專利名稱：消光性聚合物薄膜結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種聚合物薄膜結構，特別是一種可作為電路板的保護膜且具有
消光層的聚合物薄膜結構。
背景技術：
聚酰亞胺薄膜(Polyimide Film)是在高性能薄膜材料中具有較高的熱穩(wěn)定性、電 氣性及柔軟性的商業(yè)化產品，因此成為該領域中不可替代的最主要的基本材料。聚酰亞胺 薄膜的高可靠性更是其不可替代的原因之一。目前市場上大部分的聚酰亞胺薄膜為亮光性 聚酰亞胺薄膜，例如，為了使聚酰亞胺保護膜具有遮蔽電路布局的功能，在如圖1A所示的 聚酰亞胺薄膜101之上形成黑色粘著層102。然而，這種結構雖然達到了遮蔽的目的，但是 聚酰亞胺薄膜表面的光澤度仍然過亮，無法滿足特定光學應用的需求。 為了應市場對消光性聚酰亞胺保護膜的需求，另一種現有結構如圖1B所示，該結 構使用添加碳粉的黑色聚酰亞胺薄膜101a，并在該黑色聚酰亞胺薄膜101a上形成粘著層 102a。以這種方式制造的聚酰亞胺保護膜雖然具有較好的消光效果，但是黑色聚酰亞胺薄 膜101a的成本過高，實際量產時不符合需求，而且含有添加物的聚酰亞胺保護膜也存在抗 拉強度、尺寸安定性等性質變差的憂慮。 因此，如何在不影響聚合物薄膜的性能的情況下制造低成本且消光性良好的消光 性聚合物薄膜是目前仍待解決的課題。

實用新型內容鑒于上述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的是提供一種消光性聚合物薄膜結構，以
在不影響聚合物薄膜的性能的情況下，同時具有制造低成本且消光性良好的優(yōu)點和特性。 為達到上述目的及其它目的，本實用新型提供一種消光性聚合物薄膜結構，其包
括聚合物薄膜以及在該聚合物薄膜上形成的厚度為1至3微米的消光層，所述消光層包括
膠粘劑及分散于該膠粘劑中的選自二氧化硅、二氧化鈦或其混合物的消光粉。 在一個具體實施方案中，所述消光層的外側表面具有粗糙化紋路，且優(yōu)選地，該紋
路為鋸齒狀或波浪狀。 在另一具體實施方案中，本實用新型的消光性聚合物薄膜結構進一步包括在該聚 合物薄膜上形成的粘著層，從而使得該聚合物薄膜夾在消光層及粘著層之間，且所述粘著 層的厚度介于10至35微米。 在具有粘著層的具體實施方案中，本實用新型的消光性聚合物薄膜結構進一步包
括在該粘著層上形成的離形膜，從而使得該粘著層夾在聚合物薄膜及離形膜之間。 本實用新型的消光性聚合物薄膜結構可以在保持聚合物薄膜的高性能的情況下，
通過涂布一定厚度的消光性膠水，并在固化該消光性膠水之后使該聚合物薄膜具有光散射
性質，進而達到良好的消光效果。
圖1A顯示現有聚酰亞胺保護膜結構。[0012]圖IB顯示現有消光性聚酰亞胺保護膜結構。[0013]圖2A至2C顯示本實用新型的消光性聚合物薄膜結構。[0014]圖3為本實用新型的消光層涂布設備示意圖。[0015]主要元件符號說明[0016]1Ql、101a聚酰亞胺薄膜102、102a、2Q2 粘著層[0018]200、200'、,200"消光性聚合物薄膜結構201、314聚合物薄膜203消光層204離形膜205紋路300涂布設備311容槽312含浸滾輪313刮涂裝置
具體實施方式以下通過特定的具體實施方案說明本實用新型的實施方式，本領域技術人員可由
本說明書所揭示的內容輕易地了解本實用新型的優(yōu)點及功效。本實用新型也可以其它不同
的方式實施，即，在不背離本實用新型所揭示的范圍內進行不同的修改與改變。 如圖2A所示，其顯示本實用新型的消光性聚合物薄膜結構200，該結構包括聚合
物薄膜201以及厚度為1至3微米的消光層203，所述消光層203在該聚合物薄膜201上形
成，且該消光層包括膠粘劑及分散于該膠粘劑中的選自二氧化硅、二氧化鈦或其混合物的
消光粉。在一個例子中優(yōu)選二氧化鈦消光粉。 在本實用新型的消光性聚合物薄膜結構中，并不特別限定所使用的聚合物薄膜 201材料，通常，該聚合物薄膜201選自聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚對萘二甲酸 乙二酯，且該聚合物薄膜201的厚度介于12至25微米。 再參照圖2B，其顯示本實用新型的另一消光性聚合物薄膜結構200'，其中，聚合 物薄膜201在與消光層203接觸的側表面上具有粗糙化紋路205，具體而言，該紋路為鋸齒 狀或波浪狀。再參照圖2C，其顯示本實用新型的另一消光性聚合物薄膜結構，為了使聚合物 薄膜作為電路板的保護膜，本實用新型還提供一種消光性聚合物薄膜結構200"，該結構包 括聚合物薄膜201、厚度為1至3微米的消光層203、在該聚合物薄膜201上形成的粘著層 202，以及在該粘著層202上形成的離形膜204。在該具體實施方案中，所述粘著層用以粘合 于電路板上，例如電路板上的線路層，而所述離形膜則提供方便撕取并保護粘著層的粘性。 在本實用新型中，可選用各種適合的材料作為離形膜，例如但不限于紙質的離形膜。 在一個具體實施方案中，所述粘著層202的厚度介于10至35微米，常用的粘著層 202的厚度為10微米、15微米、25微米以及35微米。[0032] 此外，所述消光層203的組成包括膠粘劑及分散于該膠粘劑中的選自二氧化硅、 二氧化鈦或其混合物的消光粉。