專(zhuān)利名稱(chēng)：鎂基復(fù)合材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種復(fù)合材料及其制備方法，尤其涉及一種鎂基復(fù)合材料及 其制備方法。
背景技術(shù)：
鎂合金是現(xiàn)代結(jié)構(gòu)金屬材料中最輕的一種，純鎂的密度約為1.74克每 立方厘米，為鋁密度的2/3，鋼密度的1/4。鎂合金的優(yōu)點(diǎn)是密度小，比強(qiáng)度、 比鋼度高，減震性好，同時(shí)還具有優(yōu)良的鑄造性能、切削加工性能、導(dǎo)熱性 能和電磁屏蔽性能，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)制造業(yè)、航空、航天、光學(xué)儀器制造 和國(guó)防等領(lǐng)域。
根據(jù)成形工藝及合金元素的不同，鎂合金材料主要分為鑄造鎂合金和變 形鎂合金兩大類(lèi)。變形鎂合金通過(guò)在合金中加入有利于提高其形變特性的元 素，擠壓、軋制、鍛造的方法固態(tài)成形，通過(guò)變形生產(chǎn)尺寸多樣的板、棒、 管、型材及鍛件產(chǎn)品。由于變形加工消除了鑄造組織缺陷及細(xì)化了晶粒，故 與鑄造鎂合金相比，變形鎂合金具有更高的強(qiáng)度、更好的延展性和更好的力 學(xué)性能，同時(shí)生產(chǎn)成本更低。
但是，現(xiàn)有技術(shù)中制備的鎂合金的韌性及強(qiáng)度均不能達(dá)到工業(yè)上的要 求。為解決這一問(wèn)題， 一般采用向鎂合金中加入納米級(jí)增強(qiáng)體的方式提高材 料的強(qiáng)度和韌性(Goh C.S.， Wei J., Lee L.C.， Gupta M.， Nanotechnology， vol 17: p7(2006))。然而，現(xiàn)有技術(shù)中制備鎂基復(fù)合材料一般采用鑄造方法，如粉末 冶金、熔體滲透、攪拌鑄造、等。上述這些方法形成的鎂基復(fù)合材料一般為 鑄錠的形式。在后續(xù)加工中需要通過(guò)擠壓、軋制、鍛造等方法制成所需型材， 工藝步驟繁瑣。并且，在鎂合金熔融狀態(tài)中分散納米級(jí)增強(qiáng)體較為困難，容 易引起納米級(jí)增強(qiáng)體的團(tuán)聚，造成分散不均勻；使用粉末冶金方法雖然可以 使這一問(wèn)題相對(duì)改善，但是粉末冶金法在生產(chǎn)過(guò)程中存在金屬粉末燃燒、爆 炸等危險(xiǎn)。另外，這些方法制備工藝均相對(duì)復(fù)雜、設(shè)備成本高、不易大規(guī)模 工業(yè)化生產(chǎn)。
有鑒于此，提供一種納米級(jí)增強(qiáng)體在鎂基金屬中均勻分布的鎂基復(fù)合材 料及一種簡(jiǎn)單易行、適合工業(yè)化生產(chǎn)的鎂基復(fù)合材料的制備方法實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說(shuō)明 一種納米級(jí)增強(qiáng)體在鎂基金屬中均勻分布的鎂基 復(fù)合材料及一種工序簡(jiǎn)單、適合工業(yè)化生產(chǎn)的鎂基復(fù)合材料的制備方法。
一種鎂基復(fù)合材料，包括鎂基金屬，其中，該鎂基復(fù)合材料進(jìn)一步包括 至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于上述鎂基金屬中。
一種鎂基復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟提供至少二鎂基板和 至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜;將該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于二鎂基板之間，形成 一預(yù)制體；以及熱軋?jiān)擃A(yù)制體，形成鎂基復(fù)合材料。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，所述的鎂基復(fù)合材料采用將納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜夾于 兩鎂基板之間形成預(yù)制體，再將此預(yù)制體通過(guò)熱軋的方式形成復(fù)合材料，納 米級(jí)增強(qiáng)體在薄膜中均勻分布，從而在形成后的鎂基復(fù)合材料中均勻分布， 解決了在鎂基復(fù)合材料制備過(guò)程中納米級(jí)增強(qiáng)體不易分散的問(wèn)題，工藝簡(jiǎn) 單、易操作、可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程連續(xù)化和批量生產(chǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)的要求。 并且，生產(chǎn)出的鎂基復(fù)合材料具有層狀結(jié)構(gòu)，鎂基金屬層與鎂基復(fù)合層交替 排列，提高了鎂基復(fù)合材料的強(qiáng)度和韌性，鎂基復(fù)合層層數(shù)越多，在鎂基復(fù) 合材料中起到的增強(qiáng)增韌的效果越明顯。


