專利名稱：節(jié)能板材及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及節(jié)能板材的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶真空層的節(jié)能板材和 該節(jié)能板材的制造方法。
背景技術(shù)：
為提高板材的強(qiáng)度、厚度或改善隔音、隔熱等性能，現(xiàn)有技術(shù)中已提出 了 一種在板材基板之間設(shè)置真空層的方法，且該方法已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種板 材的結(jié)構(gòu)設(shè)計中。所謂真空層板材，又稱節(jié)能板材，概括而言就是將兩塊基 板扣合，在縫隙的周邊進(jìn)行密封，而后將密封層內(nèi)部抽為真空而制成的。節(jié) 能板材技術(shù)特別在玻璃面板制造領(lǐng)域尤為多見，例如現(xiàn)在所普遍使用的雙層 玻璃面板就是在兩層玻璃基板之間設(shè)置真空層來形成的真空玻璃面板。
顯然，在節(jié)能板材的制造過程中，在兩基板間進(jìn)行密封以及抽真空的操 作是形成真空層的關(guān)鍵。以真空玻璃面板為例，現(xiàn)有技術(shù)中提出了多種制造
真空玻璃面板的方案，如申請?zhí)枮?00380108877. 2題目為《真空玻璃面板的 制造方法及由該方法制造的真空玻璃面板》的中國專利申請所描述的，現(xiàn)有 技術(shù)在加工真空玻璃面板時，是在兩玻璃基板邊緣處用低熔點(diǎn)玻璃來進(jìn)行密 封的。在密封時， 一般以微波形成高溫來加熱涂覆有低熔點(diǎn)玻璃的玻璃面板 整體，在高溫下，低熔點(diǎn)玻璃融化即可將兩玻璃基板密封?，F(xiàn)有技術(shù)不僅在 玻璃基板周邊，往往還可在玻璃基板內(nèi)部的多點(diǎn)分散布設(shè)一些支撐物，支撐 物的兩端同樣涂覆有低熔點(diǎn)玻璃，其熔化后可與兩側(cè)的玻璃基板固連，從而 對玻璃基板的中部形成支撐，以免變形。
但是，上述技術(shù)不可避免存在的缺陷是微波不能加熱普通低熔點(diǎn)玻璃。 在低熔點(diǎn)玻璃中添加吸波材料又會影響到低熔點(diǎn)玻璃的封接強(qiáng)度、流動浸潤
性等性能，難以加工與使用。直接對玻璃面板整體進(jìn)行高溫加熱時，不僅加 熱了低熔點(diǎn)玻璃，同時也加熱了整個玻璃基板，這無疑對玻璃基板的性能造 成了嚴(yán)重影響，特別是高溫產(chǎn)生了去鋼化作用，使真空玻璃面板的性能顯著 下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種節(jié)能板材及其制造方法，以減小在高溫封接時 對節(jié)能板材中基板性能的影響，改善節(jié)能板材形成后的整體性能。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種節(jié)能板材，包括至少兩層基板，各
所述基板之間設(shè)置有封固物，其特征在于所述封固物包括至少一層封固層 和至少一層加熱層；所述封固層鄰接待封固的所述基板設(shè)置，用于被加熱熔 化后再冷卻凝結(jié)于所述基板上；所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板 的一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁 場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化所述封固層；所述封固物設(shè)置在各所述 基板之間的邊緣處和/或在各所述基板之間分散布設(shè)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明又提供了一種節(jié)能板材的制造方法，包括
步驟1、將封固物設(shè)置在兩基板之間的邊緣處和/或在所述基板上分?jǐn)湶?設(shè)，其中，所述封固物包括至少一層封固層和至少一層加熱層，所述封固層 鄰接待封固的所述基板設(shè)置，所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板的 一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料；
