專利名稱：絕熱－保溫性玻璃嵌板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于建筑物的窗戶玻璃等并具有最佳的絕熱性和保溫性的絕熱-保溫性玻璃嵌板。
背景技術(shù)：
最近，開發(fā)了不僅具有保溫性能、同時還具有絕熱性能的玻璃嵌板。例如，使用了下述的玻璃嵌板該玻璃嵌板具有有色吸熱玻璃、透明類玻璃、低輻射率透明層積體，并且所述有色吸熱玻璃配置于室外一側(cè)，所述透明類玻璃配置于室內(nèi)一側(cè)；所述透明類玻璃隔著間隔物與所述有色吸熱玻璃對向配置從而在二者之間形成中空層；所述低輻射率透明層積體形成于有色吸熱玻璃的內(nèi)側(cè)玻璃面上(例如，參照日本專利第2882728號公報)。
進一步，作為形成于配置在室外一側(cè)的有色吸熱玻璃的中空層一側(cè)玻璃面上的低輻射率透明層積體，公開了具有日照保溫性、高絕熱性結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體(例如，參照特開昭63-30212號公報、特開昭63-134232號公報和特開昭63-239044號公報。)。
在玻璃面的上面，層積合計為(2n+1)層的電介質(zhì)層和金屬層來構(gòu)成該低輻射率透明層積體，進一步，在該低輻射率透明層積體的最上層形成保護層。此外已知，作為該電介質(zhì)層，ZnO在成膜速度方面優(yōu)異，作為金屬層，Ag在熱線反射功能方面優(yōu)異。
進一步，作為保護層，已知有SiNx、TiO2或SiAlOxNy(硅鋁氧氮聚合材料)等。
對于上述低輻射率透明層積體，金屬層由于空氣中的水分、氧、氯等引起電子移動，因而產(chǎn)生腐蝕的問題。對于該問題，本申請人已經(jīng)知道上述空氣中的水分等會透過金屬層上層的金屬氧化物層(電介質(zhì)層)到達金屬層，并已提出為了防止上述腐蝕并提高層積體的耐久性，應(yīng)使構(gòu)成金屬氧化物層的晶粒的平均晶粒尺寸小于等于20nm來使金屬氧化物層致密化，從而防止水分透過金屬氧化物層(例如，參照特開平9-71441號公報)。
進一步，本申請人已提出了低輻射率透明層積體，其中，電介質(zhì)層被非晶態(tài)層所分離，提高了金屬層(Ag)的耐久性(例如，參照特開2002-173343號公報)。
但是，在中空層一側(cè)玻璃面上形成上述低輻射率透明層積體時，由于該玻璃嵌板的制造中的熱處理，該低輻射率透明層積體處于蒸烤的狀態(tài)，該低輻射率透明層積體中的金屬層(Ag)發(fā)生電子移動而被腐蝕，因而具有保溫性降低的問題。
本發(fā)明是鑒于上述問題提出的。本發(fā)明的目的在于，提供絕熱-保溫性玻璃嵌板，所述絕熱-保溫性玻璃嵌板在制造中即使實施了熱處理也可以維持保溫性。

發(fā)明內(nèi)容
為了達成上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了絕熱-保溫性玻璃嵌板，所述絕熱-保溫性玻璃嵌板具有一對玻璃板和外周密閉部，所述一對玻璃板借助于柱狀物隔著規(guī)定的間隔進行配置從而在中間形成中空層，所述外周密閉部在上述一對玻璃板的周邊部氣密性地密閉上述中空層，其中，在玻璃板的與上述中空層相對的面上，形成層積了電介質(zhì)層和金屬層的低輻射率透明層積體，上述電介質(zhì)層被非晶態(tài)層在膜的厚度方向所分隔，上述金屬層含有Ag和Pd。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體優(yōu)選在該層積體與上述中空層和上述外周密閉部相接的最上層具有SiO2層。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體優(yōu)選在該層積體與上述玻璃板的面相接的最下層具有SiO2層。
本發(fā)明中，被上述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層優(yōu)選是含有金屬的氧化物層，所述金屬選自由Zn、Sn、Ti、In、Bi組成的組的至少1種。
本發(fā)明中，被上述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層優(yōu)選是以氧化鋅為主成分的層。
本發(fā)明中，以距離上述玻璃板最近的金屬層作為基準，則優(yōu)選被上述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層中的至少1層位于與上述玻璃板相對的一側(cè)。
本發(fā)明中，優(yōu)選上述金屬層為1層，以該金屬層為基準，被上述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層位于與上述玻璃板相對的一側(cè)。
本發(fā)明中，優(yōu)選上述金屬層至少設(shè)置2層，以距離上述玻璃板最遠的金屬層作為基準，則被上述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層中的至少1層位于上述玻璃板的一側(cè)。
本發(fā)明中，上述非晶態(tài)層優(yōu)選含有選自由氮化物、氧氮化物、非晶態(tài)氧化物組成的組中的至少1種。
本發(fā)明中，上述氮化物層所含有的氮化物優(yōu)選含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
本發(fā)明中，上述氧氮化物層所含有的氧氮化物優(yōu)選含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
本發(fā)明中，上述非晶態(tài)氧化物層所含有的非晶態(tài)氧化物優(yōu)選含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體中的與上述中空層和上述外周密閉部相接的最上層優(yōu)選為含有氮化物、氧氮化物或非晶態(tài)氧化物的保護層，所述氮化物、氧氮化物、非晶態(tài)氧化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
本發(fā)明中，上述非晶態(tài)層的膜的厚度優(yōu)選為3nm～30nm。
本發(fā)明中，上述非晶態(tài)層的膜的厚度優(yōu)選為5nm～20nm。
本發(fā)明中，優(yōu)選至少1層上述非晶態(tài)層含有氮化硅。
本發(fā)明中，優(yōu)選上述電介質(zhì)層全部是以氧化鋅為主成分的層。
