高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置制造方法
【專利摘要】一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置，包括氧化鈦介電層形成單元，其鍍制氧化鈦介電層；氮化硅介電層形成單元，其鍍制氮化硅介電層；氧化鋅介電層形成單元，其鍍制氧化鋅介電層；鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制鎳鉻金屬合金層；銀功能層形成單元，其鍍制銀功能層；鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制鎳鉻金屬合金層；氧化鋅錫介電層形成單元，其鍍制氧化鋅錫介電層；及氮化硅介電層形成單元，其鍍制氮化硅介電層。所述制備裝置在玻璃基板上依次鍍制氧化鈦介電層，氮化硅介電層，氧化鋅介電層，鎳鉻金屬合金層，銀功能層，鎳鉻金屬合金層，氧化鋅錫介電層和氮化硅介電層。
【專利說明】高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及玻璃鍍膜【技術領域】，尤其涉及一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻 璃的制備裝置。

【背景技術】
[0002] 目前，低輻射鍍膜玻璃已經(jīng)廣泛應用在建筑領域，其具有傳熱系數(shù)低和反射紅外 線等特點。透過率的提高，一般采用介電層的增透作用和金屬層厚度的降低來實現(xiàn)，但是金 屬層厚度過低會導致鋼化時功能層的氧化，影響鍍膜玻璃的光學性能，從而影響了鍍膜玻 璃的深加工性能。 實用新型內容
[0003] 本實用新型旨在為了解決鍍膜玻璃透過率和鍍膜玻璃深加工存在的問題。
[0004] 為了達成上述目的，本實用新型提供了 一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備 裝置，包括氧化鈦介電層形成單元，其鍍制一層氧化鈦介電層；氮化硅介電層形成單元，其 鍍制一層氮化硅介電層；氧化鋅介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅介電層；鎳鉻金屬合 金層形成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；銀功能層形成單元，其鍍制一層銀功能層；鎳 鉻金屬合金層形成單兀，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；氧化鋅錫介電層形成單兀，其鍍制一 層氧化鋅錫介電層；及氮化硅介電層形成單元，其鍍制一層氮化硅介電層。所述制備裝置在 玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻 金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化娃介電 層。
[0005] -些實施例中，所述氧化鈦介電層形成單元采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在 5?15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧氣與氬氣量之比在1 :15?20之間，濺射氣壓在 2xlCT3mbar至4xlCT3mbar之間，沉積功率在30?50kw之間。
[0006] -些實施例中，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在 5?IOnm之間，制備氮化娃介電層的氮氣與氦氣量之比在I:2. 5?3之間，溉射氣壓在 3xlCT3mbar至5xlCT3mbar之間，沉積功率在20?40kw之間。
[0007] -些實施例中，所述氧化鋅介電層形成單元采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在 5?IOnm之間，制備氧化鋅介電層的氧氣與氬氣量之比在1?2 :1之間，濺射氣壓在 2xlCT3mbar至4xlCT3mbar之間，沉積功率在20?40kw之間。
[0008] -些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度 在0. 5?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mbar至 5xlCT3mbar之間，沉積功率在1?IOkw之間。
[0009] -些實施例中，所述銀功能層形成單元采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5?13nm之 間，制備銀功能層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在lxl(T3mbar至4xl(T3mba;r之間，沉積功率 在5?15kw之間。
[0010] 一些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度 在1?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mbar至 5xlCT3mbar之間，沉積功率在1?IOkw之間。
[0011] 一些實施例中，所述氧化鋅錫介電層形成單元采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在 10?20nm之間，制備氧化鋅錫介電層的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓 在3xlCT3mbar至5xlCT3mbar之間，沉積功率在30?60kw之間。
[0012] 一些實施例中，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在 10?40nm之間，制備氮化娃介電層的氮氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在 2. 5xlCT3mbar至5xlCT3mbar之間，沉積功率在10?35kw之間。
[0013] 與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是通過離線磁控濺射技術，在浮法玻璃 基材表面制備多層膜結構，使其具有較高的透過率和選擇系數(shù)，對紅外區(qū)域有高反射的作 用，同時能有效的降低玻璃的輻射率。
[0014] 以下結合附圖，通過示例說明本實用新型主旨的描述，以清楚本實用新型的其他 方面和優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 結合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本實用新型的上述及其他特征 和優(yōu)點，其中：
[0016] 圖1為本實用新型的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置制備的鍍膜 玻璃示意圖。

