專利名稱：透光單銀低輻射鍍膜玻璃及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜玻璃，具體是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)上普通單銀低輻射鍍膜產(chǎn)品，由于使用金屬膜層作為銀層保護(hù)層，往往透光不能做到很高，而且金屬層保護(hù)層的存在也使得膜層對(duì)光線的吸收增加，使得玻璃看上不夠清澈、通透。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供一種清澈、通透的低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍?cè)诓ＡЩ迳系腻兡つ?，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；其中，第三電介質(zhì)層為AZO層，該膜層的作用是保護(hù)銀層不被氧化，并且提高銀層和其它膜層的附著力；進(jìn)一步的技術(shù)方案還包括第一電介質(zhì)層為NbOx層，根據(jù)鍍膜工藝條件設(shè)定的不同，鍍膜最終形成的材料為鈮氧化物中的一種。該鍍層的作用是阻止玻璃中的Na+向膜層中滲透，提高膜層透過(guò)率，能夠有效增加膜層和玻璃基片之間的吸附力，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色；第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層，該層對(duì)銀層起鋪墊作用，銀層在其上可以更好地成膜，并且保護(hù)銀層不被氧化；銀層的材料為Ag，用于降低輻射率，達(dá)到隔熱、保溫的效果；第四電介質(zhì)層為ZnSnO3層，該膜層保護(hù)整個(gè)膜層結(jié)構(gòu)，減少氧化，提高膜層的物理和化學(xué)性能，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色。第五電介質(zhì)層的材料為Si3N4層，該膜層的作用是在銀層和電介質(zhì)層之間提供吸附力，保護(hù)整個(gè)膜層結(jié)構(gòu)，減少氧化，提高膜層的物理和化學(xué)性能，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色。一種用于生產(chǎn)上述透光單銀低輻射鍍膜玻璃的方法，其特征在于，所述玻璃基板上的鍍膜膜層采用真空磁控濺射鍍膜，包括以下步驟步驟一、清洗干燥玻璃基板；步驟二、進(jìn)行預(yù)真空過(guò)渡；步驟三、在玻璃基板上依次鍍制第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層、第五電介質(zhì)層；
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所述第三電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在純氬或氧、氬氛圍中濺射鍍膜；進(jìn)一步的技術(shù)方案還包括所述第一電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜；所述第二電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn Al = 98 2 ；所述銀層通過(guò)直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射；所述第四電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn Sn = 50 50 ；所述第五電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Si Al = 92 8 ；作為優(yōu)選方案，在鍍膜第一電介質(zhì)層時(shí)，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為1 10;鍍膜第二電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為9 14；鍍膜第三電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為9 100；鍍膜第四電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為3 2；鍍膜第五電解質(zhì)層，氮?dú)馀c氬氣的體積比設(shè)為2 1。本發(fā)明生產(chǎn)的產(chǎn)品由于使用了陶瓷材料AZO作為銀層后電介質(zhì)層，取代了現(xiàn)有產(chǎn)品中的金屬保護(hù)層，并且使用高折射率的新型材料來(lái)抵消銀層的吸收，所以使得本發(fā)明產(chǎn)品的透光可以達(dá)到和同厚度玻璃原板一樣，甚至更高的透過(guò)率，并且產(chǎn)品外觀清澈、通透， 還可以保證良好的隔熱、保溫效果，符合消費(fèi)者追求自然環(huán)保的需求。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為了闡明本發(fā)明的技術(shù)方案及技術(shù)目的，下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式

對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的介紹。如圖所示，一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍?cè)诓ＡЩ迳系腻兡つ?，以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；其中，第一電介質(zhì)層為NbOx層，通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧氬氛圍中濺射鍍膜，氧氣與氬氣的體積比為1 10;第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層，通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Si Al = 98 2，氧氣與氬氣的體積比為9 14；銀層的材料為Ag，通過(guò)直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射鍍膜；第三電介質(zhì)層的材料為AZO層，通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，氧氣與氬氣的體積比為9 100 ；第四電介質(zhì)層的材料為SiSnO3層，通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Si Sn = 50 50，氧氣與氬氣的體積比為3 2 ；
