2,4-滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種2,4?滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)制備手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極;(2)選擇性光電化學(xué)氧化降解:以步驟(1)制得的手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極作為工作電極,構(gòu)筑標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在光照射并外加偏壓下,對(duì)2,4?滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中的S?2,4?滴丙酸進(jìn)行選擇性光電化學(xué)氧化降解,以提高2,4?滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中R?2,4?滴丙酸的濃度。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明能有效提高2,4?滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體中R?2,4?滴丙酸的含量,且光電陽(yáng)極制備簡(jiǎn)單,穩(wěn)定性好,選擇性和催化效率高,抗干擾能力強(qiáng),可重復(fù)利用等。
【專利說(shuō)明】
2,4-滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及手性農(nóng)藥降解技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法。
【背景技術(shù)】
[0002]手性不僅是一個(gè)理論上的概念,其在化學(xué)、生命科學(xué)、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)、藥物學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域的研究具有非常重要的價(jià)值。整個(gè)生物界完全是一個(gè)“手性”的世界,生物體中許多生化反應(yīng)都是在手性環(huán)境條件下發(fā)生的。生物大分子如蛋白質(zhì)、多糖核酸等,及類(lèi)固醇、荷爾蒙和性激素等天然物質(zhì)都具有手性。構(gòu)成蛋白質(zhì)的20種氨基酸中除甘氨酸外,另外19種都是左旋的L-氨基酸;多糖和脫氧核糖分子均為D構(gòu)型。有機(jī)體的代謝和調(diào)控過(guò)程中所涉及的物質(zhì)一般都具有手性,它們?cè)谏矬w內(nèi)形成具有高度立體選擇性的手性環(huán)境,從而使得蛋白質(zhì)與藥物、酶與底物、抗體與抗原的相互作用具有高度專屬性。生命體系通常對(duì)具有“手性”的藥物、除草劑等手性化合物中的一對(duì)對(duì)映體表現(xiàn)出不同的生理生化反應(yīng)。
[0003]在眾多的手性物質(zhì)中,農(nóng)藥是最常見(jiàn)也是環(huán)境污染物中殘留最多的手性對(duì)映體。2,4-滴丙酸(2_(2,4-二氯苯氧基)丙酸,2-(2,4_Dichlorophenoxy)prop1nic acid,簡(jiǎn)寫(xiě)為DCPP)是一種廣泛使用的農(nóng)用除草劑,R-DCPP具有高的除草活性,而S-對(duì)映體的活性則很小。在自然環(huán)境降解中,R-2,4-滴丙酸的降解速率顯著大于S-2,4-滴丙酸,手性農(nóng)藥對(duì)映體在生物體代謝過(guò)程中存在較大的差異性,使之表現(xiàn)出不同的環(huán)境行為和生態(tài)毒理?,F(xiàn)在農(nóng)藥成產(chǎn)中使用的都是2,4_滴丙酸的外銷(xiāo)旋體,如果提高農(nóng)藥中R構(gòu)型的含量,不僅可以提高除草效率,減少農(nóng)藥的使用量,而且會(huì)降低對(duì)生物體的危害,產(chǎn)生更大的環(huán)境生態(tài)效益。因此實(shí)現(xiàn)手性除草劑2,4_滴丙酸對(duì)映體的選擇性光電化學(xué)降解對(duì)人類(lèi)健康至關(guān)重要。
[0004]高效液相色譜法和氣相色譜法是應(yīng)用于手性對(duì)映體識(shí)別和分離最為有效的方法之一,但受到目前缺乏各種商品化手性分離柱的限制。光電化學(xué)方法由于具有簡(jiǎn)單,快速,高效,易于實(shí)時(shí)在線檢測(cè)等特點(diǎn),在分析檢測(cè)和降解中一直備受關(guān)注。而且采用T12等氧化物半導(dǎo)體作為催化劑的光催化和光電催化氧化方法,近年來(lái)在能量轉(zhuǎn)化、環(huán)境污染物的降解處理中得到廣泛的研究。光、電催化氧化方法主要是通過(guò)在催化劑表面產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的羥基自由基將底物進(jìn)行氧化降解,盡管該方法具有快速高效、氧化降解徹底等優(yōu)點(diǎn),但是光、電本身并沒(méi)有選擇性,很難實(shí)現(xiàn)混合體系中不同底物的選擇性光電催化氧化。因此,如何實(shí)現(xiàn)污染物的選擇性催化氧化是目前光電催化研究領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn)同時(shí)也是難點(diǎn)。近年來(lái)眾多科學(xué)家們嘗試通過(guò)對(duì)催化劑表面進(jìn)行修飾或改性以攻克光電催化氧化技術(shù)缺乏選擇性這一難題,但是這些方法只可以識(shí)別一類(lèi)污染物,或者分子結(jié)構(gòu)差異很大的分子,但是對(duì)于分子結(jié)構(gòu)相同,僅僅分子的空間構(gòu)型有差異的手性分子的一對(duì)對(duì)映體,這些方法很難對(duì)一對(duì)對(duì)映體中的單個(gè)對(duì)映體進(jìn)行識(shí)別,更無(wú)法實(shí)現(xiàn)選擇性催化降解。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法。
