基板脫離檢測裝置和方法、以及使用該裝置的基板處理裝置和使用該方法的基板處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板脫離檢測裝置和方法、以及使用該裝置的基板處理裝置和使用該方法的基板處理方法。一種基板脫離檢測裝置，其用于基板處理裝置，該基板處理裝置在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺連續(xù)旋轉(zhuǎn)，來進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平地設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面，其中，該基板脫離檢測裝置具有基板脫離判定部件，該基板脫離判定部件通過在上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)過程中對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定，從而對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
【專利說明】基板脫離檢測裝置和方法、以及使用該裝置的基板處理裝置和使用該方法的基板處理方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板脫離檢測裝置和方法、以及使用該裝置的基板處理裝置和使用該方法的基板處理方法。

【背景技術(shù)】
[0002]以往以來，如日本特開平9 一 115994號公報所公開那樣公知有如下離子注入裝置，該離子注入裝置在將晶圓載置在臺板上、并且利用能夠?qū)⒕A的周緣部按壓于臺板的夾緊環(huán)而夾緊的狀態(tài)下進(jìn)行離子注入，其中，該離子注入裝置具有對夾緊環(huán)的位移進(jìn)行檢測的位移檢測部件，以便識別晶圓的重疊保持等的異常。
[0003]另外,如日本特開2011 — 111651號公報所公開那樣公知有如下氣相生長裝置,在將被處理物載置于旋轉(zhuǎn)臺來進(jìn)行處理的氣相生長裝置中，旋轉(zhuǎn)臺和支承旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)臺支承部由不同的原材料制成，由于熱膨脹系數(shù)之差而在高溫時旋轉(zhuǎn)臺相對于旋轉(zhuǎn)臺支承部的位置發(fā)生改變而產(chǎn)生不一致的情況下，將該不一致作為錯位來進(jìn)行檢測，在錯位為規(guī)定范圍以上時進(jìn)行警告或者使裝置停止。
[0004]不過，公知有如下成膜裝置:在腔室內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)臺，在旋轉(zhuǎn)臺的表面設(shè)有圓形凹陷狀的凹處(日文卜)，在將晶圓載置到該凹處上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，使晶圓依次通過沿著周向分開地設(shè)置的多個處理區(qū)域，此時，在處理區(qū)域內(nèi)供給有原料氣體，利用原子沉積法(ALD 法、Atomic Layer Deposit1n)或者分子沉積法(MLD 法、Molecular LayerDeposit1n)進(jìn)行成膜。
[0005]在采用了該ALD法或者M(jìn)LD法的成膜裝置(以下稱為“ALD成膜裝置”。)中，從成膜的均勻性的觀點出發(fā)，使用爪等來將晶圓夾緊在凹處這樣的固定部件無法使用。另外，雖然溫度不及上述氣相生長裝置，但腔室內(nèi)晶圓被加熱成高溫，因此，在將晶圓輸入到腔室內(nèi)時，氣氛從常溫急劇地變化成高溫，因此，大多情況下產(chǎn)生晶圓在凹處上翹曲這樣的現(xiàn)象。另外，在ALD成膜裝置中，為了進(jìn)行成膜需要使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，因此，在輸入晶圓而使晶圓的翹曲復(fù)元的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)來開始成膜，但在未使翹曲充分地復(fù)元的狀態(tài)下錯誤地開始了旋轉(zhuǎn)的情況下，晶圓就從凹處脫離。并且，由于晶圓的翹曲以外的任何異常，也能夠引起晶圓從旋轉(zhuǎn)中的旋轉(zhuǎn)臺脫離。在該情況下，若無法迅速地對晶圓的脫離進(jìn)行檢測，則在晶圓脫離了的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺持續(xù)旋轉(zhuǎn)，有可能使腔室內(nèi)的各種零件破損、或者給未脫離的其他晶圓造成損傷。
[0006]另一方面，上述專利文獻(xiàn)I所記載的發(fā)明是涉及具有夾緊機構(gòu)的基板處理裝置的發(fā)明，因此，無法應(yīng)用于ALD成膜裝置。另外，專利文獻(xiàn)2所記載的發(fā)明是對旋轉(zhuǎn)臺相對于旋轉(zhuǎn)支承臺的錯位進(jìn)行檢測的發(fā)明，因此，無法解決上述這樣的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種在使用使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行基板的處理的基板處理裝置的情況下能夠?qū)逶谔幚磉^程中從旋轉(zhuǎn)臺的脫離進(jìn)行監(jiān)視、檢測的基板脫離檢測裝置。
[0008]本發(fā)明的一技術(shù)方案的基板脫離檢測裝置是用于基板處理裝置的基板脫離檢測裝置，該基板處理裝置在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺連續(xù)旋轉(zhuǎn)，來進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平地設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面。
[0009]上述基板脫離檢測裝置具有基板脫離判定部件，該基板脫離判定部件通過在上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)過程中對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定，從而對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
[0010]本發(fā)明的另一技術(shù)方案的基板處理裝置包括:腔室；旋轉(zhuǎn)臺，其大致水平設(shè)置于該腔室內(nèi)，在其表面形成有基板載置用的凹部，上述基板脫離檢測裝置。
[0011]本發(fā)明的另一技術(shù)方案的基板脫離檢測方法是用于基板處理裝置的基板脫離檢測方法，該基板處理裝置在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺連續(xù)旋轉(zhuǎn)，來進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平地設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面。
[0012]上述基板脫離檢測方法具有基板脫離判定工序，在該基板脫離判定工序中，在上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)過程中對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定，從而對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