本發(fā)明中，優(yōu)選上述低輻射率透明層積體具有多層上述電介質(zhì)層；在該多層電介質(zhì)層之間具有上述金屬層；在上述金屬層和上述電介質(zhì)層的界面中，在距離上述玻璃板遠的界面上，插入防止上述金屬層在成膜時老化的犧牲層。
本發(fā)明中，上述犧牲層優(yōu)選含有含Ti的氧化物。
本發(fā)明中，上述犧牲層優(yōu)選含有含Nb的氧化物。
本發(fā)明中，上述金屬層優(yōu)選以Ag為主成分。
本發(fā)明中，對于上述低輻射率透明層積體，在使用CuKα線得到的X線衍射峰中，優(yōu)選最大值處于32°≤2θ(衍射角)≤35°的峰的積分寬度βi為0.43～1.20。
本發(fā)明中，上述積分寬度βi優(yōu)選為0.50～1.20。
本發(fā)明中，最大值處于32°≤2θ(衍射角)≤35°的峰優(yōu)選是基于氧化鋅的(002)衍射線的峰。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體優(yōu)選包括第1電介質(zhì)層、金屬層、犧牲層、第2電介質(zhì)層、第1非晶態(tài)層、第3電介質(zhì)層、第2非晶態(tài)層、第4電介質(zhì)層、第3非晶態(tài)層；所述第1電介質(zhì)層是在上述玻璃板的面上形成的含Zn的氧化物層；所述金屬層形成于上述第1電介質(zhì)層上面且含有Ag和Pd；所述犧牲層是形成于上述金屬層上面的含Nb的氧化物層；所述第2電介質(zhì)層是形成于上述犧牲層上面的含有Zn的氧化物層；所述第1非晶態(tài)層形成于上述第2電介質(zhì)層上面且含有氮化硅；所述第3電介質(zhì)層是形成于上述第1非晶態(tài)層上面的含有Zn的氧化物層；所述第2非晶態(tài)層形成于上述第3電介質(zhì)層上面且含有氮化硅；所述第4電介質(zhì)層是形成于上述第2非晶態(tài)層上面的含有Zn的氧化物層；所述第3非晶態(tài)層形成于上述第4電介質(zhì)層上面且含有氮化硅。
本發(fā)明中，優(yōu)選上述第1電介質(zhì)層、上述金屬層、上述犧牲層、上述第2電介質(zhì)層、上述第1非晶態(tài)層、上述第3電介質(zhì)層、上述第2非晶態(tài)層、上述第4電介質(zhì)層、以及上述第3非晶態(tài)層的膜的厚度分別為25nm～30nm、10nm～20nm、1nm～10nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體優(yōu)選在該層積體與上述中空層和上述外周密閉部相接的最上層具有SiO2層。
本發(fā)明中，上述低輻射率透明層積體優(yōu)選在該層積體與上述玻璃板的面相接的最下層具有SiO2層。


圖1是本發(fā)明的實施方式涉及的絕熱-保溫性玻璃嵌板的立體圖。
圖2圖1中沿II-II線的剖面圖。
圖3是圖1中的低輻射率透明層積體的剖面圖。
圖4是圖3中的低輻射率透明層積體的第1變形例的剖面圖。
圖5是圖3中的低輻射率透明層積體的第2變形例的剖面圖。
圖6是圖5中的低輻射率透明層積體的變形例的剖面圖。
圖7是圖3中的低輻射率透明層積體的第3變形例的剖面圖。
圖8是圖7中的低輻射率透明層積體的變形例的剖面圖。
圖9是圖7中的低輻射率透明層積體的第2變形例的剖面圖。
圖10是圖9中的低輻射率透明層積體的變形例的剖面圖。
圖11是圖7中的低輻射率透明層積體的第3變形例的剖面圖。
圖12是圖11中的低輻射率透明層積體的變形例的剖面圖。
圖13是被非晶態(tài)層在膜的厚度方向分隔的電介質(zhì)層的示意圖。
圖14是為了形成低輻射率透明體而使用的濺射裝置的簡單結(jié)構(gòu)圖。
圖15是說明結(jié)晶取向性的X線衍射圖。
具體實施例方式
下文，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
圖1是本發(fā)明的實施方式涉及的絕熱-保溫性玻璃嵌板的立體圖。
圖1中，絕熱-保溫性玻璃嵌板1包括一對玻璃板11和12、以及柱狀物15；所述一對玻璃板11和12的外周邊部通過在較低溫度下流動化的密封框13氣密性地接合在一起，從而使所述一對玻璃板11和12互相以其一側(cè)的面彼此對向，在該一對玻璃板11和12之間形成有中空層14；所述柱狀物15大致為圓柱狀的間隔物，作為大氣壓支撐部件插入中空層14內(nèi)，其決定玻璃板11和玻璃板12的間隔。
圖2是圖1沿II-II線的剖面圖。
圖2中，玻璃板11和12由浮法玻璃板構(gòu)成，其厚度在2mm～10mm之間任意設(shè)定，優(yōu)選在2.5mm～8mm之間任意設(shè)定。為使中空層14內(nèi)為減壓狀態(tài)，在由密封框13形成的密封面的內(nèi)側(cè)的任意位置，于玻璃板12上形成貫通孔16，在貫通孔16中插入玻璃管18，用規(guī)定的方法密封其接觸部位。此外，用規(guī)定的方法密閉玻璃管18在大氣一側(cè)的端部。
為了得到高的絕熱性能，通過濺射法用輻射率小于等于0.1的低輻射率透明層積體17覆蓋玻璃板11的確定中空層14的面11a和玻璃板12的確定中空層14的面12a。
下文對圖1的絕熱-保溫性玻璃嵌板1的制造方法進行說明。
首先準備具有規(guī)定厚度的浮法玻璃板，將該浮法玻璃板切割成規(guī)定的尺寸來制造玻璃板11和玻璃板12，其中玻璃板12與玻璃板11相比只是其規(guī)定尺寸較小。接著，在該玻璃板12上加工貫通孔16。
接著，通過濺射法將低輻射率透明層積體17覆蓋在玻璃板11的面11a和玻璃板12的面12a上。該低輻射率透明層積體17也可以只覆蓋玻璃板11和12中的任意一個。然后水平配置玻璃板11，使由低輻射率層積體17覆蓋的面朝上，將柱狀物15以在水平方向上具有規(guī)定的間隔的方式配置于該玻璃板11上。接著，隔著柱狀物15在玻璃板11上平穩(wěn)地重疊玻璃板12從而使面12a與柱狀物15相接。然后，在形成密封框13的工序中，優(yōu)選在玻璃板12上裝載重物以使柱狀物15不移動。
在上述重疊的玻璃板11和12上裝載上述重物的狀態(tài)，沿著其一的玻璃板12的外周邊涂布漿狀的由低熔點玻璃材料形成的密封框13來制造玻璃組裝體。此時，由于面11a和12a被低輻射率的透明層積體17所覆蓋，因此低輻射率透明層積體17在玻璃板11和12的外周邊與密封框13相接。然后，將制成的玻璃組裝體全體在加熱爐中加熱至500℃，構(gòu)成密封框13的低熔點玻璃材料被熔化。接著，將加熱爐內(nèi)的溫度以1℃/min～20℃/min的降溫速度降至室溫來冷卻玻璃組裝體，通過固化了的密封框13將兩玻璃板11和12的外周部分之間密封來形成中空層14。此外，密封上述玻璃11和12的同時，將玻璃管18插入玻璃板12上預(yù)先加工的貫通孔16內(nèi)，密封其接觸部位。
