一種高精度金剛石薄膜切割刀具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及機(jī)械切割領(lǐng)域，具體為一種高精度金剛石薄膜切割刀具。
【背景技術(shù)】
[0002]刀具是機(jī)械制造中用于切削加工的工具，又稱切削工具。絕大多數(shù)的刀具是機(jī)用的，但也有手用的。由于機(jī)械制造中使用的刀具基本上都用于切削金屬材料，所以“刀具”一詞一般就理解為金屬切削刀具。切削木材用的刀具則稱為木工刀具。還有特別應(yīng)用的一類刀具，用于地質(zhì)勘探、打井、礦山鉆探，稱為礦山刀具。
[0003]元素硅是一種灰色、易碎、四價(jià)的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅晶片又稱晶圓片，是由硅錠加工而成的，通過專門的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計(jì)的晶體管，被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造。
[0004]硅屬于半導(dǎo)體材料，其自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過添加適當(dāng)?shù)膿诫s劑來精確控制它的電阻率。制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片(wafer)。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。加工硅晶片生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過75%的單晶硅晶圓片都是通過Cz ο chra lski(CZ，也叫提拉法)方法生長的。
[0005]硅晶片切割技術(shù)金剛石鋸。硅錠被刻出一個(gè)小豁口或一個(gè)小平面，以顯示晶向。一旦通過檢查，就將硅錠切割成晶圓片。由于硅很硬，要用金剛石鋸來準(zhǔn)確切割晶圓片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金剛石鋸也有助于減少對晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。
[0006]硅晶片切割技術(shù)線鋸。今天，主流的用于硅錠和硅片切割，不過在處理載荷和切割速度上已經(jīng)有了顯著的提高。在光伏領(lǐng)域，線鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過程中的材料損耗，從而減少了太陽能電力的硅材料消耗量。(每瓦使用更少克數(shù)的硅材料)目前，原材料幾乎占了晶體硅太陽能電池成本的三分之一，因此，線鋸技術(shù)對于降低太陽能每瓦成本并最終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。最新最先進(jìn)的線鋸技術(shù)帶來了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過更薄的硅片減少了硅材料的消耗。
[0007]現(xiàn)在許多電子元器件的切割工作對工藝和設(shè)備要求很高，一般常用的切割刀具難以達(dá)到精度要求，也造成了生產(chǎn)過程中切割成功率不高，廢件過多；同時(shí)，電子元器件的生產(chǎn)成本過高，也間接推高了終端電子產(chǎn)品的價(jià)格。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]針對上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種高精度金剛石薄膜切割刀具，將刀柄和刀頭設(shè)置為可拆卸的，方便更換刀頭，在刀柄和刀頭之間增加若干個(gè)中間模塊，通過多重緩沖來提高切割精度，同時(shí)采用金剛石薄膜刀刃，增加刀具的銳度。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其包括，刀具本體I，刀柄2，尖端3，中間件4，固定孔5，固定螺絲6，刀頭7，刀刃8，刀尖9。
[0010]所述刀具本體I包括刀柄2、尖端3，所述尖端3上設(shè)置有固定孔5，所述中間件4一端設(shè)置有固定孔5，所述尖端3和中間件4 一端通過固定螺絲6可拆卸連接，所述中間件4另一端與刀頭7固定連接，所述刀頭7上設(shè)置有刀刃8，所述刀刃8上設(shè)置有刀尖9。
[0011 ]所述中間件4與刀頭7焊接。
[0012]所述刀頭7采用高速鋼制成。
[0013]所述刀刃8表面上設(shè)置有金剛石薄膜。
[0014]所述刀尖9上設(shè)置有人造金剛石顆粒。
[0015]本發(fā)明的有益效果
1、本發(fā)明弓I入若干中間模塊，通過多重緩沖提高切割精度；
2、刀頭可拆卸，方便更換刀頭；