步驟2、在所述加熱層上施加交變磁場，所述具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材 料在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對所述封固層進(jìn)行加熱；
步驟3、當(dāng)所述封固層被加熱熔化后，減弱或停止施加所述交變磁場， 熔化后的封固層冷卻凝結(jié)，與所述基板的壁面固連封接。
由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用以交變》茲場在封固物的加熱層中感應(yīng) 形成電流，從而加熱熔化封固層的技術(shù)手段，克服了現(xiàn)有技術(shù)加熱時對整個
節(jié)能板材進(jìn)行加熱而降低基板性能的技術(shù)問題。因此，本發(fā)明可以對封固層 進(jìn)行獨(dú)立加熱，避免了對整個節(jié)能板材進(jìn)行加熱而產(chǎn)生的問題，有效保證了 節(jié)能板材中基板的性能，且實(shí)現(xiàn)方法簡便、易于控制。
下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1為本發(fā)明節(jié)能板材具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明節(jié)能板材具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例一的流程圖4為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例一中封固物的布設(shè)結(jié)構(gòu)示
意圖5為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例二的流程圖； 圖6為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例三的流程圖； 圖7為本發(fā)明節(jié)能板材具體實(shí)施例中封固物的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
節(jié)能板材實(shí)施例一
如圖1所示為本發(fā)明節(jié)能板材具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。該節(jié)能板材 具體為玻璃基板夾設(shè)真空層而形成的真空玻璃面板，具體包括兩層玻璃基板 10，各玻璃基板10之間設(shè)置有封固物20，該封固物20包括兩個封固層21 和一個加熱層22，封固層21與玻璃基板10壁面鄰沖妻i殳置，加熱層22設(shè)置 在封固層21遠(yuǎn)離玻璃基板10的一側(cè)，即夾設(shè)在兩封固層21之間，且該加熱 層22中設(shè)置有導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場的作用下產(chǎn)生電 流發(fā)熱以加熱封固層21熔化。
本實(shí)施例的節(jié)能板材可對加熱層施加交變磁場，使加熱層中的導(dǎo)磁性材 料在磁場感應(yīng)下產(chǎn)生電流來發(fā)熱，從而加熱封固層熔化，當(dāng)停止施加交變磁
場時，熔化的封固層即可冷卻凝結(jié)與玻璃基板固連。其具體應(yīng)用形式多樣， 對于需要在兩基板之間形成密封層的板材，封固物可以包括兩層封固層和一
層加熱層，且設(shè)置在基板之間的邊緣處作為封接框；對于需要多層基板封接 的板材，可在兩兩基板之間設(shè)置封固物；對于需要在基板之內(nèi)設(shè)置支撐的板 材，可以將封固物設(shè)置在基板之間，且分散布設(shè)作為支撐物；或可以同時設(shè) 置封接框和中部的支撐物；另外，如果僅僅需要將封固物固接在基板上，則 可以設(shè)置封固物包括一層封固層和一層加熱層。根據(jù)具體情況的需要，還可 以設(shè)置多層間隔設(shè)置的封固層和加熱層，使兩基板之間的間隔距離更大，封 固層加厚時，其間的多個加熱層能均勻的對其進(jìn)^f亍加熱。
