專利名稱：電路板基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于電路板生產(chǎn)并具有電磁屏蔽作用的電路板基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，印刷電路板在電子領(lǐng)域得到的廣泛的應(yīng)用。關(guān)于電路板的
Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, Α. Akahoshi, H. Mukoh, Α. Wajima, Μ. Res. Lab, High densitymultilayer printed circuit board for HITAC M-880, IEEE Trans. onComponents, Packaging, and Manufacturing Technology,1992,15(4) :418_425。隨著電路板產(chǎn)品層數(shù)增加，電路板產(chǎn)品在實(shí)際工作時(shí)，往往會(huì)產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象， 影響電路板信號(hào)傳送。這樣，在電路板產(chǎn)品中需要設(shè)置電磁屏蔽層。目前，采用的電磁屏蔽層通常采用厚度較小的不銹鋼片制作，將不銹鋼片設(shè)置于電路板產(chǎn)品相鄰的兩銅箔層之間，從而起到電磁屏蔽的作用。然而，不銹鋼片的重量較大，從而增加了電路板產(chǎn)品的重量。 并且不銹鋼片的撓折性較差，采用不銹鋼片制作的電磁屏蔽層影響柔性電路板撓折性能。 由于不銹鋼片的價(jià)格較高，增加了電路板的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有必要提供一種電路板基板及其制作方法，所述電路板基板能夠應(yīng)用于電路板以起到電磁屏蔽作用。以下將以實(shí)施例說明一種電路板基板及其制作方法。一種電路板基板，其包括依次堆疊的第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二膠層及第二金屬層。所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、碳納米管及無機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為 4. 6%M 16%?！N電路板基板制作方法，包括步驟制作環(huán)氧樹脂復(fù)合材料，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、碳納米管及無機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%;提供絕緣基材層，所述絕緣基材層具有相對(duì)的第一表面和第二表面；將所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層的第一表面形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層；將所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于所述絕緣基材層的第二表面形成第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層；提供第一金屬層和第二金屬層；在第一金屬層上形成形成第一膠層，在第二金屬層上形成第二膠層；依次疊放并壓合第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二膠層及第二金屬層；以及固化所述第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層及第二膠層。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案提供的電路板基板，其中間設(shè)置有環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層中具有分散均勻的碳納米管而具有電磁屏蔽作用，當(dāng)所述電路板基板用于制作多層電路板時(shí)，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層能夠起到電磁屏蔽作用，并能夠防止導(dǎo)電線路之間的離子遷移問題。并且，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層具有良好的柔韌性，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼片，能夠增加柔性電路板的撓折性能，并且可以降低電路板的生產(chǎn)成本。本技術(shù)方案提供的電路板基板的制作方法，能夠方便地制作所述電路板基板。


圖1是本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的電路板基板的剖視圖。圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的絕緣基材的剖視圖。圖3是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的在絕緣基材的第一表面形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層后的剖視圖。圖4是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的在絕緣基材的第二表面形成第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層后的剖視5是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的第一金屬層和第二金屬層的剖視圖。圖6是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的第一金屬層上形成第一膠層和在第二金屬層上形成第二膠層后的剖視圖。圖7是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的依次堆疊第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二膠層及第二金屬層后的示意圖。主要元件符號(hào)說明電路板基板100第一金屬層110第五表面111第一膠層120第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130第三表面131絕緣基材層140第一表面141第二表面142第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150第四表面151第二膠層160第二金屬層170第六表面1具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本技術(shù)方案提供的電路板基板及其制作方法進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請(qǐng)參閱圖1，本技術(shù)方案提供一種電路板基板100，其包括依次堆疊的第一金屬層 110、第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、絕緣基材層140、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170。