上述冷卻結(jié)束后，通過真空泵安裝用的夾具(沒有圖示)，將真空泵(沒有圖示)安裝在玻璃管18上，一邊將玻璃板11和12的全體加熱至150℃一邊利用真空泵對中空層14減壓吸氣，將中空層14的內(nèi)部壓力減壓至約10Pa～0.01Pa后，將該玻璃管密封。通過上述工序，制造絕熱-保溫性玻璃嵌板1。
而且，在本發(fā)明的實施方式中，將貫通孔16和玻璃管18設(shè)置在玻璃板12上，通過使用真空泵從玻璃管18減壓吸氣來使中空層14處于減壓狀態(tài)，但是對中空層14減壓的方法不限于此，例如，也可以不在玻璃板12上設(shè)置貫通孔16和玻璃管18，通過在真空環(huán)境下用密封框13密封兩玻璃板11和12的外周部來使中空層14處于減壓狀態(tài)。
此外，在本發(fā)明的實施方式中，在配置有柱狀物15的玻璃板11上重疊玻璃板12，然后，進行密封框13的形成，但是不限于此，也可以在配置有密封框13和柱狀物15的玻璃板11上重疊玻璃板12。
此外，本發(fā)明的實施方式中，將具有由低熔點的玻璃材料形成的密封框13的玻璃組裝體全體在加熱爐內(nèi)加熱至500℃，使構(gòu)成密封框13的低熔點玻璃材料熔化，再將加熱爐內(nèi)的溫度以1℃/min～20℃/min的降溫速度降至室溫來冷卻玻璃組裝體，但是并不限于此，也可以將密封框13加熱至480℃或更高溫度，將玻璃板11和12接合，然后，在隨著構(gòu)成密封框13的低熔點玻璃材料的溫度變化其粘度超過1010帕斯卡秒(Pa·s)之前，持續(xù)對中空層14進行加熱，將低熔點玻璃材料的粘度維持在小于等于1010帕斯卡秒的軟化狀態(tài)，從玻璃管18將加熱至400℃或更高溫度的中空層14內(nèi)的氣體吸氣除去，實施烘烤處理。
此外，在本發(fā)明的實施方式中，使用低熔點玻璃作為密封框13的材料，但是并不限于此，例如，可以使用以銦、鉛、錫或鋅等為主成分的金屬焊料。此時，一邊將玻璃板11和12加熱至200℃，一邊使用超聲波焊料烙鐵(沒有圖示)，將金屬焊料流入玻璃板11和12的周邊部的間隙部分來進行密封，在周邊部全部密封時，以約1℃/分鐘的緩慢速度進行冷卻來形成密封框13。
圖3是圖1中的低輻射率透明層積體層17的剖面圖。
圖3中，低輻射率透明層積體17具有ZnO層31、Ag層(Ag-Pd層)32、ZnO層33、SiNx層34、ZnO層35、SiNx層36；所述ZnO層31為結(jié)晶取向性高的電介質(zhì)層，形成于作為透明基體的玻璃板11、12的上面；所述Ag層(Ag-Pd層)32為金屬層且含有Pd，形成于所述ZnO層31的上面；所述ZnO層33為結(jié)晶取向性高的電介質(zhì)層，形成于所述Ag-Pd層32的上面；所述SiNx層34為非晶態(tài)層，形成于所述ZnO層33的上面；所述ZnO層35為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層34的上面；所述SiNx層36為具有保護功能的保護層，形成于所述ZnO層35的上面。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，作為電介質(zhì)層的ZnO層33、35被作為非晶態(tài)層的SiNx層34在膜的厚度方向上分隔。此外，作為金屬層的Ag-Pd層32含有Ag和Pd。
圖4是圖3的低輻射率透明層積體的第1變形例子的剖面圖。
圖4中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖3中的低輻射率透明層積體17相同，但是不同點在于，其進一步具有形成于作為金屬層的Ag-Pd層32的上面的作為犧牲層的TiOx層41。通過反應(yīng)濺射形成ZnO層33時，該TiOx層41發(fā)揮著特別有效的作用。即，若在Ag-Pd層32上直接形成ZnO層33，則濺射時，Ag-Pd層32中的Ag容易與氧結(jié)合發(fā)生老化。因此，在Ag-Pd層上形成Ti。于是，該Ti與在濺射時產(chǎn)生的氧結(jié)合并生成TiOx，從而防止了Ag與氧的結(jié)合。
圖5是圖3中的低輻射率透明層積體的第2變形例子的剖面圖。
圖5中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖3中的低輻射率透明層積體17相同，但是不同點在于，其進一步具有SiNx層51和ZnO層52；所述SiNx層51為非晶態(tài)層，形成于作為電介質(zhì)層的ZnO層35的上面；所述ZnO層52為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層51的上面。
圖6是圖5中的低輻射率透明層積體的變形例子的剖面圖。
圖6中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖5中的低輻射率透明層積體17相同，但是不同點在于，其進一步具有形成于Ag-Pd層32的上面的作為犧牲層的TiOx層41。
圖7是圖3中的低輻射率透明層積體的第3變形例子的剖面圖。
圖7中，低輻射率透明層積體17具有ZnO層31、Ag-Pd層32、Ag-Pd層71、TiOx層41、TiOx層72、電介質(zhì)70、ZnO層73、SiNx層36；所述ZnO層31為結(jié)晶取向性高的電介質(zhì)層，形成于作為透明基體的玻璃板11、12的上面；所述Ag-Pd層32、Ag-Pd層71為2層金屬層；所述TiOx層41、TiOx層72為犧牲層，分別形成于Ag-Pd層32、71的上面；所述電介質(zhì)70形成于內(nèi)側(cè)(與玻璃板11、12距離近的一側(cè))的TiOx層41的上面；所述ZnO層73為電介質(zhì)層，形成于外側(cè)(與玻璃板11，12距離遠的一側(cè))的TiOx層72的上面；所述SiNx層36為具有保護功能的保護層，形成于所述ZnO層73的上面。
電介質(zhì)70包括3層，具有ZnO層33、SiNx層34、ZnO層35；所述ZnO層33為結(jié)晶取向性高的電介質(zhì)層，形成于內(nèi)側(cè)的Ag-Pd層32一側(cè)；所述SiNx層34為非晶態(tài)層，形成于所述ZnO層33的上面；所述ZnO層35為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層34的上面。
圖8是圖7中的低輻射率透明層積體的變形例子的剖面圖。