對于本實(shí)施例中的玻璃基板而言，具體可以為低輻射玻璃基板或防火玻 璃基板或鋼化玻璃基板等材料?；蛘?，也可以采用陶資基板形成陶乾的節(jié)能 板材。所使用的封固層材料較佳的是采用熔化溫度小于60(TC的非結(jié)晶型低 熔點(diǎn)玻璃。當(dāng)基板為其他材質(zhì)，封固層也可以對應(yīng)選用適當(dāng)?shù)姆夤滩牧?。?熱層中的導(dǎo)電材料可以采用鐵、鎳、鐵鎳合金、426合金或可伐合金等任意 金屬材料，能具備良好的導(dǎo)電性能、導(dǎo)磁性能和電熱轉(zhuǎn)換能力即可。
在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，為了保證節(jié)能板材在制造和使用過程中維持 高真空密封，需要鐵鎳合金等加熱層的熱膨脹系數(shù)與上下基板、低熔點(diǎn)玻璃 封固層的膨脹系數(shù)相匹配。在同一個節(jié)能板材上， 一般基板、加熱層和封固 層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于20%，較佳的是不大于10%，從而保證低熔 點(diǎn)玻璃材質(zhì)的良好粘接性能。
節(jié)能板材實(shí)施例二
如圖2所示為本發(fā)明節(jié)能板材具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例可 以上述實(shí)施例一為基礎(chǔ)，當(dāng)封固物20將兩玻璃基板10封接之后，還要進(jìn)一 步抽空氣形成真空層，具體的，在玻璃基板10上一般還設(shè)置有用于抽取空氣 的直的通孔30，在該通孔30處設(shè)置附加封固層31，該附加封固層31遠(yuǎn)離通 孔30的一側(cè)還設(shè)有附加加熱層32。
當(dāng)抽真空結(jié)束或達(dá)到抽真空要求時，在交變磁場的作用下可以使附加加
熱層32加熱熔化附加封固層31，附加封固層31將通孔30密封的同時，將 附加加熱層32按壓在附加封固層31的熔化物上，使通孔30 口處最終形成一 平面。該通孔30不僅可以為貫穿孔的形式，還可以設(shè)置通孔為臺階孔，臺階 朝向外側(cè)，附加封固層31和附加加熱層32設(shè)置在臺階孔的臺階內(nèi)，則在密 封通孔之后，附加封固層31和附加加熱層32也容置在臺階之中，使玻璃面 板10的外表更加平坦光滑。
上述技術(shù)方案中所形成的節(jié)能板材，實(shí)際上包括七層結(jié)構(gòu)，如圖2所示， 從下至上依次為玻璃基板10、封固層21、加熱層22、封固層21、玻璃基板 10、在通孔30外側(cè)的附加封固層31和附加加熱層32。
該七層結(jié)構(gòu)的節(jié)能板材，能夠在交變磁場的作用下使封固層熔化，再冷 卻凝結(jié)，完成與玻璃基板的固接。其加熱的實(shí)現(xiàn)可以通過對交變磁場的控制 來實(shí)現(xiàn)，并且能夠獨(dú)立對加熱層進(jìn)行加熱，而避免對整個玻璃面板的加熱， 從而能夠避免對玻璃基板的去鋼化作用，保證玻璃基板的性能。
本發(fā)明基于交變磁場來作用于加熱層，單獨(dú)對封固層進(jìn)行加熱的技術(shù)方 案，可以避免玻璃基板本身被高溫加熱，保證玻璃基板的性能不受高溫的影 響。另外，本發(fā)明技術(shù)方案簡單，加熱控制靈活，能夠很好的滿足現(xiàn)有技術(shù) 對玻璃面板加工的需求。同時，本發(fā)明的技術(shù)方案并不限于真空玻璃面板 還可以擴(kuò)展至多種節(jié)能板材的封接，例如陶瓷基板等。為了提高真空度，還 可以進(jìn)一步在封接的各基板之間設(shè)置吸氣劑。
節(jié)能板材的制造方法實(shí)施例一
如圖3所示為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例一的流程圖，該方 法適用于在真空室內(nèi)對兩層玻璃基板進(jìn)行密封以形成真空玻璃面板。該方法 具體可以制造本發(fā)明節(jié)能板材實(shí)施例 一 中的真空玻璃面板，其包括如下步驟
步驟IO、將封固物20設(shè)置在玻璃基板10的邊緣處，并在兩層玻璃基板 IO之間的中部分散布設(shè)，如圖4所示，該封固物至少包括封固層和加熱層， 其中封固層為兩層，每層封固層與一塊玻璃基板的壁面鄰接設(shè)置，封固層較 佳的是采用熔化溫度低于600。C的非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃制成，該加熱層設(shè)置
