本申請涉及烘烤設備，特別涉及一種烤箱和烤箱灶。

背景技術(shù)：

1、烤箱是一種利用高溫實現(xiàn)對食材烘烤的設備，烤箱具有電熱式烤箱和燃氣式烤箱，電熱式烤箱通過通電發(fā)熱實現(xiàn)對食材的烘烤，燃氣式烤箱通過燃氣的燃燒實現(xiàn)對食材的烘烤。燃氣式烤箱具有下燃燒器，下燃燒器產(chǎn)生的高溫煙氣具有朝上流動的趨勢，實現(xiàn)對食材的自下而上的烘烤，一般來說，下燃燒器的上方會設置烤架以供食材擺放，食材擺放到烤架上容易對下燃燒器產(chǎn)生的高溫煙氣的流動形成阻礙，影響食材的烘烤均勻性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此本申請?zhí)岢鲆环N烤箱。

2、為實現(xiàn)上述目的，本申請公開了一種烤箱，所述烤箱包括：

3、腔體，所述腔體圍設出容納腔；

4、烤架，所述烤架適于置于所述容納腔，所述烤架包括主體部，所述主體部適于裝載食材，沿左右方向，所述主體部的尺寸為l1；以及

5、下燃燒器，所述下燃燒器設于所述容納腔的左右兩側(cè)，且位于所述烤架的下方，左右兩側(cè)的所述下燃燒器彼此朝向，沿左右方向，左右兩側(cè)的所述下燃燒器之間的距離為l2，滿足l2＞l1。

6、在本申請的一些實施例中，所述主體部于水平面的投影與左側(cè)和右側(cè)的所述下燃燒器于水平面的投影相間設置。

7、在本申請的一些實施例中，滿足l2-l1＜20mm。

8、在本申請的一些實施例中，所述烤架還包括設于所述主體部左右兩側(cè)的第一抬高部。

9、在本申請的一些實施例中，所述第一抬高部的至少部分自所述主體部傾斜設置。

10、在本申請的一些實施例中，所述第一抬高部自所述主體部延伸至所述下燃燒器的上方。

11、在本申請的一些實施例中，所述烤箱還包括設于所述烤架和所述下燃燒器下方的承液盤，所述容納腔包括適于容納所述承液盤的底腔，所述底腔的左右腔壁之間的距離為l3，滿足l3＞l2。

12、在本申請的一些實施例中，滿足l3-l2＜25mm。

13、在本申請的一些實施例中，所述承液盤的部分設于所述下燃燒器的下方。

14、在本申請的一些實施例中，所述承液盤包括位于左右兩側(cè)的第二抬高部，所述第二抬高部的至少部分傾斜設于所述下燃燒器的下方。

15、在本申請的一些實施例中，所述承液盤包括位于左右兩側(cè)的第二抬高部，所述底腔的腔壁設有背離所述容納腔凹設的避讓槽，所述第二抬高部的至少部分設于所述避讓槽。

16、在本申請的一些實施例中，所述下燃燒器包括安裝座和燃燒管，所述安裝座具有安裝腔和與所述安裝腔連通的出火口，所述燃燒管設于所述安裝腔，左右兩側(cè)的所述安裝座的出火口彼此朝向且相距的距離為l2。

17、本申請還公開了一種烤箱灶，所述烤箱灶包括上述烤箱。

18、本申請技術(shù)中主體部的左右方向的尺寸l1小于左右兩側(cè)的下燃燒器之間的距離l2，相當于主體部和下燃燒器之間形成有間隙，下燃燒器所形成的高溫煙氣可以從主體部和下燃燒器之間朝上流動，使得高溫煙氣的分布更均勻，防止高溫煙氣在食材下方堆積，提升食材的烘烤均勻性。此外，由于l1小于l2，在烤架移動時不容易和下燃燒器發(fā)生干涉，烤架上的食材也不容易與下燃燒器之間發(fā)生干涉。

19、本申請的其它優(yōu)點將在下文的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種烤箱，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的烤箱，其特征在于，所述主體部于水平面的投影與左側(cè)和右側(cè)的所述下燃燒器于水平面的投影相間設置。

3.如權(quán)利要求1所述的烤箱，其特征在于，滿足l2-l1＜20mm。

4.如權(quán)利要求1所述的烤箱，其特征在于，所述烤架還包括設于所述主體部左右兩側(cè)的第一抬高部。

5.如權(quán)利要求4所述的烤箱，其特征在于，所述第一抬高部的至少部分自所述主體部傾斜設置。

6.如權(quán)利要求5所述的烤箱，其特征在于，所述第一抬高部自所述主體部延伸至所述下燃燒器的上方。

7.如權(quán)利要求1所述的烤箱，其特征在于，所述烤箱還包括設于所述烤架和所述下燃燒器下方的承液盤，所述容納腔包括適于容納所述承液盤的底腔，所述底腔的左右腔壁之間的距離為l3，滿足l3＞l2。

8.如權(quán)利要求7所述的烤箱，其特征在于，滿足l3-l2＜25mm。

9.如權(quán)利要求7所述的烤箱，其特征在于，所述承液盤的部分設于所述下燃燒器的下方。

10.如權(quán)利要求9所述的烤箱，其特征在于，所述承液盤包括位于左右兩側(cè)的第二抬高部，所述第二抬高部的至少部分傾斜設于所述下燃燒器的下方。

11.如權(quán)利要求9所述的烤箱，其特征在于，所述承液盤包括位于左右兩側(cè)的第二抬高部，所述底腔的腔壁設有背離所述容納腔凹設的避讓槽，所述第二抬高部的至少部分設于所述避讓槽。

12.如權(quán)利要求1所述的烤箱，其特征在于，所述下燃燒器包括安裝座和燃燒管，所述安裝座具有安裝腔和與所述安裝腔連通的出火口，所述燃燒管設于所述安裝腔，左右兩側(cè)的所述安裝座的出火口彼此朝向且相距的距離為l2。

13.一種烤箱灶，其特征在于，所述烤箱灶包括權(quán)利要求1至12任一項所述的烤箱。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了烤箱和烤箱灶?？鞠浒ㄇ惑w、烤架和下燃燒器，腔體圍設出容納腔，烤架適于置于容納腔，烤架包括主體部，主體部適于裝載食材，沿左右方向，主體部的尺寸為L1，下燃燒器設于容納腔的左右兩側(cè)，且位于烤架的下方，沿左右方向，左右兩側(cè)的下燃燒器之間的距離為L2，滿足L2＞L1。主體部的左右方向的尺寸L1小于左右兩側(cè)的下燃燒器之間的距離L2，相當于主體部和下燃燒器之間形成有間隙，下燃燒器所形成的高溫煙氣可以從主體部和下燃燒器之間朝上流動，使得高溫煙氣的分布更均勻，防止高溫煙氣在食材下方堆積，提升食材的烘烤均勻性。由于L1小于L2，在烤架移動時不容易和下燃燒器發(fā)生干涉，烤架上的食材也不容易與下燃燒器之間發(fā)生干涉。

技術(shù)研發(fā)人員：李嘉瑞,李松,孟德奇,朱運波
受保護的技術(shù)使用者：蕪湖美的智能廚電制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19