圖8中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖7中的低輻射率透明層積體17相同，但是不同點在于，其在Ag-Pd層32、71的上面沒有形成作為犧牲層的TiOx層41、72。
圖9是圖7中的低輻射率透明層積體的第2變形例子的剖面圖。
圖9中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖7中的低輻射率層積體17相同，但是其不同點在于，電介質(zhì)70進一步具有SiNx層91和ZnO層92；所述SiNx層91為形成于ZnO層35的上面的非晶態(tài)層；所述ZnO層92為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層91的上面。
圖10是圖9中的低輻射率透明層積體的變形例子的剖面圖。
圖10中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖9中的低輻射率層積體17相同，但是不同點在于，其在作為金屬層的Ag-Pd層32、71的上面沒有形成作為犧牲層的TiOx層41、72。
圖11是圖7中的低輻射率透明層積體的第3變形例子的剖面圖。
圖11中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖7中的低輻射率層積體17相同，但是不同點在于，其進一步具有SiNx層111和ZnO層112；所述SiNx層111為非晶態(tài)層，形成于ZnO層31的上面；所述ZnO層112為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層111的上面。
圖12是圖11中的低輻射率透明層積體的變形例子的剖面圖。
圖12中，雖然低輻射率透明層積體17的基本結(jié)構(gòu)與圖11中的低輻射率層積體17相同，但是不同點在于，其進一步具有SiNx層121和ZnO層122；所述SiNx層121為非晶態(tài)層，形成于作為電介質(zhì)層的ZnO層73的上面；所述ZnO層112為結(jié)晶取向性低的電介質(zhì)層，形成于所述SiNx層121的上面。
在本發(fā)明的實施方式中，在圖7、圖9以及圖11的低輻射率透明層積體17中，形成于Ag-Pd層71的更外側(cè)的ZnO層73不是結(jié)晶取向性低的層，但是該ZnO層73也可以是結(jié)晶取向性低的層。
雖然本實施方式中作為保護層的SiNx層36形成于低輻射率透明層積體17的最上層，但是并不限于此?？梢栽赟iNx層36上設(shè)置SiO2層。如此使得低輻射率透明層積體17的最上層的表面平滑，因此，在將漿狀的密封框13涂布在低輻射率透明層積體17上時，可以抑制在低輻射率透明層積體17和密封框13之間產(chǎn)生氣泡，控制加熱時上述氣泡膨脹而使密封框13進入中空層14一側(cè)的程度。
本實施方式中，在玻璃板11、12上形成的是作為電介質(zhì)層的ZnO層31，但是并不限于此，可以在玻璃板11、12和作為電介質(zhì)層的ZnO層31之間設(shè)置SiO2層。據(jù)此，可以提高低輻射率透明層積體17與玻璃板11、12的面的粘著性，從而防止低輻射率透明層積體從玻璃板11、12的面剝離。
本實施方式中，使用鈦層(TiOx)作為犧牲層，但是并不限于此，例如可以使用鈮層(NbOx)作為犧牲層。通過使用鈮層(NbOx)作為犧牲層，可以提高可見光透過率和耐熱性，同時，還可以容易地進行對膜厚度的控制。
如圖13示意所示，上述低輻射率透明層積體17中，形成于非晶態(tài)層的上面的電介質(zhì)層(ZnO)，其結(jié)晶取向性變差，且提高了表面的平滑性。
接著，對本發(fā)明的實施例和比較例進行具體的說明。
(實施例1)通過如圖14所示的具有5套陰極的所謂鎖定負荷式內(nèi)嵌型磁控管濺射裝置，在厚度為3mm×2500mm×1800mm的通常的浮法玻璃板的一側(cè)表面上形成圖3所示的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/Ag-Pd/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。
實施成膜(涂布)時，將洗凈了的玻璃板G從如圖14所示的磁控管濺射(涂布)裝置的入口運送到鎖定負荷腔1，減壓至規(guī)定的壓力，運送到涂布腔2后，將濺射氣體導入涂布腔2中，通過排氣泵調(diào)整至規(guī)定的壓力后，在陰極施加電力，產(chǎn)生放電，通過對安裝于各陰極的材料進行濺射來實施成膜(涂布)。
而且，本實施例中，對涂布時的玻璃不進行特別的加熱而在室溫下進行成膜，對于該帶有膜的玻璃，為了再現(xiàn)在絕熱-保溫性玻璃嵌板制造時的熱處理時的狀態(tài)，在500℃或更高溫度下加熱后，以10℃/min～20℃/min的降溫速度降至室溫。
下文對涂布進行詳細的說明。
首先，將在Ar氣中添加了2％氧氣的混合氣體導入涂布腔2中，使其壓力為0.40Pa，然后向陰極3a施加30kW直流電來引起濺射，其中所述陰極3a設(shè)置有添加了錫(Sn)的氧化鋅燒結(jié)體靶(尺寸3100mm×330mm)，通過使玻璃在陰極3a下往復(fù)運動來形成添加有錫(Sn)的氧化鋅膜作為第1層。
接著，將涂布腔2的氣體變換為Ar氣，使其壓力為0.45Pa，然后向陰極3c施加14kW直流電來引起濺射，其中所述陰極3c設(shè)置有添加了鈀(Pd)的銀靶(尺寸3100mm×330mm)，使玻璃在陰極3c下通過，以此形成金屬膜作為第2層。
接著，用與第1層相同的方法形成第3層，第3層是添加有錫(Sn)的氧化鋅膜。
接著，將涂布腔2中的氣體變換為N2氣，使其壓力為0.45Pa，然后向陰極3e施加50kW直流電來引起反應(yīng)性濺射，其中所述陰極3e設(shè)置有添加了10％質(zhì)量的鋁的硅靶(尺寸2900mm×直徑150mm)，通過使玻璃在陰極3e下往復(fù)運動來形成添加有鋁的氮化硅膜作為第4層。接著，以與第1層相同的方法來形成第5層的氧化鋅膜，最后，以與第4層相同的方法來形成第6層的添加有鋁的氮化硅膜。通過調(diào)整玻璃在陰極3a、3c、3e下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度，使第1層的膜的厚度為10nm，第2層的膜的厚度為9nm，第3層的膜的厚度為26nm，第4層的膜的厚度為5nm，第5層的膜的厚度為9nm，第6層的膜的厚度為7nm。
(實施例2)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成與圖6相同的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