在封固層遠(yuǎn)離玻璃基板的一側(cè)，即一層加熱層設(shè)置在兩封固層之間，加熱層 中設(shè)置有導(dǎo)電性能相對較好的導(dǎo)磁性材料，較佳的是采用鐵、鎳、鐵鎳合金、
426合金或可伐合金等金屬材料制成加熱層或設(shè)置在其它材料中形成加熱層；
步驟20、在加熱層上施加交變磁場，則加熱層中具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性 材料在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對封固層進(jìn)行加熱，較佳的是控制 交變磁場，使加熱層將封固層加熱到不高于600。C熔化；
在步驟20中，利用了石茲場感應(yīng)電流，又稱渦流的加熱原理。可以在真空 玻璃面板下放置加熱設(shè)備，加熱設(shè)備內(nèi)裝設(shè)有電子線路板線圈，產(chǎn)生交變磁 場，當(dāng)含有鐵、鎳合金等導(dǎo)電性能相對較好的導(dǎo)磁性材料的加熱層處于交變 磁場中時，磁力線作用于加熱層，加熱層即開始切割交變磁力線而產(chǎn)生交變 的電流，電流克服內(nèi)阻流動時完成了電能向熱能的轉(zhuǎn)換，使得加熱層發(fā)出熱 量對封固層進(jìn)行加熱。
步驟30、當(dāng)封固層被加熱熔化后，即減弱或停止施加交變磁場，熔化后 的封固層冷卻凝結(jié)，與玻璃基板的壁面固連，加熱層兩側(cè)的封固層分別將兩 側(cè)的玻璃基板封接，同時也與加熱層固連，因此，兩塊玻璃基板最終被封接 在一起，且由于邊緣處的封接使得兩玻璃基板之間形成密封腔。
上述步驟10-30較佳的是將節(jié)能板材置于真空室中完成，且在步驟30 之后，當(dāng)節(jié)能板材的溫度低于IO(TC后，即將節(jié)能板材從真空室內(nèi)取出。
在執(zhí)行完成上述步驟IO之后，也可以首先將基板及其上設(shè)置的封固物， 整體加熱到不高于400°C，而后再利用加熱層對封固層進(jìn)^f亍獨(dú)立的加熱。
在本實(shí)施例中，采用磁場感應(yīng)電流的加熱原理對封固層進(jìn)行了局部加熱， 避免了對整個真空玻璃面板進(jìn)行的加熱，玻璃基板在整個過程中只經(jīng)歷了一 次局部瞬間不高于600。C的高溫過程，因此能最大限度地減小加熱封接過程 對玻璃基板性能的影響，避免了玻璃基板被去鋼化而性能下降。并且，本實(shí) 施例技術(shù)方案通過施加交變磁場即可完成加熱，其工作過程節(jié)能、安全、可 靠且環(huán)保，對溫度的控制可以通過控制交變磁場來準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)。
在本實(shí)施例中具體是對兩塊玻璃基板進(jìn)行封接，在具體應(yīng)用中，該封固
物可以布設(shè)在玻璃基板的邊緣用于形成密封腔，也可以獨(dú)立呈點(diǎn)狀分散布設(shè) 在玻璃基板中部作為支撐物，交變磁場的施加位置和范圍容易控制，能夠方 便地實(shí)現(xiàn)對各個位置的封固物獨(dú)立進(jìn)行加熱。 節(jié)能板材的制造方法實(shí)施例二
如圖5所示為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例二的流程圖，本實(shí) 施例與上述實(shí)施例 一 的區(qū)別在于，在步驟10之前，還包括制備封固物的步驟， 封固物的形成方式較多，較佳的一種方式具體是采用下述步驟來形成封固物
步驟11、以鐵或鎳或鐵鎳合金或426合金或可伐合金采用成型工藝制成 適合于作為邊緣封接框和支撐物的形狀，清洗、燒氬、氧化后形成加熱層。 以鐵鎳合金的加熱層為例，在濕氣中進(jìn)行熱處理，可以在合金表面獲得牢固 致密的氧化鉻(Cr203 )層。在后續(xù)使用封固層進(jìn)行封接粘合時，部分金屬氧 化物，例如氧化鐵和氧化鉻(Fe304+Cr203 )可以熔入封接界面的封固層中，形 成封接過渡層。具有封接過渡層可以獲得更高強(qiáng)度和氣密性的封接；
步驟12、在加熱層的外側(cè)表面，涂布、噴涂或黏附低熔點(diǎn)玻璃漿料；
步驟13、將低熔點(diǎn)玻璃漿料進(jìn)行預(yù)加熱形成封固層，較佳的是經(jīng)過不高 于700'C預(yù)燒形成致密的低熔點(diǎn)玻璃層。