圖1是本技術(shù)方案鎂基復(fù)合材料的制備方法的流程示意圖。 圖2是本技術(shù)方案第 一 實(shí)施例鎂基板過(guò)渡層的形成過(guò)程示意圖。 圖3是本技術(shù)方案第 一實(shí)施例納米級(jí)增強(qiáng)體覆蓋于鎂基板過(guò)渡層表面的 結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本技術(shù)方案第一實(shí)施例鎂基復(fù)合材料預(yù)制體的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本技術(shù)方案第 一 實(shí)施例對(duì)鎂基復(fù)合材料預(yù)制體進(jìn)行熱軋過(guò)程的示 意圖。
圖6是本技術(shù)方案第 一 實(shí)施例的鎂基復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7是本技術(shù)方案第二實(shí)施例的鎂基復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本技術(shù)方案提供的一種鎂基復(fù)合材料 及其制備方法作進(jìn)一 步的詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明第一實(shí)施例鎂基復(fù)合材料的制備方法主要包括以下
幾個(gè)步驟
(一) 提供一第一鎂基板和一第二鎂基板。
本實(shí)施方式所提供之第 一鎂基板和第二鎂基板可以是純鎂板或鎂合金 板。當(dāng)所提供之鎂基板為鎂合金板時(shí)，該鎂合金板的組成元素除鎂外，還含 有鋅、錳、鋁、鋯、釷、鋰、銀、鈣等合金元素的一種或多種，其中鎂元素 的質(zhì)量百分含量為80%以上。并且，該第一鎂基板與第二鎂基板可以具有相 同的元素組成，也可以具有不同的元素組成。鎂基板厚度為0.1毫米(mm) 至lmm，優(yōu)選為0.3mm。并且第一鎂基板和第二鎂基板可以為具有相同的 寬度的鎂基金屬板帶材。
(二) 分別在第一鎂基板及第二鎂基板一表面形成一過(guò)渡層。 過(guò)渡層可以通過(guò)真空蒸鍍、濺射、沉積等表面處理的方法形成。
本實(shí)施例采用真空蒸鍍法在鎂基板一表面形成過(guò)渡層。第 一鎂基板表面 的過(guò)渡層為在一真空蒸鍍機(jī)中形成。請(qǐng)參閱圖2，真空蒸鍍機(jī)至少包括一真 空腔體110、 一鴒舟120、 一靶材130、 一支撐架140，鴒舟120、靶材130 及支撐架140置于真空腔體110內(nèi)部。真空蒸鍍過(guò)程中，將第一鎂基板210 置于支撐架140上，鎢舟120在高電流的作用下產(chǎn)生高熱量，將靶材130加 熱成液態(tài)，蒸發(fā)至支撐架140上的第一鎂基板210—表面上，形成第一過(guò)渡 層220。
第二鎂基板230表面的第二過(guò)渡層240的形成過(guò)程與第 一鎂基板210表 面的第一過(guò)渡層220的形成過(guò)程相同。耙材130為鎳金屬或鎳合金。第一過(guò) 渡層220與第二過(guò)渡層240的成分為鎳金屬層或含鎳的合金層。當(dāng)靶材130 及第一過(guò)渡層220和第二過(guò)渡層240的成分為含鎳合金層時(shí)，該含鎳合金層 的組成元素除鎳外還含有鎂、鋁、鋅等。在鎂基板表面形成過(guò)渡層有利于在 之后的熱軋過(guò)程中促進(jìn)納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜與鎂基體表面鍵合，從而提高鎂基 復(fù)合材料的強(qiáng)度和韌性。
(三) 提供至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜。