[0013]本發(fā)明的另一技術(shù)方案的基板處理方法包括:基板處理工序，其中，在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面；基板脫離檢測工序，其中，采用上述基板脫離檢測方法來對上述基板的處理中的上述基板從上述凹部的脫離進(jìn)行檢測；在該基板脫離檢測工序中檢測到上述基板脫離上述凹部時，使上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)停止，使上述基板的處理停止。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是表示本發(fā)明的實施方式的基板離脫檢測裝置和使用該基板離脫檢測裝置的基板處理裝置的一例的構(gòu)成圖。
[0015]圖2是本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。
[0016]圖3是本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的俯視圖。
[0017]圖4是本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的沿著旋轉(zhuǎn)臺的同心圓剖切而成的剖視圖。
[0018]圖5是表示本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的設(shè)有腔室的頂面的區(qū)域的剖視圖。
[0019]圖6A?6D是本發(fā)明的實施方式的晶圓脫離檢測裝置檢測的晶圓的脫離的說明圖。
[0020]圖7是表示本發(fā)明的實施方式I的基板脫離檢測裝置的構(gòu)成的圖。
[0021]圖8A和SB是實施方式I的基板脫離檢測裝置的放射溫度檢測、脫離判定的說明圖。
[0022]圖9A和9B是表示本發(fā)明的實施方式2的基板脫離檢測裝置的一例的圖。
[0023]圖10是表示由實施方式2的基板脫離檢測裝置的判定部進(jìn)行的基板脫離判定工序的一例的圖。
[0024]圖1lA和IlB是表示本發(fā)明的實施方式3的基板脫離檢測裝置的一例的圖。
[0025]圖12A和12B是表示本發(fā)明的實施方式4的基板脫離檢測裝置的一例的圖。
[0026]圖13A和13B是表示本發(fā)明的實施方式5的基板脫離檢測裝置的一例的圖。

【具體實施方式】
[0027]以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進(jìn)行說明。
[0028]圖1是表示本發(fā)明的實施方式的基板離脫檢測裝置和使用該基板離脫檢測裝置的基板處理裝置的一例的構(gòu)成圖。另外，圖2是表示應(yīng)用本發(fā)明的實施方式的基板剝離檢測裝置的基板處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖，圖3是應(yīng)用本發(fā)明的實施方式的基板剝離檢測裝置的基板處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的俯視圖。
[0029]此外，基板處理裝置只要是一邊使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行基板的處理的裝置，就能夠應(yīng)用各種基板處理裝置，但在本實施方式中列舉基板處理裝置構(gòu)成為成膜裝置的例子來進(jìn)行說明。
[0030]參照圖1?圖3，成膜裝置包括:扁平的腔室1，其具有大致圓形的俯視形狀；旋轉(zhuǎn)臺2，其設(shè)于該腔室I內(nèi)，在腔室I的中心具有旋轉(zhuǎn)中心。腔室I是用于收容成為處理對象的基板并對基板進(jìn)行成膜處理的容器。如圖1所示，腔室I包括:容器主體12，其具有有底的圓筒形狀；頂板11，其例如夾著O形密封圈等密封構(gòu)件13以可裝卸的方式氣密地配置在容器主體12的上表面。
[0031]在頂板I的局部形成有窗16。在窗16上設(shè)有例如石英玻璃，構(gòu)成為能夠從腔室I的外部對內(nèi)部進(jìn)行目視確認(rèn)。
[0032]另外，腔室I也可以具有與真空泵640連接的排氣口 610而構(gòu)成為能夠進(jìn)行真空排氣的真空容器。
[0033]旋轉(zhuǎn)臺2是用于載置基板的載置臺。旋轉(zhuǎn)臺2在表面具有圓形凹陷狀的凹部24，旋轉(zhuǎn)臺2將基板支承在凹部24上。在圖1中，示出了半導(dǎo)體晶圓W作為基板載置到凹部24上的狀態(tài)?；宀槐叵薅ㄓ诎雽?dǎo)體晶圓W，但以下列舉使用半導(dǎo)體晶圓W(以下稱為“晶圓”。)作為基板的例子來進(jìn)行說明。
[0034]旋轉(zhuǎn)臺2由例如石英制成，旋轉(zhuǎn)臺2的中心部固定于圓筒形狀的芯部21。芯部21固定在沿著鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸22的上端。旋轉(zhuǎn)軸22貫穿腔室I的底部14，旋轉(zhuǎn)軸22的下端安裝于用于使旋轉(zhuǎn)軸22 (圖1)繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)的電動機23。旋轉(zhuǎn)軸22和電動機23收納在上表面開口的筒狀的殼體20內(nèi)。該殼體20的設(shè)于其上表面的凸緣部分氣密地安裝在腔室I的底部14的下表面，從而維持殼體20的內(nèi)部氣氛與外部氣氛之間的氣密狀態(tài)。
[0035]另外，構(gòu)成為，在電動機23中設(shè)有編碼器25，能夠?qū)πD(zhuǎn)軸22的旋轉(zhuǎn)角度進(jìn)行檢測。在本實施方式的基板脫離檢測裝置中，作為用于對旋轉(zhuǎn)臺2上的晶圓W所脫離了的凹部的位置進(jìn)行確定的脫離位置確定部件，使用了編碼器25。
[0036]在頂板11的窗16的上方設(shè)有檢測器110。檢測器110是用于對晶圓W是否存在于旋轉(zhuǎn)臺2的凹部24上進(jìn)行檢測的部件。檢測器110只要能夠?qū)υ诎疾?4上有無晶圓W進(jìn)行檢測，就能夠使用各種檢測器110。例如，檢測器110也可以是放射溫度計，在該情況下，基于晶圓W存在于凹部24上的情況與不存在的情況之間的溫度差來對晶圓W的有無進(jìn)行檢測。另外，在以凹部24的表面的高度對凹部24上有無晶圓W進(jìn)行檢測的情況下，檢測器110使用距離計等高度檢測器。這樣，能夠根據(jù)檢測方法來適當(dāng)?shù)刈兏鼨z測器110。此外，后面敘述這點的具體的內(nèi)容。
[0037]判定部120是基于由檢測器110檢測到的信息對在凹部24上是否存在晶圓W進(jìn)行判定的部件，根據(jù)需要來設(shè)置。判定部120也可以根據(jù)所使用的檢測器110的種類來選擇適當(dāng)?shù)呐卸ú考＠?，判定?20也可以構(gòu)成為以下等運算處理部件:具有CPU(CentralProcessing Unit、中央處理裝置)、存儲器并通過程序工作的微型計算機；為了特定的用途而設(shè)計、制造的集成電路即ASIC(Applicat1n Specific Integrated Circuit,專用集成電路)。
[0038]另外，判定部120接收來自編碼器25的信號而檢測到晶圓W的脫離時，也對哪個晶圓W從凹部24脫離了進(jìn)行判定。判定部120 —判定為晶圓W從凹部24脫離，就將脫離檢測信號向控制部100輸出。
[0039]此外，由檢測器110和判定部120構(gòu)成對晶圓W的從凹部24的脫離進(jìn)行判定的脫離判定部件。并且，由檢測器110、判定部120和編碼器25構(gòu)成本實施方式的基板脫離檢測