首先，將氧氣導入涂布腔2中，使其壓力為0.40Pa，然后向陰極3b施加55kW直流電來引起反應(yīng)性濺射，其中所述陰極3b設(shè)置有鋅靶(尺寸3100mm×330mm)，通過使玻璃在陰極3b下往復(fù)運動來形成氧化鋅膜作為第1層。接著，將涂布腔2中的氣體變換為Ar氣，使其壓力為0.45Pa，然后向設(shè)置有添加了鈀(Pd)的銀靶(尺寸3100mm×330mm)的陰極3c施加8kW直流電，同時向設(shè)置有鈦靶(尺寸3100mm×330mm)的陰極3d施加8kW直流電，通過使玻璃在兩陰極3c、3d下通過來形成第2層的金屬膜和第3層的鈦膜。接著，用與第1層相同的方法形成第4層的氧化鋅膜。形成該第4層的氧化物膜時，通過使第3層的鈦膜自身氧化來發(fā)揮防止金屬膜中的銀的老化，以起到所謂犧牲層的作用。接著，將涂布腔2的氣體變換為N2氣，使其壓力為0.45Pa，然后向設(shè)置有添加了10％質(zhì)量的鋁的硅靶(尺寸2900mm×直徑150mm)的陰極3e施加50kW直流電來引起濺射，通過使玻璃在陰極3e下往復(fù)運動來形成添加有鋁的氮化硅膜作為第5層。接著，以與第1層相同的方法來形成第6層的氧化鋅膜，以與第5層相同的方法來形成第7層的添加有鋁的氮化硅膜，以與第1層相同的方法來形成第8層的氧化鋅膜，最后，以與第5層相同的方法來形成第9層的添加有鋁的氮化硅膜。通過調(diào)整玻璃在陰極3c、3d、3e下通過的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度，使第1層的膜的厚度為27nm，第2層的膜的厚度為13nm，第3層的膜的厚度為6nm，第4層的膜的厚度為8nm，第5層的膜的厚度為10nm，第6層的膜的厚度為13nm，第7層的膜的厚度為7nm，第8層的膜的厚度為9nm，第9層的膜的厚度為7nm。
(實施例3)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成與圖7相同的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與實施例2相同的方法來形成第1層的氧化鋅膜、第2層的金屬膜、第3層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第4層的氧化鋅膜、第5層的添加有鋁的氮化硅膜、第6層的氧化鋅膜。接著，以與第2層第3層相同的方法來形成第7層的金屬膜和第8層的鈦膜，以與第1層相同的方法來形成第9層的氧化鋅膜(此時，第8層的鈦膜與第3層一樣地作為犧牲層被氧化)，最后，以與第5層相同的方法來形成第10層的添加有鋁的氮化硅膜。通過調(diào)整玻璃在陰極下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度(僅第7層還須調(diào)整電力)，使第1層的膜的厚度為13nm，第2層的膜的厚度為6nm，第3層的膜的厚度為3nm，第4層的膜的厚度為45nm，第5層的膜的厚度為6nm，第6層的膜的厚度為25nm，第7層的膜的厚度為13nm，第8層的膜的厚度為3nm，第9層的膜的厚度為22nm，第10層的膜的厚度為8nm。
(實施例4)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成與圖9相同的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與實施例2相同的方法來形成第1層的氧化鋅膜、第2層的金屬膜、第3層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第4層的氧化鋅膜、第5層的添加有鋁的氮化硅膜、第6層的氧化鋅膜。接著，以與第5層、第6層相同的方法來形成第7層的添加有鋁的氮化硅膜和第8層的氧化鋅膜，接著，以與第2層、第3層、第4層、第5層相同的方法來形成第9層的金屬膜、第10層的鈦膜、第11層的氧化鋅膜(此時，第10層的鈦膜一樣地作為犧牲層被氧化)、第12層的添加有鋁的氮化硅膜。通過調(diào)整玻璃在陰極下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度(僅第9層還須調(diào)整電力)，使第1層的膜的厚度為19nm，第2層的膜的厚度為6nm，第3層的膜的厚度為3nm，第4層的膜的厚度為16nm，第5層的膜的厚度為13nm，第6層的膜的厚度為17nm，第7層的膜的厚度為14nm，第8層的膜的厚度為18nm，第9層的膜的厚度為13nm，第10層的膜的厚度為3nm，第11層的膜的厚度為11nm，第12層的膜的厚度為19nm。
(實施例5)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成與圖11相同的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
形成第1層的氧化鋅膜、第2層的添加有鋁的氮化硅膜、第3層的氧化鋅膜、第4層的金屬膜、第5層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第6層的氧化鋅膜、第7層的添加有鋁的氮化硅膜、第8層的氧化鋅膜。
接著，以與第4層、第5層、第6層相同的方法來形成第9層的金屬膜、第10層的鈦膜、第11層的氧化鋅膜(此時，第10層的鈦膜一樣地作為犧牲層被氧化)，最后，形成第12層的添加有鋁的氮化硅膜。
通過調(diào)整玻璃在陰極下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度(僅第9層還須調(diào)整電力)，使第1層的膜的厚度為4nm，第2層的膜的厚度為5nm，第3層的膜的厚度為4nm，第4層的膜的厚度為6nm，第5層的膜的厚度為3nm，第6層的膜的厚度為45nm，第7層的膜的厚度為6nm，第8層的膜的厚度為25nm，第9層的膜的厚度為13nm，第10層的膜的厚度為3nm，第11層的膜的厚度為22nm，第12層的膜的厚度為8nm。
(實施例6)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成與圖12相同的結(jié)構(gòu)的膜，即由ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與實施例5相同的方法來形成第1層的氧化鋅膜、第2層的添加有鋁的氮化硅膜、第3層的氧化鋅膜、第4層的金屬膜、第5層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第6層的氧化鋅膜、第7層的添加有鋁的氮化硅膜、第8層的氧化鋅膜。
