專(zhuān)利名稱：片材和電子元件包裝容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件包裝容器或載帶用片材及使用了該片材的電子元件包裝容器。
背景技術(shù)：
IC等電子元件的包裝方式有注射成形托盤(pán)、真空成形托盤(pán)、料盒、載帶(carrier tape，壓紋帶)等。電子元件包裝容器用于電子元件的運(yùn)輸、貯藏等。對(duì)表面電阻率為104～108Ω/cm2的容器，通過(guò)將容器接地易于消除所發(fā)生的靜電，防止電子元件的靜電破壞。使表面電阻率處于上述范圍的方法，公知的有在包裝容器的表面涂布防帶電劑的方法、涂布導(dǎo)電性涂料的方法、使防帶電劑分散的方法、使導(dǎo)電性填料分散的方法等(日本專(zhuān)利特開(kāi)昭57-78493等)。
尤其是使導(dǎo)電性填料分散的方法比較常用。導(dǎo)電性填料采用金屬微細(xì)粉末、碳纖維、炭黑等(日本專(zhuān)利特開(kāi)昭60-8362等)?？梢允固亢诰鶆虻胤稚?，得到穩(wěn)定的表面電阻率。使炭黑分散的樹(shù)脂采用熱塑性樹(shù)脂。例如聚氯乙烯系樹(shù)脂、聚丙烯系樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯系樹(shù)脂、聚苯乙烯系樹(shù)脂、ABS系樹(shù)脂、聚苯醚系樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂等。一般采用聚苯乙烯系樹(shù)脂，如需耐熱則采用聚苯醚系樹(shù)脂，它們與其它樹(shù)脂相比，即使添加大量的炭黑其流動(dòng)性及成形性也沒(méi)有明顯的降低，而且在成本方面也非常低。
電子元件包裝容器等的表面電阻在104～108Ω/□的范圍內(nèi)，雖然能夠防止靜電破壞，但并不能完全防止。隨著電子元件高度集成化，電子元件內(nèi)的配線微細(xì)化，電子元件更容易受到靜電破壞。即使是具有104～108Ω/□表面電阻率的電子元件包裝容器，有時(shí)也會(huì)由于電子元件和容器的摩擦及來(lái)自其它帶電物的感應(yīng)產(chǎn)生于電子元件的靜電向電子元件包裝容器放電，引發(fā)電子元件的破壞。一般認(rèn)為靜電造成電子元件破壞的原因是在極短時(shí)間從電子元件向電子元件包裝容器表面放電所引起的電子元件內(nèi)部溫度瞬間上升。
發(fā)明的揭示為了防止電子元件的靜電破壞，可以使和電子元件相接的容器的表面層具有較高的表面電阻率，在其下層疊導(dǎo)電性高于其的層，使表面層的表面電阻率高于其下的導(dǎo)電層。采用具有這種結(jié)構(gòu)的電子元件包裝容器，電子元件所帶有的靜電不會(huì)從電子元件快速地向電子元件包裝容器表面放電，而是緩慢地放電，這樣能夠防止靜電破壞。
與電子元件相接的表面層(以下稱為“表面層”)的表面電阻率必須高于層疊在其下的層(以下稱為“導(dǎo)電層”)。導(dǎo)電層的表面電阻率應(yīng)在102～1012Ω/□的范圍，較好為104～1010Ω/□，更好為104～108Ω/□。表面層的表面電阻率通常選自109～1014Ω/□，表面層使用熱塑性樹(shù)脂時(shí)，可以使表面電阻率比前述范圍更高一些。表面層的表面電阻率高于1014Ω/□時(shí)，表面層的厚度較好為20μm以下，特好為0.1～20μm。此外，表面層最好由其帶電列與所內(nèi)裝的電子元件的帶電列相近的材料形成。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1為用于測(cè)定因片材和IC的帶電量的影響而在IC產(chǎn)生的帶電電荷量的試驗(yàn)裝置。1為斜面，2為進(jìn)行帶電量測(cè)定的片材，3為IC，4為法拉第屏障。
發(fā)明的最佳實(shí)施方式(結(jié)構(gòu))在電子元件包裝容器、該包裝容器所用的片材的具體的結(jié)構(gòu)中，例如有表面層/導(dǎo)電層這種結(jié)構(gòu)；或表面層/導(dǎo)電層/表面層的結(jié)構(gòu)；增加了基材層的表面層/導(dǎo)電層/基材層和表面層/導(dǎo)電層/基材層/導(dǎo)電層/表面層等結(jié)構(gòu)。電子元件包裝容器、片材的結(jié)構(gòu)并不限于這些，只要具有導(dǎo)電層和表面層即可。較好的是將導(dǎo)電層和表面層直接層疊，但也可以在導(dǎo)電層和表面層之間設(shè)置其它的層，例如設(shè)置導(dǎo)電性介于導(dǎo)電層和表面層之間的層。