節(jié)能板材的制造方法實(shí)施例三
如圖6所示為本發(fā)明節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施例三的流程圖，本實(shí) 施例可以上述實(shí)施例一為基礎(chǔ)，區(qū)別在于在非真空室內(nèi)實(shí)施，則在玻璃基板 上設(shè)置有通孔，于玻璃基板通孔的外側(cè)設(shè)置封固物，包括封固層和加熱層， 且封固層鄰接通孔設(shè)置，具體可以環(huán)繞布設(shè)在通孔的外表面處，加熱層設(shè)置 在封固層遠(yuǎn)離玻璃基板的一側(cè)，覆蓋在封固層之外；其中，通孔是用于抽取 空氣而在玻璃基板上設(shè)置的， 一般設(shè)置在邊角位置處；封固物被設(shè)置在通孔 處，可以在兩塊玻璃基板已封接形成密封腔之后再設(shè)置通孔外的封固物，也 可以與玻璃基板之間的封固物一起設(shè)置。且在上述步驟30之后執(zhí)行下述步 驟
步驟31、當(dāng)至少兩層玻璃基板之間被密封形成密封腔后，抽真空設(shè)備利
用抽氣管通過該通孔抽取空氣；
步驟32、當(dāng)玻璃基板之間形成真空或近似真空的環(huán)境后或者可以在抽取 空氣的過程中，在通孔外側(cè)設(shè)置的加熱層上施加交變》茲場，該通孔外側(cè)的加 熱層在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對通孔處設(shè)置的封固層進(jìn)行加熱；
步驟33、當(dāng)通孔處的封固層被加熱熔化且板內(nèi)達(dá)到所需真空度后，減弱 或停止施加交變磁場，按壓通孔外側(cè)的加熱層，熔化后的封固層冷卻凝結(jié)將 通孔密封，且祐j安壓的加熱層在凝結(jié)的封固層外形成平面。
本實(shí)施例的技術(shù)方案有效解決了現(xiàn)有真空密封口處形成的尖端易損的問 題。現(xiàn)有技術(shù)中，在封離抽取空氣的抽氣管的同時在抽氣管一端形成了尖端， 該尖端是應(yīng)力集中的部位，也是易受外界碰撞而損壞的部位。現(xiàn)有技術(shù)因?yàn)?整體加熱整個玻璃基板及封固物質(zhì)，所以難以可控制地在通孔處進(jìn)行局部加 熱，以避免尖端的出現(xiàn)。因此，本實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)一步基于磁場感應(yīng)電 流的原理對抽氣通孔處進(jìn)行處理，形成平面以克服尖端易損的問題，提高產(chǎn) 品使用壽命。作為加熱源的加熱層也恰好可以用于形成封口平面，對封口進(jìn) 行有效保護(hù)。
在本實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步在密封的玻璃基板之間設(shè)置吸氣劑，以進(jìn) 一步提高玻璃基板內(nèi)部的真空度。
本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于封接低輻射玻璃基板、防火玻璃基板或鋼化 玻璃基板等板材，也可以進(jìn)一步擴(kuò)展至局部加熱封接其他板材，例如，上述 實(shí)施例一、二或三中的玻璃基板還可以為陶瓷基板等，只要采用對應(yīng)的封固 層材料即可。
在本發(fā)明各實(shí)施例的技術(shù)方案中，為了保證玻璃面板在制造和使用過程 中維持高真空密封，需要鐵鎳合金等加熱層的熱膨脹系數(shù)與上下基板、低熔 點(diǎn)玻璃封固層的熱膨脹系統(tǒng)相匹配，從而保證低熔點(diǎn)玻璃材質(zhì)的良好粘接性 能。在同一個節(jié)能板材上， 一般基板、加熱層和封固層材料間的膨脹系數(shù)差 值不大于20%,較佳的是不大于10%。例如，當(dāng)基板使用熱膨脹系數(shù)為(85 ±10) x 10 — 7。C的鈉鉤玻璃、鋼化玻璃或陶瓷基板時，可采用"426"合金作為加熱層，"426"合金是一種定膨脹合金，也稱為封接合金，其熱膨脹曲 線大約在35(TC左右與鈉鋦浮法玻璃的熱膨脹曲線相交。因此，在該溫度附 近，使用低熔點(diǎn)玻璃封接粘合，在室溫下無殘余應(yīng)力。由于節(jié)能板材特定的 工藝封接溫度一般低于600'C,所以要求的低熔點(diǎn)玻璃材料的熱膨脹系數(shù)與 玻璃基板的熱膨脹系數(shù)相匹配。因此較佳的是選用非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃材料。 非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃材料在加熱熔封過程中不析晶，因此流動浸潤性能好， 多次加熱熔化溫度不變，容易形成良好的粘接和真空密封。在熔封前后本身 沒有明顯的熱膨脹系數(shù)變化，封接應(yīng)力固定，而且工藝比較簡單。