接著，以與第4層、第5層、第6層、第7層、第8層相同的方法來形成第9層的金屬膜、第10層的鈦膜、第11層的氧化鋅膜(此時，第10層的鈦膜一樣地作為犧牲層被氧化)、第12層的添加有鋁的氮化硅膜、第13層的氧化鋅膜，最后，形成第14層的添加有鋁的氮化硅膜。
通過調(diào)整玻璃在陰極下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度(僅第9層還須調(diào)整電力)，使第1層的膜的厚度為4nm，第2層的膜的厚度為5nm，第3層的膜的厚度為4nm，第4層的膜的厚度為6nm，第5層的膜的厚度為3nm，第6層的膜的厚度為45nm，第7層的膜的厚度為6nm，第8層的膜的厚度為25nm，第9層的膜的厚度為13nm，第10層的膜的厚度為3nm，第11層的膜的厚度為10nm，第12層的膜的厚度為5nm，第13層的膜的厚度為7nm，第14層的膜的厚度為8nm。
(比較例1)使用與實施例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成由ZnO/Ag/TiOx/ZnO/Ag/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與實施例3相同的方法，形成第1層的氧化鋅膜、第2層的銀膜、第3層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第4層的氧化鋅膜。接著，以與第2層、第3層、第4層相同的方法來形成第5層的銀膜、第6層的鈦膜、第7層的氧化鋅膜(此時，第6層的鈦膜同樣地作為犧牲層被氧化)。最后，與實施例2的第9層相同的方法來形成添加有鋁的氮化硅膜作為第8層。
通過調(diào)整玻璃在陰極下運動的速度和往復(fù)次數(shù)來調(diào)節(jié)膜的厚度(僅第9層還須調(diào)整電力)，使第1層的膜的厚度為16nm，第2層的膜的厚度為6nm，第3層的膜的厚度為3nm，第4層的膜的厚度為74nm，第5層的膜的厚度為13nm，第6層的膜的厚度為3nm，第7層的膜的厚度為19nm，第8層的膜的厚度為9nm。
(比較例2)使用與比較例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成由ZnO/Ag/TiOx/ZnO/Ag/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與比較例1相同的方法，形成第1層的氧化鋅膜、第2層的銀膜、第3層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第4層的氧化鋅膜、第5層的銀膜、第6層的鈦膜、第7層的氧化鋅膜(此時，第6層的鈦膜同樣地作為犧牲層被氧化)、第8層的添加有鋁的氮化硅膜。但是，為了減小平均晶粒尺寸，使用氮與氧為1比1的混合氣體，在氣體壓力為0.40Pa下通過反應(yīng)性濺射來使第1層、第4層、第7層的氧化鋅膜成膜。
如此得到的層積體在浮法玻璃的2500mm方向上產(chǎn)生反射色和透過色的顏色不均，在均一性方面有問題。
(比較例3)使用與比較例1相同的濺射裝置，在同樣的浮法玻璃板的一側(cè)表面上，形成由ZnO/Ag/TiOx/ZnO/Ag/TiOx/ZnO/SiNx構(gòu)成的電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)/銀/電介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)的低輻射率透明層積體。具體如下。
以與比較例1相同的方法，形成第1層的氧化鋅膜、第2層的銀膜、第3層的鈦膜(作為犧牲層發(fā)揮作用后，形成氧化鈦膜)、第4層的氧化鋅膜、第5層的銀膜、第6層的鈦膜、第7層的氧化鋅膜(此時，第6層的鈦膜同樣地作為犧牲層被氧化)、第8層的添加有鋁的氮化硅膜。不過，為了減小平均晶粒尺寸，將氧氣的壓力提高至1.0Pa，通過反應(yīng)性濺射來使第1層、第4層、第7層的氧化鋅膜成膜。但是，由于玻璃的移動導致真空腔內(nèi)的電導率發(fā)生變化，從而氣體壓力變得不穩(wěn)定。
如此得到的層積體在浮法玻璃的1800mm方向上產(chǎn)生反射色和透過色的顏色不均，在均一性方面有問題。
(特性評價)對于上述得到的層積體，在實施例1中，輻射率為0.090，在實施例2中，輻射率為0.057，在實施例3中，輻射率為0.035，在實施例4中，輻射率為0.030，在實施例5中，輻射率為0.028，在實施例6中，輻射率為0.026，在比較例1中，輻射率為0.040；此外，在實施例1中，可見光透過率為83.0％，在實施例2中，可見光透過率為74.1％，在實施例3中，可見光透過率為78.1％，在實施例4中，可見光透過率為78.4％，在實施例5中，可見光透過率為78.6％，在實施例6中，可見光透過率為78.7％，在比較例1中，可見光透過率為77.5％；因此，上述方法得到的層積體具有作為低輻射率透明層積體的完美的特性。
此外，對于積分寬度βi，在實施例1中為0.58，實施例2為0.76，實施例3為0.56，實施例4為0.98，實施例5為0.63，實施例6為0.68，比較例1為0.28。
下文，實施例1～6和比較例1的特性評價如表1所述。
表1

使用CuKα線，用θ-2θ方法進行涂層(層積體)的XRD分析時，則發(fā)現(xiàn)基于氧化鋅的(002)衍射線假定的峰的2θ均出現(xiàn)在32°～35°。對于實施例1、實施例3和比較例1，該原始數(shù)據(jù)如圖15所示。對于該衍射峰，進行Kα1、Kα2的分離以及通過標準樣品來進行峰位置和峰的寬度補正，計算積分寬度(βi)，對于所得的積分寬度(βi)，實施例1為0.58，實施例3為0.56，實施例4為0.98，比較例1為0.28。
為了調(diào)查涂層的化學耐久性，進行鹽水浸漬試驗(3重量％NaCl水溶液，20℃)，結(jié)果，即使浸漬3小時，在實施例1、2、3的涂層上未發(fā)現(xiàn)變化，而對于比較例1的涂層，在強光下發(fā)現(xiàn)了針孔狀的反射發(fā)光點，據(jù)此可知實施例1、2、3的涂層的化學上的耐久性高。
為了調(diào)查涂層的耐擦傷性，使用Rhesca公司制的擦傷試驗儀CSR-02，用尖端半徑為5μm的鉆石壓頭進行擦傷試驗時，對于涂層開始產(chǎn)生剝離破壞的負荷，相對于實施例3為26mN，比較例1為13mN。據(jù)此可知實施例1、2、3的涂層的耐擦傷性高。