通常在制備時使用液態(tài)硅橡膠或鐵氟龍(TEFLON)膠水作 為膠粘劑，在該膠粘劑固化之后形成消光層，由于本實用新型的消光層在聚合物薄膜201 上形成，不會因分散的消光粉而影響聚合物薄膜特性，且固化后的消光層203可使光線散 射，從而達到整體結構的消光效果；而且，本實用新型的消光層203的厚度為遠小于聚合物 薄膜的3微米以下，優(yōu)選為l至2微米，因此不會影響聚合物薄膜的平坦性；此外，在制造時 控制消光層203的粘度為200至300cps之間，且例如包括膠粘劑及消光粉的固含量為15 至25重量％之間。 此外，為了制備本實用新型的消光性聚合物薄膜結構，本實用新型提供一種示例 性的制備方法。如圖3所示的涂布設備300包括容納膠粘劑及消光粉的容槽311、含浸滾 輪312及刮涂裝置313。在制造時利用導輪(未圖示)順著箭號方向輸送聚合物薄膜314， 當聚合物薄膜314通過含浸滾輪312時，由于部分浸漬于容槽311中的含浸滾輪312沾附 包含膠粘劑及消光粉的液體，使得該液體被涂布于聚合物薄膜314的表面上。通常，在制造 時控制用于形成消光層203的液體粘度為200至300cps之間，且液體中包括膠粘劑及消光 粉的固含量為15至25重量％之間。接著，當聚合物薄膜通過并接觸刮涂裝置313時，可通 過刮涂裝置313的刮刀或線棒控制該液體所形成的消光層厚度為3微米以下，優(yōu)選厚度為 1至2微米。此外，所述刮涂裝置313的刮刀或線棒可具有不平坦的外形，例如具有粗糙化 紋路，更具體而言，該紋路可為鋸齒狀或波浪狀，由此使得所述消光層的外側表面具有粗糙 化紋路，如鋸齒狀或波浪狀的外形。 在另一方面，可在所述已涂布包含膠粘劑及消光粉的液體的聚合物薄膜314通過 刮涂裝置313之前，預先加熱該聚合物薄膜314使得所述液體處于半固化(B-sage)狀態(tài)， 以利于形成粗糙化紋路，當然，最后在聚合物薄膜314通過刮涂裝置313之后再固化所述液 體形成的消光層。 綜上所述，本實用新型的消光性聚合物薄膜結構包括在聚合物薄膜上形成的厚度 為1至3微米的消光層，并利用所述消光層含有分散于其中的選自二氧化硅、二氧化鈦或其 混合物的消光粉，使得聚合物薄膜具有消光性外觀，且因為改變聚合物薄膜的組成而得以 在保持聚合物薄膜的性能的情況下達到消光的效果。所述實施方式簡單，無需耗費過高的 成本，確實解決現有技術的缺陷。 上述說明書及實施例僅為示例性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制 本實用新型。本實用新型的要求保護范圍應如權利要求書所列。
權利要求一種消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，包括聚合物薄膜；以及厚度為1至3微米的消光層，該消光層在所述聚合物薄膜上形成，并包括膠粘劑及分散于該膠粘劑中的消光粉。
2. 根據權利要求1所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述消光層的外側表 面具有粗糙化紋路。
3. 根據權利要求2所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述消光層的外側表 面的紋路為鋸齒狀或波浪狀。
4. 根據權利要求1至3中任一項所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述膠粘 劑的材料為硅橡膠或鐵氟龍膠。
5. 根據權利要求1至3中任一項所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述聚合 物薄膜的厚度介于12至25微米。
6. 根據權利要求5所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述的消光性聚合物 薄膜結構進一步包括粘著層，該粘著層在所述聚合物薄膜上形成，從而使得該聚合物薄膜 夾在消光層及粘著層之間，且該粘著層的厚度介于10至35微米。
7. 根據權利要求6所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述的消光性聚合物 薄膜結構進一步包括離形膜，該離形膜在所述粘著層上形成，從而使得該粘著層夾在聚合 物薄膜及離形膜之間。
8. 根據權利要求1至3中任一項所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述聚合 物薄膜在與消光層接觸的側表面具有粗糙化紋路。
9. 根據權利要求8中任一項所述的消光性聚合物薄膜結構，其特征在于，所述聚合物 薄膜在與消光層接觸的側表面的紋路為鋸齒狀或波浪狀。
專利摘要本實用新型涉及一種消光性聚合物薄膜結構，其包括聚合物薄膜以及厚度為1至3微米的消光層，所述消光層包括膠粘劑及分散于該膠粘劑中的選自二氧化硅、二氧化鈦或其混合物的消光粉。本實用新型的消光性聚合物薄膜結構可以在保持聚合物薄膜原有性能的情況下，通過涂布一定厚度的消光性膠水而使得該聚合物薄膜具有良好的消光效果。
文檔編號B32B33/00GK201538072SQ20092015096
公開日2010年8月4日 申請日期2009年5月25日 優(yōu)先權日2009年5月25日
發(fā)明者向首睿, 周文賢, 李建輝, 林志銘 申請人:昆山雅森電子材料科技有限公司