絕緣基材層140用于承載第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150，并起到電絕緣的作用。本實(shí)施例中，絕緣基材層140的材質(zhì)為聚酰亞胺。絕緣基材層140的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，其厚度可以為10微米至50微米，優(yōu)選為25微米。第一膠層120用于粘接第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第一金屬層110，并使得第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第一金屬層110之間相互電絕緣。本實(shí)施例中，第一膠層120 采用的材料為熱固性環(huán)氧樹脂膠。第一膠層120的厚度約為8至20微米，優(yōu)選為17微米。 第二膠層160用于粘結(jié)第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150和第二金屬層170，并使得第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150與第二金屬層170相互電絕緣。第二膠層160采用的材料也為熱固型環(huán)氧樹脂膠。第二膠層160的厚度也約為8至20微米，優(yōu)選為17微米。第一金屬層110和第二金屬層170均用于在電路板的制作過程中制作導(dǎo)電線路。 本實(shí)施例中，第一金屬層110和第二金屬層170均為銅箔，其厚度約為10微米至25微米， 優(yōu)選為18微米。第一金屬層110和第二金屬層170也可以采用其他金屬材料如銀等制成。第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150均用于起到電磁屏蔽作用。第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要屏蔽的電磁干擾的強(qiáng)弱進(jìn)行設(shè)定。第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150的厚度約為2微米至8微米，優(yōu)選為3微米。第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150的厚度控制在此范圍內(nèi)，可以有效地避免電路板基板100發(fā)生翹曲等問題的產(chǎn)生，并且能夠防止制作形成的電路板在使用過程中出現(xiàn)離子遷移現(xiàn)象。 第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150內(nèi)的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、碳納米管、無機(jī)分散材料、硬化劑、催化劑、溶劑及消泡劑。所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂為環(huán)氧樹脂與端羧基聚合物發(fā)生共聚合反應(yīng)后的產(chǎn)物，即環(huán)氧樹脂末端的環(huán)氧基與端羧基聚合物的末端的羧基發(fā)生反應(yīng)而生成一個(gè)酯基，從而得到有包括交替的環(huán)氧樹脂重復(fù)單元和端羧基聚合物的重復(fù)單元的聚合物。其中， 環(huán)氧樹脂可以為雙酚A型環(huán)氧樹脂，端羧基聚合物可以為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈(CTBN)。本實(shí)施例中，采用的環(huán)氧樹脂在未改性前的環(huán)氧當(dāng)量為180至195，優(yōu)選為188，羧基聚合物改性后的環(huán)氧樹脂的還氧當(dāng)量為323至352，優(yōu)選為337。端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比約為55%至65%，優(yōu)選約為60%。碳納米管作為導(dǎo)電材料，其均勻分散于端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂中，以起到電磁屏蔽作用。碳納米管在復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%。復(fù)合材料中碳納米管的含量多少可以根據(jù)實(shí)際需要得到復(fù)合材料的導(dǎo)電性能進(jìn)行確定。環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中碳納米管的含量越多，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的電阻越小，復(fù)合材料中碳納米管的含量越少，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的電阻越大。無機(jī)分散材料用于分散碳納米管，以使得碳納米管可以均勻分布于環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中。所述無機(jī)分散材料為納米粘土或者納米云母粉。所述納米粘土為2 1的頁硅酸鹽，其具體可以為蒙脫石(Montmor i 1 loni te，分子式為Mx (Al4_xMgx) Si8O20 (OH) 4)、 鋰蒙脫石(Hectorite，分子式為Mx(Mg6_xLix) Si8O2tl (OH)4)或者皂石(Saponite，分子式為 MxMg6(Si8^xAlx)O20(OH)4)等。其中，碳納米管與無機(jī)分散材料的質(zhì)量比為8至12比1。所述硬化劑用于對(duì)復(fù)合材料起到硬化作用。本實(shí)施例中，采用的硬化劑為雙氰胺(Dicyandiamine)，所述硬化劑于環(huán)氧樹脂復(fù)合材料所占的質(zhì)量百分比約為5%。硬化劑的用量應(yīng)與端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂相對(duì)應(yīng)，其中端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂與硬化劑的質(zhì)量比約為13至14比1。所述催化劑為2- i^一烷基咪唑O-Undecylimidazole)，催化劑的含量與端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂的含量相互對(duì)應(yīng)。催化劑于環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分含量約為0.5%至1%，優(yōu)選為0.65%。所述溶劑為二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene glycolmonoethyl ether acetate)，所述溶劑在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的含量約為20%至 25%，優(yōu)選為對(duì)％。該溶劑用于溶解上述其他組分，以形成均勻的液態(tài)分散體系。所述消泡劑用于消除上述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的泡沫，所述消泡劑在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比約為2%。所述消泡劑可以為市售的臺(tái)灣淳政公司生產(chǎn)的2183H消泡劑。