[0006]本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0007]—種2,4-滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,包括以下步驟:
[0008](I)手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極的制備
[0009](1-1)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,攪拌,再加入模板分子S-2,4_滴丙酸,得到前驅(qū)體溶液;
[0010](1-2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入前驅(qū)體溶液中,水熱反應(yīng);
[0011 ] (1-3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,清洗,煅燒,即得到由帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的二氧化鈦納米棒電極組成的手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極;
[0012](2)選擇性光電化學(xué)氧化降解
[0013]以步驟(I)制得的手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極作為工作電極,構(gòu)筑標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在光照射并外加偏壓下,對(duì)2,4-滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中的S-2,4-滴丙酸進(jìn)行選擇性光電化學(xué)氧化降解,以提高2,4-滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中R-2,4-滴丙酸的濃度。
[0014]步驟(1-1)中:
[0015]濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4_滴丙酸的添加量的體積比為10: (5-15):(0.1-0.4):(0.01-0.1),濃鹽酸的濃度為36wt%-39wt%。
[0016]步驟(H)中:
[0017]攪拌的工藝條件為:在300-600印111下攪拌0.5-1.5h0
[0018]步驟(1-2)中水熱反應(yīng)的工藝條件為:在120-180°C下反應(yīng)2-8h。
[0019]步驟(1-3)中煅燒的工藝條件為:在400-600 °C下煅燒15_45min。
[0020]步驟(2)中所述的標(biāo)準(zhǔn)三電極體系中,參比電極為飽和甘汞電極,對(duì)電極為鉑電極,電解質(zhì)液為0.lmol/L的Na2SO4電解液。
[0021]步驟(2)中光照為紫外光,偏電壓為0.6V。
[0022]本發(fā)明將原位分子印跡技術(shù)與光電催化技術(shù)相結(jié)合,利用單晶印跡電極表面印跡位點(diǎn)的選擇識(shí)別能力對(duì)2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體進(jìn)行選擇性吸附,再利用催化材料的光電催化氧化能力將吸附的對(duì)映體氧化降解,從而實(shí)現(xiàn)2,4-滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體在無(wú)機(jī)光電催化劑表面的選擇性識(shí)別和催化降解。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0024](I)首次通過(guò)在一維單晶T12表面構(gòu)筑手性農(nóng)藥2,4_滴丙酸對(duì)映體分子印跡位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了手性農(nóng)藥2,4_滴丙酸對(duì)映體的選擇性光電化學(xué)降解,能夠有效提高2,4_滴丙酸外消旋體中R-2,4-滴丙酸的含量。同時(shí)本發(fā)明中的光電陽(yáng)極的構(gòu)筑具有制備簡(jiǎn)單,穩(wěn)定性好,抗干擾能力強(qiáng),選擇性高,可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)。
[0025](2)本發(fā)明中2,4_滴丙酸對(duì)映體分子印跡位點(diǎn)是在單晶T12納米棒表面構(gòu)筑,單晶T12納米棒表面平整并且機(jī)械強(qiáng)度高,分子印跡位點(diǎn)清晰,不僅克服了傳統(tǒng)的通過(guò)有機(jī)聚合物印跡膜構(gòu)筑印跡位點(diǎn)的弊端:如印跡膜遮光、自身易被降解而且機(jī)械強(qiáng)度不夠;而且避免了無(wú)機(jī)光催化劑凹凸不平的表面以及混合晶型不利于印跡位點(diǎn)識(shí)別目標(biāo)分子的問(wèn)題。所以,本發(fā)明中使用的光電陽(yáng)極能極大程度地提高了光電化學(xué)降解的選擇性。