3、在刀刃上覆蓋一層金剛石薄膜，提高刀刃的銳度。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明中刀頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]針對上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種高精度金剛石薄膜切割刀具，將刀柄和刀頭設(shè)置為可拆卸的，方便更換刀頭，在刀柄和刀頭之間增加若干個(gè)中間模塊，通過多重緩沖來提高切割精度，同時(shí)采用金剛石薄膜刀刃，增加刀具的銳度。
[0018]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其包括，刀具本體I，刀柄2，尖端3，中間件4，固定孔5，固定螺絲6，刀頭7，刀刃8，刀尖9。
[0019]所述刀具本體I包括刀柄2、尖端3，所述尖端3上設(shè)置有固定孔5，所述中間件4一端設(shè)置有固定孔5，所述尖端3和中間件4 一端通過固定螺絲6可拆卸連接，所述中間件4另一端與刀頭7固定連接，所述刀頭7上設(shè)置有刀刃8，所述刀刃8上設(shè)置有刀尖9。
[0020]所述中間件4與刀頭7焊接。
[0021]所述刀頭7采用高速鋼制成。
[0022]所述刀刃8表面上設(shè)置有金剛石薄膜。
[0023]所述刀尖9上設(shè)置有人造金剛石顆粒。
[0024]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明
圖1、圖2中，1-刀具本體，2-刀柄，3-尖端，4-中間件，5-固定孔，6-固定螺絲，7-刀頭，8-刀刃，9-刀尖。
[0025]如圖1、圖2所示，所述刀具本體I包括刀柄2和尖端3兩部分，所述尖端3上設(shè)置有固定孔5，所述中間件4 一端設(shè)置有固定孔5，所述尖端3和中間件4 一端通過固定螺絲6可拆卸連接，所述固定螺絲6穿過尖端3、中間件4上的固定孔5，所述中間件4另一端與刀頭7固定連接，所述刀頭7上設(shè)置有刀刃8，所述刀刃8上設(shè)置有刀尖9。
[0026]所述中間件4與刀頭7焊接;所述刀頭7采用高速鋼制成;所述刀刃8表面上設(shè)置有金剛石薄膜;所述刀尖9上設(shè)置有人造金剛石顆粒。
[0027]本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于切割機(jī)，切割機(jī)床等切割機(jī)械上，可切割金屬、塑料、巖石等多種材料。
[0028]最后說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本發(fā)明的技術(shù)方案所做的其他修改或者等同替換，只要不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其特征在于，其包括，刀具本體(1)，刀柄(2)，尖端(3)，中間件(4)，固定孔(5)，固定螺絲(6)，刀頭(7)，刀刃(8)，刀尖(9); 所述刀具本體(1)包括刀柄(2)、尖端(3)，所述尖端(3)上設(shè)置有固定孔(5)，所述中間件(4) 一端設(shè)置有固定孔(5)，所述尖端(3)和中間件(4) 一端通過固定螺絲(6)可拆卸連接，所述中間件(4)另一端與刀頭(7)固定連接，所述刀頭(7)上設(shè)置有刀刃(8)，所述刀刃(8)上設(shè)置有刀尖(9)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其特征在于，所述中間件(4)與刀頭(7)焊接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其特征在于，所述刀頭(7)米用尚速鋼制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其特征在于，所述刀刃(8)表面上設(shè)置有金剛石薄膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度金剛石薄膜切割刀具，其特征在于，所述刀尖(9)上設(shè)置有人造金剛石顆粒。
【專利摘要】本發(fā)明涉及機(jī)械切割領(lǐng)域，具體為一種高精度金剛石薄膜切割刀具,其包括:刀具本體、刀柄、尖端、中間件、固定孔、固定螺絲、刀頭、刀刃、刀尖，將刀柄和刀頭設(shè)置為可拆卸的，方便更換刀頭，在刀柄和刀頭之間增加若干個(gè)中間模塊，通過多重緩沖來提高切割精度，同時(shí)采用金剛石薄膜刀刃，增加刀具的銳度。本發(fā)明引入若干中間模塊，通過多重緩沖提高切割精度；刀頭可拆卸，方便更換刀頭；在刀刃上覆蓋一層金剛石薄膜，提高刀刃的銳度。
【IPC分類】B23B27/16, B28D5/00, B26D1/01
【公開號】CN105599016
【申請?zhí)枴緾N201511007693
【發(fā)明人】連新蘭, 毛寶占
【申請人】河南廣度超硬材料有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月30日