一種改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，將摻雜石英襯管安裝在熔縮車床上轉(zhuǎn)動，加熱爐套沿襯管軸向從襯管一端至另一端往復(fù)移動，將襯管逐漸熔縮，最后進行燒實，在熔縮過程中，襯管兩端密閉并通入O2氣體，其特征在于在熔縮之前先檢測確定沉積后的襯管的芯層直徑軸向分布情況，在襯管的熔縮過程中同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕，或者在熔縮完畢后燒實之前同時通入O2氣體和含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕。本發(fā)明的通過調(diào)整腐蝕性混合氣體流量的方法實現(xiàn)襯管內(nèi)不同區(qū)域不同腐蝕量的效果，達到定點腐蝕，可顯著改善預(yù)制棒芯徑均勻性，從而有利于光纖制備成本的下降和生產(chǎn)效率的提高。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用預(yù)制棒熔縮工藝來調(diào)整光纖預(yù)制棒芯層軸向均勻性的光纖預(yù) 制棒芯棒的熔縮制作方法，屬于光纖制造【技術(shù)領(lǐng)域】。 一種改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法

【背景技術(shù)】
[0002] 目前公知的光纖預(yù)制件的制造工藝，典型的有管內(nèi)氣相沉積工藝，如MCVD (modified chemical vapor deposition)改進化學(xué)氣相沉積法和 PCVD (plasma chemical vapor deposition)等離子體激發(fā)化學(xué)氣相沉積法，以及管外氣相沉積工藝，如OVD (outside vapor deposition)外部氣相沉積工藝和 VAD (vapor axial deposition)外部 軸向沉積工藝。
[0003] 針對PCVD或MCVD等管內(nèi)沉積方法制備的光纖預(yù)制棒芯棒，在波導(dǎo)結(jié)構(gòu)沉積過程 中，特別是在反應(yīng)氣體進入或是離開石英管材的地方，在反應(yīng)熱源的起始點和返程點，由于 能量的突變，加上熱源移動速度的不同，在氣流的作用下，氣體發(fā)生反應(yīng)后在管材不同的地 方沉積的摻雜量不一樣，必然導(dǎo)致有些地方沉積多，有些地方沉積過少，最后導(dǎo)致整根光纖 預(yù)制棒芯棒的芯層直徑在軸向分布的不均勻，當(dāng)參數(shù)波動較大時，必然有些地方不合格，將 被切除報廢，從而影響光纖制備成本及生產(chǎn)效率。
[0004] P. GEITTNER[1](P. Geittner, Reduction of geometric taper losses in the PCVD process, Electonics Letters 21(19)，1985)等人通過優(yōu)化能量源（如諧振腔等） 行程等因素，使沉積層軸向均勻性得到一定程度的提高，但是仍不能根除，因為這種不均勻 性是由沉積平臺本身所造成的，并且沉積速率越高，這種現(xiàn)象越明顯，嚴重影響預(yù)制棒芯棒 的質(zhì)量，制約了沉積速率的進一步提1?。
[0005] 通過熔縮工藝來修正預(yù)制棒芯棒參數(shù)的報道不多，美國專利US 7637125提出使 用石墨加熱爐來進行熔縮，相比氫氧焰等加熱方式，在預(yù)制棒(芯棒）徑向加熱更加均勻，有 效改善了芯棒圓度，可是在預(yù)制棒芯棒芯層參數(shù)軸向均勻性方面沒有改善。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題旨在針對以上現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提出一種通過熔 縮工藝來調(diào)整和提高光纖預(yù)制棒芯層軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法。
