專利名稱：一種電磁屏蔽膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁屏蔽材料，尤其涉及一種電磁屏蔽膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
電磁屏蔽膜的應(yīng)用十分廣泛，尤其是在電子產(chǎn)品領(lǐng)域。電子產(chǎn)品中除將產(chǎn)品的某些部件直接制成電磁屏蔽材料外，使用最多的就是通過貼膜來實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽。現(xiàn)有技術(shù)中，一般在一基材層上鍍設(shè)屏蔽材料或直接采用電鍍的導(dǎo)電布，然后單面涂膠，或再貼上離型膜，制成電磁屏蔽膜。如中國專利文獻(xiàn)CN101513782A于2009年8月 26日公開的一種適用于計算機(jī)、電子游戲藝機(jī)、手機(jī)等電子產(chǎn)品的電磁波屏蔽材料，包括導(dǎo)電布，還包括絕緣布、離型材料層、二個膠粘層；所述電磁波屏蔽材料由內(nèi)向外依次是離型材料層、第一膠粘層、導(dǎo)電布、第二膠粘層、絕緣布；二個膠粘層將離型材料層、導(dǎo)電布、絕緣布粘接為一體。絕緣布的外面可以涂布或印刷顏色或圖案，在滿足識別要求或裝飾要求的同時，滿足絕緣要求。該發(fā)明提供一種單面或雙面具絕緣的、容易保證裝配精度、使用方便的電磁波屏蔽材料。其中，該發(fā)明的導(dǎo)電布是屏蔽功能層，而第一膠粘層是連接層。作為載體的基材層一般選用PET布或醋酸布，其表面的突凹紋理形成絨面，吸波效果好；但同前述專利技術(shù)一樣，現(xiàn)有技術(shù)的不足之外也是很顯而易見的，因突凹紋理直接形成的絨面具有孔洞，鍍設(shè)屏蔽層時鍍層材料用量大，造成浪費(fèi)，另一方面，也因為孔洞的存在，涂膠(設(shè)置膠粘層)時，膠會穿過孔洞滲透至基材層的正面，增加了膠粘材料的使用量，同時也造成污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種能夠節(jié)約鍍層材料的電磁屏蔽膜。本發(fā)明的目的還在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種無污染的電磁屏蔽膜。本發(fā)明的目的還在于提供一種電磁屏蔽膜的制備方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種電磁屏蔽膜，具有層狀結(jié)構(gòu)，其特征在于該電磁屏蔽膜由膠粘層和屏蔽層組成， 其中屏蔽層與膠粘層結(jié)合的一面具有平滑表面，屏蔽層另一面具有絨面結(jié)構(gòu)。電磁屏蔽膜，其特征在于所述屏蔽層包括布基層和電鍍層，電鍍層設(shè)置于絨面結(jié)構(gòu)所在的一面。電磁屏蔽膜，其特征在于所述布基層是PET布或醋酸布。電磁屏蔽膜，其特征在于所述光滑表面是在布基層的單面填充UV光固材料形成的給合結(jié)構(gòu)。電磁屏蔽膜，其特征在于所述光滑表面是在布基層的單面通過高溫輥輪熱壓而成的。
本發(fā)明的目的還可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟S1，提供原布；S2，涂布UV; S3,電鍍；S4，涂膠；S5，貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布是指提供醋酸布或PET 布；第S2步所述的涂布UV是指在原布的單面涂布UV光固材料，并訊速固化，固化的方法為通過UV光照射，固化的時機(jī)掌握為在UV光固材料未滲透至另一面前完成固化；第S3步所述的電鍍是指在未涂布UV光固材料的一面設(shè)置M/Cu/m鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的電鍍是指通過化學(xué)鍍的方式鍍Ni/Cu/Ni層；或先真空鍍Ni，再電鍍Cu/Ni層。電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的鍍層Ni/Cu/Ni也可以是 Ni/Cu/Ni/ff 或 Ni/Cu/Ni/Ag 層。