(導(dǎo)電層)導(dǎo)電層的表面電阻率應(yīng)為102～1012Ω/□，較好為104～1010Ω/□，更好為104～108Ω/□。在本發(fā)明中，表面電阻率是指每單位表面積的電阻，按照J(rèn)IS K-6911規(guī)定。
導(dǎo)電層含有熱塑性樹(shù)脂和導(dǎo)電性填料。熱塑性樹(shù)脂例如可采用以GPPS(通用聚苯乙烯)或HIPS(耐沖擊性聚苯乙烯)或它們的混合物為主成分的聚苯乙烯系樹(shù)脂；以主體為乙烯和丙烯的均聚物及乙烯或丙烯的共聚物等為主成分的聚烯烴系樹(shù)脂；聚碳酸酯樹(shù)脂；以主體為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三種成分的共聚物為主成分的ABS系樹(shù)脂；以聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸酯等聚丙烯酸酯為主成分的丙烯酸系樹(shù)脂；以聚酰胺為主成分的聚酰胺系樹(shù)脂；以聚酯為主成分的聚酯系樹(shù)脂；以聚氨酯為主成分的聚氨酯系樹(shù)脂；聚苯醚和它們的合金系樹(shù)脂。
在熱塑性樹(shù)脂中添加碳纖維、金屬纖維、金屬粉末、炭黑等導(dǎo)電性填料，以使其具有導(dǎo)電性。炭黑是比較理想的導(dǎo)電性填料。炭黑可使用爐黑、槽法炭黑、乙炔黑等。按照使導(dǎo)電層的表面電阻率達(dá)到102～1012Ω/□，較好為104～1010Ω/□，更好為104～108Ω/□的要求來(lái)添加導(dǎo)電性填料。其添加量因炭黑的種類(lèi)不同而有所不同，一般為100重量份熱塑性樹(shù)脂，添加約5～50重量份。
導(dǎo)電層的表面電阻率必須低于表面層。
(表面層)表面層具有高于導(dǎo)電層的表面電阻率。表面層的表面電阻率可以在109～1014Ω/□的范圍內(nèi)，也可以高于前述范圍。
較好的是表面層中含有樹(shù)脂。例如可以通過(guò)多層共擠成形法、涂布法、層壓法等公知的方法將含有防帶電劑的樹(shù)脂層疊于導(dǎo)電層的表面形成表面層。
防帶電劑例如有硅系化合物防帶電劑，具有磺酸基的化合物系等表面活性劑，含親水性和離子性基團(tuán)的乙烯系共聚物及聚醚酰胺系共聚物這類(lèi)高分子型防帶電劑。若表面電阻率在109～1014Ω/□的范圍內(nèi)，也可以用高分子型防帶電劑，或聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚丙烯腈、聚周萘(polyperinaphthalene)、聚乙炔等導(dǎo)電性樹(shù)脂形成表面層?；蛘咭部梢允箻?shù)脂含有導(dǎo)電性填料。
用作表面層的樹(shù)脂也可以采用熱塑性樹(shù)脂。例如可以采用以通用的聚苯乙烯樹(shù)脂(GPPS)或耐沖擊性聚苯乙烯樹(shù)脂(HIPS)或它們的混合物為主成分的聚苯乙烯系樹(shù)脂；以主體為乙烯或丙烯的均聚物及乙烯或丙烯的共聚物等為主成分的聚烯烴系樹(shù)脂；聚碳酸酯樹(shù)脂；以主體為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三種成分的共聚物為主成分的ABS系樹(shù)脂；以聚丙烯酸和聚甲基丙烯酸酯等聚丙烯酸酯為主成分的丙烯酸系樹(shù)脂；以6-尼龍等聚酰胺為主成分的聚酰胺系樹(shù)脂；以聚酯為主成分的聚酯系樹(shù)脂；以聚氨酯為主成分的聚氨酯系樹(shù)脂和它們的合金系樹(shù)脂。
較好的是表面層和內(nèi)裝的電子元件的帶電列相近似。因?yàn)樵谶@種情況下，能夠減少因和電子元件容器的摩擦而在電子元件產(chǎn)生的電荷的量。其結(jié)果是，能夠較好地適用于對(duì)靜電破壞敏感的電子元件，例如IC等。
作為測(cè)定帶電列的手段有如下的方法，即如圖1所示，制作由和表面層相同組成的薄膜構(gòu)成的傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面。用離子化空氣或醇、丙酮等水溶性有機(jī)溶劑除去薄膜上的電荷后，將用離子化空氣或醇、丙酮等水溶性有機(jī)溶劑除去電荷后的IC從斜面上部滑落，用法拉第屏障測(cè)定產(chǎn)生于IC的電荷量。這時(shí)，如果產(chǎn)生于IC的電荷量的絕對(duì)值在1nC以下，則可以說(shuō)構(gòu)成斜面的薄膜和IC的帶電列相近似。該電荷量的絕對(duì)值越小越好。
