碑材專用陶板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種碑材專用陶板。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在的碑材普遍采用的是石材，如大理石，花鋼巖等天然石材，一般切割打磨后，雕刻后用油漆或金粉涂描，短時(shí)間色彩鮮艷，但是經(jīng)過幾年的風(fēng)吹雨淋日曬，所涂的油漆金粉會脫落褪色，需要經(jīng)常重新涂描，而且天然石材也不耐自然風(fēng)化，一些古代優(yōu)秀書法名家的碑刻已殘破不堪，字跡不清，失去文化歷史的價(jià)值。最重要的是天然石材的開伐會破壞生態(tài)環(huán)境。因此亟待開發(fā)出能夠替代天然石材的碑材，克服上述采用天然石材作碑材的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中采用天然石材制作成碑材所存在的上述問題，提供一種碑材專用陶板。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種碑材專用陶板，其特征在于:陶板的橫截面為矩形，其中間設(shè)置有中空腔體。陶板的四面為光面，在陶板的正反兩面有雕刻的圖案和或文字，在所雕刻的圖案和或文字的雕刻面上涂布有釉面，所涂布的釉面經(jīng)過高溫?zé)?。陶板的中空腔體為單一腔體或?yàn)槿舾蓚€(gè)小的中空腔體。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是經(jīng)久耐用，所雕刻的圖案和或文字上涂布的釉面永不褪色，而且生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)中對于自然環(huán)境無損壞。
【附圖說明】
[0004]下面結(jié)合附圖和實(shí)例對本實(shí)用新型作詳細(xì)說明。
[0005]附圖1、2、3為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0006]圖中一種碑材專用陶板，其特征在于:陶板I的橫截面為矩形，其中間設(shè)置有中空腔體2。陶板的四面為光面，在陶板的正反兩面有雕刻的圖案和或文字，在所雕刻的圖案和或文字的雕刻面3上涂布有釉面4，所涂布的釉面經(jīng)過高溫?zé)啤Ｌ瞻宓闹锌涨惑w為單一腔體或?yàn)槿舾蓚€(gè)小的中空腔體。
[0007]生產(chǎn)時(shí)，可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)尺寸，如可以用真空擠壓成形技術(shù)生產(chǎn)陶板碑材，厚度米用50--120暈米，寬度500--1200暈米，中間形成空腔，空腔一方面可以減輕重量，另外也可以增強(qiáng)強(qiáng)度，可以制成長條形的坯材，然后燒制，根據(jù)需要在高度上任意切割，由于碑的底面是座落在碑基上的，不用額外的加工，而碑材的上端有中空腔，可以另外設(shè)置陶質(zhì)的碑帽，將碑帽套在碑的上端即可。
[0008]這樣，當(dāng)需要制作碑時(shí)，就可以根據(jù)用戶需要，從現(xiàn)成的碑材中切割一定高度的坯料，然后用電腦雕刻機(jī)在碑的正反兩面上進(jìn)行雕刻，然后在雕刻痕跡處涂布上釉，再進(jìn)行一次燒制，釉面牢固地附著在陶面上，永不褪色。
[0009]陶板色彩豐富，強(qiáng)度高，色差小，耐腐蝕，抗自然風(fēng)化，是替代天然石材的最佳產(chǎn)品O
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碑材專用陶板，其特征在于:陶板的橫截面為矩形，其中間設(shè)置有中空腔體。
2.按權(quán)利要求1所述的一種碑材專用陶板，其特征在于:陶板的四面為光面，在陶板的正反兩面有雕刻的圖案和或文字，在所雕刻的圖案和或文字的雕刻面上涂布有釉面，所涂布的釉面經(jīng)過高溫?zé)啤?br>3.按權(quán)利要求1所述的一種碑材專用陶板，其特征在于:陶板的中空腔體為單一腔體或?yàn)槿舾蓚€(gè)小的中空腔體。
【專利摘要】本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種碑材專用陶板，其特征在于：陶板的橫截面為矩形，其中間設(shè)置有中空腔體。陶板的四面為光面，在陶板的正反兩面有雕刻的圖案和或文字，在所雕刻的圖案和或文字的雕刻面上涂布有釉面，所涂布的釉面經(jīng)過高溫?zé)?。陶板的中空腔體為單一腔體或?yàn)槿舾蓚€(gè)小的中空腔體。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是經(jīng)久耐用，所雕刻的圖案和或文字上涂布的釉面永不褪色，而且生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)中對于自然環(huán)境無損壞。
【IPC分類】B44C1-00, E04H13-00
【公開號】CN204552252
【申請?zhí)枴緾N201520071727
【發(fā)明人】杭維農(nóng)
【申請人】杭維農(nóng)
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年2月2日