[0007] 本發(fā)明為解決上述提出的問題所采用的技術(shù)方案為： 將摻雜石英襯管安裝在熔縮車床上，以15~30rad/min (轉(zhuǎn)/分）轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動，用加熱爐套 作為加熱設(shè)備為熔縮提供熱源，加熱溫度為190(T2250°C，加熱爐套沿摻雜石英襯管軸向以 2(T45mm/min (毫米/分)速度從襯管一端至另一端往復(fù)移動，將摻雜石英襯管逐漸熔縮，最 后進行燒實，在熔縮過程中，摻雜石英襯管兩端密閉并通入〇 2氣體，〇2氣體從襯管的一端 進入管內(nèi)，從襯管的另一端排出，〇2氣體通入的流量為：1〇〇?2000 SCCm，其特征在于在熔 縮之前先檢測確定沉積后的摻雜石英襯管的芯層直徑軸向分布情況，在襯管的熔縮過程中 同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕，或者在熔縮完畢后燒實之前同 時通入02氣體和含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕，所述的軸向不等量腐蝕 是指通入含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量隨加熱爐套的位移而變化，且流量變化的大小與摻雜石英 襯管的芯層直徑軸向分布呈正相關(guān)。
[0008] 按上述方案，在襯管的熔縮過程中同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向 不等量腐蝕(熔縮和腐蝕同時進行）時同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量為5?120sccm。
[0009] 按上述方案，在熔縮完畢后燒實之前(熔縮和腐蝕分開進行)同時通入02氣體和含 F腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕時，02氣體通入的流量為：20?300sccm，含 F腐蝕性氣體的流量為5?12〇SCCm，加熱溫度為170(T210(TC。
[0010] 按上述方案，所述的含F(xiàn)腐蝕性氣體為C2F6、C 3F8或n-C4F1(l。
[0011] 按上述方案，所述的摻雜石英襯管熔縮前的規(guī)格為：外徑35飛0mm，單邊壁厚 3. 5?22mm，長度1. (Γ2. 5m ;所述的襯管內(nèi)層含有一種或一種以上揮發(fā)性摻雜物質(zhì)，如Ge02 等。
[0012] 按上述方案，所述的加熱爐套為石墨電阻加熱爐套，發(fā)熱的軸向區(qū)域為 10(T350mm，加熱爐套與摻雜石英襯管之間的周向間隙充滿保護氣體。所述的保護氣體為惰 性氣體。
[0013] 按上述方案，所述的檢測是借助相同沉積車床制備的預(yù)制棒芯棒來預(yù)測，所述的 芯棒的沉積設(shè)備和加工工藝參數(shù)相一致，其芯層直徑軸向分布通過預(yù)制棒分析儀（Preform Analyser)沿芯棒長度進行按點檢測，在此基礎(chǔ)上設(shè)計含F(xiàn)腐蝕性氣體流量變化曲線。
[0014] 按上述方案，所述的含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量根據(jù)含F(xiàn)腐蝕性氣體流量變化曲線按 預(yù)先設(shè)定的程序自動變化和調(diào)整，以加熱爐套熱區(qū)中心為基準點，當(dāng)熱區(qū)中心移動至芯層 直徑較大位置時，加大含F(xiàn)腐蝕性氣體流量，當(dāng)熱區(qū)中心移動至芯層直徑較小位置時，則減 少含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量。
[0015] 按上述方案，所述的襯管熔縮完畢的孔徑為2~3mm。
[0016] 按上述方案，所述的摻雜石英襯管經(jīng)過PCVD或MCVD管內(nèi)沉積工藝加工而成。