>j-U ρ?α裝直。
[0040]控制部100是用于對整個成膜裝置進(jìn)行控制的控制部件，也可以構(gòu)成為由微型計算機構(gòu)成的運算處理部件?？刂撇?00 —從判定部120或者檢測器110接收到脫離檢測信號，就進(jìn)行使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止的控制。由此，在晶圓W從凹部24脫離了的情況下能夠迅速地使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止，能夠?qū)⒕AW使腔室I的內(nèi)部破損、或者使其他晶圓W破損的情況控制在最小限度。
[0041]另外，在控制部100的存儲器內(nèi)儲存有程序，該程序如下所述:在控制部100的控制下，使成膜裝置實施規(guī)定的成膜方法，也包含基于晶圓W的來自脫離檢測裝置的脫離檢測來使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止。該程序編入有步驟組，以便執(zhí)行規(guī)定的成膜方法，包含脫離檢測時的旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止處理，該程序存儲在硬盤、光盤、光磁盤、存儲卡、軟盤等介質(zhì)102中，利用規(guī)定的讀取裝置向存儲部101讀入，安裝到控制部100內(nèi)。
[0042]接著，使用圖2?圖5對成膜裝置的構(gòu)成更詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0043]如圖2和圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺2的表面沿著旋轉(zhuǎn)方向(周向)設(shè)有用于載置多張(在圖示的例子中為5張)基板即半導(dǎo)體晶圓W的圓形狀的凹部24。此外，在圖3中出于方便僅在I個凹部24示出了晶圓W。該凹部24具有比晶圓W的直徑稍大例如4mm的內(nèi)徑和具有與晶圓W的厚度大致相等、或者比晶圓W的厚度深的深度。因而，在晶圓W收容在凹部24中時，晶圓W的表面與旋轉(zhuǎn)臺2的表面(未載置有晶圓W的區(qū)域)處于相同高度、或者晶圓W的表面比旋轉(zhuǎn)臺2的表面低。即使在凹部24的深度比晶圓W的厚度深的情況，過深時就對成膜產(chǎn)生影響，因此，優(yōu)選凹部24的深度直到晶圓W的厚度的3倍程度的深度為止。在凹部24的底面形成有供用于支承晶圓W的背面而使晶圓W升降的例如3根升降銷貫穿的通孔(均未圖示)。
[0044]圖2和圖3是說明腔室I內(nèi)的構(gòu)造的圖，為了方便說明，省略了頂板11的圖示。如圖2和圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺2的上方，沿著腔室I的周向(旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)方向(圖3的箭頭A))彼此隔開間隔地分別配置有例如由石英構(gòu)成的反應(yīng)氣體噴嘴31、反應(yīng)氣體噴嘴32和分離氣體噴嘴41、42。在圖示的例中，從后述的輸送口 15沿著順時針(旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)方向)按照分離氣體噴嘴41、反應(yīng)氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42和反應(yīng)氣體噴嘴32的順序排列有分離氣體噴嘴41、反應(yīng)氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42和反應(yīng)氣體噴嘴32。上述噴嘴31、32、41、42以如下方式進(jìn)行安裝:將作為各噴嘴31、32、41、42的基端部的氣體導(dǎo)入部31a、32a、41a、42a(圖3)固定于容器主體12的外周壁，從而各噴嘴31、32、41、42從腔室I的外周壁導(dǎo)入到腔室I內(nèi)，沿著容器主體12的半徑方向相對于旋轉(zhuǎn)臺2水平延伸。
[0045]反應(yīng)氣體噴嘴31經(jīng)由未圖示的配管和流量控制器等與第I反應(yīng)氣體的供給源(未圖示)連接。反應(yīng)氣體噴嘴32經(jīng)由未圖示的配管和流量控制器等與第2反應(yīng)氣體的供給源(未圖示)連接。分離氣體噴嘴41、42經(jīng)由均未圖示的配管和流量控制閥等與作為分離氣體的例如氮(N2)氣體的供給源(未圖示)連接。
[0046]在反應(yīng)氣體噴嘴31、32上，沿著反應(yīng)氣體噴嘴31、32的長度方向以例如1mm的間隔排列有朝向旋轉(zhuǎn)臺2開口的多個氣體噴射孔33。反應(yīng)氣體噴嘴31的下方區(qū)域成為用于使第I反應(yīng)氣體吸附于晶圓W的第I處理區(qū)域Pl。反應(yīng)氣體噴嘴32的下方區(qū)域成為使在第I處理區(qū)域Pl中吸附在晶圓W上的第I反應(yīng)氣體與第2反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)的第2處理區(qū)域P2。
[0047]參照圖2和圖3，在腔室I內(nèi)設(shè)有兩個凸?fàn)畈?。凸?fàn)畈?與分離氣體噴嘴41、42一起構(gòu)成分離區(qū)域D，因此，如后所述，凸?fàn)畈?以朝向旋轉(zhuǎn)臺2突出的方式安裝于頂板11的背面。另外，凸?fàn)畈?具有頂部被切斷成圓弧狀的扇型的俯視形狀，在本實施方式中，凸?fàn)畈?配置成內(nèi)圓弧與突出部5(后述)連結(jié)，外圓弧沿著腔室I的容器主體12的內(nèi)周面。
[0048]圖4表示腔室I的從反應(yīng)氣體噴嘴31到反應(yīng)氣體噴嘴32沿著旋轉(zhuǎn)臺2的同心圓剖切而成的截面。如圖所示，在頂板11的背面安裝有凸?fàn)畈?，因此，在腔室I內(nèi)存在作為凸?fàn)畈?的下表面的平坦的較低的頂面44(第I頂面)、位于該頂面44的周向兩側(cè)并比頂面44高的頂面45 (第2頂面)。頂面44具有頂部被切斷成圓弧狀的扇型的俯視形狀。另夕卜，如圖所示，在凸?fàn)畈?的周向中央形成有以沿著半徑方向延伸的方式形成的槽部43，分離氣體噴嘴42收容在槽部43內(nèi)。另一個凸?fàn)畈?也同樣地形成有槽部43，分離氣體噴嘴41收容在槽部43內(nèi)。另外，在較高的頂面45的下方的空間分別設(shè)有反應(yīng)氣體噴嘴31、32。上述反應(yīng)氣體噴嘴31、32以與頂面45分開的方式設(shè)于晶圓W的附近。此外，如圖4所示，在較高的頂面45的下方的右側(cè)的空間481作為設(shè)有反應(yīng)氣體噴嘴31的空間，在較高的頂面45的下方的左側(cè)的空間482作為設(shè)有反應(yīng)氣體噴嘴32的空間。
[0049]另外，在收容于凸?fàn)畈?的槽部43的分離氣體噴嘴41、42上，沿著分離氣體噴嘴41、42的長度方向以例如1mm的間隔排列有朝向旋轉(zhuǎn)臺2開口的多個氣體噴射孔42h (參照圖4)。
[0050]頂面44與旋轉(zhuǎn)臺2之間形成有作為狹窄空間的分離空間H。從分離氣體噴嘴42的噴射孔42h供給N2氣體時，該N2氣體通過分離空間H朝向空間481和空間482流動。此時，分離空間H的容積小于空間481的容積和空間482的容積，因此，能夠利用N2氣體使分離空間H的壓力高于空間481的壓力和空間482的壓力。即、在空間481和空間482之間形成壓力較高的分離空間H。另外，從分離空間H向空間481和空間482流出的N2氣體作為相對于來自第I處理區(qū)域Pl的第I反應(yīng)氣體、來自第2處理區(qū)域P2的第2反應(yīng)氣體的逆流發(fā)揮作用。因而，來自第I處理區(qū)域Pl的第I反應(yīng)氣體、來自第2處理區(qū)域P2的第2反應(yīng)氣體被分離空間H分離。由此，第I反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體在腔室I內(nèi)混合并發(fā)生反應(yīng)的情況得以抑制。