優(yōu)選地，在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中，端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂的質(zhì)量百分含量約為60.3%，碳納米管的質(zhì)量百分含量約為7.8%，無機(jī)分散材料的質(zhì)量百分含量約為 0.6%，硬化劑的質(zhì)量百分含量約為4.5%、催化劑的質(zhì)量百分含量約為0. 65%，溶劑的質(zhì)量百分含量約為24. 3%，消泡劑的質(zhì)量百分含量約為1. 85%。本技術(shù)方案還提供一種所述電路板基板100的制作方法，所述電路板基板100的制作方法包括如下步驟第一步，制作環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料可采用如下方法制作首先，采用端羧基聚合物改性環(huán)氧樹脂以得到端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂。將端羧基聚合物及環(huán)氧樹脂放置于共同放置于反應(yīng)容器中，并維持反應(yīng)溫度為 120攝氏度，在攪拌的條件下反應(yīng)約3小時(shí)，從而得到端羧基聚合物改性后環(huán)氧樹脂。本實(shí)施例中，采用的環(huán)氧樹脂為雙酚A型環(huán)氧樹脂，其環(huán)氧當(dāng)量為188。采用的端羧基聚合物可以為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈(CTBN)，反應(yīng)后得到的改性后的還氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量為337。經(jīng)過上述反應(yīng)，環(huán)氧樹脂末端的一個(gè)環(huán)氧基與端羧基聚合物末端的一個(gè)羧基相互結(jié)合，并脫除一個(gè)分子的水，從而得到一個(gè)酯基。從而相比于未進(jìn)行改性的環(huán)氧樹脂，改性后的環(huán)氧樹脂具有良好的柔軟性。當(dāng)然，采用的環(huán)氧樹脂不限于本實(shí)施例提供的雙酚A型環(huán)氧樹脂，其也可以為其他類型的環(huán)氧樹脂。采用的端羧基聚合物也不限于本實(shí)施例中提供的液態(tài)聚丁二烯丙烯腈，其也可以為端羧基聚酯等聚合物。然后，將碳納米管均勻分散于無機(jī)分散材料中以形成分散均勻的納米碳管分散體。采用物理方式將碳納米管分散于無機(jī)分散材料中。所述無機(jī)分散材料可以為層狀納米粘土或者納米云母粉。本實(shí)施例中，選用的無機(jī)分散材料為層狀納米粘土。配置質(zhì)量比8至12比1的納米碳管與層狀納米粘土，并通過攪拌或者震蕩的方式混合，使得碳納米管均勻分散于所述層狀納米粘土中。采用的層狀納米粘土可以為2 1的頁硅酸鹽，其具體可以為蒙脫石、鋰蒙脫石或者皂石等。采用的碳納米管可以為單壁碳納米管，也可以為多壁碳納米管。最后，將端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進(jìn)行混合并研磨分散，從而得到環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中，采用三滾筒式研磨分散機(jī)對(duì)所述的端羧基聚合物改性環(huán)氧樹脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進(jìn)行研磨分散。將上述端羧基聚合物改性環(huán)氧樹脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑按照上述各自的含量投入于三滾筒式研磨分散機(jī)中，啟動(dòng)三滾筒式研磨分散機(jī)以進(jìn)行研磨分散，從而使得上述各組成中固體成份均勻分散于液體成分中，從而形成分散均勻的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中，在上述各成分中，端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂的質(zhì)量百分含量約為60. 3%，碳納米管的質(zhì)量百分含量約為7. 8%，無機(jī)分散材料的質(zhì)量百分含量約為0. 6%，硬化劑的質(zhì)量百分含量約為4. 5%、催化劑的質(zhì)量百分含量約為0. 65%，溶劑的質(zhì)量百分含量約為24. 3%，消泡劑的質(zhì)量百分含量約為1.85%。為了得到不同表面電阻率的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料，可以通過改變投料時(shí)納米碳管分散體的用量進(jìn)行控制。當(dāng)碳納米管占復(fù)合材料的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%之間，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料表面電阻率變化區(qū)間約為十萬歐姆至十歐姆之間。其中，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中碳納米管的含量越大，環(huán)氧樹脂符合材料的表面電阻率越小。通過所述方法制作的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料，其粘度可以達(dá)到70000厘泊，外觀呈現(xiàn)黑色，微弱反光。在顯微鏡放大100倍觀測(cè)下，無孔洞。并具有良好的附著特性和焊錫特性， 并且能夠耐酸、堿及溶劑的腐蝕。溫度為25攝氏度時(shí)，在質(zhì)量百分含量為10%的鹽酸或質(zhì)量百分含量為10%的氫氧化鈉溶液中浸泡0. 5小時(shí)，均無剝落現(xiàn)象。在丙酮中浸泡17小時(shí)后進(jìn)行百格附著測(cè)試，也無剝落現(xiàn)象。請(qǐng)參閱圖2，第二步，提供絕緣基材層140。絕緣基材層140為一層絕緣基材膜，其可以由聚酰亞胺(PI)制成。絕緣基材層140 的厚度為10微米至50微米。絕緣基材層140具有相對(duì)的第一表面141和第二表面142。請(qǐng)參閱圖3，第三步，將所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層140的第一表面 141，以形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130。本實(shí)施例中，采用狹縫式涂布機(jī)將液態(tài)的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層 140的第一表面141，以形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130。本實(shí)施例中由于采用狹縫式涂布機(jī)進(jìn)行涂布，可以控制形成的第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130的厚度滿足要求并且涂層均勻。本實(shí)施例中，形成的第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130的厚度為2微米至20微米，優(yōu)選為 3至10微米。第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130具有遠(yuǎn)離絕緣基材層140的第三表面131。