本實(shí)施方式所提供之納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜可以是碳納米管(CNTs)薄膜或 碳纖維薄膜。納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜的質(zhì)量百分含量為鎂基復(fù)合材料總質(zhì)量的 0.5%至2%，優(yōu)選為1%。本實(shí)施例中所用之納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜為碳納米管薄 膜。該碳納米管薄膜的形成方式為通過(guò)從碳納米管陣列中拉膜的方法制備。 該拉膜的方法進(jìn)一步包括以下步驟
首先，提供一碳納米管陣列，優(yōu)選地，該陣列為超順排碳納米管陣列。 其次，采用 一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取獲得至少一碳納米管薄膜。
其具體包括以下步驟(a)從上述碳納米管陣列中選定一定寬度的多個(gè) 碳納米管片斷，本實(shí)施例優(yōu)選為采用具有一定寬度的膠帶接觸碳納米管陣列 以選定一定寬度的多個(gè)碳納米管片斷；(b)以一定速度沿基本垂直于碳納米 管陣列生長(zhǎng)方向拉伸該多個(gè)碳納米管片斷，以形成一連續(xù)的碳納米管薄膜。
此過(guò)程可進(jìn)一步包括將多層碳納米管薄膜重疊，形成一多層的碳納米管 薄膜結(jié)構(gòu)。其中，每層碳納米管薄膜中的碳納米管均為有序排列或擇優(yōu)取向 排列，并且，各層中碳納米管薄膜中碳納米管排列的方向可以為同一方向， 也可以為不同方向。
可以理解，碳納米管薄膜的制備方法不局限于上述的拉膜方式，例如， 通過(guò)擠壓碳納米管陣列的方式形成一碳納米管薄膜或形成一碳納米管絮化 薄膜，其實(shí)質(zhì)在于能夠得到一自支撐的碳納米管薄膜，該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜 中納米級(jí)增強(qiáng)體為無(wú)序排列，沿不同方向有序排列或擇優(yōu)取向排列。因此， 依據(jù)本發(fā)明精神對(duì)本發(fā)明所述碳納米管薄膜的制備方法做其它非實(shí)質(zhì)性變 化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
(四) 將納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于第一鎂基板過(guò)渡層表面。 請(qǐng)參閱圖3，將納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜250設(shè)置于第一鎂基板210的過(guò)渡層
220表面，可以通過(guò)將一碳納米管薄膜或碳纖維薄膜覆蓋于第一鎂基板過(guò)渡 層上形成。
可以理解，可直接將碳納米管薄膜或碳纖維薄膜粘附于第一鎂基板210 表面。
(五) 將第二鎂基板覆蓋于上述納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜上，以形成一預(yù)制體。 請(qǐng)參閱圖4,將固定于第一鎂基板210的第一過(guò)渡層220表面的納米級(jí)
增強(qiáng)體薄膜250上覆蓋第二鎂基板230,使第二鎂基板230的第二過(guò)渡層240 朝向納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜250，以形成一預(yù)制體200。該預(yù)制體200由第一鎂 基板210、第一過(guò)渡層220、第二鎂基板230、第二過(guò)渡層240及納米級(jí)增強(qiáng) 體薄膜250組成，該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜250位于第一過(guò)渡層220與第二過(guò)渡 層240之間。
(六) 熱軋?jiān)擃A(yù)制體，形成鎂基復(fù)合材料。
請(qǐng)參閱圖5，預(yù)制體200的熱軋過(guò)程為在一熱軋才幾300中進(jìn)行，該熱軋 才幾至少包括軋輥310,上述軋輥310可以;故加熱至一定溫度。并且，該熱軋 才幾還進(jìn)一步包括一預(yù)熱箱320，預(yù)制體200熱軋前在預(yù)熱箱320中加熱。上 述預(yù)熱箱320及軋輥310的加熱溫度為300。C至400°C。
預(yù)制體的熱軋具體包括以下步驟
首先，將預(yù)制體及熱軋機(jī)的軋輥預(yù)熱。
本實(shí)施例中，將預(yù)制體200送入預(yù)熱箱320中，在300。C至40(TC下預(yù) 熱10分鐘，并在將預(yù)制體200預(yù)熱的同時(shí)，使熱軋機(jī)300的軋輥310加熱 到相同溫度。將預(yù)制體200在熱軋前通過(guò)預(yù)熱箱320預(yù)熱，使第 一鎂基板210 與第二鎂基板230相互之間具有更好的結(jié)合能力，有助于在熱軋過(guò)程中使第 一鎂基板210與第二鎂基板230有效復(fù)合。