本發(fā)明的目的還可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟S91，提供原布；S92，超壓； S93,電鍍；S94，涂膠；S95，貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布是指提供醋酸布或PET 布；第S2步所述的超壓是指在原布層的單面通過高溫輥輪熱壓成光滑平面；第S3步所述的電鍍是指在未壓成光滑平面的一面設(shè)置M/Cu/m鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有 UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的鍍層Ni/Cu/Ni也可以是 Ni/Cu/Ni/ff 或 Ni/Cu/Ni/Ag 層。本發(fā)明的電磁屏蔽膜，屏蔽層與膠粘層結(jié)合的一面具有平滑表面，屏蔽層另一面具有絨面結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，平滑表面不會滲透鍍層材料或膠粘材料，可以減少鍍層材料的用量并且不會因膠粘材料的滲透造成污染。本發(fā)明的兩種電磁屏蔽材料的制備方法， 是前述電磁屏蔽材料的制備方法，兩種方法中，S2涂布UV和S92超壓均是實(shí)現(xiàn)平滑表面的步驟，屬于相應(yīng)的特定技術(shù)特征，因而一并提出申請。


圖1是本發(fā)明第一個實(shí)施例的示意圖。圖2是本發(fā)明第二個實(shí)施例的流程圖。圖3是本發(fā)明第三個實(shí)施例的流程圖。圖4是本發(fā)明第二個實(shí)施例涂布UV步驟示意圖。圖5是本發(fā)明第三個實(shí)施例超壓步驟示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。參考圖1，本發(fā)明第一個實(shí)施例是一種電磁屏蔽膜，具有層狀結(jié)構(gòu)，該電磁屏蔽膜由膠粘層102和屏蔽層101組成，其中屏蔽層101與膠粘層102結(jié)合的一面具有平滑表面， 屏蔽層101另一面具有絨面結(jié)構(gòu)；所述屏蔽層101包括布基層和電鍍層，電鍍層設(shè)置于絨面結(jié)構(gòu)所在的一面；所述布基層是PET布或醋酸布；所述光滑表面是在布基層的單面填充UV 光固材料形成的給合結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)理解，作為本實(shí)施例的一種替代方案，所述光滑表面也可以是在布基層的單面通過高溫輥輪熱壓而成的。本實(shí)施例作為一種原材料時，膠粘層的表面還設(shè)置有離型膜103。參考圖2、圖4，本發(fā)明的第二個實(shí)施例是一種電磁屏蔽膜的制備方法包括以下步驟si，提供原布；S2，涂布UV ；S3,電鍍；S4，涂膠；S5，貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布是指提供醋酸布或PET布；第S2步所述的涂布UV是指在原布的單面涂布UV光固材料，并訊速固化，固化的方法為通過UV光照射，固化的時機(jī)掌握為在UV光固材料未滲透至另一面前完成固化；第S3步所述的電鍍是指在未涂布UV光固材料的一面設(shè)置M/Cu/M鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5 步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。本實(shí)施例中，第S3步所述的電鍍是指通過化學(xué)鍍的方式鍍Ni/Cu/M層；當(dāng)然，作為本實(shí)施例的一種替代方案，也可以先真空鍍Ni，再電鍍Cu/Ni層；，作為本實(shí)施例的一種替代方案，鍍層Ni/Cu/Ni也可以是Ni/ Cu/Ni/ff或Ni/Cu/Ni/Ag層。再次參考圖4，圖4示出了一種實(shí)現(xiàn)涂布UV的方式，包括放料輥202和收料輥201，還包括過渡輥203，原布208經(jīng)放料輥202放出，經(jīng)過渡輥203后由收料輥201收卷；原布經(jīng)過過渡輥203時，涂布輥206向其涂布UV，而后再通過UV光源組件 207干燥；UV槽204用于盛裝UV涂布材料，經(jīng)上膠輥205向涂布輥提供UV0應(yīng)當(dāng)理解，第 S3步與第S2步在一條生產(chǎn)線上連續(xù)在線加工時，這里就不需要收料輥，而是將半成品直接引入下工序。