用于集成電路的檢測(cè)電路和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于集成電路的檢測(cè)電路和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路中熔絲的理論與技術(shù)逐漸成熟，熔絲的應(yīng)用范圍迅速擴(kuò)大。其中熔絲單元的設(shè)計(jì)從原先的斷裂模式的設(shè)計(jì)理念逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楫?dāng)下普遍應(yīng)用的電子遷移模式，通過(guò)電子遷移模式能夠顯著提高熔絲單元的穩(wěn)定性和可靠性，而對(duì)于電子遷移模式的熔絲單元設(shè)計(jì)，其熔斷電流的穩(wěn)定性和精確度成為設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，熔斷電流對(duì)熔絲編程的可靠性至關(guān)重要。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過(guò)測(cè)量或讀取熔燒之后的熔絲的阻抗/邏輯來(lái)判斷熔絲是否正確編程，然后再利用修復(fù)線路對(duì)其進(jìn)行修復(fù)以間接的提高熔絲整體的良率。
[0004]但是，現(xiàn)有的方法在進(jìn)行熔燒之前無(wú)法識(shí)別出編程電流的非理想性帶來(lái)的可靠性風(fēng)險(xiǎn)，例如，熔斷電流的不準(zhǔn)確導(dǎo)致編程質(zhì)量差，在高溫條件下容易造成熔燒數(shù)據(jù)丟失，導(dǎo)致編程的不可靠性。
[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于集成電路的檢測(cè)電路和方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于集成電路的檢測(cè)電路。根據(jù)本發(fā)明的檢測(cè)電路包括:基準(zhǔn)電流支路，用于提供基準(zhǔn)電流；熔燒電流支路，連接有熔絲，用于提供熔斷熔絲的熔斷電流；比較器，第一輸入端和第二輸入端分別連接于基準(zhǔn)電流支路和熔燒電流支路，用于比較基準(zhǔn)電流支路的電流值與熔燒電流支路的電流值的大?。灰约斑壿嬰娐?，與比較器的輸出端相連接，用于根據(jù)比較結(jié)果判斷是否將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流。
[0008]進(jìn)一步地，檢測(cè)電路還包括:計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器連接在比較器和邏輯電路之間，用于記錄熔燒電流支路的電流值處于預(yù)設(shè)電流值范圍內(nèi)的時(shí)間。
[0009]進(jìn)一步地，基準(zhǔn)電流支路包括:基準(zhǔn)電流源，用于提供基準(zhǔn)電流；以及第一 NMOS開(kāi)關(guān)，第一 NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與基準(zhǔn)電流源相連接并且與比較器的第一輸入端相連接,第一NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，第一 NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD。
[0010]進(jìn)一步地，熔燒電流支路包括:PM0S，PMOS的柵極接地；熔絲，熔絲的第一端與PMOS的第一端相連接，熔絲的第二端與比較器的第二輸入端相連接；以及第二 NMOS開(kāi)關(guān)，第二 NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與熔絲的第二端相連接，NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD，其中，基準(zhǔn)電流支路包括第一 NMOS開(kāi)關(guān)，第一 NMOS開(kāi)關(guān)和第二 NMOS開(kāi)關(guān)相同。
[0011]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于集成電路的檢測(cè)方法。根據(jù)本發(fā)明的檢測(cè)方法包括:獲取基準(zhǔn)電流的電流值；獲取熔斷熔絲的熔燒電流的電流值；比較熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值，得到比較結(jié)果；如果比較出熔燒電流的電流值大于基準(zhǔn)電流的電流值，則利用熔燒電流的電流值作為對(duì)熔絲編程的熔斷電流；以及如果比較出熔燒電流的電流值小于基準(zhǔn)電流的電流值，則獲取新的熔燒電流的電流值，并判斷新的熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值。
[0012]進(jìn)一步地，通過(guò)以下方式獲取基準(zhǔn)電流的電流值包括:獲取預(yù)設(shè)熔燒電流的電流值；以及將預(yù)設(shè)熔燒電流的電流值的第一百分比作為基準(zhǔn)電流的電流值。