其次，將預(yù)熱后的預(yù)制體送入熱軋機(jī)軋輥之間，熱軋?jiān)擃A(yù)制體，形成鎂 基復(fù)合材料。
熱軋才幾300的軋輥310對(duì)預(yù)制體200產(chǎn)生一壓力，并且，由于軋輥310 與預(yù)制體200具有相同的溫度，使預(yù)制體200第一鎂基板210與第二鎂基板 230更易結(jié)合。
通過(guò)此熱軋過(guò)程，鎂基金屬滲入納米級(jí)增強(qiáng)體間隙中，與納米級(jí)增強(qiáng)體 復(fù)合，形成一鎂基復(fù)合層，通過(guò)此鎂基復(fù)合層將該鎂基復(fù)合層兩側(cè)的鎂合金 板結(jié)合為一個(gè)整體，并且，納米級(jí)增強(qiáng)體在鎂基復(fù)合層中可以為無(wú)序排列、
沿不同方向有序排列或擇優(yōu)取向排列。
(七) 對(duì)熱軋后的產(chǎn)物進(jìn)行退火處理，得到鎂基復(fù)合材料。
該退火處理是在高真空加熱爐中進(jìn)行的。退火溫度為18(TC至320。C, 退火時(shí)間為2至3小時(shí)。將熱軋后的產(chǎn)物在高真空加熱爐中進(jìn)行退后處理后， 即得到鎂基復(fù)合材料。通過(guò)將熱軋后的產(chǎn)物進(jìn)行退火處理，可以清除熱軋時(shí)
在鎂基板內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力。
本實(shí)施例所得到的鎂基復(fù)合材料400如圖6所示。鎂基體滲入納米級(jí)增 強(qiáng)體間隙中，與納米級(jí)增強(qiáng)體復(fù)合，形成一鎂基復(fù)合層430,在鎂基復(fù)合材 料400中通過(guò)該鎂基復(fù)合層430將第一鎂基板210與第二鎂基板230結(jié)合為 一整體?？梢园l(fā)現(xiàn)，此鎂基復(fù)合材料400包含三層結(jié)構(gòu)，第 一鎂基金屬層410、 第二鎂基金屬層420及鎂基復(fù)合層430。鎂基復(fù)合層430位于第一鎂基金屬 層410與第二鎂基金屬層420之間。第一鎂基金屬層410與第二鎂基金屬層 420厚度為0.2至0.4mm，鎂基復(fù)合層430厚度為1納米(nm )至100nm。
上述實(shí)施例中提供了一種鎂基復(fù)合材料的制備方法。在該方法中，由于 納米基增強(qiáng)體組成一 自支撐薄膜結(jié)構(gòu)，并且納米級(jí)增強(qiáng)體在該自支撐薄膜結(jié) 構(gòu)中均勻分布，因此得到的鎂基復(fù)合材料不存在納米級(jí)增強(qiáng)體團(tuán)聚問(wèn)題，納 米級(jí)增強(qiáng)體在鎂基金屬中的分布更為均勻。另外，將納米級(jí)增強(qiáng)體分布于鎂
基復(fù)合層中比將納米級(jí)增強(qiáng)體分布于整個(gè)鎂基復(fù)合材料中更易于實(shí)施。
如圖7所示，本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供了一種具有五層結(jié)構(gòu)的鎂基復(fù) 合材料500，其包含第一鎂基金屬層510、第二鎂基金屬層520、第三鎂基金 屬層530，及第一鎂基復(fù)合層540、第二鎂基復(fù)合層550,鎂基金屬層與鎂基 復(fù)合層交替排列，每一鎂基復(fù)合層位于兩鎂基金屬層之間。鎂基金屬層厚度 為0.2至0.4mm, 4美基復(fù)合層厚度為lnm至100nm。
第二實(shí)施例中的鎂基復(fù)合材料500的制備方法與第一實(shí)施例基本相同， 與第一實(shí)施例不同的是，所述預(yù)制體的形成進(jìn)一步包括以下步驟在第二鎂 基板遠(yuǎn)離第一鎂基板的表面形成第三過(guò)渡層；在第三過(guò)渡層表面覆蓋另一納 米級(jí)增強(qiáng)體薄膜；提供第三鎂基板，并在第三鎂基板一表面形成第四過(guò)渡層； 在第三過(guò)渡層表面上的納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜上覆蓋第三鎂基板，并使第三鎂基 板的第四過(guò)渡層朝向該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜，形成一預(yù)制體。