在制造真空玻璃面板的過程中，玻璃基板的厚度大、鋼化度高時，封固 物的布局位置間距可以更大，以減少使用時的傳導(dǎo)熱。
本發(fā)明節(jié)能板材及其制造方法中所使用到的封固物，如圖7所示，包括 至少一層封固層21和至少一層加熱層22,封固層21與加熱層22相互疊設(shè)。 該封固物可以適用于本發(fā)明節(jié)能板材及其制造方法中。加熱層材料可以為鐵 或鎳或鐵鎳合金或426合金或可伐合金，封固層可以具體為熔化溫度小于 6 0 0 °C的非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃。
該封固物可以獨(dú)立生產(chǎn)制造，成為一種固體部件，在封接加工時再放置 到基板待封接的位置處。比較之下，現(xiàn)有技術(shù)通常只能將低熔點(diǎn)玻璃粉調(diào)制 成為漿料后作為封固物涂覆在玻璃基板上，作為封接框或支撐物，而后再扣 合另一塊玻璃基板，再加熱封接，而不能獨(dú)立地加工成固體形式的封接框或 支撐物。因此，上述技術(shù)方案相比于現(xiàn)有技術(shù)而言工序更加簡單。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技 術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種節(jié)能板材，包括至少兩層基板，各所述基板之間設(shè)置有封固物，其特征在于所述封固物包括至少一層封固層和至少一層加熱層；所述封固層鄰接待封固的所述基板設(shè)置，用于被加熱熔化后再冷卻凝結(jié)于所述基板上；所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化所述封固層；所述封固物設(shè)置在各所述基板之間的邊緣處和/或在各所述基板之間分散布設(shè)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能板材，其特征在于所述基板為玻璃基板 或陶瓷基板；所述加熱層為鐵或鎳或鐵鎳合金或426合金或可伐合金；所述 封固層為熔化溫度小于60(TC的非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃；所述基板、加熱層和封 固層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于20°/。。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的節(jié)能板材，其特征在于，還包括 在所述基板上設(shè)置有通孔，于所述基板通孔的外側(cè)設(shè)置所述封固物，且所述封固層鄰接所述通孔設(shè)置，所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板 的一側(cè)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的節(jié)能板材，其特征在于所述通孔為臺階孔， 所述封固層和所述加熱層"^殳置在所述臺階孔的臺階內(nèi)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的節(jié)能板材，其特征在于，還包括在封接 的各基板之間設(shè)置吸氣劑。