作為構(gòu)成表面層的樹(shù)脂，比較理想的是由丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯的混合物構(gòu)成的熱塑性樹(shù)脂合金，因?yàn)樵摕崴苄詷?shù)脂合金能夠很容易地調(diào)整帶電列。丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯能夠很容易地進(jìn)行混合。此外，由于兩樹(shù)脂的帶電列相差大，因此通過(guò)改變其混合比例，能夠獲得具有不同帶電列的樹(shù)脂組合物。
烯烴系聚合物和芳族乙烯基聚合物的混合物、聚碳酸酯和丙烯腈和芳族乙烯基化合物系聚合物的共聚物的混合物也是同樣，能夠通過(guò)改變含有成分的比例來(lái)調(diào)整帶電列。此外，還可采用以烯烴系聚合物為主鏈、芳族乙烯基化合物系聚合物與其接枝而成的樹(shù)脂，或與前述相反的以芳族乙烯基化合物系聚合物為主鏈、烯烴系聚合物與其接枝而成的聚合物。
(基材層)基材層由單層或多層的熱塑性樹(shù)脂形成。也可以在熱塑性樹(shù)脂中添加各種填料、增強(qiáng)劑、重整劑、增塑劑、防氧化劑等加工助劑。基材層的熱塑性樹(shù)脂可使用聚苯乙烯系樹(shù)脂、聚烯烴系樹(shù)脂、聚碳酸酯系樹(shù)脂、ABS系樹(shù)脂、聚酯系樹(shù)脂、聚苯醚系樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂、聚酰胺系樹(shù)脂、聚氨酯系樹(shù)脂和它們的合金系樹(shù)脂。
(厚度)片材或電子元件包裝容器的厚度較好為0.1～5mm。在表面層的表面電阻率超過(guò)1014Ω/□時(shí)，表面層的厚度較好為20μm以下，更好為10μm以下。表面層的表面電阻率在1014Ω/□以下時(shí)，對(duì)面層的厚度沒(méi)有特別的限定，但較好在200μm以下，更好在100μm以下。除了表面層、導(dǎo)電層之外還設(shè)置基材層時(shí)，基材層的厚度最好占導(dǎo)電層和基材層的總厚度的20％以上。
(制造方法)在本發(fā)明中，對(duì)片材的制造方法沒(méi)有特別的限定。例如，能夠采用下述方法制造片材，即，將形成表面層、導(dǎo)電層的熱塑性樹(shù)脂和導(dǎo)電填料、防帶電劑或?qū)щ娦詷?shù)脂的混合物分別用雙軸擠壓機(jī)、連續(xù)混煉機(jī)等各種混煉機(jī)進(jìn)行混煉，使其顆?；?。然后，使用多臺(tái)擠壓機(jī)對(duì)該顆粒分別供給基材層和導(dǎo)電層、表面層的樹(shù)脂，通過(guò)一次復(fù)合(feed block)法或多支管(multi-manifold)法等多層共擠壓成形法形成層疊片材。
此外，還可以采用向已用擠壓機(jī)成膜的基材層依次涂布、層壓導(dǎo)電層和表面層的方法，或采用向已用擠壓機(jī)成膜的導(dǎo)電層片涂布、層壓表面層的方法來(lái)制造片材。
(用途)片材可以用于電子元件包裝容器。電子元件包裝容器是指IC、LED、電阻、電容器、電感器、晶體管、二極管等電子元件的容器。特別適用于易受靜電破壞的IC。通過(guò)將片材真空成形、加壓成形、熱板成形，可以制造真空成形托盤(pán)、裝運(yùn)管、載帶(壓紋帶)等包裝形態(tài)的電子元件包裝容器。
實(shí)施例1按每100重量份HIPS(HI-E4、東洋苯乙烯株式會(huì)社)24重量份乙炔黑(DENKA BLACK粒子、電化學(xué)工業(yè))的比例稱量原料，使用高速混煉機(jī)進(jìn)行均勻混合后，再使用φ45mm曲軸式雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，采用切粒(strand cut)法進(jìn)行顆?；@得了構(gòu)成導(dǎo)電層的樹(shù)脂組合物。
基材層使用ABS樹(shù)脂(GR-2000、電化學(xué)工業(yè))，通過(guò)使用了φ65mm擠壓機(jī)(L/D＝28)和T模的一次復(fù)合法進(jìn)行層疊，獲得了總厚度為0.3mm的導(dǎo)電層/基材層/表面層的三層片材。該三層片材中的導(dǎo)電層的表面電阻率為1.5×106Ω/□。
在該片材的一面用凹版涂敷機(jī)涂布以聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)為主成分的溶解性導(dǎo)電性樹(shù)脂(溶劑水/醇)作為表面層，使其厚度為4μm，獲得表面層/導(dǎo)電層/基材層/導(dǎo)電層的四層片材。該表面層的表面電阻率為7.4×106Ω/□。表面電阻率的測(cè)定使用了SIMCO株式會(huì)社制ST-3表面電阻率測(cè)定儀。