[0013]進(jìn)一步地，在判斷出熔燒電流值大于基準(zhǔn)電流值之后，檢測(cè)方法還包括:檢測(cè)熔燒電流的電流值大于基準(zhǔn)電流的電流值的持續(xù)時(shí)間；判斷持續(xù)時(shí)間是否處于預(yù)設(shè)時(shí)間范圍內(nèi)；如果判斷出持續(xù)時(shí)間處于預(yù)設(shè)時(shí)間范圍內(nèi)，則確定熔絲被正確編程；以及如果判斷出持續(xù)時(shí)間沒(méi)有處于預(yù)設(shè)時(shí)間的范圍內(nèi)，則重新對(duì)熔絲進(jìn)行編程。
[0014]進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)時(shí)間范圍大于第一預(yù)設(shè)編程時(shí)間且小于第二預(yù)設(shè)編程時(shí)間，其中，第一預(yù)設(shè)編程時(shí)間為預(yù)設(shè)編程時(shí)間與預(yù)設(shè)編程時(shí)間*第二百分比之差，第二預(yù)設(shè)編程時(shí)間為預(yù)設(shè)編程時(shí)間與預(yù)設(shè)編程時(shí)間*第二百分比之和。
[0015]進(jìn)一步地，獲取熔燒電流值大于基準(zhǔn)電流值的持續(xù)時(shí)間包括:利用計(jì)數(shù)器對(duì)熔燒電流的電流值進(jìn)行采集計(jì)數(shù)，得到熔燒電流的電流值大于基準(zhǔn)電流的電流值的計(jì)數(shù)結(jié)果；獲取計(jì)數(shù)器的時(shí)鐘周期；以及將計(jì)數(shù)結(jié)果和時(shí)鐘周期的乘積作為持續(xù)時(shí)間。
[0016]進(jìn)一步地，在獲取基準(zhǔn)電流支路的基準(zhǔn)電流值之前，檢測(cè)方法還包括:獲取熔絲的編程狀態(tài)；判斷編程狀態(tài)是否為已經(jīng)編程；如果判斷出編程狀態(tài)為已經(jīng)編程，則跳過(guò)對(duì)熔絲的編程過(guò)程；以及如果判斷出編程狀態(tài)為未編程，則進(jìn)行熔燒檢測(cè)操作，其中，熔燒檢測(cè)操作為檢測(cè)熔燒電流值是否大于基準(zhǔn)電流值和/或持續(xù)時(shí)間是否處于預(yù)設(shè)時(shí)間的范圍內(nèi)。
[0017]通過(guò)本發(fā)明，采用獲取基準(zhǔn)電流的電流值；獲取熔斷熔絲的熔燒電流的電流值；比較熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值，得到比較結(jié)果；以及輸出比較結(jié)果，解決了現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到了提高集成電路中熔斷電流的準(zhǔn)確性效果。
【附圖說(shuō)明】
[0018]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于集成電路的檢測(cè)電路的示意圖；以及
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成電路的檢測(cè)方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將基準(zhǔn)附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0022]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于集成電路的檢測(cè)電路。
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于集成電路的檢測(cè)電路的示意圖。如圖所示，該集成電路的檢測(cè)電路包括基準(zhǔn)電流支路、熔燒電流支路和比較器。
[0025]基準(zhǔn)電流支路，用于提供基準(zhǔn)電流。
[0026]熔燒電流支路，連接有熔絲，用于提供熔斷熔絲的熔斷電流。
[0027]比較器，第一輸入端和第二輸入端分別連接于基準(zhǔn)電流支路和熔燒電流支路，用于比較基準(zhǔn)電流支路的電流值與熔燒電流支路的電流值的大小。
[0028]邏輯電路，與比較器的輸出端相連接，用于根據(jù)比較結(jié)果判斷是否將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流。
[0029]基準(zhǔn)電流支路提供了基準(zhǔn)電流，利用基準(zhǔn)電流作為熔斷電流可以對(duì)熔絲正確編程，使得編程后的熔絲能夠在較高溫度下保證數(shù)據(jù)不丟失。為了使得對(duì)熔絲編程之后保證編程數(shù)據(jù)不丟失，利用比較器比較熔燒電流支路的電流值和基準(zhǔn)電流支路的電流值的大小，在熔燒電流支路的電流值大于基準(zhǔn)電流支路的電流值的時(shí)候，與利用小于基準(zhǔn)電流支路的電流值的熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流相比編程質(zhì)量更好，從而提高了編程數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，在高溫條件下能夠防止數(shù)據(jù)丟失。
