本發(fā)明涉及氧傳感器芯片倒角，更具體的說，它涉及一種氧傳感器芯片倒角方法及工藝。

背景技術(shù)：

1、氧化鋁-氧化鋯多層共燒陶瓷芯片可用于結(jié)構(gòu)器件，主要利用其高強(qiáng)度和韌性；也可利用氧化鋯的氣體敏感特性而用于功能器件，如車用氧傳感器感應(yīng)芯片等。片式的氧傳感器由于是棱角結(jié)構(gòu)，所以一般會對其進(jìn)行倒角以減小應(yīng)力集中、便于氧傳感器的后續(xù)裝配及后續(xù)表面涂覆等?，F(xiàn)有的倒角工藝可分為兩種：一種是采用熟瓷加工，即對燒結(jié)后的陶瓷片進(jìn)行倒角處理；燒結(jié)后的陶瓷片強(qiáng)度及硬度大，加工困難，容易使產(chǎn)品產(chǎn)生裂紋、加工面不平整的缺點(diǎn)，這樣的倒角后芯片容易出現(xiàn)強(qiáng)度明顯降低，后續(xù)裝配不良率上升的問題。而相比熟瓷，素坯陶瓷片由于未燒結(jié)，硬度較小，便于加工；現(xiàn)有的素坯陶瓷倒角，多采用固定的工裝，比如在cnc加工設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行改裝以實(shí)現(xiàn)，對鋸切后的素坯陶瓷片一個個進(jìn)行倒角處理；由于陶瓷芯片尺寸較小，素坯陶瓷倒角的效率比較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、(一)解決的技術(shù)問題

2、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種氧傳感器芯片倒角方法及工藝，以解決背景技術(shù)中提到的技術(shù)問題。

3、(二)技術(shù)方案

4、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種氧傳感器芯片倒角工藝，包括：

5、s1：氧化鋯基片流延；

6、s2：多次絲網(wǎng)印刷，采用多連片或巴塊方式，對多個芯片進(jìn)行印刷；

7、s3：對多次絲網(wǎng)印刷后的芯片進(jìn)行層壓；

8、s4：對層壓后的芯片進(jìn)行倒角；

9、s5：對倒角后的芯片進(jìn)行鋸切，使其形成單個芯片；

10、s6：排膠燒結(jié)。

11、一種氧傳感器芯片倒角方法，包括：

12、s01：氧化鋯基片流延；

13、s02：采用多連片方式，對多個芯片進(jìn)行多次絲網(wǎng)印刷；

14、s03：對多次絲網(wǎng)印刷后的芯片進(jìn)行層壓；

15、s04：對層壓后的芯片進(jìn)行倒角；

16、s05：對倒角后的芯片組切割成單個芯片。

17、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s04包括：

18、s041：將層壓后的芯片通過夾具安裝在倒角設(shè)備上；

19、s042：用角度60度-120度的三角刀對芯片組沿水平方向進(jìn)行倒角，芯片組的數(shù)量可以為5-100片；

20、s043：用步驟s042中使用的三角刀對芯片組沿豎直方向進(jìn)行倒角。

21、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s04還包括：

22、s044：將芯片組從夾具上取下，并翻轉(zhuǎn)180度后重新裝夾在夾具上；

23、s045：用步驟s042中使用的三角刀對芯片沿水平方向進(jìn)行倒角；

24、s046：用步驟s042中使用的三角刀對芯片沿豎直方向進(jìn)行倒角。

25、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s041之前還包括：

26、s0401：對芯片組劃定水平切割線；

27、s0402：對芯片組劃定豎直切割線。

28、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s05包括：

29、s051：更換0.1-0.2mm的鋸切刀片；

30、s052：使用鋸切刀片對芯片組進(jìn)行切割。

31、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s052包括：

32、s0521：對鋸切刀片進(jìn)行定位；

33、s0522：使用鋸切刀片沿預(yù)定的切割位置進(jìn)行切割，將芯片組分割成單個芯片。

34、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s051包括：

35、s0511：將倒角用三角刀移出加工位置；

36、s0512：將鋸切用刀片移入到加工位置。

37、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s04中，使用三角刀對芯片進(jìn)行倒角時，切割深度為0.1-0.3mm。

38、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為，所述步驟s02中還可以采用巴塊的方式，對多個芯片進(jìn)行多次絲網(wǎng)印刷。

39、(三)有益效果

40、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種氧傳感器芯片倒角方法及工藝，具備以下有益效果：

41、1、本發(fā)明中先使用倒角設(shè)備對芯片組進(jìn)行倒角處理，倒角處理完畢后，再通過鋸切工序?qū)⑿酒M進(jìn)行分離，該方式倒角過程中可以同時對多個芯片進(jìn)行倒角處理，進(jìn)而可以有效降低成本、提高生產(chǎn)效率。

42、2、本發(fā)明中在排膠燒結(jié)之前對芯片進(jìn)行倒角并進(jìn)行鋸切，可以直接在素坯陶瓷片上進(jìn)行加工，未燒結(jié)的陶瓷片硬度小，便于加工，不容易出現(xiàn)加工裂紋或者加工面不平整的現(xiàn)象。

43、3、本發(fā)明中在對芯片組進(jìn)行倒角時，先將芯片組的一面沿水平方向和豎直方向進(jìn)行倒角后，再將其翻轉(zhuǎn)到另一面，并沿水平方向和豎直方向進(jìn)行倒角，該方式也可以有效提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種氧傳感器芯片倒角工藝，其特征是：包括：

2.一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s04包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s04還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s041之前還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s05包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s052包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s051包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s04中，使用三角刀對芯片進(jìn)行倒角時，切割深度為0.1-0.3mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種氧傳感器芯片倒角方法，其特征是：所述步驟s02中還可以采用巴塊的方式，對多個芯片進(jìn)行多次絲網(wǎng)印刷。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種氧傳感器芯片倒角工藝，包括：S1：氧化鋯基片流延；S2：多次絲網(wǎng)印刷，采用多連片或巴塊方式，對多個芯片進(jìn)行印刷；S3：對多次絲網(wǎng)印刷后的芯片進(jìn)行層壓；S4：對層壓后的芯片進(jìn)行倒角；S5：對倒角后的芯片進(jìn)行鋸切，使其形成單個芯片；S6：排膠燒結(jié)；本發(fā)明中先使用倒角設(shè)備對芯片組進(jìn)行倒角處理，倒角處理完畢后，再通過鋸切工序?qū)⑿酒M進(jìn)行分離，該方式倒角過程中可以同時對多個芯片進(jìn)行倒角處理，進(jìn)而可以有效降低成本、提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：吳稀勇,戚鈺,吳一凡,顏錫陽,顏宇慧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：萊鼎電子材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10