[0017] 本發(fā)明的有益效果在于：1、針對管內(nèi)沉積（PCVD，MCVD等方式）預(yù)制棒自身存在的 沉積不均勻性問題，在保證預(yù)制棒芯棒熔縮質(zhì)量的前提下，通過調(diào)整含F(xiàn)腐蝕性氣體流量 的方法實現(xiàn)襯管內(nèi)不同區(qū)域不同腐蝕量的效果，達到定點腐蝕，可顯著改善預(yù)制棒芯徑均 勻性，得到芯層直徑軸向分布均勻的光纖預(yù)制棒芯棒，增加參數(shù)合格部分的芯棒長度；2、為 提高預(yù)制棒芯棒管內(nèi)沉積速率提供了前提條件，從而有利于光纖制備成本的下降和生產(chǎn)效 率的提1?。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明熔縮和腐蝕分開進行的工藝流程框圖。
[0019] 圖2為本發(fā)明熔縮和腐蝕同時進行的工藝流程框圖。
[0020] 圖3為未進行定點腐蝕工藝(實施例一）預(yù)制棒芯棒沿軸向的芯層直徑分布曲線 圖。
[0021] 圖4為本發(fā)明一個實施例中（定點腐蝕工藝）含F(xiàn)腐蝕性氣體流量隨加熱爐套位 移變化曲線圖。
[0022] 圖5為本發(fā)明一個實施例中（定點腐蝕工藝)處理后預(yù)制棒沿軸向芯層直徑分布曲 線圖。

【具體實施方式】
[0023] 以下結(jié)合實施例進行對本發(fā)明進行詳細描述。
[0024] 實施例一：用于摻雜石英襯管的芯層直徑軸向分布的檢測，取外徑為45mm，壁厚 為15mm，長度為2. 5m的沉積完的Si02襯管，內(nèi)壁沉積摻雜Si02 (含Ge02等），將其放置在 預(yù)制棒(芯棒）熔縮設(shè)備上； 使用石墨加熱爐套提供熱源，設(shè)定發(fā)熱體功率，爐體以4(T45mm/min速度移動，石英 襯管轉(zhuǎn)動速度為24rad/min，襯管表面溫度約為200(Γ2100? ; 當(dāng)發(fā)熱體溫度升到2000°C時，第一趟熔縮開始，從襯管一端通入混合氣體（02和C2F 6)， 通過流量控制器精確控制氣體流量，同時控制襯管出氣端氣體壓力，并使之穩(wěn)定在一定 范圍，保證襯管內(nèi)徑發(fā)生均勻可控變化，爐體運行到出氣端時，第一趟熔縮結(jié)束。程序控 制加熱爐反向運動，進入第二趟熔縮，襯管內(nèi)仍通入混合氣體，第三趟熔縮后，襯管內(nèi)徑 已經(jīng)達到3mm，此三趟熔縮氣體種類及用量分別為：0 2/C2F6 :1600/10sccm，1000/30sccm， 300/50sCCm，通入C2F 6的目的是腐蝕掉預(yù)制棒芯棒芯層折射率下陷層，且在每一趟中C2F6流 量保持不變。
[0025] 第四趟爐體快速返回進氣端，第五趟襯管直接燒實，熔縮過程結(jié)束。
[0026] 燒實預(yù)制棒用預(yù)制棒分析儀（Preform Analyser)進行剖面折射率測量，其芯層直 徑沿預(yù)制棒芯棒棒長分布見圖2,由圖可看出預(yù)制棒左邊芯徑偏大，根據(jù)芯棒標(biāo)準大多為不 合格部分，需要切除，預(yù)制棒可用于光纖拉絲的有效長度受到損失。一般來講，沉積速率越 高，這種不均勻性將越嚴重。
[0027] 實施例二：取外徑為45mm，壁厚為15mm，長度為2. 5m的沉積完的Si02襯管，內(nèi)壁 芯層沉積摻雜Si02 (含Ge02等），石英襯管及沉積工藝參數(shù)同實施例一，將其放置在與實施 例一中相同的熔縮設(shè)備上； 使用石墨加熱爐套提供熱源，設(shè)定發(fā)熱體功率，爐套以4(T45mm/min速度移動，石英 襯管轉(zhuǎn)動速度為24rad/min，襯管表面溫度約為200(Γ2100? ; 根據(jù)預(yù)先測定的相同設(shè)備相同工藝參數(shù)生產(chǎn)的預(yù)制棒的芯層直徑分布情況（同實施例 一，圖3)，設(shè)定每趟C2F6用量隨石墨加熱爐位置變化關(guān)系曲線，石墨加熱爐套位置以發(fā)熱體 熱區(qū)中心位置為基準，與預(yù)制棒芯層直徑分布相對應(yīng)，當(dāng)熱區(qū)中心移動到芯層直徑較大位 置時，C 2F6流量將增大。由于芯層直徑變化的連續(xù)性，在預(yù)制棒熔縮的過程中，實際C2F 6用 量將隨加熱爐熱區(qū)中心位置發(fā)生連續(xù)變化，一般C2F6流量控制在5?12〇 SCCm。本例中三趟 熔縮過程中C2F6變化過程均設(shè)定一致(見圖3)。