【具體實施方式】
[0017] 參見本實用新型具體實施例的附圖，下文將更詳細地描述本實用新型。然而，本實 用新型可以以許多不同形式實現(xiàn)，并且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出 這些實施例是為了達成充分及完整公開，并且使本【技術領域】的技術人員完全了解本實用新 型的范圍。
[0018] 現(xiàn)參考附圖，詳細說明根據(jù)本實用新型實施例的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜 玻璃制備裝置制備。如圖1所示，一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，包括氧化 鈦介電層形成單兀，其鍍制一層氧化鈦介電層；氮化娃介電層形成單兀，其鍍制一層氮化娃 介電層；氧化鋅介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅介電層；鎳鉻金屬合金層形成單元，其 鍍制一層鎳鉻金屬合金層；銀功能層形成單元，其鍍制一層銀功能層；鎳鉻金屬合金層形 成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；氧化鋅錫介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅錫介電 層；及氮化娃介電層形成單兀，其鍍制一層氮化娃介電層。
[0019] 現(xiàn)參考圖2,詳細描述根據(jù)本實用新型制備裝置的操作。所述制備裝置在玻璃基板 上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金 層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化娃介電層。
[0020] 如圖2所示，所述裝置在玻璃基板1上依次鍍制一層氧化鈦（TiO2)介電層2, 一層 氮化娃（Si3N4)介電層3, 一層氧化鋅（ZnO)介電層4, 一層鎳鉻（NiCr)金屬合金層51，一層 銀（Ag)功能層6, 一層鎳鉻（NiCr)金屬合金層52, 一層氧化鋅錫（ZnxSny0x+y)介電層7和 一層氮化硅（Si3N4)介電層8。再對所述鍍膜玻璃進行鋼化，最后對所述鋼化后的鍍膜玻璃 進行檢測。
[0021] 具體地，上述氧化鈦介電層2,沉積厚度在5?15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧 氣與氦氣量之比在1 :15?20之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率 在30?50kw之間。
[0022] 具體地，上述氮化硅介電層3,沉積厚度在5?IOnm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在I:2. 5?3之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率 在20?40kw之間。
[0023] 具體地，上述氧化鋅介電層4,沉積厚度在5?IOnm之間，制備氧化鋅介電層的氧 氣與氦氣量之比在1?2 :1之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率在 20?40kw之間。
[0024] 具體地，上述鎳鉻金屬介電層51，沉積厚度在0. 5?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電 層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mba;r至5xl(T3mba;r之間，沉積功率在1?IOkw之 間。
[0025] 具體地，上述銀功能層6,沉積厚度在5?13nm之間，制備銀功能層的濺射氣體為 氦氣，溉射氣壓在IxlCT3Kibar至4xlCT3mbar之間，沉積功率在5?15kw之間。
[0026] 具體地，上述鎳鉻金屬介電層52,沉積厚度在1?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層 的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率在1?IOkw之間。
[0027] 具體地，上述氧化鋅錫介電層6,沉積厚度在10?20nm之間，制備氧化鋅錫介電層 的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉 積功率在30?60kw之間。
[0028] 具體地，上述氮化硅介電層7,沉積厚度在10?40nm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功 率在10?35kw之間。
[0029] 本實用新型的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置，其生產(chǎn)出來的單 銀高透低輻射產(chǎn)品，可以進行高溫鋼化工藝處理，且鋼化前后透過率和顏色值改變很小，對 產(chǎn)品性能沒有影響。采用復合電介質層對功能層銀（Ag)層能起到保護作用，有效的避免銀 離子凝聚及銀層被氧化等，最外層氮化硅在熱處理中具有穩(wěn)定的抗熱沖擊性能。
[0030] 將本實用新型用于臥式連續(xù)式磁控濺射鍍膜機，其中包括6個旋轉陰極，3個平面 陰極，共計9個陰極。使用其中5個旋轉陰極和3個平面陰極進行生產(chǎn)，制造出高透過率可 鋼化低輻射鍍膜玻璃，工藝配置如下表1 :
[0031]

【權利要求】
1. 一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置，其特征在于，包括： 氧化鈦介電層形成單元，其鍍制一層氧化鈦介電層； 氮化娃介電層形成單兀，其鍍制一層氮化娃介電層； 氧化鋅介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅介電層； 鎳鉻金屬合金層形成單兀，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層； 銀功能層形成單元，其鍍制一層銀功能層； 鎳鉻金屬合金層形成單兀，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層； 氧化鋅錫介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅錫介電層；及 氮化娃介電層形成單兀，其鍍制一層氮化娃介電層， 其中，所述制備裝置在玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一 層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅 錫介電層和一層氮化娃介電層。
2. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述氧化鈦介電層形成單元采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在5?15nm之間，制備氧化鈦介電 層的氧氣與氦氣量之比在1 :15?20之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉 積功率在30?50kw之間。
3. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之間，制備氮化硅介 電層的氮氣與氦氣量之比在1 :2. 5?3之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間， 沉積功率在20?40kw之間。
4. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述氧化鋅介電層形成單元采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之間，制備氧化鋅介 電層的氧氣與氦氣量之比在1?2 :1之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉 積功率在20?40kw之間。
5. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在〇. 5?5nm之間，制備鎳鉻金 屬介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(r3mbar至5xl(T3mba;r之間，沉積功率在1? 10kw之間。
6. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述銀功能層形成單元采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5?13nm之間，制備銀功能層的濺射氣 體為氦氣，溉射氣壓在lxlCT3mbar至4xlCT3mbar之間，沉積功率在5?15kw之間。
7. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在1?5nm之間，制備鎳鉻金屬 介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(r3mbar至5xl(T3mba;r之間，沉積功率在1?10kw 之間。
8. 根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述氧化鋅錫介電層形成單元采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在10?20nm之間，制備氧化鋅 錫介電層的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar 之間，沉積功率在30?60kw之間。
9.根據(jù)權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所 述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在10?40nm之間，制備氮化硅介 電層的氮氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間， 沉積功率在10?35kw之間。
【文檔編號】C03C17/36GK204211647SQ201420565737
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年9月28日 優(yōu)先權日:2014年9月28日
【發(fā)明者】井治, 錢寶鐸, 張超群, 羅松松, 王程 申請人:中國建材國際工程集團有限公司