[0026](3)本發(fā)明中使用的帶有2,4_滴丙酸對(duì)映體分子印跡位點(diǎn)的光電陽(yáng)極有很強(qiáng)的抗干擾能力,能在有干擾對(duì)映體存在的情況下對(duì)目標(biāo)對(duì)映體進(jìn)行選擇性光電化學(xué)氧化降解。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極對(duì)S-2,4_滴丙酸的降解曲線圖;
[0028]圖2本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極對(duì)R-2,4_滴丙酸的降解曲線圖;
[0029]圖3本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極對(duì)2,4_滴丙酸外銷(xiāo)旋體的降解曲線圖;
[0030]圖4為本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極在多種污染物混合體系中的抗干擾能力圖;
[0031]圖5為本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極在非目標(biāo)對(duì)映體存在下的抗干擾能力圖;
[0032]圖6為本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極的掃描電子顯微鏡圖;
[0033]圖7為本發(fā)明中制備的光電陽(yáng)極的透射電子顯微鏡選區(qū)的電子衍射圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0035]下述實(shí)施例中的S-2,4_滴丙酸是由浙江大學(xué)劉維屏教授課題組拆分現(xiàn)有2,4_滴丙酸的外消旋體得到并提供。具體拆分方法參見(jiàn)(J.Agric.AppI icat1n of Capi I IaryElectrophoresis To Study the Enant1selective Transformat1n of Five ChiralPesticides in Aerobic Soil Slurries.Food Chem.2005,53,6175-6182)。
[0036]實(shí)施例1
[0037]—種手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極,包括一維單晶T12納米棒電極,以及印跡在一維單晶T12納米棒電極表面的S-2,4_滴丙酸印跡位點(diǎn),通過(guò)以下步驟制成:
[0038](I)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,在450rpm下攪拌lh,加入模板分子S-2,4-滴丙酸,濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4-滴丙酸的添加量的體積比為10:10:0.25:0.05,濃鹽酸的濃度為37.5wt%,得到前驅(qū)體溶液;
[0039](2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入溶液中,在150°C下反應(yīng)5h;
[0040](3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,用去離子水沖洗,取出表面殘留物,在500°C下煅燒30min,即得到目的產(chǎn)品帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的一維單晶T12納米棒電極。
[0041]對(duì)制得的目的產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),圖6和圖7顯示了目的產(chǎn)品的SEM和TEM的電子衍射圖,從圖中可以發(fā)現(xiàn),本實(shí)施例制得的帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的一維單晶T12納米棒電極的表面相對(duì)光滑,且可以看到為明顯的單晶結(jié)構(gòu)。在外壁光滑的T12納米棒表面構(gòu)筑分子印跡位點(diǎn),可以提高印跡位點(diǎn)的選擇性,單晶結(jié)構(gòu)有利于T12納米棒在受到光照時(shí)電子與空穴的分離,從而提高降解能力。
[0042]實(shí)施例2
[0043]—種手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極,包括一維單晶T12納米棒電極,以及印跡在一維單晶T12納米棒電極表面的S-2,4_滴丙酸印跡位點(diǎn),通過(guò)以下步驟制成:
[0044](I)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,在300rpm下攪拌0.5h,加入模板分子S-2,4-滴丙酸,濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4-滴丙酸的添加量的體積比為10:15:0.4:0.1,濃鹽酸的濃度為39wt%,得到前驅(qū)體溶液;
[0045](2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入溶液中,在120°C下反應(yīng)8h;
[0046](3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,用去離子水沖洗,取出表面殘留物,在600°C下煅燒15min,即得到目的產(chǎn)品帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的一維單晶T12納米棒電極。
[0047]實(shí)施例3
