專利名稱：吸附盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種用于吸附晶片的吸附盤。
背景技術(shù)：
微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)是近年來發(fā)展起來的一種新型多學(xué)科交叉的技術(shù)，該技 術(shù)將對未來人類生活產(chǎn)生革命性的影響。它涉及機(jī)械、電子、化學(xué)、物理、光學(xué)、生物、材料等 多學(xué)科。對微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的研究主要包括理論基礎(chǔ)研究、制造工藝研究及應(yīng)用研 究三類。具體來說，MEMS是指對微米/納米材料進(jìn)行設(shè)計(jì)、加工、制造、測量和控制的技術(shù)。 它可將機(jī)械構(gòu)件、光學(xué)系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)部件、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體單元的微型系統(tǒng)。這種微 電子機(jī)械系統(tǒng)不僅能夠采集、處理與發(fā)送信息或指令，還能夠按照所獲取的信息自主地或 根據(jù)外部的指令采取行動(dòng)。它用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)(包括硅體微加工、硅表面微加 工、LIGA和晶片鍵合等技術(shù))相結(jié)合的制造工藝，制造出各種性能優(yōu)異、價(jià)格低廉、微型化 的傳感器、執(zhí)行器、驅(qū)動(dòng)器和微系統(tǒng)。 在半導(dǎo)體工藝中，晶片經(jīng)過切割、刻蝕、離子注入以及退火等一系列工序之后形成 產(chǎn)品，產(chǎn)品在封裝之前，需要對產(chǎn)品的多項(xiàng)電性參數(shù)進(jìn)行測試以判斷產(chǎn)品是否合格，而只有 測試合格的產(chǎn)品才會(huì)進(jìn)行下一步驟的封裝。 現(xiàn)有技術(shù)中，在晶片表面進(jìn)行缺陷檢測時(shí)，需要用機(jī)械手將晶片移至測量平臺的 吸附盤上測量，檢測完成之后再通過機(jī)械手將晶片移走，現(xiàn)有技術(shù)中，測量平臺的吸附盤如 圖1所示，吸附孔31對應(yīng)于放置吸附盤32上的晶片的中部位置，每個(gè)吸附孔31都通過導(dǎo) 管和抽真空機(jī)相連，吸附盤32的中間位置設(shè)置一破真空孔33，破真空孔33和氮?dú)夤?yīng)裝置 相連，當(dāng)晶片在測量平臺的吸附盤32上檢測完成時(shí)，抽真空機(jī)停止工作，氮?dú)夤?yīng)裝置往 破真空孔33中輸入氮?dú)?，使得晶片兩邊的氣壓相等，于是通過機(jī)械手將晶片從吸附盤32上 取走，晶片背面是和吸附盤全接觸的，這種吸附方式會(huì)導(dǎo)致晶片背面被損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的吸附盤吸附晶片時(shí)，會(huì)損壞晶片背面的圖形的問題， 本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡單、吸附晶片安全牢靠的吸附盤。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種吸附盤，包括多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附 孔位于所述吸附盤的邊緣。 可選的，所述多個(gè)吸附孔相對于所述吸附盤的中心點(diǎn)呈對稱分布。 可選的，位于同側(cè)的所述多個(gè)吸附孔相互緊靠。 可選的，所述吸附盤的邊緣相對于所述吸附盤的盤面凸出設(shè)置。 可選的，所述吸附盤的中心位置設(shè)置一破真空孔。 可選的，所述破真空孔和一氣體供應(yīng)裝置相連。 可選的，所述氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)的氣體為氮?dú)狻?可選的，每個(gè)所述吸附孔都通過導(dǎo)管和一抽真空機(jī)相連。[0014] 本實(shí)用新型吸附盤的有益技術(shù)效果為本實(shí)用新型吸附盤通過設(shè)置吸附孔在吸附 盤的邊緣，且位于同側(cè)的吸附孔相互緊靠，使得整體的吸附效果從原先的點(diǎn)吸附變成了線 吸附，有效的增加了吸附力和吸附面積，使其能夠更好的吸附晶片，另外，吸附孔的位置相 對于吸附盤的盤面凸出放置，避免了晶片背面完全和吸附盤的盤面接觸，防止了晶片的背 面被刮傷。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的吸附盤的示意圖； 圖2為本實(shí)用新型吸附盤的示意圖； 圖3為本實(shí)用新型吸附盤的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型的吸附盤作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。 首先請參考圖2，圖2為本實(shí)用新型吸附盤的示意圖，圖3為本實(shí)用新型吸附盤的 剖視圖，從圖2上可以看出，本實(shí)用新型吸附盤包括多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附孔12位于所 述吸附盤11的邊緣，所述多個(gè)吸附孔12相對于所述吸附盤11的中心點(diǎn)呈對稱分布，位于 同側(cè)的所述多個(gè)吸附孔12相互緊靠，對于吸附孔這樣的設(shè)計(jì)，為的是能夠?qū)黾游?力和吸附面積，相互緊靠的多個(gè)吸附孔12相當(dāng)于一個(gè)吸附槽了，將原先的點(diǎn)吸附改成了線 吸附，吸附效果更加的好，當(dāng)然，也可以直接用吸附槽代替，效果一樣。