實(shí)施例2按每100重量份HIPS(HI-E4、東洋苯乙烯株式會(huì)社司)24重量份乙炔黑(DENKA BLACK粒子、電化學(xué)工業(yè))的比例稱量原料，使用高速混煉機(jī)進(jìn)行均勻混合后，再使用φ45mm曲軸式雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，然后采用切粒法進(jìn)行顆粒化，獲得了構(gòu)成導(dǎo)電層的樹(shù)脂組合物。
表面層使用APT-3010(混有防帶電劑的樹(shù)脂，電化學(xué)工業(yè))，通過(guò)使用了φ65mm擠壓機(jī)(L/D＝28)和T模的一次復(fù)合法進(jìn)行層疊，獲得了總厚度為0.3mm、各層的厚度比為90∶120∶90的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層片材。該三層片材中的導(dǎo)電層的表面電阻率為1.5×106Ω/□，表面層的表面電阻率為6.4×1010Ω/□。
用真空?qǐng)A筒成形機(jī)將實(shí)施例1～2的片材制作成載帶，使表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)上，在振幅50mm、頻率450rpm的條件下使其振動(dòng)1小時(shí)，然后靜置24小時(shí)，其后確認(rèn)IC因靜電引起的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為在100個(gè)樣品中都沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
實(shí)施例3～5分別稱量炭黑15重量份和耐沖擊性苯乙烯樹(shù)脂85重量份作為原料，使用高速混合機(jī)進(jìn)行均勻混合后，使用φ45mm曲軸式雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，再采用切粒法進(jìn)行顆?；@得了導(dǎo)電性樹(shù)脂組合物。利用φ40mm擠壓機(jī)(L/D＝26)將該導(dǎo)電性樹(shù)脂組合物制成了厚度為300μm的片材。測(cè)定該片材的表面電阻率，得到了導(dǎo)電層的表面電阻率。
使用涂布棒在上述片材的一面涂布丙烯酸樹(shù)脂，并使其厚度分別為2、5、10μm，對(duì)涂布面進(jìn)行了靜電衰減、碳脫離的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。確認(rèn)了各實(shí)施例都具有防帶電效果，無(wú)碳脫離。
表1

比較例1和2和實(shí)施例1～5同樣，分別稱量炭黑15重量份和耐沖擊性苯乙烯樹(shù)脂85重量份作為原料，使用高速混合機(jī)進(jìn)行均勻混合后，使用φ45mm曲軸式雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，再采用切粒法進(jìn)行顆?；?，獲得導(dǎo)電性樹(shù)脂組合物。然后，利用φ40mm擠壓機(jī)(L/D＝26)將該導(dǎo)電性樹(shù)脂組合物制成厚度為300μm的片材。測(cè)定該片材的表面電阻率，作為導(dǎo)電層的表面電阻率。
直接用該片材，使用涂布棒在上述片材的一面涂布丙烯酸樹(shù)脂，使其厚度都為25μm，再進(jìn)行靜電衰減、碳脫離的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。沒(méi)有涂布丙烯酸樹(shù)脂的樣品確認(rèn)存在碳脫離，而涂布了厚度為25μm的丙烯酸樹(shù)脂的樣品無(wú)足夠的防帶電效果。
表2

(評(píng)價(jià)方法)靜電衰減按照FTMS-101C進(jìn)行，對(duì)樣品施加5000V電壓后，測(cè)定電位差達(dá)到2500V(50％)、500V(10％)、0V(0％)的時(shí)間。
有無(wú)碳脫離通過(guò)以15mm的行程使QFP14mm×20mm/64pin的IC在各片材和平板樣品的表面往返100次，其后用顯微鏡觀察IC的引線部，以引線部有無(wú)炭黑等黑色物體為指標(biāo)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