[0048]—種手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極,包括一維單晶T12納米棒電極,以及印跡在一維單晶T12納米棒電極表面的S-2,4_滴丙酸印跡位點(diǎn),通過(guò)以下步驟制成:
[0049](I)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,在600rpm下攪拌1.5h,加入模板分子S-2,4-滴丙酸,濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4-滴丙酸的添加量的體積比為10:5:0.1:0.01,濃鹽酸的濃度為36wt%,得到前驅(qū)體溶液;
[0050](2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入溶液中,在180°C下反應(yīng)2h;
[0051](3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,用去離子水沖洗,取出表面殘留物,在400°C下煅燒45min,即得到目的產(chǎn)品帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的一維單晶T12納米棒電極。
[0052]實(shí)施例4
[0053]一種手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極,包括一維單晶T12納米棒電極,以及印跡在一維單晶T12納米棒電極表面的S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn),通過(guò)以下步驟制成:
[0054](I)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,在400rpm下攪拌lh,加入模板分子S-2,4-滴丙酸,濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4-滴丙酸的添加量的體積比為1: 8:0.3:
0.06,濃鹽酸的濃度為38wt%,得到前驅(qū)體溶液;
[0055](2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入溶液中,在140°C下反應(yīng)6h;
[0056](3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,用去離子水沖洗,取出表面殘留物,在550°C下煅燒25min,即得到目的產(chǎn)品帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的一維單晶T12納米棒電極。
[0057]實(shí)施例5
[0058]在連有恒溫系統(tǒng)的的石英降解池中采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在電化學(xué)工作站CHI6043E上,用實(shí)施例1制備的帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的光電陽(yáng)極為工作電極,飽和甘汞電極為參比電極,鉑電極為對(duì)電極,在紫外光照射并外加偏壓下,對(duì)S-DCPP溶液進(jìn)行光電化學(xué)氧化降解。降解6小時(shí)后,S-DCPP的去除率為90.9%。氧化降解速率常數(shù)是0.180h—1,如圖1所示。
[0059]實(shí)施例6
[0060]在連有恒溫系統(tǒng)的的石英降解池中采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在電化學(xué)工作站CHI6043E上,用實(shí)施例1所制備的帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的光電陽(yáng)極為工作電極,飽和甘汞電極為參比電極,鉑電極為對(duì)電極,在紫外光照射并外加偏壓下,對(duì)R-DCPP溶液進(jìn)行光電化學(xué)氧化降解。降解6小時(shí)后,R-DCPP的去除率為70.4%。氧化降解速率常數(shù)是0.1Oir1,如圖2所示。
[0061 ] 實(shí)施例7
[0062]在連有恒溫系統(tǒng)的的石英降解池中采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在電化學(xué)工作站CHI6043E上,用制備的帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的光電陽(yáng)極為工作電極,飽和甘汞電極為參比電極,鉑電極為對(duì)電極,在紫外光照射并外加偏壓下,對(duì)DCPP的外銷(xiāo)旋體溶液進(jìn)行光電化學(xué)氧化降解。降解6小時(shí)后,S-DCPP的去除率為89.2%,氧化降解速率常數(shù)是0.156^1;R-DCPP的去除率為59.1 %,氧化降解速率常數(shù)是0.060h—1,如圖3所示。
[0063]由上述實(shí)施例5-7得出的光電陽(yáng)極對(duì)不同的2,4_滴丙酸降解曲線圖可以看出,本發(fā)明制備的帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的光電陽(yáng)極具有非常好的對(duì)S-DCPP的光電識(shí)別和選擇氧化降解性能。
[0064]實(shí)施例8
[0065]向0.1moL/L的Na2SO4電解液中加入S-2,4_滴丙酸,使用由實(shí)施例1制成的光電陽(yáng)極組成的三電極體系測(cè)定光電流值,再向體系中加入濃度為S-2,4-滴丙酸濃度100倍的干擾物質(zhì)(腐殖、草甘膦&、氧樂(lè)果S3、異丙甲草胺S4、阿特拉津S5)標(biāo)準(zhǔn)溶液,測(cè)試得到,這幾種干擾物質(zhì)引起光電流的變化率分別為4.2%,8.3%,6.8%,12.5%,10.3%ο如圖4所示(圖中,縱坐標(biāo)R指加入干擾物質(zhì)后,光電流的增加率,So指S-2,4-滴丙酸)。