第四步，對(duì)第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130進(jìn)行處理，以使得第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130半固化。本實(shí)施例中，第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130固化采用的方法為預(yù)烘烤處理。在對(duì)第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130進(jìn)行預(yù)烘烤的持續(xù)的時(shí)間約為15分鐘，預(yù)烘烤時(shí)保持的溫度約為80攝氏度。通過進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使得第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130中的部分溶劑揮發(fā)，使得第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130為半固化狀態(tài)。請(qǐng)參閱圖4，第五步，在絕緣基材層140的第二表面142上形成第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150。本實(shí)施例中，第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150也通過狹縫式涂布機(jī)涂布形成。第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150的厚度為2微米至20微米，優(yōu)選為3至10微米。第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150具有遠(yuǎn)離絕緣基材層140的第四表面151。第六步，對(duì)第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150進(jìn)行處理，以使得第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150半固化。本實(shí)施例中，第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150固化采用的方法為預(yù)烘烤處理。在對(duì)第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150進(jìn)行預(yù)烘烤的持續(xù)的時(shí)間約為15分鐘，預(yù)烘烤時(shí)保持的溫度約為80攝氏度。通過進(jìn)行預(yù)烘烤處理，第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150中的部分溶劑揮發(fā)， 使得第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150為半固化狀態(tài)。請(qǐng)參閱圖5，第七步，提供第一金屬層110和第二金屬層170。本實(shí)施例中，第一金屬層110和第二金屬層170均為銅箔，其厚度約為10微米至 25微米。第一金屬層110具第五表面111，第二金屬層170具有第六表面171。請(qǐng)參閱圖6，第八步，在第一金屬層110的第六表面171上涂布形成第一膠層120， 在第二金屬層170的第六表面171上涂布形成第二膠層160。本實(shí)施例中，采用狹縫式涂布機(jī)將液態(tài)的膠層材料涂布于第一金屬層110的第五表面111及第二金屬層170的第六表面171。采用的液態(tài)膠層材料為熱固性環(huán)氧樹脂膠，控制形成的第一膠層120的厚度和第二膠層160的厚度均為8至15微米。在涂布形成第一膠層120和第二膠層160之后，還可以進(jìn)一步包括對(duì)形成的第一膠層120和第二膠層160進(jìn)行烘烤的步驟，使得形成的第一膠層120和第二膠層160半固化狀態(tài)，以方便存儲(chǔ)和應(yīng)用。本實(shí)施例中，對(duì)形成的第一膠層120和第二膠層160進(jìn)行烘烤的時(shí)間為15分鐘，烘烤持續(xù)的時(shí)間為80攝氏度。請(qǐng)參閱圖7，第九步，依次疊放并壓合第一金屬層110、第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、合絕緣基材層140、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170，從而得到電路板基板100。本實(shí)施例中，采用滾輪壓合的方式對(duì)第一金屬層110、第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、合絕緣基材層140、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170進(jìn)行壓合，壓合時(shí)控制的溫度為100攝氏度，壓合的速率為1米每分鐘，壓合時(shí)的壓力為4至25千克力每平方厘米。通過壓合之后，使得第一金屬層110、第一膠層120、 第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、合絕緣基材層140、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150、第二膠層 160及第二金屬層170成為一個(gè)整體。第十步，固化第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150及第二膠層160。本實(shí)施例中，采用熟化處理的方式使得第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層 130、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150及第二膠層160固化。進(jìn)行熟化處理時(shí)，熟化處理的溫度為180攝氏度，熟化處理的時(shí)間為60分鐘。經(jīng)過熟化處理，使得半固化的第一膠層120、 第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150及第二膠層160固化，并且，由于第一膠層120和第二膠層160的材料中具有環(huán)氧樹脂，具有環(huán)氧基官能團(tuán)，第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150也具有環(huán)氧基官能團(tuán)，在第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130和第一膠層120相互接觸的表面、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150與第二膠層 160相互接觸的表面，各環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層中的材料和膠層的材料之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而使得相鄰的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層和膠層成為一體。并且第一膠層120、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層130、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層150及第二膠層160均具有較高的粘度，在其固化后，均粘結(jié)與其相鄰的絕緣基材層140、第一金屬層110或第二金屬層170，從而得到電路板基板100。