此預(yù)制體的形成也可以進(jìn)一步包括以下步驟提供第 一 實(shí)施例形成之鎂 基復(fù)合材料300、第二納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜及第三鎂基板；在鎂基復(fù)合材料300 一表面形成第三過(guò)渡層；在第三鎂基板一表面形成第四過(guò)渡層；在第三過(guò)渡 層表面覆蓋第二納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜；在該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜上覆蓋第三鎂基 板，并使第三鎂基板表面的第四過(guò)渡層朝向該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜，形成一預(yù) 制體。
可以理解，上述鎂基復(fù)合材料的制備方法可以推廣到多層鎂基板與多層 納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜復(fù)合，從而形成多層結(jié)構(gòu)的預(yù)制體。將此多層結(jié)構(gòu)的預(yù)制 體熱軋后所得到的鎂基復(fù)合材料中包含多層鎂基復(fù)合層及多層鎂基金屬層交 替排布，并且，每層鎂基復(fù)合層均位于兩鎂基金屬層之間。
所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法利用多層鎂基板與納米級(jí)增強(qiáng)體進(jìn)行層 疊，可以生產(chǎn)出不同厚度，包含多層鎂基復(fù)合層的板帶材，鎂基復(fù)合層的層 數(shù)越多，在鎂基復(fù)合材料中增強(qiáng)增韌的效果越明顯。另外，利用熱軋的方法 直接將鎂基板與納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜復(fù)合，工藝簡(jiǎn)單、易操作、適合工業(yè)化生 產(chǎn)的應(yīng)用。此種復(fù)合材料將形變鎂合金強(qiáng)度高、延展性及力學(xué)性能好的特點(diǎn) 與納米級(jí)增強(qiáng)體的增強(qiáng)增韌作用相結(jié)合，得到具有較好綜合機(jī)械性能的鎂基 復(fù)合材料。
可以理解，所述實(shí)施方式不局限于采用碳納米管(CNTs)薄膜或碳纖維薄 膜，任何其它增強(qiáng)相，只要具有自支撐的薄膜結(jié)構(gòu)，均在本發(fā)明限定范圍內(nèi)。 所述實(shí)施方式不局限于采用在鎂基板表面覆蓋納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜的方式使納 米級(jí)增強(qiáng)體薄膜均勻分布于鎂基板表面，任何其他方式，如直接在鎂基板表 面生長(zhǎng)碳納米管，只要能起到上述將納米級(jí)增強(qiáng)體設(shè)置于鎂基板表面，并且 納米級(jí)增強(qiáng)體均勻分布之效果，均在本發(fā)明限定范圍內(nèi)。
可以理解，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本技術(shù)方案和技 術(shù)構(gòu)思做出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本 發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種鎂基復(fù)合材料，包括鎂基金屬，其特征在于，該鎂基復(fù)合材料進(jìn)一步包括至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于上述鎂基金屬中。
2. 如權(quán)利要求1所述的4tt復(fù)合材料，其特征在于，所述的納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜 為單層薄膜或多層薄膜。
3. 如權(quán)利要求2所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜 中納米級(jí)增強(qiáng)體為無(wú)序排列，沿不同方向有序排列或擇優(yōu)取向排列。
4. 如權(quán)利要求1所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜為自支撐薄膜結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜為碳納米管薄膜或碳纖維薄膜。
6. 如權(quán)利要求5所述的4美基復(fù)合材料，其特征在于，所述的鎂基復(fù)合材料中納 米級(jí)增強(qiáng)體薄膜的質(zhì)量百分含量為0.5%至2%。