為了調(diào)查涂層的耐熱性，通過肉眼觀察Ag的凝集量來時，相對于比較例1中Ag的凝集量多，外觀不好，實施例中沒有觀察到那么多的Ag的凝集，特別是實施例2中，幾乎沒有觀察到Ag的凝集。據(jù)此可知即使實施熱處理，處于蒸烤的狀態(tài)，實施例，特別是實施例2的涂層老化的程度低，即耐熱性高。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，電介質(zhì)層被非晶態(tài)層在膜的厚度方向上分隔，由于金屬層含有Ag和Pd，所以可以提高金屬層的耐久性，從而即使在制造時實施熱處理，也可以維持保溫性。
根據(jù)本發(fā)明，由于低輻射率透明層積體在與中空層和外周密閉部相接的最上層上具有SiO2層，所以在將外周密閉部涂布在低輻射率透明層積體上時，可以抑制在低輻射率透明層積體和外周密閉部之間產(chǎn)生氣泡，并且可以控制外周密閉部進入中空層一側(cè)的程度。
根據(jù)本發(fā)明，由于低輻射率透明層積體在與玻璃板面相接的最下層上具有SiO2層，所以可以提高低輻射率透明層積體與玻璃板面的粘著性，從而可以防止低輻射率透明層積體從玻璃板面的剝離。
根據(jù)本發(fā)明，由于電介質(zhì)層是以氧化鋅為主成分的層，所以可以防止水分、氣體從外部滲入低輻射率透明層積體，從而提高低輻射率透明層積體的耐久性。
根據(jù)本發(fā)明，將與玻璃板最近的金屬層作為基準時，由于電介質(zhì)層中的至少1層位于與玻璃板的相對的一側(cè)，因而可以防止水分、氣體從外部滲入金屬層，從而提高低輻射率透明層積體的耐久性。
根據(jù)本發(fā)明，由于低輻射率層積體的最外層形成保護層，所以可以進一步提高低輻射率透明層積體的耐久性；所述保護層含有氮化物、氧化物、或非晶態(tài)氧化物；所述氮化物、氧化物、或非晶態(tài)氧化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
根據(jù)本發(fā)明，由于非晶態(tài)層的至少1層由氮化硅形成，所以可以提高低輻射率透明層積體的耐久性、耐磨損性、以及玻璃嵌板的絕熱性。
根據(jù)本發(fā)明，由于犧牲層是含有Nb的氧化物，所以可以提高可見光透過率和耐熱性，同時，也可以容易地進行膜的厚度的控制。
根據(jù)本發(fā)明，由于低輻射率透明層積體包括第1電介質(zhì)層、金屬層、犧牲層、第2電介質(zhì)層、第1非晶態(tài)層、第3電介質(zhì)層、第2非晶態(tài)層、第4電介質(zhì)層、第3非晶態(tài)層，所以即使實施熱處理，處于蒸烤的狀態(tài)，也可以維持低輻射率透明層積體的保溫性。
根據(jù)本發(fā)明，由于第1電介質(zhì)層、金屬層、犧牲層、第2電介質(zhì)層、第1非晶態(tài)層、第3電介質(zhì)層、第2非晶態(tài)層、第4電介質(zhì)層以及第3非晶態(tài)層的膜的厚度分別為25nm～30nm、10nm～20nm、1nm～10nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm，所以即使實施熱處理，處于蒸烤的狀態(tài)，也可以維持低輻射率透明層積體的保溫性。
權(quán)利要求
1.絕熱-保溫性玻璃嵌板，所述絕熱-保溫性玻璃嵌板具有一對玻璃板和外周密閉部，所述一對玻璃板借助于柱狀物隔著規(guī)定的間隔進行配置從而在中間形成中空層，所述外周密閉部在上述一對玻璃板的周邊部氣密性地密閉上述中空層，其特征在于，在玻璃板與上述中空層相對的面上，形成層積了電介質(zhì)層和金屬層的低輻射率透明層積體，上述電介質(zhì)層被非晶態(tài)層在膜的厚度方向所分隔，上述金屬層含有Ag和Pd。
2.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體在該層積體與所述中空層和所述外周密閉部相接的最上層具有SiO2層。
3.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體在該層積體與上述玻璃板的面相接的最下層具有SiO2層。
4.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，被所述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層是含有金屬的氧化物層，所述金屬選自由Zn、Sn、Ti、In、Bi組成的組的至少1種。
5.如權(quán)利要求4所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，被所述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層是以氧化鋅為主成分的層。
6.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，以距離所述玻璃板最近的金屬層作為基準，被所述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層中的至少1層位于與上述玻璃板相對的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述金屬層為1層，以該金屬層為基準，被所述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層位于與所述玻璃板相對的一側(cè)。
8.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述金屬層至少設(shè)置2層，以距離所述玻璃板最遠的金屬層作為基準，則被所述非晶態(tài)層分隔的電介質(zhì)層中的至少1層位于所述玻璃板的一側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述非晶態(tài)層含有選自由氮化物、氧氮化物、非晶態(tài)氧化物組成的組中的至少1種。
10.如權(quán)利要求9所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述氮化物層所含有的氮化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
11.如權(quán)利要求9所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述氧氮化物層所含有的氧氮化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