[0028] 當(dāng)發(fā)熱體溫度升到2000°C時，第一趟熔縮開始，從管材一端通入混合氣體（02和 C2F6)，通過流量控制器精確控制氣體流量，同時控制管材出氣端氣體壓力，并使之穩(wěn)定在一 定范圍，保證管材內(nèi)徑發(fā)生均勻可控變化，爐體運行到出氣端時，第一趟熔縮結(jié)束。程序控 制加熱爐反向運動，進入第二趟熔縮，管內(nèi)仍使用混合氣體。經(jīng)過第三趟熔縮后，管材內(nèi)徑 已經(jīng)達到3mm。此三趟管材熔縮過程中，混合氣體種類為0 2和C2F6，其中02流量分別為： 1600/1000/300s CCm。每一趟中C2F6流量均通過關(guān)聯(lián)程序控制，隨石墨爐套熱區(qū)位置發(fā)生改 變（圖3)，第四趟爐體快速返回進氣端，第五趟襯管直接燒實，熔縮過程結(jié)束。
[0029] 燒實預(yù)制棒用預(yù)制棒分析儀（Preform Analyser)進行剖面折射率測量，其芯層直 徑沿預(yù)制棒（芯棒）棒長分布見圖4,相比實施例一中采用未定點腐蝕的熔縮方法制備的芯 棒，芯層直徑均勻性得到改善，可用于光纖拉絲的有效長度得到明顯加長。
[0030] 實施例三：取外徑為45mm，壁厚為15mm，長度為2. 5m的沉積完的Si02襯管，內(nèi)壁 芯層沉積摻雜Si02 (含Ge02等），石英襯管及沉積工藝參數(shù)同實施例一，將其放置在與實施 例一中相同的熔縮設(shè)備上； 使用石墨加熱爐提供熱源，爐體以4(T45mm/min速度移動，石英襯管轉(zhuǎn)動速度為 24rad/min，襯管表面溫度約為200(T2100〇C。本例將采用先熔縮后腐蝕的方式進行預(yù)制棒 芯棒的燒實。
[0031] 當(dāng)發(fā)熱體溫度升到2000°C時，第一趟熔縮開始，從管材一端通入02氣體，通過流 量控制器精確控制氣體流量，同時控制管材出氣端氣體壓力，并使之穩(wěn)定在一定范圍，保證 襯管內(nèi)徑發(fā)生均勻可控變化，爐體運行到出氣端時，第一趟熔縮結(jié)束。程序控制加熱爐反向 運動，進入第二趟熔縮，管內(nèi)仍使用〇 2氣體。經(jīng)過第三趟熔縮后，襯管內(nèi)徑已經(jīng)達到3mm。此 三趟熔縮氣體種類及用量分別為：〇2 1600/1000/300sccm。
[0032] 孔徑已達到直接燒實的條件，此時使?fàn)t溫下降襯管表面溫度約為1800-1900°C，襯 管熔縮基本不發(fā)生，通入混合氣體進行內(nèi)層折射率不規(guī)則層的去除。根據(jù)預(yù)先測定的相同 設(shè)備相同參數(shù)生產(chǎn)的預(yù)制棒的芯層直徑分布情況（同實施例一，圖3)，設(shè)定每趟C 2F6用量隨 石墨加熱爐位置變化關(guān)系曲線，石墨加熱爐套位置以發(fā)熱體熱區(qū)中心位置為基準，與預(yù)制 棒芯層直徑分布相對應(yīng)，當(dāng)熱區(qū)中心移動到芯層直徑較大位置時，C 2F6流量將增大。由于芯 層直徑變化的連續(xù)性，在預(yù)制棒熔縮的過程中，實際C2F 6用量將隨加熱爐熱區(qū)中心位置發(fā) 生連續(xù)變化，C2F6流量控制在5~12〇 SCCm，均通過關(guān)聯(lián)程序控制，隨石墨爐套位置發(fā)生改變； 〇2氣體設(shè)定為lOOsccm ;腐蝕趟完成后，襯管直接燒實，熔縮過程結(jié)束。
[0033] 實施例四：取外徑為35mm，壁厚為3. 5mm，長度為lm的沉積完的石英襯管，內(nèi)壁芯 層沉積摻雜Si02 (含Ge02等），將其放置在預(yù)制棒(芯棒）熔縮設(shè)備上； 使用石墨加熱爐套提供熱源，設(shè)定發(fā)熱體功率，爐體以2(T25mm/min速度移動，石英 襯管轉(zhuǎn)動速度為15rad/min，襯管表面溫度約為190(T2000°C。