本技術(shù)方案提供的電路板基板，其中間設(shè)置有環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層中具有分散均勻的碳納米管而具有電磁屏蔽作用，當(dāng)所述電路板基板用于制作多層電路板時(shí)，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層能夠起到電磁屏蔽作用，并能夠防止導(dǎo)電線路之間的離子遷移問題。并且，環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層具有良好的柔韌性，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼片，能夠增加柔性電路板的撓折性能，并且可以降低電路板的生產(chǎn)成本。本技術(shù)方案提供的電路板基板的制作方法，能夠方便地制作所述電路板基板?？梢岳斫獾氖牵瑢?duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電路板基板，其包括依次堆疊的第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二膠層及第二金屬層，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、碳納米管及無機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈改性的雙酚A型環(huán)氧樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比為55%至65%。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述無機(jī)分散材料為納米粘土或者納米云母粉。
5.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述碳納米管與無機(jī)分散材料的質(zhì)量比為8至12比1。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料復(fù)合材料還包括硬化劑、溶劑、催化劑及消泡劑，所述硬化劑為雙氰胺，所述溶劑為二乙二醇單乙醚醋酸酯，所述催化劑為2-十一烷基咪唑。
7.如權(quán)利要求1所述的電路板基板，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層的厚度為2 微米至8微米。
8.一種電路板基板制作方法，包括步驟制作環(huán)氧樹脂復(fù)合材料，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、 碳納米管及無機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為 4. 6%M 16% ；提供絕緣基材層，所述絕緣基材層具有相對(duì)的第一表面和第二表面；將所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層的第一表面形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層；將所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料涂布于所述絕緣基材層的第二表面形成第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層；提供第一金屬層和第二金屬層；在第一金屬層上形成形成第一膠層，在第二金屬層上形成第二膠層；依次疊放并壓合第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、 第二膠層及第二金屬層；以及固化所述第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層及第二膠層。
9.如權(quán)利要求8所述的電路板基板制作方法，其特征在于，制作所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括步驟采用端羧基聚合物對(duì)環(huán)氧樹脂進(jìn)行改性以得到端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂；將碳納米管均勻分散于無機(jī)分散材料中，以得到碳納米管分散體；以及將所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂與碳納米管分散體進(jìn)行混合并研磨分散，以得到環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。
10.如權(quán)利要求8所述的電路板基板制作方法，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料采用狹縫式涂布機(jī)涂布于絕緣基材層的第一表面和第二表面，所述第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層和第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層的厚度均為2微米至8微米。
11.如權(quán)利要求8所述的電路板基板制作方法，其特征在于，在涂布形成第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層，還包括對(duì)第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層進(jìn)行預(yù)烘烤以使得第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層半固化的步驟，在涂布形成第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層之后，還包括對(duì)第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層進(jìn)行預(yù)烘烤以使得第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層半固化的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路板基板，其包括依次堆疊的第一金屬層、第一膠層、第一環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、絕緣基材層、第二環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層、第二膠層及第二金屬層。所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹脂、碳納米管及無機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4.6％至16％。本發(fā)明還提供一種所電路板基板制作方法。
文檔編號(hào)B32B27/18GK102378482SQ2010102641
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者何明展 申請(qǐng)人:富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司