參考圖3、圖5，本發(fā)明第二個實(shí)施例也是一種電磁屏蔽膜的制備方法，包括以下步驟S91，提供原布；S92，超壓；S93，電鍍；S94，涂膠；S95，貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布301是指提供醋酸布或PET布；第S2步所述的超壓是指在原布層的單面通過高溫輥輪熱303壓成光滑平面，使用PET布時，高溫輥輪202的溫度為310°C 士 15°C，拉料速度不小于500mm/s，與高溫輥輪303對壓的常溫輪304采用低硬度的耐高溫橡膠輪，超壓過程一般不包括冷卻，對于環(huán)境溫度較高的生產(chǎn)場合，為了減少冷卻時間，也可以采用風(fēng)冷的方式對超壓后的半成品302進(jìn)行冷卻。第S3步所述的電鍍是指在未壓成光滑平面的一面設(shè)置M/Cu/m鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)施例中，第S3步所述的鍍層Ni/Cu/Ni也可以是Ni/Cu/Ni/W或Ni/Cu/Ni/Ag層。
權(quán)利要求
1.一種電磁屏蔽膜，具有層狀結(jié)構(gòu)，其特征在于該電磁屏蔽膜由膠粘層和屏蔽層組成，其中屏蔽層與膠粘層結(jié)合的一面具有平滑表面，屏蔽層另一面具有絨面結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于所述屏蔽層包括布基層和電鍍層， 電鍍層設(shè)置于絨面結(jié)構(gòu)所在的一面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽膜，其特征在于所述布基層是PET布或醋酸布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁屏蔽膜，其特征在于所述光滑表面是在布基層的單面填充UV光固材料形成的給合結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁屏蔽膜，其特征在于所述光滑表面是在布基層的單面通過高溫輥輪熱壓而成的。
6.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟51,提供原布；52,涂布UV；53,電鍍；54,涂膠；55,貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布是指提供醋酸布或PET布；第S2步所述的涂布UV是指在原布的單面涂布UV光固材料，并訊速固化，固化的方法為通過UV光照射，固化的時機(jī)掌握為在UV光固材料未滲透至另一面前完成固化；第S3步所述的電鍍是指在未涂布UV光固材料的一面設(shè)置M/Cu/M鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的電鍍是指通過化學(xué)鍍的方式鍍Ni/Cu/Ni層；或先真空鍍Ni，再電鍍Cu/Ni層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的鍍層 Ni/Cu/Ni 也可以是 Ni/Cu/Ni/W 或 Ni/Cu/Ni/Ag 層。
9.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟591,提供原布；592,超壓；593,電鍍；594,涂膠；595,貼離型膜；其中，第Sl步所述的提供原布是指提供醋酸布或PET布；第S2步所述的超壓是指在原布層的單面通過高溫輥輪熱壓成光滑平面；第S3步所述的電鍍是指在未壓成光滑平面的一面設(shè)置M/Cu/M鍍層；第S4步所述的涂膠是在固化有UV光固材料的一面涂布丙烯酸壓敏膠或熱熔膠；第S5步所述的貼離型膜是第S4步形成的涂膠表面貼合離型膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于其中第S3步所述的鍍層 Ni/Cu/Ni 也可以是 Ni/Cu/Ni/W 或 Ni/Cu/Ni/Ag 層。
全文摘要
本發(fā)明涉及電磁屏蔽材料，尤其涉及一種電磁屏蔽膜及其制備方法。電磁屏蔽膜，具有層狀結(jié)構(gòu)，由膠粘層和屏蔽層組成，其中屏蔽層與膠粘層結(jié)合的一面具有平滑表面，屏蔽層另一面具有絨面結(jié)構(gòu)。電磁屏蔽膜的制備方法包括以下步驟S1，提供原布；S2，涂布UV；S3，電鍍；S4，涂膠；S5，貼離型膜。本發(fā)明提供一種節(jié)約鍍層材料、無污染的電磁屏蔽膜，并提供一種電磁屏蔽膜的制備方法。
文檔編號B32B7/12GK102427709SQ201110261198
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司