12.如權(quán)利要求9所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述非晶態(tài)氧化物層所含有的非晶態(tài)氧化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
13.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體中的與所述中空層和所述外周密閉部相接的最上層為含有氮化物、氧氮化物或非晶態(tài)氧化物的保護層，所述氮化物、氧氮化物、非晶態(tài)氧化物含有選自由Si、Al、Ti、Sn組成的組的至少1種金屬。
14.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述非晶態(tài)層的膜的厚度為3nm～30nm。
15.如權(quán)利要求14所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述非晶態(tài)層的膜的厚度為5nm～20nm。
16.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，至少1層所述非晶態(tài)層含有氮化硅。
17.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述電介質(zhì)層全部是以氧化鋅為主成分的層。
18.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體具有多層所述電介質(zhì)層；在所述多層電介質(zhì)層之間具有所述金屬層；在所述金屬層和所述電介質(zhì)層的界面中，在距離所述玻璃板遠的界面上，插入防止所述金屬層在成膜時老化的犧牲層。
19.如權(quán)利要求18所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述犧牲層含有含Ti的氧化物。
20.如權(quán)利要求18所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述犧牲層含有含Nb的氧化物。
21.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述金屬層以Ag為主成分。
22.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，對于所述低輻射率透明層積體，在使用CuKα線得到的X線衍射峰中，最大值處于32°≤2θ(衍射角)≤35°的峰的積分寬度βi為0.43～1.20。
23.如權(quán)利要求22所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述積分寬度βi為0.50～1.20。
24.如權(quán)利要求22所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，最大值處于32°≤2θ(衍射角)≤35°的峰是基于氧化鋅的(002)衍射線的峰。
25.如權(quán)利要求1所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體包括第1電介質(zhì)層、金屬層、犧牲層、第2電介質(zhì)層、第1非晶態(tài)層、第3電介質(zhì)層、第2非晶態(tài)層、第4電介質(zhì)層、第3非晶態(tài)層；所述第1電介質(zhì)層是在上述玻璃板的面上形成的含Zn的氧化物層；所述金屬層形成于上述第1電介質(zhì)層上面且含有Ag和Pd；所述犧牲層是形成于上述金屬層上面的含Nb的氧化物層；所述第2電介質(zhì)層是形成于上述犧牲層上面的含有Zn的氧化物層；所述第1非晶態(tài)層形成于上述第2電介質(zhì)層上面且含有氮化硅；所述第3電介質(zhì)層是形成于上述第1非晶態(tài)層上面的含有Zn的氧化物層；所述第2非晶態(tài)層形成于上述第3電介質(zhì)層上面且含有氮化硅；所述第4電介質(zhì)層是形成于上述第2非晶態(tài)層上面的含有Zn的氧化物層；所述第3非晶態(tài)層形成于上述第4電介質(zhì)層上面且含有氮化硅。
26.如權(quán)利要求25所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述第1電介質(zhì)層、所述金屬層、所述犧牲層、所述第2電介質(zhì)層、所述第1非晶態(tài)層、所述第3電介質(zhì)層、所述第2非晶態(tài)層、所述第4電介質(zhì)層、以及所述第3非晶態(tài)層的膜的厚度分別為25nm～30nm、10nm～20nm、1nm～10nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm、1nm～20nm。
27.如權(quán)利要求25所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體在該層積體與所述中空層和所述外周密閉部相接的最上層具有SiO2層。
28.如權(quán)利要求25所述的絕熱-保溫性玻璃嵌板，其特征在于，所述低輻射率透明層積體在該層積體與所述玻璃板的面相接的最下層具有SiO2層。
全文摘要
提供即使在制造時實施熱處理，也可以維持保溫性的絕熱－保溫性玻璃嵌板。絕熱－保溫性玻璃嵌板(1)包括一對玻璃板(11)和(12)、以及柱狀物(15)；所述一對玻璃板(11)和(12)在其外周邊部通過在較低溫度下流動化的密封框(13)氣密性地接合在一起，從而使所述一對玻璃板(11)和(12)互相以其一側(cè)的面彼此對向，在該一對玻璃板(11)和(12)之間形成有中空層(14)；所述柱狀物(15)大致為圓柱狀的間隔物，作為大氣壓支撐部件插入中空層(14)內(nèi)，其決定玻璃板(11)和玻璃板(12)的間隔。為了得到較高的絕熱性能，通過濺射法用輻射率小于等于0.1的低輻射率透明層積體(17)覆蓋玻璃板(11)、(12)中與中空層(14)相對的面(11a)、(12a)。低輻射率透明層積體(17)具有ZnO層(33)、(35)，還具有Ag－Pd層(32)；所述ZnO層(33)、(35)為電介質(zhì)層，在膜的厚度方向上被作為非晶態(tài)層的SiN
文檔編號B32B17/00GK1798709SQ200480014909
公開日2006年7月5日 申請日期2004年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月29日
發(fā)明者淺野修, 國定照房, 皆合哲男 申請人:日本板硝子株式會社