jīng)由各該導(dǎo)線71與各該外圍走線72電性連接的狀態(tài)下，讓該氮化硅(SiNx)層30與該硅氧化物(SiOx)層40覆蓋該基板10，該氮化硅(SiNx)層30與該硅氧化物(SiOx)層40各具有至少一開口 33、44，且該開口 33、44至少暴露部分該外圍走線72，以供外部組件(例如軟性電路板FPC)透過該開口 33、44而與該等外圍走線72電性連接，藉以達(dá)成另一實(shí)施狀態(tài)。
[0118]值得注意的是，上述內(nèi)容中有關(guān)于將光學(xué)匹配層與導(dǎo)電電極設(shè)置于基板表面的實(shí)施說明，并不限定光學(xué)匹配層與導(dǎo)電電極須直接接觸基板表面，實(shí)際上導(dǎo)電電極與基板表面之間也可以依據(jù)需求而配置其他未繪示的膜層，本實(shí)用新型并不限于上述的實(shí)施方式。
[0119]綜上所述，上述各實(shí)施例及圖示僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以之限定本實(shí)用新型實(shí)施之范圍，即大凡依本新型申請專利范圍所作之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本新型專利涵蓋之范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:包含: 一基板； 一圖案化電極，設(shè)置于該基板上；以及 一光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板與該圖案化電極之間，其中該光學(xué)匹配層包含: 一第一薄膜層，成形在該基板，并具有一成形在該基板表面的第一表面、及一反向于該第一表面的第二表面； 一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，并具有一成形在該第二表面的第三表面、及一反向于該第三表面且供該圖案化電極成形的第四表面。
2.如權(quán)利要求1所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該圖案化電極上且至少部份覆蓋該圖案化電極。
3.如權(quán)利要求1所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
4.如權(quán)利要求3所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述各第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應(yīng)各該第二軸向電極的多個橋接部，該些橋接部與各該第二軸向電極之間設(shè)有一絕緣層。
5.如權(quán)利要求3所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含多個導(dǎo)線及多個外圍走線位于 該圖案化電極的至少一側(cè)，其中各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經(jīng)由各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第四表面并覆蓋該圖案化電極、該些導(dǎo)線與該些外圍走線，其中該保護(hù)層具有至少一接觸開口且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
7.如權(quán)利要求5所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一裝飾層，設(shè)置于該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并至少對應(yīng)該些導(dǎo)線及該些外圍走線配置。
8.如權(quán)利要求5所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極與外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
9.如權(quán)利要求5所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述導(dǎo)線與外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
10.如權(quán)利要求5所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極、導(dǎo)線與外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
11.如權(quán)利要求1所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述第一薄膜層的折射率大于該第二薄膜層的折射率。
12.如權(quán)利要求1所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述第一薄膜層為一氮化硅層，該第二薄膜層為一硅氧化物層，且該氮化硅層的折射率值介于1.75至1.95之間，該硅氧化物層的折射率值介于1.55至1.42之間。
13.一種具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:包含: 一基板； 一圖案化電極，設(shè)置于該基板上；以及 一光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板，且該圖案化電極位于該光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)與該基板之間，其中該光學(xué)匹配層包含: 一第一薄膜層，成形在該基板且包覆該圖案化電極，并具有一成形在該基板表面的第一表面、一反向于該第一表面的第二表面、及一連接該第一表面并成形在該圖案化電極表面的第三表面； 一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，并具有一成形在該第二表面的第四表面、及一反向于該第四表面的第五表面。
14.如權(quán)利要求13所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
15.如權(quán)利要求14所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述各第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應(yīng)各該第二軸向電極的多個橋接部，該些橋接部與各該第二軸向電極之間設(shè)有一絕緣層。
16.如權(quán)利要求15所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第五表面且至少對應(yīng)該絕緣層。
17.如權(quán)利要求14所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含多個導(dǎo)線及多個外圍走線位于該圖案化電極的至少一側(cè)，其中各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經(jīng)由各該導(dǎo)線與各該外圍走線電性連接。
18.如權(quán)利要求17所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述第一薄膜層與該第二薄膜層覆蓋該基板，該第一薄膜層與該第二薄膜層各具有至少一開口，且各該開口至少暴露部分該外圍走線。
19.如權(quán)利要求18所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一保護(hù)層，設(shè)置于該第二薄膜層的第五表面并覆蓋該基板，該保護(hù)層具有至少一接觸開口，且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
20.如權(quán)利要求17所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:更包含一裝飾層，設(shè)置于該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位于該觸控面板周邊的至少一側(cè)并至少對應(yīng)該些導(dǎo)線及該些外圍走線配置。
21.如權(quán)利要求20所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極部分覆蓋該裝飾層。
22.如權(quán)利要求21所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述絕緣層至少配置于圖案化電極與該裝飾層之間。
23.如權(quán)利要求17所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極與外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
24.如權(quán)利要求17所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述導(dǎo)線與外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
25.如權(quán)利要求17所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述圖案化電極、導(dǎo)線與該些外圍走線為相同導(dǎo)電材料。
26.如權(quán)利要求13所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述第一薄膜層的折射率小于該第二薄膜層的折射率。
27.如權(quán)利要求13所述的具光學(xué)匹配層結(jié)構(gòu)的觸控面板，其特征在于:所述第一薄膜層為一硅氧化物層，該第二薄膜層為一氮化硅層，且該氮化硅層的折射率值介于1.75至.1.95之間，該硅氧化物層 的折射率值介于1.55至1.42之間。
【文檔編號】C03C17/34GK203759661SQ201320891240
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】郭崇倫, 林漢倫, 魏滄亮 申請人:勝華科技股份有限公司