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      一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具的制作方法

      文檔序號:10637935閱讀:530來源:國知局
      一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,包括同軸設(shè)置的上模和下模,上模的高度能夠升降。上模上設(shè)有圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部;下模上設(shè)有圓環(huán)下凹部和圓盤下凸部。圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽,豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽;豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧,橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi),彈簧的另一端與卸料板固定連接;當(dāng)彈簧壓縮時,卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。采用上述結(jié)構(gòu)后,能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片,沖壓效率高,成型好,所沖壓出的瓷介質(zhì)芯片體積小,電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺,耐壓強度高。
      【專利說明】
      一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明涉及陶瓷電容器生產(chǎn)領(lǐng)域,特別是一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具。
      【背景技術(shù)】
      [0002]傳統(tǒng)的分立元件一陶瓷電容器以圓片形為主,這種結(jié)構(gòu)成型簡單、工藝成熟、操作簡便,便于批量化、規(guī)?;a(chǎn)。但是對于高壓陶瓷電容器來說,主要考慮的是耐壓強度和標(biāo)稱電容器盡可能高。而這兩者之間,恰恰是相互矛盾的。同等條件下:介質(zhì)越薄,電容量越大,耐壓強度越低,反之亦然。傳統(tǒng)的圓盤式陶瓷電容器體積相對大,不利于電力器件的組裝。
      [0003]另外,陶瓷電容器成型時,容易產(chǎn)生毛刺或裂紋。后續(xù)絕緣涂覆時,當(dāng)在相同涂覆下,由于毛刺或裂紋的存在,將使得陶瓷電容器的絕緣厚度差異大,也使得陶瓷電容器的耐壓強度降低。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,而提供一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,該高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片,沖壓效率高,成型好,所沖壓出的瓷介質(zhì)芯片體積小,電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺,耐壓強度高。
      [0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
      [0006]—種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部,圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部,圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍,圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3?4/5;圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧,瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。
      [0007]沖壓模具包括同軸設(shè)置的上模和下模,上模的高度能夠升降。
      [0008]上模上設(shè)置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部;下模上設(shè)置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。
      [0009]圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質(zhì)芯片的圓盤凹部相對應(yīng);圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質(zhì)芯片的圓環(huán)凸部相對應(yīng)。
      [0010]圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設(shè)置有與圓弧相對應(yīng)的倒角。
      [0011 ]圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽,豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽;豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧,橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi),彈簧的另一端與卸料板固定連接;當(dāng)彈簧壓縮時,卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。
      [0012]圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。
      [0013]上模固定在上壓板上,下模固定在下壓板上,上壓板和下壓板之間設(shè)置有若干根升降導(dǎo)柱。
      [0014]所述升降導(dǎo)柱上設(shè)置有位移傳感器。
      [0015]所述下壓板上設(shè)置有能對上模下降位移進(jìn)行限位的限位塊。
      [0016]所述下壓板內(nèi)設(shè)置有能驅(qū)動頂料桿高度升降的電機。
      [0017]本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)后,能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片,沖壓效率高,成型好,所沖壓出的瓷介質(zhì)芯片體積小,電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺,耐壓強度高。
      【附圖說明】
      [0018]圖1是本發(fā)明一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]圖2顯示了瓷介質(zhì)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實施方式】
      [0020]下面結(jié)合附圖和具體較佳實施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
      [0021]如圖1和圖2所示,一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,包括上模1、圓環(huán)上凹部11、圓盤上凸部12、豎向槽121、彈簧122、橫向槽123、卸料板124、下模2、圓環(huán)下凹部21、圓盤下凸部22、頂料桿221、機架3、升降導(dǎo)柱31、位移傳感器32、上壓板33、下壓板34、瓷介質(zhì)芯片4、圓環(huán)凸部41、圓盤凹部42和圓弧43等主要技術(shù)特征。
      [0022]如圖2所示,瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部,圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部。
      [0023]圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍,優(yōu)選為1.2?2倍,進(jìn)一步優(yōu)選為1.2?1.6倍。
      [0024]圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3?4/5。
      [0025]圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧,圓弧的角度優(yōu)選為15-60°,進(jìn)一步優(yōu)選為45°。該圓弧的設(shè)置,能防止成型毛刺及裂紋的產(chǎn)生,壓制合格率高。
      [0026]上述瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。
      [0027]圓盤凹部上能用于設(shè)置內(nèi)電極,圓環(huán)凸部上能用于設(shè)置外電極。
      [0028]如圖1所示,一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,包括同軸設(shè)置的上模和下模,上模的高度能夠升降。
      [0029]上模上設(shè)置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部;下模上設(shè)置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。
      [0030]圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質(zhì)芯片的圓盤凹部相對應(yīng);圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質(zhì)芯片的圓環(huán)凸部相對應(yīng)。
      [0031]圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設(shè)置有與圓弧相對應(yīng)的倒角。
      [0032]圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽,豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽;豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧,橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi),彈簧的另一端與卸料板固定連接;當(dāng)彈簧壓縮時,卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。
      [0033]圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。
      [0034]上模固定在上壓板上,下模固定在下壓板上,上壓板和下壓板之間設(shè)置有若干根升降導(dǎo)柱。
      [0035]所述升降導(dǎo)柱上設(shè)置有位移傳感器。
      [0036]所述下壓板上設(shè)置有能對上模下降位移進(jìn)行限位的限位塊。
      [0037]所述下壓板內(nèi)設(shè)置有能驅(qū)動頂料桿高度升降的電機。
      [0038]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,但是,本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細(xì)節(jié),在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換,這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,其特征在于:瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部,圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部,圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍,圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3?4/5;圓盤凹部的和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧,瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型; 沖壓模具包括同軸設(shè)置的上模和下模,上模的高度能夠升降; 上模上設(shè)置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部;下模上設(shè)置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部; 圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質(zhì)芯片的圓盤凹部相對應(yīng);圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質(zhì)芯片的圓環(huán)凸部相對應(yīng); 圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設(shè)置有與圓弧相對應(yīng)的倒角; 圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽,豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽;豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧,橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi),彈簧的另一端與卸料板固定連接;當(dāng)彈簧壓縮時,卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊; 圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,其特征在于:上模固定在上壓板上,下模固定在下壓板上,上壓板和下壓板之間設(shè)置有若干根升降導(dǎo)柱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,其特征在于:所述升降導(dǎo)柱上設(shè)置有位移傳感器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,其特征在于:所述下壓板上設(shè)置有能對上模下降位移進(jìn)行限位的限位塊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具,其特征在于:所述下壓板內(nèi)設(shè)置有能驅(qū)動頂料桿高度升降的電機。
      【文檔編號】B28B7/10GK106003385SQ201610545260
      【公開日】2016年10月12日
      【申請日】2016年7月12日
      【發(fā)明人】錢云春
      【申請人】蘇州宏泉高壓電容器有限公司
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