[0066]實(shí)施例9
[0067]向0.1moL/L的Na2SO4電解液中加入S-2,4_滴丙酸,使用由實(shí)施例1制成的光電陽(yáng)極組成的三電極體系測(cè)定光電流值,再向體系中加入I,2,5,1,20倍干擾對(duì)映體R-2,4-滴丙酸,測(cè)定加入后引起的光電流變化值,光電流變化率分別為6.03%,16.38%,24.62%,43.08 %,50.77 %。如圖5所示(圖中,橫坐標(biāo)中,S: R表示S-2,4-滴丙酸:R-2,4-滴丙酸的添加量之比)。
[0068]實(shí)施例10
[0069]向0.lmoL/L的Na2SO4電解液中加入S-2,4-滴丙酸和相同濃度的R-2,4-滴丙酸,夕卜加0.6V的偏壓,紫外光照射下,保持降解體系的溫度為25°C,連續(xù)降解6小時(shí)。降解期間測(cè)定每隔I小時(shí)后,溶液中剩余S-2,4-滴丙酸和R-2,4-滴丙酸的濃度。每次降解實(shí)驗(yàn)結(jié)束之后將使用過(guò)的電極在氮?dú)鈿夥障?00 °C高溫煅燒半小時(shí)以去除吸附在電極表面的DCPP對(duì)映體,從而使電極表面的分子印跡位點(diǎn)完全暴露出來(lái),用于下次重復(fù)使用。重復(fù)使用3次,該電極對(duì)S-2,4-滴丙酸的降解去除率的偏差均小于5%??芍?,本發(fā)明的光電陽(yáng)極具有非常好的可回收性能。
[0070]上述的對(duì)實(shí)施例的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和使用發(fā)明。熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對(duì)這些實(shí)施例做出各種修改,并把在此說(shuō)明的一般原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性的勞動(dòng)。因此,本發(fā)明不限于上述實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示,不脫離本發(fā)明范疇所做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種2,4-滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極的制備 (1-1)稱取濃鹽酸與水混合,再滴加鈦酸四丁酯,攪拌,再加入模板分子S-2,4-滴丙酸,得到前驅(qū)體溶液; (1-2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移到密封反應(yīng)釜中,將預(yù)處理后的FTO的導(dǎo)電面朝下浸入前驅(qū)體溶液中,水熱反應(yīng); (1-3)反應(yīng)完成后,取出產(chǎn)物,清洗,煅燒,即得到由帶有S-2,4-滴丙酸印跡位點(diǎn)的二氧化鈦納米棒電極組成的手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極; (2)選擇性光電化學(xué)氧化降解 以步驟(I)制得的手性農(nóng)藥選擇性光電陽(yáng)極作為工作電極,構(gòu)筑標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,在光照射并外加偏壓下,對(duì)2,4_滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中的S-2,4-滴丙酸進(jìn)行選擇性光電化學(xué)氧化降解,以提高2,4-滴丙酸的外銷(xiāo)旋體中R-2,4-滴丙酸的濃度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(1-1)中: 濃鹽酸、水、鈦酸四丁酯和S-2,4-滴丙酸的添加量的體積比為1: (5-15): (0.1 -0.4):(0.01-0.1),濃鹽酸的濃度為36?七%-39¥七%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(1-1)中: 攪拌的工藝條件為:在300-600rpm下攪拌0.5-1.5h。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(1-2)中水熱反應(yīng)的工藝條件為:在120-180°C下反應(yīng)2-8h。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(1-3)中煅燒的工藝條件為:在400-600°C下煅燒15-45min。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(2)中所述的標(biāo)準(zhǔn)三電極體系中,參比電極為飽和甘汞電極,對(duì)電極為鉑電極,電解質(zhì)液為0.lmol/L的Na2SO4電解液。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2,4_滴丙酸手性農(nóng)藥對(duì)映體選擇性光電化學(xué)氧化降解方法,其特征在于,步驟(2)中光照為紫外光,偏電壓為0.6V。
【文檔編號(hào)】A62D3/115GK105999608SQ201610294270
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月6日
【發(fā)明人】趙國(guó)華, 代衛(wèi)國(guó)
【申請(qǐng)人】同濟(jì)大學(xué)