第五電介質(zhì)層的材料為Si3N4層，通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，其中質(zhì)量比Si Al = 92 8，氮?dú)馀c氬氣的體積比為2 1。本發(fā)明采用磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行玻璃的鍍膜，所述磁控濺射鍍膜機(jī)包括19個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，7個(gè)直流平面陰極，本發(fā)明采用下表列出的工藝參數(shù)，使用6個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，1個(gè)直流平面直流陰極，制出本發(fā)明的透光單銀低輻射鍍膜玻璃，其工藝參數(shù)和靶的位置列表如下
靶位陰極類型靶材料濺射工藝工藝氣體成分膜層厚度序號(hào)氣壓(nm)
(mbar )1#交流旋轉(zhuǎn)雙靶陶瓷氧化鈮2. 8E-3氧氬=1: 10252#交流旋轉(zhuǎn)雙靶陶瓷氧化鈮2. 5E-3氧氬=1: 10303#交流旋轉(zhuǎn)雙靶鋅鋁(98 2)3. IE-3氧氬=9: 14154#直流平面單靶銀3. 4E-3純氬75#交流旋轉(zhuǎn)雙靶AZO4. 2E-3氧氬=9: 10056#交流旋轉(zhuǎn)雙靶鋅錫(50: 50 )6. 0E-3氧氬=3: 2207#交流旋轉(zhuǎn)雙靶硅鋁(92: 8)3. 3E-3氮?dú)?2: 140表中1#、2#靶鍍制第一電介質(zhì)層，3#靶鍍制第二電介質(zhì)層，4#靶鍍制銀層，5#靶鍍制第三電介質(zhì)層，6#靶鍍制第四電介質(zhì)層，7#靶鍍制第五電介質(zhì)層，玻璃基板在鍍膜前要經(jīng)過(guò)清洗、干燥和預(yù)真空過(guò)渡，如圖2所示。鍍膜后，產(chǎn)品的光學(xué)性能如下玻璃可見(jiàn)光透過(guò)率T = 89. 8% ；可見(jiàn)光玻璃面反射率=4.7% ；可見(jiàn)光玻璃面色坐標(biāo)a*值=-2. 3 ；可見(jiàn)光玻璃面色坐標(biāo)b*值=-5. 8 ；可見(jiàn)光膜面反射率=3.8% ；
可見(jiàn)光膜面色坐標(biāo)a* = 2. 8 ；可見(jiàn)光膜面色坐標(biāo)b* = -7. 7 ；玻璃輻射率E = 0. 06。以上已以較佳實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然其并非用以限制本發(fā)明，凡采用等同替換或者等效變換方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍?cè)诓ＡЩ迳系腻兡つ?，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層； 其中，第三電介質(zhì)層為AZO層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于 第一電介質(zhì)層為NbOx層；第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層； 銀層的材料為Ag; 第四電介質(zhì)層為SiSnO3層； 第五電介質(zhì)層為Si3N4層。
3.—種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，其玻璃基板上的鍍膜膜層采用真空磁控濺射鍍膜，包括以下步驟步驟一、清洗、干燥玻璃基板； 步驟二、進(jìn)行預(yù)真空過(guò)渡；步驟三、在玻璃基板上依次鍍制第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層、第五電介質(zhì)層；所述第三電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在純氬或氧、氬氛圍中濺射鍍膜。
4.按權(quán)利要求3所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于 所述第一電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜； 所述第二電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁合金靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn Al = 98 2 ；所述銀層通過(guò)直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射鍍膜；所述第四電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn Sn = 50 50 ；所述第五電介質(zhì)層通過(guò)旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，其中質(zhì)量比 Si Al = 92 8。
5.按權(quán)利要求4所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，各膜層在鍍制過(guò)程中，其工藝氣體成分為鍍膜第一電介質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為1 10; 鍍膜第二電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為9 14； 鍍膜第三電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為9 100； 鍍膜第四電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為3 2； 鍍膜第五電解質(zhì)層，氮?dú)馀c氬氣的體積比為2 1。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種真空濺射方法生產(chǎn)的多層膜結(jié)構(gòu)鍍膜玻璃，具體是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃及其制造方法，所述鍍膜玻璃包括玻璃基板和鍍?cè)诓ＡЩ迳系腻兡つ?，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層。玻璃膜層中含有具有紅外線反射能力的銀層和減少可見(jiàn)光反射以及保護(hù)銀層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層使用新型陶瓷材料AZO作為銀層后的電介質(zhì)層，替代了現(xiàn)有的金屬阻擋層，優(yōu)化了膜層架構(gòu)，使本發(fā)明在保證很低輻射率的情況下，獲得與相同厚度普通透明玻璃原板相等，甚至更高的透過(guò)率，玻璃通透、自然，并且具有良好的隔熱、保溫效果。
文檔編號(hào)B32B17/00GK102501450SQ201110381
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者林嘉宏 申請(qǐng)人:林嘉宏