(表面層為和電子元件帶電列相近的組成的實(shí)施例)在以下的實(shí)施例中，表面層使用了具有和電子元件相近的帶電列的組合物。帶電電荷量使用Electro-Tech System公司的毫微庫(kù)侖測(cè)定儀和法拉第屏障，測(cè)定電子元件的帶電電荷量。電離器使用了SIMCO公司的AEROSTATPC。振蕩機(jī)使用了東京理科器械株式會(huì)社的Cute Mixer。
實(shí)施例6分別稱量20重量份炭黑(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份HIPS(東洋苯乙烯制商品名TOYO STYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系彈性體(JSR制商品名TR2003)作為原料，用轉(zhuǎn)鼓均勻混合后，用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，再用造粒機(jī)造粒，制得了形成導(dǎo)電層的混合物料A。將該混合物料A用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了0.2mm厚的片材。該片材的表面電阻率為104Ω/□。
另外，將1，1-二氟乙烯聚合物(KYNAR株式會(huì)社制商品名720)75重量份、作為丙烯酸酯系聚合物的聚甲基丙烯酸甲酯(三菱Rayon株式會(huì)社制商品名ACRYPET G)25重量份用轉(zhuǎn)鼓混合，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行熔融混煉擠壓，制得了作為形成表面層的樹(shù)脂的混合物料B。將該混合物料B用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了30μm厚的薄膜。
如圖1所示，將薄膜貼附于傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面上，在薄膜表面噴射離子化空氣，除去薄膜電荷。然后，同樣用離子化空氣除去作為電子元件的IC(MQFP型28mm見(jiàn)方)的電荷后，使其滑落，測(cè)定IC的帶電電荷量，結(jié)果為0.02nC。
采用一次復(fù)合法，將混合物料A和混合物料B用兩臺(tái)φ45mm擠壓機(jī)層疊后，從T模擠出，制得了總厚為0.3mm、片材兩面的由混合物料B構(gòu)成的表面層厚度為15μm的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層結(jié)構(gòu)的片材。該片材的表面電阻率在1012Ω/□以上。
用真空成形機(jī)制成載帶形狀，使該片材的表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接觸。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振蕩機(jī)上后，以700rpm振蕩1小時(shí)。然后用開(kāi)路短路測(cè)試儀(東京電子交易株式會(huì)社制)確認(rèn)了IC的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
實(shí)施例7分別稱量20重量份炭黑(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份高沖擊強(qiáng)度的聚苯乙烯(東洋苯乙烯制商品名TOYOSTYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系彈性體(JSR制商品名TR2003)作為原料，用轉(zhuǎn)鼓均勻混合后，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，用造粒機(jī)造粒，制得了形成導(dǎo)電層的混合物料A。將該混合物料A用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了0.2mm厚的片材。該片材的表面電阻率為104Ω/□。
另外，將ABS樹(shù)脂(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ABS)85重量份、持續(xù)性防帶電劑(三洋化成株式會(huì)社制商品名PELESTAT NC6321)15重量份用轉(zhuǎn)鼓混合，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行熔融混煉擠壓，制得了作為形成表面層的樹(shù)脂的混合物料C。將該混合物料C用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了30μm厚的薄膜。如圖1所示，將薄膜貼附于傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面上，在薄膜表面噴射離子化空氣以除去薄膜電荷。然后，同樣用離子化空氣除去作為電子元件的IC(MQFP型28mm見(jiàn)方)的電荷后，使其滑落，測(cè)定IC的帶電電荷量，結(jié)果為-0.16nC。