[0034] 根據(jù)預(yù)先測定的相同設(shè)備相同參數(shù)生產(chǎn)的預(yù)制棒的芯層直徑分布情況，設(shè)定每趟 c2F6用量隨石墨加熱爐位置變化關(guān)系曲線，石墨加熱爐位置以發(fā)熱體熱區(qū)中心位置為基準， 與預(yù)制棒芯層直徑分布相對應(yīng)，當(dāng)熱區(qū)中心移動到芯層直徑較大位置時，C 2F6用量將增大。 由于芯層直徑變化的連續(xù)性，在預(yù)制棒熔縮的過程中，實際c2F 6用量將隨加熱爐熱區(qū)中心 位置發(fā)生連續(xù)變化，C2F6流量控制在5~12〇 SCCm。
[0035] 當(dāng)發(fā)熱體溫度升到1900°C時，第一趟熔縮開始，從管材一端通入混合氣體（02和 C2F6)，通過流量控制器精確控制氣體流量，同時控制管材出氣端氣體壓力，并使之穩(wěn)定在一 定范圍，保證管材內(nèi)徑發(fā)生均勻可控變化，爐體運行到出氣端時，第一趟熔縮結(jié)束。程序控 制加熱爐反向運動，進入第二趟熔縮，管內(nèi)仍使用混合氣體。經(jīng)過第三趟熔縮后，管材內(nèi)徑 已經(jīng)達到2mm。此三趟管材熔縮過程中，混合氣體種類為0 2和C2F6，其中02用量分別為： 1200/800/250 SCCm。每一趟中C2F6用量均通過關(guān)聯(lián)程序控制，隨石墨爐位置發(fā)生改變， 第四趟爐體快速返回進氣端，第五趟襯管直接燒實，熔縮過程結(jié)束。
[0036] 實施例五：取外徑為60mm，壁厚為22mm，長度為1. 8m的沉積完的Si02管材，內(nèi)壁 芯層沉積摻雜Si02 (含Ge02等），將其放置在預(yù)制棒(芯棒）熔縮設(shè)備上； 使用石墨加熱爐套提供熱源，設(shè)定發(fā)熱體功率，爐體以3(T35mm/min速度移動，石英襯 管轉(zhuǎn)動速度為30rad/min，襯管表面溫度約為215(T2250°C。
[0037] 根據(jù)預(yù)先測定的相同設(shè)備相同參數(shù)生產(chǎn)的預(yù)制棒的芯層直徑分布情況，設(shè)定每趟 C2F6用量隨石墨加熱爐位置變化關(guān)系曲線，石墨加熱爐位置以發(fā)熱體熱區(qū)中心位置為基準， 與預(yù)制棒芯層直徑分布相對應(yīng)，當(dāng)熱區(qū)中心移動到芯層直徑較大位置時，C 2F6用量將增大。 由于芯層直徑變化的連續(xù)性，在預(yù)制棒熔縮的過程中，實際C2F 6用量將隨加熱爐熱區(qū)中心 位置發(fā)生連續(xù)變化，C2F6流量控制在5~12〇 SCCm。
[0038] 當(dāng)發(fā)熱體溫度達到2150°C時，第一趟熔縮開始，從管材一端通入混合氣體（02和 C2F6)，通過流量控制器精確控制氣體流量，同時控制管材出氣端氣體壓力，并使之穩(wěn)定在一 定范圍，保證管材內(nèi)徑發(fā)生均勻可控變化，爐體運行到出氣端時，第一趟熔縮結(jié)束。程序控 制加熱爐反向運動，進入第二趟熔縮，管內(nèi)仍是混合氣體。經(jīng)過第三趟和第四熔縮后，管材 內(nèi)徑已經(jīng)達到3mm，此四趟管材熔縮過程中，混合氣體種類為0 2和C2F6，其中02用量分別為： 1600/1400/800/300s CCm。每一趟中C2F6用量均通過關(guān)聯(lián)程序控制，隨石墨爐位置發(fā)生改 變。第五趟管材直接燒實，熔縮過程結(jié)束。
【權(quán)利要求】
1. 一種改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，將摻雜石英襯管安裝在熔縮 車床上，以15~30rad/min轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動，用加熱爐套作為加熱設(shè)備為熔縮提供熱源，加熱溫度 為190(T225(TC，加熱爐套沿摻雜石英襯管軸向以2(T45mm/min速度從襯管一端至另一端 往復(fù)移動，將摻雜石英襯管逐漸熔縮，最后進行燒實，在熔縮過程中，摻雜石英襯管兩端密 閉并通入〇 2氣體，〇2氣體從襯管的一端進入管內(nèi)，從襯管的另一端排出，〇2氣體通入的流 量為：100?2000s CCm，其特征在于在熔縮之前先檢測確定沉積后的摻雜石英襯管的芯層 直徑軸向分布情況，在襯管的熔縮過程中同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不 等量腐蝕，或者在熔縮完畢后燒實之前同時通入〇 2氣體和含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行 軸向不等量腐蝕，所述的軸向不等量腐蝕是指通入含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量隨加熱爐套的位 移而變化，且流量變化的大小與摻雜石英襯管的芯層直徑軸向分布呈正相關(guān)。
2. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 在襯管的熔縮過程中同時通入含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐蝕時同時通 入含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量為5?120sccm。
3. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 在熔縮完畢后燒實之前同時通入〇2氣體和含F(xiàn)腐蝕性氣體對襯管內(nèi)壁進行軸向不等量腐 蝕時，〇 2氣體通入的流量為：20?30〇SCCm，含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量為5?12〇SCCm，加熱溫 度為 170(T2100°C。
4. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 所述的含F(xiàn)腐蝕性氣體為C2F 6、C3F8或n-C4F1(l。
5. 按權(quán)利要求2或3所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其 特征在于所述的摻雜石英襯管熔縮前的規(guī)格為：外徑35飛Omm，單邊壁厚3. 5~22mm，長度 1. 0-2. 5m ;所述的襯管內(nèi)層含有一種或一種以上揮發(fā)性摻雜物質(zhì)。
6. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 所述的加熱爐套為石墨電阻加熱爐套，發(fā)熱的軸向區(qū)域為1〇〇~350_，加熱爐套與摻雜石英 襯管之間的周向間隙充滿保護氣體。
7. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 所述的檢測是借助相同沉積車床制備的預(yù)制棒芯棒來預(yù)測，所述的芯棒的沉積設(shè)備和加工 工藝參數(shù)相一致，其芯層直徑軸向分布通過預(yù)制棒分析儀沿芯棒長度進行按點檢測，在此 基礎(chǔ)上設(shè)計含F(xiàn)腐蝕性氣體流量變化曲線。
8. 按權(quán)利要求7所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在于 所述的含F(xiàn)腐蝕性氣體的流量根據(jù)含F(xiàn)腐蝕性氣體流量變化曲線按預(yù)先設(shè)定的程序自動 變化和調(diào)整，以加熱爐套熱區(qū)中心為基準點，當(dāng)熱區(qū)中心移動至芯層直徑較大位置時，加大 含F(xiàn)腐蝕性氣體流量，當(dāng)熱區(qū)中心移動至芯層直徑較小位置時，則減少含F(xiàn)腐蝕性氣體的流 量。
9. 按權(quán)利要求1或3所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征 在于所述的襯管熔縮完畢的孔徑為2~3mm。
10. 按權(quán)利要求1所述的改善軸向均勻性的光纖預(yù)制棒芯棒熔縮制作方法，其特征在 于所述的摻雜石英襯管經(jīng)過PCVD或MCVD管內(nèi)沉積工藝加工而成。
【文檔編號】C03B37/014GK104098265SQ201410358175
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】黃利偉, 龍勝亞, 朱繼紅, 周紅燕, 王潤涵, 周游, 陳剛 申請人:長飛光纖光纜股份有限公司