蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的透明導(dǎo)電膜用蝕刻液，包括如下各組分：式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水。該透明導(dǎo)電膜刻蝕液在觸摸屏生產(chǎn)工藝中用尤其適用于蝕刻ITO膜，在蝕刻過程中完全不產(chǎn)生蝕刻殘渣，有效抑制有效起泡，沒有大量泡沫產(chǎn)生，且能夠在溫和的工作條件下對無定形ITO膜高效且高精度地進行蝕刻，蝕刻效率和精度均可滿足現(xiàn)有要求，具有重要的應(yīng)用價值。式I。
【專利說明】蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]透明電極目前最常用的材料就是氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ΙΤ0)導(dǎo)電膜。由于ITO導(dǎo)電膜具有低電阻率，高可見光透過率、高紅外反射、對襯底具有很好的附著性、抗擦傷等諸多優(yōu)良的物理性能以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點，因此被廣泛應(yīng)用于各類觸摸屏上。ITO膜是利用例如濺射法等成膜方法制作在玻璃等基板上，形成氧化銦錫層，然后在氧化銦錫層上覆涂光刻膠，接著通過曝光和顯影，形成所需圖案，再將ITO膜同作為掩膜的光致抗蝕劑一起用蝕刻液進行蝕刻(濕法蝕刻)，然后將剩余的光致抗蝕劑剝離除去，即可在基板上形成透明的電極圖案。
[0003]氧化銦錫層通常具有卓越的耐化學(xué)品性能，而隨著觸摸屏設(shè)備的便攜性，精細化，對其蝕刻的精細度越來越高，所以為得到更加精細的電極圖案對蝕刻過程的要求也是越來越聞。
[0004]常見用于濕法蝕刻的蝕刻液有:
[0005]三氯化鐵-水體系，如美國專利US5456795，雖然蝕刻速度很快，但是對不必蝕刻的側(cè)面，蝕刻量大；
[0006]草酸-水體系，如日本特開2006-21033號公報，其常溫蝕刻時，速率相對緩慢，升溫條件下，對光刻膠有影響求，需要較高的能耗，另外草酸蝕刻生成的草酸鹽其水溶性較低，容易在管道，閥門等設(shè)`備管路系統(tǒng)中沉積，引起堵塞。
[0007]鹽酸-硝酸體系，如韓國專利公開第97-54585號，該體系即是王水體系，其刻蝕過程過于劇烈，控制性太差；
[0008]碘酸-水體系，如美國專利US5340491，該體系對溫度較為敏感，穩(wěn)定性太差，不易貯運，生產(chǎn)工藝中操作繁復(fù)；
[0009]磷酸-水體系，如日本特開2000-31111號公報，但該體系蝕刻時有大量殘渣，附著與ITO表面，容易引起蝕刻面的不平整光滑
[0010]由于上述原因，隨著觸摸屏高精度的需求，目前對一種能夠已高加工精度蝕刻觸摸屏像素電極的蝕刻液的需求大大增加，為了解決上述問題，上述幾種常見體系中，有加入表面活性劑或其他混酸混配得到的蝕刻液，但是在解決產(chǎn)生殘渣、泡沫引起的蝕刻精度差，蝕刻面粗糙等缺陷問題與高效的蝕刻效率兩方面兼顧上，還沒有特別有效的方法。在這種情況下，迫切希望開發(fā)出一種不產(chǎn)生蝕刻殘渣和抑制起泡的ITO膜高效蝕刻液。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的是提供一種蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用。
[0012]本發(fā)明提供的蝕刻液組合物，包括如下各組分:式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水；[0013]
【權(quán)利要求】
1.一種蝕刻液組合物，包括如下各組分:式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于:所述蝕刻液組合物由所述式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物，其特征在于:所述甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物選自式II所示氨基三甲叉膦酸四鈉、式III所示乙二胺四甲叉膦酸五鈉和式IV所示二乙烯三胺五甲叉膦酸七鈉中的至少一種；

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的組合物，其特征在于:所述式I所示磺酸類化合物為乙二磺酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的組合物，其特征在于:所述水為去離子水，所述水中的總金屬離子濃度不大于500納克/升，具體為不大于50納克/升。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的組合物，其特征在于:所述蝕刻液組合物為由如下各質(zhì)量百分含量的組分組成: 式I所示磺酸類化合物:0.5-10% ； 草酸:1-15% ； 甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物:0.1-5% ； 余量為水。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組合物，其特征在于:所述蝕刻液組合物為由如下各質(zhì)量百分含量的組分組成: 式I所示磺酸類化合物:1-5% ； 草酸:2_8% ； 甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物:0.5-3% ； 余量為水。
8.一種制備權(quán)利要求1-7任一所述蝕刻液組合物的方法，包括如下步驟:將權(quán)利要求1-7任一所述各組分于20-30°C混勻，得到所述蝕刻液組合物。
9.權(quán)利要求1-7任一所述蝕刻液組合物在蝕刻導(dǎo)電膜中的應(yīng)用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用，其特征在于:所述導(dǎo)電膜為ITO膜。
【文檔編號】C03C15/00GK103755147SQ201410015519
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月14日
【發(fā)明者】梁曉, 唐洪, 田博 申請人:清華大學(xué)