采用一次復(fù)合法將混合物料A和混合物料C用兩臺(tái)φ45mm擠壓機(jī)層疊后，從T模擠出，制得了總厚為0.3mm、片材兩面的由混合物料C構(gòu)成的表面層厚度為15μm的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層結(jié)構(gòu)的片材。該片材的表面層的表面電阻率為1011Ω/□。
用真空成形機(jī)制成載帶形狀，使該片材的表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接觸。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振蕩機(jī)上后，以700rpm振蕩1小時(shí)。然后用開(kāi)路短路測(cè)試儀(東京電子交易株式會(huì)社制)確認(rèn)了IC的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
實(shí)施例8分別稱量22重量份炭黑(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、78重量份低密度聚苯乙烯(日本Polychem制商品名NOVATECLC621)作為原料，用轉(zhuǎn)鼓均勻混合后，用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，再用造粒機(jī)造粒，制得了形成導(dǎo)電層的混合物料D。將該混合物料D用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了0.25mm厚的片材。該片材的表面電阻率為105Ω/□。
另外，將低密度聚苯乙烯(日本Polychem制商品名NOVATEC LC621)83重量份、持續(xù)性防帶電劑(三洋化成公司制商品名PELESTAT 300)17重量份用轉(zhuǎn)鼓混合，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行熔融混煉擠出，制得了作為構(gòu)成表面層的樹(shù)脂的混合物料E。將該混合物料E用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了30μm厚的薄膜。如圖1所示，將薄膜貼附于傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面上，在薄膜表面噴射離子化空氣，除去薄膜電荷。然后同樣用離子化空氣除去作為電子元件的IC(MQFP型28mm見(jiàn)方)的電荷后，使其滑落，測(cè)定IC的帶電電荷量，結(jié)果為-0.39nC。
采用一次復(fù)合法，將混合物料D和混合物料E用兩臺(tái)φ45mm擠壓機(jī)層疊后，從T模擠出，制得了總厚為0.3mm、片材兩面的由混合物料E構(gòu)成的表面層厚度為20μm的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層結(jié)構(gòu)的片材。該片材的表面層的表面電阻率為1010Ω/□。
用真空成形機(jī)制成載帶形狀，使該片材的表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接觸。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振蕩機(jī)上后，以700rpm振蕩1小時(shí)。然后用開(kāi)路短路測(cè)試儀(東京電子交易株式會(huì)社制)確認(rèn)了IC的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
實(shí)施例9分別稱量22重量份炭黑(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、78重量份聚碳酸酯樹(shù)脂(帝人化成制商品名Panlite L1225)作為原料，用轉(zhuǎn)鼓均勻混合后，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，然后用造粒機(jī)造粒，制得了形成導(dǎo)電層的混合物料F。將該混合物料F用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了0.25mm厚的片材。該片材的表面電阻率為105Ω/□。