[0051]此外，考慮到成膜時的腔室I內(nèi)的壓力、旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)速度、供給的分離氣體(N2氣體)的供給量等，優(yōu)選頂面44的距旋轉(zhuǎn)臺2的上表面的高度hi設(shè)定為適于使分離空間H的壓力高于空間481的壓力和空間482的壓力的高度。
[0052]另一方面，在頂板11的下表面設(shè)有圍繞在用于固定旋轉(zhuǎn)臺2的芯部21的外周的突出部5(圖2和圖3)。該突出部5在本實施方式中與凸?fàn)畈?的靠旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的部位連續(xù)，該突出部5的下表面形成在與頂面44相同的高度。
[0053]之前參照的圖1是圖3的I 一 I’的剖視圖，示出了設(shè)有頂面45的區(qū)域。另一方面，圖5是表示設(shè)有頂面44的區(qū)域的剖視圖。如圖5所示，在扇型的凸?fàn)畈?的周緣部(靠腔室I的外緣側(cè)的部位)形成有以與旋轉(zhuǎn)臺2的外端面相對的方式呈L字型彎曲的彎曲部46。該彎曲部46與凸?fàn)畈?同樣地抑制反應(yīng)氣體從分離區(qū)域D的兩側(cè)進(jìn)入，從而抑制兩反應(yīng)氣體的混合。扇型的凸?fàn)畈?設(shè)于頂板11，頂板11能夠從容器主體12拆卸，因此，在彎曲部46的外周面與容器主體12之間存在微小的間隙。彎曲部46的內(nèi)周面與旋轉(zhuǎn)臺2的外端面之間的間隙以及彎曲部46的外周面與容器主體12之間的間隙設(shè)定為與例如頂面44距旋轉(zhuǎn)臺2的上表面的高度同樣的尺寸。
[0054]容器主體12的內(nèi)周壁在分離區(qū)域D中如圖4所示那樣與彎曲部46的外周面接近而形成為鉛垂面，在分離區(qū)域D以外的部位中，如圖1所示，容器主體12的內(nèi)周壁從例如與旋轉(zhuǎn)臺2的外端面相對的部位在整個底部14向外方側(cè)凹陷。以下，為了方便說明，將具有大致矩形的截面形狀的凹陷部分記作排氣區(qū)域。具體而言，將與第I處理區(qū)域Pl連通的排氣區(qū)域記作第I排氣區(qū)域E1，將與第2處理區(qū)域P2連通的區(qū)域記作第2排氣區(qū)域E2。如圖1?圖3所示，在上述第I排氣區(qū)域El和第2排氣區(qū)域E2的底部分別形成有第I排氣口 610和第2排氣口 620。如圖1所示，第I排氣口 610和第2排氣口 620分別經(jīng)由排氣管630與作為真空排氣部件的例如真空泵640連接。此外，在圖1中，附圖標(biāo)記650是壓力控制器。
[0055]如圖1和圖4所示，在旋轉(zhuǎn)臺2與腔室I的底部14之間的空間中設(shè)有作為加熱部件的加熱器單元7，隔著旋轉(zhuǎn)臺2將旋轉(zhuǎn)臺2上的晶圓W加熱成由工藝制程決定的溫度(例如450°C )。在旋轉(zhuǎn)臺2的周緣附近的下方側(cè)設(shè)有環(huán)狀的罩構(gòu)件71 (圖5)，以便將從旋轉(zhuǎn)臺2的上方空間到排氣區(qū)域E1、E2為止的氣氛與放置有加熱器單元7的氣氛劃分開而抑制氣體進(jìn)入到旋轉(zhuǎn)臺2的下方區(qū)域。該罩構(gòu)件71具有:內(nèi)側(cè)構(gòu)件71a，其以從下方側(cè)臨近旋轉(zhuǎn)臺2的外緣部和比外緣部靠外周側(cè)的部分的方式設(shè)置；外側(cè)構(gòu)件71b，其設(shè)置于該內(nèi)側(cè)構(gòu)件71a與腔室I的內(nèi)壁面之間。外側(cè)構(gòu)件71b在分離區(qū)域D中在形成在凸?fàn)畈?的外緣部的彎曲部46的下方與彎曲部46接近地設(shè)置，內(nèi)側(cè)構(gòu)件71a在旋轉(zhuǎn)臺2的外緣部下方(和比外緣部稍靠外側(cè)的部分的下方)整周地包圍加熱器單元7。
[0056]在底部14的比配置有加熱器單元7的空間靠近旋轉(zhuǎn)中心的部位以與旋轉(zhuǎn)臺2的下表面的中心部附近的芯部21接近的方式向上方側(cè)突出而形成突出部12a。在該突出部12a與芯部21之間成為狹窄空間，另外，貫穿底部14的旋轉(zhuǎn)軸22的貫穿孔的內(nèi)周面與旋轉(zhuǎn)軸22之間的間隙變窄，上述狹窄空間與殼體20連通。并且，在殼體20上設(shè)有用于將作為吹掃氣體的N2氣體向狹窄空間內(nèi)供給來進(jìn)行吹掃的吹掃氣體供給管72。另外，在腔室I的底部14，在加熱器單元7的下方沿著周向以規(guī)定的角度間隔設(shè)有用于對加熱器單元7的配置空間進(jìn)行吹掃的多個吹掃氣體供給管73 (在圖5中示出了一個吹掃氣體供給管73)。另夕卜，在加熱器單元7與旋轉(zhuǎn)臺2之間設(shè)有蓋構(gòu)件7a，該蓋構(gòu)件7a沿著整個周向?qū)耐鈧?cè)構(gòu)件71b的內(nèi)周壁(內(nèi)側(cè)構(gòu)件71a的上表面)起到突出部12a的上端部之間進(jìn)行覆蓋，以便抑制氣體進(jìn)入到設(shè)置有加熱器單元7的區(qū)域。蓋構(gòu)件7a能夠由例如石英制作。
[0057]另外，構(gòu)成為，在腔室I的頂板11的中心部連接有分離氣體供給管51，向頂板11與芯部21之間的空間52供給作為分離氣體的N2氣體。向該空間52供給的分離氣體經(jīng)由突出部5與旋轉(zhuǎn)臺2之間的狹窄的間隙50而沿著旋轉(zhuǎn)臺2的凹部24側(cè)的表面朝向周緣噴射?？臻g50能夠被分離氣體維持成比空間481的壓力和空間482的壓力高的壓力。因而，利用空間50來抑制向第I處理區(qū)域Pl供給的含Si氣體和向第2處理區(qū)域P2供給的氧化氣體通過中心區(qū)域C而混合。S卩、空間50(或中心區(qū)域C)能夠發(fā)揮與分離空間H(或分離區(qū)域D)同樣的功能。
[0058]并且，如圖2、圖3所示，在腔室I的側(cè)壁形成有用于在外部的輸送臂10和旋轉(zhuǎn)臺2之間進(jìn)行作為基板的晶圓W的交接的輸送口 15。該輸送口 15由未圖示的閘閥進(jìn)行開閉。另外，在旋轉(zhuǎn)臺2中的作為晶圓載置區(qū)域的凹部24與該輸送口 15相對的位置，與輸送臂10之間進(jìn)行晶圓W的交接，因此，在旋轉(zhuǎn)臺2的下方側(cè)的與交接位置相對應(yīng)的部位設(shè)有用于貫穿凹部24而從背面抬起晶圓W的交接用的升降銷及該升降銷的升降機構(gòu)(均未圖示)。
[0059]接著，使用圖6?圖13來對本實施方式的晶圓脫離檢測裝置進(jìn)行更詳細(xì)地說明。
[0060]圖6A?6D是用于說明本實施方式的晶圓脫離檢測裝置檢測的晶圓的脫離的圖。圖6A是表示晶圓W載置到形成于旋轉(zhuǎn)臺的表面的凹部上的狀態(tài)的剖視圖，圖6B是表示晶圓W載置到形成于旋轉(zhuǎn)臺的表面的凹部上的狀態(tài)的俯視圖。
[0061]如圖6B所示，乍一看來，在旋轉(zhuǎn)臺2的凹部24上分別載置有5張晶圓W。不過，如圖6A所示，為晶圓W的兩端部翹起得比旋轉(zhuǎn)臺2的表面高且并未被完全收納在凹部24的深度的狀態(tài)。