6、 一種節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，包括步驟1、將封固物設(shè)置在兩基板之間的邊緣處和/或在所述基板上分散布 設(shè)，其中，所述封固物包括至少一層封固層和至少一層加熱層，所述封固層 鄰接待封固的所述基板設(shè)置，所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板的 一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料；步驟2、在所述加熱層上施加交變磁場，所述具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料 在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對所述封固層進(jìn)行加熱；步驟3、當(dāng)所述封固層被加熱熔化后，減弱或停止施加所述交變磁場，熔 化后的封固層冷卻凝結(jié)，與所述基板的壁面固連封接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，所述節(jié)能 板材置于真空室內(nèi)執(zhí)行上述步驟1-3,且在步驟3之后還包括步驟4、當(dāng)所述節(jié)能板材的溫度低于IO(TC后，將所述節(jié)能板材從所述真 空室內(nèi)取出。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，所述步驟 l和步驟2之間還包括將所述基板及其上設(shè)置的封固物，整體加熱到不高于 糊。C。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，所述步驟 2具體為步驟2、在所述加熱層上施加交變磁場，所述具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料 在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，將所述封固層加熱到不高于600。C熔化。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，在所述 步驟3之后，還包括當(dāng)至少兩層所述基板之間被封接形成密封層后，利用抽氣管通過基板上 的通孔抽取空氣；在抽取空氣的過程中，在所述通孔外側(cè)設(shè)置的加熱層上施加交變^f茲場， 所述通孔外側(cè)的加熱層在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對所述通孔處設(shè) 置的封固層進(jìn)行加熱；當(dāng)所述通孔處的封固層被加熱熔化，并且基板間達(dá)到所需真空度后，減 弱或停止施加交變磁場，并按壓通孔外側(cè)的加熱層，熔化后的封固層冷卻凝 結(jié)將所述通孔密封，且^皮按壓的加熱層在凝結(jié)的封固層外形成平面。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材的制造方法，其特征在于，在所述 步驟l之前還包括以鐵或鎳或鐵鎳合金或426合金或可伐合金制成所述加熱層； 在所述加熱層的外側(cè)表面涂布或噴涂或黏附低熔點(diǎn)玻璃漿料； 將所述低熔點(diǎn)玻璃漿料在不高于700。C的條件下進(jìn)行預(yù)加熱，形成所述封 固層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種節(jié)能板材及其制造方法。該節(jié)能板材包括基板，各基板之間設(shè)置有封固物，封固物包括封固層和加熱層；加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化封固層。該方法可制造上述節(jié)能板材，包括將封固物設(shè)置在兩基板之間的邊緣處和在基板上分散布設(shè)；在加熱層上施加交變磁場，加熱層在交變磁場的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對封固層進(jìn)行加熱；當(dāng)封固層被加熱熔化后，減弱或停止施加交變磁場，熔化后的封固層冷卻凝結(jié)，與基板的壁面固連封接。本發(fā)明交變磁場在加熱層中感應(yīng)電流，從而加熱封固層熔化密封的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對封固層的獨(dú)立加熱，解決了對整個節(jié)能板材進(jìn)行加熱而降低基板性能的技術(shù)問題。
文檔編號B32B17/06GK101337774SQ200810117999
公開日2009年1月7日 申請日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者李夢琪 申請人:李夢琪