另外，將聚碳酸酯樹(shù)脂(帝人化成制商品名Panlite L1225)25重量份、ABS樹(shù)脂(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ABS)75重量份用轉(zhuǎn)鼓混合，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行熔融混煉擠出，制得了作為構(gòu)成表面層的樹(shù)脂的混合物料E。將該混合物料G用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了25μm厚的薄膜。如圖1所示，將薄膜貼附于傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面上，在薄膜表面噴射離子化空氣，除去薄膜電荷。然后同樣用離子化空氣除去作為電子元件的IC(MQFP型28mm見(jiàn)方)的電荷后，使其滑落，測(cè)定IC的帶電電荷量，結(jié)果為0.19nC。
將混合物料F和混合物料G用兩臺(tái)φ45mm擠壓機(jī)從多支管模擠出，制得了總厚為0.3mm、片材兩面的由混合物料G構(gòu)成的表面層厚度為20μm的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層結(jié)構(gòu)的片材。該片材的表面層的表面電阻率為1012Ω/□以上。
用真空成形機(jī)制成載帶形狀，使該片材的表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接觸。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振蕩機(jī)上后，以700rpm振蕩1小時(shí)。然后用開(kāi)路短路測(cè)試儀(東京電子交易株式會(huì)社制)確認(rèn)了IC的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
實(shí)施例10分別稱量20重量份炭黑(電化學(xué)工業(yè)制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份高沖擊強(qiáng)度的聚苯乙烯(東洋苯乙烯制商品名TOYOSTYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系彈性體(JSR制商品名TR2003)作為原料，用轉(zhuǎn)鼓均勻混合后，再用池貝機(jī)械株式會(huì)社的φ45mm同向旋轉(zhuǎn)型雙軸擠壓機(jī)進(jìn)行混煉，用造粒機(jī)造粒，制得了形成導(dǎo)電層的混合物料A。將該混合物料A用單軸擠壓機(jī)再次進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了0.25mm厚的片材。該片材的表面電阻率為104Ω/□。
另外，構(gòu)成表面層的樹(shù)脂使用以聚乙烯為主鏈、聚苯乙烯為支鏈的接枝共聚樹(shù)脂(日本油脂制商品名MODIPER A1100)。將該構(gòu)成表面層的樹(shù)脂H用單軸擠壓機(jī)進(jìn)行熔融混煉，用T模制成了25μm厚的薄膜。如圖1所示，將薄膜貼附于傾角30度、斜面長(zhǎng)30cm的斜面上，在薄膜表面噴射離子化空氣，除去薄膜電荷。然后同樣用離子化空氣除去作為電子元件的IC(MQFP型28mm見(jiàn)方)的電荷后，使其滑落，測(cè)定IC的帶電電荷量，結(jié)果為0.24nC。
將混合物料A和混合物料H用兩臺(tái)φ45mm擠壓機(jī)從多支管模擠出，制得了總厚為0.3mm、片材兩面的由混合物料H構(gòu)成的表面層厚度為10μm的表面層/導(dǎo)電層/表面層的三層結(jié)構(gòu)的片材。該片材的表面層的表面電阻率為1012Ω/□以上。
用真空成形機(jī)制成載帶形狀，使該片材的表面層與內(nèi)側(cè)、即IC相接觸。在該包裝內(nèi)裝入作為內(nèi)裝物的IC，安裝在振蕩機(jī)上后，以700rpm振蕩1小時(shí)。然后用開(kāi)路短路測(cè)試儀(東京電子交易株式會(huì)社制)確認(rèn)了IC的破損狀況。該評(píng)價(jià)結(jié)果為沒(méi)有發(fā)現(xiàn)IC有損壞。