[0062]圖6C是表示在圖6A、6B所示的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)后的狀態(tài)的剖視圖，圖6D是表示在圖6A、6B所示的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)后的狀態(tài)的俯視圖。
[0063]如圖6C所示，在圖6A的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺2旋轉(zhuǎn)時，離心力作用于晶圓W，但晶圓W的端部不與凹部24的側(cè)面抵接且處于比旋轉(zhuǎn)臺2的上表面高的位置，因此，沒有任何抑制離心力的構(gòu)件，晶圓W就從凹部24脫離。
[0064]如圖6D所示，由于旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)而作用有離心力的晶圓W就從凹部24脫離，向旋轉(zhuǎn)臺2的外側(cè)飛出。
[0065]這樣，凹部24內(nèi)的晶圓W翹曲得比凹部24的深度大、或者存在任何異常時，在使旋轉(zhuǎn)臺2旋轉(zhuǎn)了時，晶圓W就從凹部24脫離而飛出。在該狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺2持續(xù)旋轉(zhuǎn)時，晶圓W與腔室I內(nèi)的內(nèi)壁碰撞，離心力和旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)力進(jìn)一步起作用，因此，晶圓W有可能以在腔室I內(nèi)打滑的方式移動，就使腔室I的內(nèi)部的零件、其他晶圓W損傷。
[0066]本實施方式的基板脫離檢測裝置構(gòu)成為對這樣的基板脫離狀態(tài)進(jìn)行檢測并能夠進(jìn)行使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止等的控制。接著，以下將本發(fā)明的實施方式的基板脫離檢測裝置的更具體的各種技術(shù)方案作為具體的實施方式而進(jìn)行說明。此外，在以下的實施方式中，之前說明的內(nèi)容能夠全部應(yīng)用。另外，對于與之前說明的構(gòu)成要件同樣的構(gòu)成要件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
[0067]實施方式I
[0068]圖7是表示本發(fā)明的實施方式I的基板脫離檢測裝置的構(gòu)成的圖。實施方式I的基板脫離檢測裝置具有放射溫度計111、判定部121和編碼器25。另外，本發(fā)明的實施方式I的基板處理裝置還具有腔室1、旋轉(zhuǎn)臺2和控制部100。實施方式I的基板脫離檢測裝置使用放射溫度計111作為檢測器。
[0069]放射溫度計111是對從物體放射的紅外線、可見光線的強度進(jìn)行測定來對物體的溫度進(jìn)行測定的溫度計。通過使用放射溫度計111，能夠高速地且以非接觸方式進(jìn)行測定。由此，能夠?qū)⒎派錅囟扔?11設(shè)置于腔室I的外部的窗16上，透過窗16對各凹部24的溫度測定點TP的晶圓溫度進(jìn)行測定。在晶圓W存在于凹部24上的情況下，晶圓溫度如文字所述那樣成為晶圓溫度，在晶圓W未存在于凹部24上的情況下，晶圓溫度成為旋轉(zhuǎn)臺2上的溫度。由石英構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)臺2的放射率高于由Si等半導(dǎo)體構(gòu)成的晶圓W的放射率，在晶圓W未存在于凹部24上的情況下，與晶圓W存在的情況相比，溫度檢測得較高，通常存在10°C程度以上的溫度差。這樣水平的溫度差是足夠作為狀態(tài)之差識別的差。由此，用放射溫度計111對凹部24上的晶圓溫度進(jìn)行檢測，將其檢測信號向判定部121發(fā)送，由判定部121檢測到了規(guī)定的溫度差，在該情況下，能夠判定為晶圓W未存在于凹部24上而從凹部24脫離。并且，此時，只要采用來自編碼器25的檢測結(jié)果并根據(jù)檢測到溫度差的凹部24的旋轉(zhuǎn)角度來確定凹部24的位置，就能夠確定發(fā)生了晶圓W的脫離的凹部24。
[0070]在判定部121中，在判定為晶圓W已從凹部24脫離時，向控制部100發(fā)送脫離檢測信號，因此，在控制部100中，在接收到脫離檢測信號時，能夠進(jìn)行使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止的控制。由此，一檢測到晶圓W的脫離就能夠迅速地使旋轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)停止，能夠?qū)⒂删AW的從凹部24的脫離造成的損失抑制在最小限度。
[0071]圖8A和SB是用于對實施方式I的基板脫離檢測裝置的放射溫度檢測、脫離判定的內(nèi)容進(jìn)行說明的圖。
[0072]圖8A是用于說明由放射溫度計111進(jìn)行的放射溫度檢測的圖。如圖8A所示，使用放射溫度計111對凹部24的規(guī)定部位、具體而言為晶圓W的中心上的稍靠中央的溫度測定點TP的放射溫度進(jìn)行測定。另外，在圖8A中，處于如下狀態(tài):6個部位的凹部24中的、第2個凹部24上不存在晶圓W，在其他5個部位的凹部存在晶圓W。
[0073]圖SB是表示在圖8A的狀態(tài)下由放射溫度計111進(jìn)行溫度測定的檢測結(jié)果的圖。如圖8B所示，在晶圓W所存在的凹部24中，溫度較低且平坦地檢測，在凹部24彼此之間的旋轉(zhuǎn)臺2暴露的部位中，溫度上升而檢測到脈沖。在凹部24中存在有晶圓W的部位中，規(guī)律地檢測到較短的脈沖，但在晶圓W已脫離的第2個凹部24中，檢測到寬幅的脈沖。由于這樣的脈沖的時間幅度的變化，能夠檢測到第2個凹部24的晶圓W已脫離。而且，通過使編碼器25的脈沖與圖8B所示的溫度脈沖在時間上相對應(yīng)，能夠?qū)AW已脫離的凹部24是哪一個凹部24進(jìn)行確定。
[0074]這樣，根據(jù)實施方式I的基板脫離檢測裝置，通過對凹部24上的晶圓W溫度進(jìn)行測定，能夠容易且可靠地對晶圓W的從凹部24的脫離進(jìn)行檢測。
[0075]此外，作為基板脫離檢測的順序，成為如下這樣的順序:在放射溫度計111和判定部121中率先執(zhí)行對晶圓W的脫離進(jìn)行判定和檢測的基板脫離判定工序，接下來，根據(jù)需要進(jìn)行根據(jù)編碼器25的旋轉(zhuǎn)角度信息來確定晶圓W已脫離的凹部24的脫離位置確定工序。并且，在剛剛進(jìn)行基板脫離判定工序之后、或者在脫離位置確定工序之后，從判定部120向控制部100發(fā)送脫離檢測信號，在控制部100中執(zhí)行旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)停止工序。
[0076]實施方式2
[0077]圖9A和9B是表示本發(fā)明的實施方式2的基板脫離檢測裝置的一例的圖。圖9A是表示實施方式2的基板脫離檢測裝置的一例的構(gòu)成的剖視圖，圖9B是表示實施方式2的基板脫離檢測裝置的一例的檢測部位的俯視圖。
[0078]如圖9A所示，實施方式2的基板脫離檢測裝置在具有放射溫度計111、判定部121和編碼器25這點上與實施方式I的基板脫離檢測裝置是同樣的，但在放射溫度計111的溫度測定點TP為升降銷用的通孔26這點上與實施方式I的基板脫離檢測裝置不同。
[0079]在實施方式2的基板脫離檢測裝置中，對供在將晶圓W向凹部24移載時所使用的升降銷81貫穿的通孔26的溫度進(jìn)行測定，而不是對凹部24的平坦部的溫度進(jìn)行測定。如圖9A所示，構(gòu)成為，在比容器主體12靠下方的位置設(shè)有升降機構(gòu)80，升降銷81能夠經(jīng)由通孔26上升到凹部24上。在凹部24的下方設(shè)有加熱器單元7，因此，通過用放射溫度計111對通孔26的溫度進(jìn)行測定，能夠?qū)碜约訜崞鲉卧?的直接的溫度進(jìn)行測定。也就是說，在凹部24上存在有晶圓W的情況下，對被晶圓W遮斷而得到的溫度進(jìn)行檢測，但在晶圓W未存在于凹部24上的情況下，對來自加熱器單元7的熱量進(jìn)行直接測定，能夠基于較大的溫度差來對晶圓W的有無進(jìn)行判定。
