本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)加工領(lǐng)域，具體涉及一種二次倒角改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法。

背景技術(shù)：

1、晶圓在一次倒角加工后，還需要進(jìn)行雙面研磨和精磨工序加工，雙面研磨過(guò)程中是需要放置在游輪片中，硅片邊緣和游輪片會(huì)發(fā)生碰撞，導(dǎo)致已加工好的邊緣形貌出現(xiàn)粗糙。故二次倒角加工工藝得以實(shí)行，以往的二次倒角加工流程，精磨工序會(huì)放置在二次精倒之后，精磨工序在減薄的過(guò)程中，晶圓邊緣和表面接觸位置也會(huì)產(chǎn)生損傷，影響邊緣形貌。傳統(tǒng)二次倒角工藝中，砂輪目數(shù)粗倒使用800目，精倒使用2000目，研磨目數(shù)跳動(dòng)過(guò)大，對(duì)邊緣形貌也容易造成損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明主要解決現(xiàn)有二次倒角加工方法中的不足，提供了一種二次倒角改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的方法，其通過(guò)調(diào)整加工流程及改變砂輪研磨粒徑，對(duì)倒角后邊緣形貌進(jìn)行明顯改善。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、一種改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，包括以下步驟：

4、第一步：對(duì)線切割后硅晶圓進(jìn)行初步篩選，要求厚度為868μm，硅晶圓直徑302±0.1mm；

5、第二步：進(jìn)行一次粗倒角加工，使用砂輪為t型，粗倒砂輪粒徑為800目，倒角角度為22-23°，晶圓直徑目標(biāo)值為301±0.1mm。

6、第三步：倒角后晶圓送至雙面研磨加工，加工完成后堿腐蝕清洗；

7、第四步：硅晶圓送至精磨削機(jī)進(jìn)行精磨，加工完成后進(jìn)行堿腐蝕清洗；

8、第五步：硅晶圓進(jìn)行二次倒角粗倒和精倒加工，所使用的砂輪為t型，粗倒砂輪粒徑為1500目，精倒砂輪粒徑為2000目；倒角角度為21-23°，晶圓目標(biāo)直徑為300mm，加工采取粗倒1次，精倒4次，粗倒去除量為0.6mm，精倒每次去除量為0.1mm。

9、作為優(yōu)選，在第一步中，線切片邊緣厚度差控制在±6μm以?xún)?nèi)。

10、作為優(yōu)選，在第三步和第四步中，采用質(zhì)量濃度為50±5％的koh溶液進(jìn)行堿腐蝕清洗。

11、作為優(yōu)選，在第三步中，晶圓經(jīng)過(guò)雙面研磨后厚度目標(biāo)值為828±5μm，經(jīng)過(guò)堿腐蝕清洗后晶圓厚度目標(biāo)值為815±5μm。

12、作為優(yōu)選，在第四步中，晶圓經(jīng)過(guò)精磨削后厚度目標(biāo)值為788±3μm，經(jīng)過(guò)堿腐蝕清洗后厚度目標(biāo)值為780±3μm。

13、本發(fā)明的有益效果：

14、本發(fā)明的加工方法通過(guò)合理安排加工流程：線切片篩選、一次粗倒角、雙面研磨及堿腐蝕清洗、精磨削及腐蝕清洗、二次粗精倒，結(jié)合一次粗倒選用800目砂輪，二次粗精倒選用1500目和2000目砂輪的加工模式，對(duì)硅片的邊緣形貌進(jìn)行改善。本發(fā)明的加工方法通過(guò)對(duì)加工流程改進(jìn)和砂輪粒徑調(diào)整，倒角后邊緣形貌得到明顯改善。

技術(shù)特征：

1.一種改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，其特征在于：在第一步中，線切片邊緣厚度差控制在±6μm以?xún)?nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，其特征在于：在第三步和第四步中，采用質(zhì)量濃度為50±5％的koh溶液進(jìn)行堿腐蝕清洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，其特征在于：在第三步中，晶圓經(jīng)過(guò)雙面研磨后厚度目標(biāo)值為828±5μm，經(jīng)過(guò)堿腐蝕清洗后晶圓厚度目標(biāo)值為815±5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，其特征在于：在第四步中，晶圓經(jīng)過(guò)精磨削后厚度目標(biāo)值為788±3μm，經(jīng)過(guò)堿腐蝕清洗后厚度目標(biāo)值為780±3μm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種改善12英寸硅晶圓邊緣形貌的加工方法，包括以下步驟：第一步：對(duì)線切割后硅晶圓進(jìn)行初步篩選，要求厚度為868μm，硅晶圓直徑302±0.1mm；第二步：進(jìn)行一次粗倒角加工，使用砂輪為T(mén)型，粗倒砂輪粒徑為800目，倒角角度為22～23°，晶圓直徑目標(biāo)值為301±0.1mm。第三步：倒角后晶圓送至雙面研磨加工，加工完成后堿腐蝕清洗；第四步：硅晶圓送至精磨削機(jī)進(jìn)行精磨，加工完成后進(jìn)行堿腐蝕清洗；第五步：硅晶圓進(jìn)行二次倒角粗倒和精倒加工，所使用的砂輪為T(mén)型，粗倒砂輪粒徑為1500目，精倒砂輪粒徑為2000目；倒角角度為21～23°，晶圓目標(biāo)直徑為300mm，加工采取粗倒1次，精倒4次，粗倒去除量為0.6mm，精倒每次去除量為0.1mm。

技術(shù)研發(fā)人員：趙仕奇,李洋,庫(kù)黎明,馬成良,高立飛,李彪,肖清華,閆志瑞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東有研艾斯半導(dǎo)體材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/29