比較例3作為與實(shí)施例6、7的比較，除了表面層使用炭黑22重量份、高沖擊強(qiáng)度的聚苯乙烯78重量份和苯乙烯系彈性體10重量份的組合物，形成表面層的表面電阻率為104Ω/□的樹(shù)脂以外，采用同樣的步驟進(jìn)行操作。結(jié)果示于表2，用開(kāi)路短路測(cè)試儀確認(rèn)了IC的破壞狀況，結(jié)果是發(fā)生了IC的損壞。
表3

表3所用的縮寫(xiě)符號(hào)的含義如下所示。CB炭黑，HIPS高沖擊強(qiáng)度的聚苯乙烯，PC聚碳酸酯，SE苯乙烯系彈性體，LDPE低密度聚苯乙烯，ASA持續(xù)性防帶電劑，PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，PVDF聚偏1，1-二氟乙烯，PE-PS以聚乙烯為主鏈、聚苯乙烯為支鏈的接枝聚合物。
產(chǎn)業(yè)上利用的可行性采用本發(fā)明，能夠利用IC等的電子元件包裝容器，如注射成形托盤(pán)、真空成形托盤(pán)、料盒、載帶(壓紋帶)等，有效地保護(hù)電子元件免受靜電破壞，該靜電破壞是由在運(yùn)輸、貯存電子元件的過(guò)程中所產(chǎn)生的靜電引起的。采用本發(fā)明，對(duì)防止高度集成化、配線微細(xì)化的極易被靜電破壞的電子元件受到靜電損傷具有非常好的效果。
權(quán)利要求
1.片材，其特征在于，具有表面電阻率為102～1012Ω/□的含有熱塑性樹(shù)脂和導(dǎo)電性填料的導(dǎo)電層，以及位于該導(dǎo)電層的兩面或單面的表面電阻率為109～1014Ω/□的表面層，且表面層的表面電阻率高于導(dǎo)電層的表面電阻率。
2.片材，其特征在于，具有表面電阻率為102～1012Ω/□的含有熱塑性樹(shù)脂和導(dǎo)電性填料的導(dǎo)電層，以及位于該導(dǎo)電層的兩面或單面的厚度為20μm以下的含有熱塑性樹(shù)脂的表面層，且表面層的表面電阻率高于導(dǎo)電層的表面電阻率。
3.如權(quán)利要求1或2所述的片材，其特征還在于，具有在導(dǎo)電層上還層疊了基材層的表面層/導(dǎo)電層/基材層的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的片材，其特征還在于，具有在導(dǎo)電層上還層疊了基材層的表面層/導(dǎo)電層/基材層/導(dǎo)電層/表面層的結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的片材，其特征還在于，表面層由帶電列與使用了該表面層的片材所內(nèi)裝的電子元件的帶電列相近的材質(zhì)形成。
6.如權(quán)利要求5所述的片材，其特征還在于，表面層含有丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯。
7.如權(quán)利要求5所述的片材，其特征還在于，表面層含有烯烴系聚合物和芳族乙烯基化合物系聚合物。
8.如權(quán)利要求5所述的片材，其特征還在于，表面層含有聚碳酸酯、丙烯腈和芳族乙烯基化合物的共聚物。
9.電子元件包裝容器，其特征在于，使用了權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的片材。
10.載帶，其特征在于，使用了權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的片材。
全文摘要
為了防止電子元件的靜電破壞，使與電子元件相接的容器的表面層具有較高的表面電阻率，在其下層疊導(dǎo)電性高于其的層，使表面層的表面電阻率高于其下的層。采用具有這種結(jié)構(gòu)的電子元件包裝容器，電子元件所帶有的靜電不會(huì)從電子元件向電子元件包裝容器表面快速地放電，而是緩慢地放電，這樣能夠防止靜電破壞。表面層最好由與電子元件的帶電列相近的材質(zhì)形成。
文檔編號(hào)B32B7/02GK1628027SQ028291
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2002年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月14日
發(fā)明者小田稔, 荻田勝久, 宮川健志, 藤村徹夫, 清水美基雄 申請(qǐng)人:電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社