[0080]如圖9B所示，通孔26是非常小的孔，放射溫度計111能夠從分開的部位對較小的區(qū)域的溫度進(jìn)行測定，因此，能夠沒有問題地對通孔26的溫度進(jìn)行測定。此外，也可以根據(jù)用途來確定多個通孔26中的哪一個通孔26為溫度測定點TP。
[0081]此外，放射溫度計111、判定部121、編碼器25和控制部100的構(gòu)成和處理內(nèi)容在將作為基準(zhǔn)的溫度差不同這一點、晶圓W的溫度和旋轉(zhuǎn)臺2上的溫度組合而成的3個水平的溫度被測定這一點與實施方式I不同，但晶圓W與旋轉(zhuǎn)臺2之間的溫度差為10°C左右，通孔26與晶圓W之間的溫度差為遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10°C左右的溫度差，因此，能夠與實施方式I同樣容易地對晶圓W的脫離進(jìn)行檢測。
[0082]圖10是表示由實施方式2的基板脫離檢測裝置的判定部121進(jìn)行的基板脫離判定工序的一例的圖。在圖10中，橫軸表示時間，縱軸表示溫度[°C ]。在圖10中，示出了如下例子:以圖9B所示的3個通孔26中的、靠近旋轉(zhuǎn)臺2的中心的兩個通孔26為溫度測定點TP的方式設(shè)置了放射溫度計111。
[0083]如圖9B所示，將在5個凹部24中的4個凹部24載置有晶圓W、晶圓W已從I個凹部24脫離的情況列舉為例子，在該情況下，如圖10所示，在放射溫度計111對未被晶圓W遮蔽的通孔26的溫度進(jìn)行了檢測時，檢測到溫度的峰值，檢測到690°C以上的溫度。另一方面，在對通孔26以外的場所的溫度進(jìn)行檢測時，持續(xù)檢測到660°C左右的溫度。將該持續(xù)的溫度稱為基準(zhǔn)溫度。
[0084]在該情況下，峰值與基準(zhǔn)溫度之間的溫度差為30°C以上，因此，在判定部121中，能夠?qū)AW從凹部24脫離的情況進(jìn)行判定。例如，圖10所示的溫度的時間變化一被輸入判定部121，就對基準(zhǔn)溫度的I點的數(shù)據(jù)、峰值的I點的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣，通過對它們進(jìn)行比較，能夠?qū)AW的從凹部24的脫離進(jìn)行判定。不過，在實際的工藝中，需要提高脫離判定的可靠性，因此，也可以是，不是對I點的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣而是對多個點的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣，使用多個點的數(shù)據(jù)的平均值來進(jìn)行脫離判定。由此，能夠提高數(shù)據(jù)的可靠性，能夠防止誤判定。
[0085]在圖10中，在兩個峰值附近分別對4點的基準(zhǔn)溫度和2點的通孔26的溫度(以下稱為“銷孔溫度”。)進(jìn)行檢測。例如，在第I個峰值附近，基準(zhǔn)溫度I = 657.4°C?；鶞?zhǔn)溫度2 = 657.7°C、基準(zhǔn)溫度3 = 658.6°C、基準(zhǔn)溫度4 = 659.(TC，通孔溫度a = 687.3°C、通孔溫度b = 691.2被檢測到時，基準(zhǔn)溫度的平均Teef為Teef = (657.4+657.7+658.6+659.0) /4=658.20C ο 另外，銷孔溫度的平均 Tpin 為 Tpin = (687.3+691.2)/2 = 689.3°C
[0086]在此，兩平均的溫度差ΛT 為Λ T = Tpin — Teef = 689.3 — 658.2 = 31.1°C，具有30°C以上的充分的溫度差，因此，當(dāng)然能夠?qū)AW的脫離進(jìn)行判定。
[0087]這樣，將基準(zhǔn)溫度、銷孔溫度的采樣次數(shù)設(shè)為多次，用多個數(shù)據(jù)計算出平均值，使用平均值來進(jìn)行脫離判定，只要這樣就能夠防止脫離判定中的誤判定，能夠提高由判定部121進(jìn)行的脫離判定的可靠性。此外，對于采樣，如上所述那樣能夠用編碼器25把握凹部24的位置，因此，在放射溫度計111對通孔26附近的溫度進(jìn)行檢測時，以通孔26附近的規(guī)定時間范圍作為采樣范圍，在該范圍內(nèi)以規(guī)定間隔進(jìn)行多次采樣即可。另外，對于采樣的次數(shù)，在圖10中，列舉了基準(zhǔn)溫度為4次、銷孔溫度為兩次的例子來進(jìn)行說明，但也根據(jù)用途適當(dāng)?shù)卦O(shè)為恰當(dāng)?shù)拇螖?shù)。
[0088]這樣，在實施方式2的基板脫離檢測裝置和基板脫離檢測方法中，也可以根據(jù)需要將用于進(jìn)行脫離判定的數(shù)據(jù)獲得的采樣次數(shù)設(shè)為多次，使用基準(zhǔn)溫度和銷孔溫度的平均值來進(jìn)行基板脫離判定。由此，能夠防止誤判定，能夠提高脫離判定的可靠性。另外，在檢測數(shù)據(jù)的可靠性較高、基準(zhǔn)溫度、銷孔溫度均為I次的采樣值而沒有問題的情況下，也可以僅各一次的采樣就足夠。這樣，對于脫離判定時的數(shù)據(jù)處理，能夠根據(jù)用途采用各種方式。
[0089]另外，脫離判定工序后的脫離位置確定工序和旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)停止工序能夠與實施方式I的基板脫離檢測裝置和基板脫離檢測方法同樣地進(jìn)行。
[0090]根據(jù)實施方式2的基板脫離檢測裝置和基板脫離檢測方法，能夠利用通孔26來對來自加熱器7的直接熱量的溫度和旋轉(zhuǎn)臺2的溫度進(jìn)行比較，或者對來自加熱器7的直接熱量的溫度和晶圓W的表面的溫度進(jìn)行比較，能夠以較大的溫度差為基準(zhǔn)來進(jìn)行晶圓W的脫離判定。
[0091]實施方式3
[0092]圖1lA和IlB是表示本發(fā)明的實施方式3的基板脫離檢測裝置的一例的圖。圖1lA是表示實施方式3的基板脫離檢測裝置的一例的構(gòu)成的剖視圖，圖1lB是表示實施方式3的基板脫離檢測裝置的一例的檢測部位的俯視圖。
[0093]如圖1lAUlB所示，在實施方式3的基板脫離檢測裝置中，作為檢測器，使用光學(xué)檢測器112，以升降銷81的通孔26為檢測對象。作為光學(xué)檢測器112，使用例如使用了紅外線等光線的反射型光學(xué)傳感器、透過型光學(xué)傳感器，通過對通孔26是否被遮蔽進(jìn)行檢測來對凹部24上的晶圓W的有無進(jìn)行判定。
[0094]在將例如反射型光學(xué)傳感器用作光學(xué)檢測器112的情況下，向作為檢測對象的通孔26所存在的部位照射光。并且，在晶圓W存在的情況下，檢測到反射光，在晶圓W不存在的情況下，未檢測到反射光，基于這一點來對晶圓W的有無進(jìn)行判定。
[0095]另外，在將透過型光學(xué)傳感器用作光學(xué)檢測器112的情況下，在穿過通孔26的鉛垂線上的上下設(shè)置成對的發(fā)光器和受光器，在用受光器檢測到投光器的光的情況下，判定為晶圓W不存在，在用受光器未檢測到投光器的光的情況下，判定為存在有晶圓W。
[0096]另外，判定部122基于由光學(xué)檢測器112進(jìn)行的光的檢測來對凹部24上的晶圓W的有無進(jìn)行判定。當(dāng)然使用構(gòu)成為進(jìn)行與反射型光學(xué)傳感器、透過型光學(xué)傳感器相適合的判定的判定部122。此外，對于其他構(gòu)成要件，是與實施方式2同樣的，因此，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