[0030]邏輯電路能夠獲得比較器輸出的比較結(jié)果，根據(jù)比較結(jié)果判斷是否能夠?qū)⑷蹮娏髦返碾娏髦底鳛槿蹟嚯娏鞯碾娏髦?，如果判斷出可以將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流的電流值，則將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流的電流值，如果判斷出不能將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流的電流值，則獲取新的熔斷電流支路的電流值，并進(jìn)行比較。
[0031]通過(guò)上述電路，可以使得熔斷電流大于等于基準(zhǔn)電流，而利用大于等于基準(zhǔn)電流的熔斷電流對(duì)熔絲編程可以提高編程質(zhì)量，提高數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，在例如高溫等不確定的環(huán)境時(shí)，可以避免程序數(shù)據(jù)的丟失。
[0032]該檢測(cè)電路還包括:計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器連接在比較器和邏輯電路之間，用于記錄熔燒電流值處于預(yù)設(shè)電流值范圍內(nèi)的時(shí)間。
[0033]計(jì)數(shù)器連接有時(shí)鐘，為了提高計(jì)數(shù)器計(jì)算時(shí)間的準(zhǔn)確性，采用的時(shí)鐘周期為0.5 μ S，即頻率為200萬(wàn)次/秒，計(jì)數(shù)器每秒鐘采集200萬(wàn)次的數(shù)據(jù)。
[0034]比較器可以比較熔燒電流支路的電流值大于基準(zhǔn)電流支路，在熔燒電流支路的電流值大于基準(zhǔn)電流支路的電流值時(shí)，比較器輸出為1，在熔燒電流支路的電流值小于基準(zhǔn)電流支路的電流值時(shí)，比較器輸出為O。通過(guò)計(jì)數(shù)器可以比較器輸出為I的次數(shù)，再根據(jù)時(shí)鐘計(jì)算得到熔燒電流支路的電流值大于基準(zhǔn)電流支路的電流值的持續(xù)時(shí)間。其中，預(yù)設(shè)電流值范圍可以是熔燒電流支路的電流值大于基準(zhǔn)電流支路的電流值的范圍。
[0035]進(jìn)一步地，該基準(zhǔn)電流支路包括:基準(zhǔn)電流源，用于提供基準(zhǔn)電流，以及第一 NMOS開(kāi)關(guān)，第一 NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與基準(zhǔn)電流源相連接并且與比較器的第一輸入端相連接，第一 NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，第一 NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD。
[0036]進(jìn)一步地，該熔燒電流支路包括:PM0S，PMOS的柵極接地，熔絲，熔絲的第一端與PMOS的第一端相連接，熔絲的第二端與比較器的第二輸入端相連接，第二 NMOS開(kāi)關(guān)，第二NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與熔絲的第二端相連接，NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD。
[0037]基準(zhǔn)電流支路和熔燒電流支路都包含有相同的NMOS開(kāi)關(guān)，基準(zhǔn)電流支路的基準(zhǔn)電流源提供的基準(zhǔn)電流經(jīng)過(guò)NMOS開(kāi)關(guān)流入比較器，熔燒電流支路的電流經(jīng)過(guò)PMOS、熔絲和NMOS開(kāi)關(guān)流入比較器，流經(jīng)熔絲的電流僅經(jīng)過(guò)與基準(zhǔn)電流支路中相同的一個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)進(jìn)入比較器，沒(méi)有其他器件影響流至比較器的電流，因此，利用比較器可以準(zhǔn)確比較出對(duì)熔絲進(jìn)行編程的熔斷電流與基準(zhǔn)電流值的大小。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于集成電路的檢測(cè)方法。
[0039]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成電路的檢測(cè)方法的流程圖。如圖所示，該檢測(cè)方法包括如下步驟:
[0040]步驟S202，獲取基準(zhǔn)電流的電流值。
[0041]步驟S204，獲取熔斷熔絲的熔燒電流的電流值。
[0042]步驟S206，比較熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值，得到比較結(jié)果。
[0043]步驟S208，如果比較出熔燒電流的電流值大于基準(zhǔn)電流的電流值，則利用熔燒電流的電流值作為對(duì)熔絲編程的熔斷電流。
[0044]步驟S210，如果比較出熔燒電流的電流值小于基準(zhǔn)電流的