從圖3可以看出，每 個(gè)所述吸附孔12都通過導(dǎo)管14和一抽真空機(jī)(圖中未示)相連，在晶片被放到吸附盤ll 上時(shí)，抽真空機(jī)開啟工作，在導(dǎo)管14中提供一個(gè)真空的環(huán)境，使得晶片上由于大氣壓強(qiáng)而 產(chǎn)生壓力，緊緊的被吸附在吸附盤11上。所述吸附盤11的邊緣相對于所述吸附盤11的盤 面凸出設(shè)置，這樣避免了晶片和吸附盤11的盤面直接接觸，而只有吸附盤11的邊緣和晶片 背面的邊緣接觸，減少了晶片背面被刮傷的幾率，但是，因?yàn)槲奖P11的盤面為凹陷結(jié)構(gòu)， 再加上晶片本身的張力，因此晶片的晶面會(huì)發(fā)生細(xì)微的下凹，而將吸附孔12設(shè)置于吸附盤 11的邊緣則完全解決了這個(gè)問題。吸附孔12在吸附晶片時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)沿晶面的往外的拉 力，對晶片的邊緣有個(gè)拉升作用力，保證了晶片的平整性不受影響。 所述吸附盤11的中心位置設(shè)置一破真空孔13，破真空孔13用于在晶片檢測完成 而且抽真空機(jī)停止工作后，由于導(dǎo)管14中依舊是真空狀態(tài)，大氣壓強(qiáng)的作用下晶片仍舊受 力被吸附于吸附盤11上，因此需要改變晶片兩面的壓強(qiáng)大小，所述破真空孔13和一氣體 供應(yīng)裝置(圖中未示)相連，這樣在晶片檢測完成后，氣體供應(yīng)裝置往破真空孔13中輸入 氣體，改變晶片下表面所受的壓強(qiáng)，當(dāng)輸入氣體的壓強(qiáng)等于大氣壓強(qiáng)時(shí)，晶片兩面的受力相 等，便可以很方便的通過機(jī)器手吸取，所述氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)的氣體為氮?dú)?，這是因?yàn)榈獨(dú)?中所含的氮元素不會(huì)對晶片產(chǎn)生污染。 實(shí)際操作時(shí)，機(jī)器手將晶片放置于吸附盤11上，吸附盤11邊緣設(shè)置的多個(gè)吸附孔 12通過導(dǎo)管和抽真空機(jī)相連，抽真空機(jī)開啟，保持導(dǎo)管內(nèi)真空環(huán)境，由于大氣壓強(qiáng)的存在， 在晶片的兩面形成壓差，從而產(chǎn)生壓力使得晶片被牢牢的吸附在吸附盤上，在測量平臺上， 機(jī)臺主要是通過光學(xué)的結(jié)構(gòu)原理對晶片表面進(jìn)行測量檢查，機(jī)臺通過打在晶片表面的光被 晶片表面反射，通過多反射光的接受分析對晶片表面進(jìn)行檢測，合格的繼續(xù)下一個(gè)步驟，不合格的，需要返工修復(fù)。在測量完畢后，抽真空機(jī)關(guān)閉，氣體供應(yīng)裝置往破真空孔14中供應(yīng) 氮?dú)?，使得晶片兩面的壓?qiáng)相等，從而方便機(jī)器手再次吸取晶片，將晶片從吸附盤上移走。 雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型。本實(shí) 用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動(dòng)與潤飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種吸附盤，包括多個(gè)吸附孔，其特征在于所述多個(gè)吸附孔位于所述吸附盤的邊緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種吸附盤，其特征在于所述多個(gè)吸附孔相對于所述吸附盤的 中心點(diǎn)呈對稱分布。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述一種吸附盤，其特征在于位于同側(cè)的所述多個(gè)吸附孔相互緊
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種吸附盤，其特征在于所述吸附盤的邊緣相對于所述吸附盤 的盤面凸出設(shè)置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種吸附盤，其特征在于所述吸附盤的中心位置設(shè)置一破真空孔。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種吸附盤，其特征在于所述破真空孔和一氣體供應(yīng)裝置相連。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述一種吸附盤，其特征在于所述氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)的氣體為氮?dú)狻?br> 8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種吸附盤，其特征在于每個(gè)所述吸附孔都通過導(dǎo)管和一抽真 空機(jī)相連。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種吸附盤，包括多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附孔位于所述吸附盤的邊緣，所述吸附盤的邊緣相對于所述吸附盤的盤面凸出設(shè)置，本實(shí)用新型增強(qiáng)了吸附面積和吸附力，能夠更好的吸附晶片，而且也保護(hù)了晶片的背面不被刮傷。
文檔編號B25J15/06GK201456002SQ200920078368
公開日2010年5月12日 申請日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者賀俊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司