[0097]根據(jù)實施方式3的基板脫離檢測裝置和基板脫離檢測方法，能夠使用光學(xué)檢測器112容易且可靠地對晶圓W的從凹部24的脫離進(jìn)行檢測。
[0098]實施方式4
[0099]圖12A和12B是表示本發(fā)明的實施方式4的基板脫離檢測裝置的一例的圖。圖12A是表示實施方式4的基板脫離檢測裝置的一例的構(gòu)成的剖視圖，圖12B是表示實施方式4的基板脫離檢測裝置的一例的檢測部位的俯視圖。
[0100]實施方式4的基板脫離檢測裝置使用對凹部24的表面高度進(jìn)行檢測的高度檢測器113作為檢測器。作為高度檢測器113，列舉出距離計等作為一例。優(yōu)選距離計以不給晶圓W的表面造成損傷的方式使用與使用激光相比更傾向于使用紅外線的距離計。對于凹部24的表面高度，只要在凹部24上存在晶圓W，表面高度就變高與晶圓W的厚度相對應(yīng)的量，因此，只要在凹部24上不存在晶圓W，在與晶圓W所存在的部位相比，表面高度就變低與晶圓W的厚度相對應(yīng)的量。這樣，在實施方式4的基板脫離檢測裝置和基板脫離檢測方法中，對凹部24的表面高度進(jìn)行檢測，利用晶圓W的厚度來對凹部24上的晶圓W的有無進(jìn)行檢測。
[0101]此外，判定部123構(gòu)成為基于由高度檢測器113檢測到的凹部24的表面高度來進(jìn)行判定晶圓W的有無的運算處理。
[0102]另外，對于其他構(gòu)成要件及其功能，與實施方式I是同樣的，因此，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
[0103]實施方式5
[0104]圖13A和13B是表示本發(fā)明的實施方式5的基板脫離檢測裝置的一例的圖。圖13A是表示實施方式5的基板脫離檢測裝置的一例的構(gòu)成的剖視圖，圖13B是表示實施方式5的基板脫離檢測裝置的一例的檢測部位的俯視圖。
[0105]如圖13A、13B所示，實施方式5的基板脫離檢測裝置使用攝像機等拍攝元件114作為檢測器，利用畫像處理對晶圓W的從凹部24的脫離進(jìn)行判定。也就是說，利用拍攝元件114獲得凹部24的畫像，由畫像處理部124進(jìn)行畫像處理，對凹部24上的晶圓W的有無、也就是晶圓W是否從凹部24脫尚進(jìn)行判定。
[0106]對于其他構(gòu)成要件及其功能，與實施方式I是同樣的，因此，對各構(gòu)成要件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
[0107]根據(jù)實施方式5的基板脫離裝置和基板脫離方法，能夠使用拍攝元件114來直接地對晶圓W的從凹部24的脫離進(jìn)行檢測。
[0108]以上對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式，不脫離本發(fā)明的范圍就能夠?qū)ι鲜鰧嵤├┘痈鞣N變形和置換。
[0109]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠可靠地對基板的從旋轉(zhuǎn)臺的脫離進(jìn)行檢測。
[0110]相關(guān)申請的參照
[0111]本申請基于2013年5月27日向日本特許廳提出申請的日本特許出愿2013 —110870號和2014年3月4日提出申請的日本國特許出愿2014 — 41758號主張優(yōu)先權(quán)，將日本特許出愿2013 - 110870號和日本國特許出愿2014 — 41758號的全部內(nèi)容引用于此。
【權(quán)利要求】
1.一種基板脫離檢測裝置，其用于基板處理裝置，該基板處理裝置在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺連續(xù)旋轉(zhuǎn)，來進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平地設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面，其中， 該基板脫離檢測裝置具有基板脫離判定部件，該基板脫離判定部件通過在上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)過程中對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定，從而對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板脫離檢測裝置，其中， 在上述旋轉(zhuǎn)臺的表面沿著周向形成有多個上述凹部， 該基板脫離檢測裝置還具有脫離位置確定部件，該脫離位置確定部件在上述基板脫離判定部件檢測到上述基板從上述凹部脫離時對上述基板所脫離了的上述凹部的位置進(jìn)行確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述脫離位置確定部件是對上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測的編碼器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述基板脫離判定部件具有對上述凹部上的上述基板的溫度進(jìn)行檢測的溫度計，基于由上述基板的有無而形成的溫度差來對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述溫度計是與上述旋轉(zhuǎn)臺分開地設(shè)置的放射溫度計。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板脫離檢測裝置，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 上述放射溫度計設(shè)置為對與上述通孔不同的部位的溫度進(jìn)行檢測，基于由上述旋轉(zhuǎn)臺的放射率和上述基板的放射率之間的差異而形成的溫度差來對上述基板的有無進(jìn)行判定。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板脫離檢測裝置，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 在上述旋轉(zhuǎn)臺的下方設(shè)有加熱器， 上述放射溫度計設(shè)置成對上述通孔的溫度進(jìn)行檢測，基于從上述通孔檢測的上述加熱器的溫度與上述基板的溫度之間的溫度差來對上述基板的有無進(jìn)行判定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述基板脫離判定部件具有對上述凹部內(nèi)的表面高度進(jìn)行檢測的高度檢測部件，根據(jù)上述凹部內(nèi)的表面高度的差異對上述凹部內(nèi)的上述基板的有無進(jìn)行判定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述高度檢測部件是以與上述旋轉(zhuǎn)臺分開的方式設(shè)置于上述旋轉(zhuǎn)臺的上方的距離計。