7. 如權(quán)利要求1所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的鎂基復(fù)合材料為多 層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括至少兩層賴(lài)差金屬層與至少一層鎂基復(fù)合層，該鎂 基金屬層與鎂基復(fù)合層交替排布，鎂基復(fù)合層位于鎂基金屬層之間，該納米 級(jí)增強(qiáng)體薄膜位于鎂基復(fù)合層中。
8. 如權(quán)利要求1所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的鎂基金屬為純鎂或 鎂合金。
9. 如權(quán)利要求8所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的鎂合金為鎂和錫、 鋅、錳、鋁、鋯、釷、鋰、銀、釣中的一種或多種組成的合金。
10. 如權(quán)利要求9所述的鎂基復(fù)合材料，其特征在于，所述的鎂合金中鎂的質(zhì)量 百分含量大于80%。
11. 一種鎂基復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟 提供至少二鎂基板和至少 一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜； 將該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜謬置于二鎂基板之間，形成一預(yù)制體；以及 熱軋?jiān)擃A(yù)制體，形成鎂基復(fù)合材料。
12. 如權(quán)利要求11所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的預(yù)制 體的形成進(jìn)一 步包括以下步驟分別在至少二賴(lài)羞板一表面形成至少 一 過(guò)渡層；將納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于至少二4美基板的過(guò)渡層之間，形成一預(yù)制體。
13. 如權(quán)利要求12所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的過(guò)渡 層為鎳金屬層或含鎳的合金層。
14. 如權(quán)利要求13所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的含鎳 合金層為鎳和鎂、鋁、鋅中的一種或多種組成的合金。
15. 如權(quán)利要求12所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的過(guò)渡 層的形成方法為蒸鍍法、濺射法及沉積法中的一種。
16. 如權(quán)利要求11所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的預(yù)制 體的形成進(jìn)一步包括以下步驟提供一第一鎂基板；在第一鎂基板一表面生長(zhǎng)一碳納米管陣列；以及 提供一第二鎂基板覆蓋在碳納米管陣列上，形成一預(yù)制體。
17. 如權(quán)利要求11所述的鎂基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 對(duì)鎂基復(fù)合材料進(jìn)行退火處理過(guò)程。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種鎂基復(fù)合材料，包括鎂基金屬，其中，該鎂基復(fù)合材料進(jìn)一步包括至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于上述鎂基金屬中。本發(fā)明還涉及一種鎂基復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟提供至少二鎂基板和至少一納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜；將該納米級(jí)增強(qiáng)體薄膜設(shè)置于二鎂基板之間，形成一預(yù)制體；以及熱軋?jiān)擃A(yù)制體，形成鎂基復(fù)合材料。采用本發(fā)明方法制備的鎂基復(fù)合材料具有更高的強(qiáng)度和韌性，并且工藝簡(jiǎn)單、易操作，可廣泛地應(yīng)用于鎂基復(fù)合材料方面。
文檔編號(hào)B32B15/04GK101391500SQ2007100773
公開(kāi)日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日
發(fā)明者姜開(kāi)利, 李文珍, 杜青春, 許光良, 陳正士, 陳錦修 申請(qǐng)人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司