10.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的基板脫離檢測裝置，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 上述基板脫離判定部件具有對上述通孔是否被遮蔽進(jìn)行光學(xué)檢測的光學(xué)檢測部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述光學(xué)檢測部件是透過型光學(xué)傳感器。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述光學(xué)檢測部件是反射型光學(xué)傳感器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的基板脫離檢測裝置，其中， 上述基板脫離判定部件包括: 拍攝部件，其用于對上述凹部進(jìn)行拍攝； 畫像處理部件，其用于對由該拍攝部件拍攝而得到的畫像進(jìn)行畫像處理來對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定。
14.根據(jù)權(quán)利要求1?13中任一項所述的基板脫離檢測裝置，其中， 在上述腔室的上表面形成有能夠?qū)ι鲜銮皇业膬?nèi)部進(jìn)行目視確認(rèn)的窗， 上述基板脫離判定部件設(shè)于上述腔室的外部，從上述窗對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
15.一種基板處理裝置，其中， 該基板處理裝置包括: 腔室； 旋轉(zhuǎn)臺，其大致水平設(shè)置于該腔室內(nèi)，在其表面形成有基板載置用的凹部， 權(quán)利要求1?14中任一項所述的基板脫離檢測裝置。
16.一種基板脫離檢測方法，其用于基板處理裝置，該基板處理裝置在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺連續(xù)旋轉(zhuǎn)，來進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平地設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面，其中， 該基板脫離檢測方法具有基板脫離判定工序，在該基板脫離判定工序中，在上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)過程中對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定，從而對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板脫離檢測方法，其中， 在上述旋轉(zhuǎn)臺的表面沿著周向形成有多個上述凹部， 該基板脫離檢測方法還具有脫離位置確定工序，在該脫離位置確定工序中，在上述基板脫離判定工序中檢測到上述基板從上述凹部的脫離時，對上述基板所脫離了的上述凹部的位置進(jìn)行確定。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述脫離位置確定工序使用對上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測的編碼器來進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求16?18中任一項所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述基板脫離判定工序是這樣來進(jìn)行的:對上述凹部上的上述基板的溫度進(jìn)行檢測，基于由上述基板的有無而形成的溫度差來對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述基板的溫度使用與上述旋轉(zhuǎn)臺分開地設(shè)置的放射溫度計來檢測。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板脫離檢測方法，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 上述放射溫度計對與上述通孔不同的部位的溫度進(jìn)行檢測，基于由上述旋轉(zhuǎn)臺的放射率與上述基板的放射率之間的差異而形成的溫度差來對上述基板的有無進(jìn)行判定。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板脫離檢測方法，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 在上述旋轉(zhuǎn)臺的下方設(shè)有加熱器， 上述放射溫度計對上述通孔的溫度進(jìn)行檢測，基于從上述通孔檢測的上述加熱器的溫度與上述基板的溫度之間的溫度差來對上述基板的有無進(jìn)行判定。
23.根據(jù)權(quán)利要求16?19中任一項所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述基板脫離判定工序是這樣來進(jìn)行的:對上述凹部內(nèi)的表面高度進(jìn)行檢測，根據(jù)上述凹部內(nèi)的表面高度的差異來對上述凹部內(nèi)的上述基板的有無進(jìn)行判定。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述凹部內(nèi)的表面高度的檢測使用以與上述旋轉(zhuǎn)臺分開的方式設(shè)置于上述旋轉(zhuǎn)臺的上方的距離計來進(jìn)行。
25.根據(jù)權(quán)利要求16?18中任一項所述的基板脫離檢測方法，其中， 在上述凹部中形成有供在將上述基板移載于上述凹部上時使用的交接用的升降銷貫穿的通孔， 上述基板脫離判定工序通過對上述通孔是否被遮蔽進(jìn)行光學(xué)檢測來進(jìn)行。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述通孔是否被遮蔽的光學(xué)檢測使用透過型光學(xué)傳感器來進(jìn)行。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述通孔是否被遮蔽的光學(xué)檢測使用反射型光學(xué)傳感器來進(jìn)行。
28.根據(jù)權(quán)利要求16?18中任一項所述的基板脫離檢測方法，其中， 上述基板脫離判定工序是這樣來進(jìn)行的:對上述凹部拍攝，對拍攝而得到的畫像進(jìn)行畫像處理來對上述凹部上的上述基板的有無進(jìn)行判定。
29.根據(jù)權(quán)利要求16?18中任一項所述的基板脫離檢測方法，其中， 在上述腔室的上表面形成有能夠?qū)ι鲜銮皇业膬?nèi)部進(jìn)行目視確認(rèn)的窗， 上述基板脫離判定工序通過從上述腔室的外部透過上述窗來對上述基板脫離上述凹部的情況進(jìn)行判定來進(jìn)行。
30.一種基板處理方法，其中， 該基板處理方法包括: 基板處理工序，其中，在基板被載置到基板載置用的凹部上的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行上述基板的處理，該基板載置用的凹部形成在大致水平設(shè)置于腔室內(nèi)的上述旋轉(zhuǎn)臺的表面； 基板脫離檢測工序，其中，采用權(quán)利要求16?29中任一項所述的基板脫離檢測方法來對上述基板的處理中的上述基板從上述凹部的脫離進(jìn)行檢測； 在該基板脫離檢測工序中檢測到上述基板脫離上述凹部時，使上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)停止，使上述基板的處理停止。
【文檔編號】H01L21/66GK104183522SQ201410225161
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】菊池仁, 小林健, 吉田光廣, 芳賀雄太, 高畠裕二, 伊藤尚秀, 菅原克昭, 千葉昌明, 佐藤弘幸 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社