專利名稱：紅色低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種玻璃，特別是一種離線紅色低輻射鍍膜玻璃。
背景技術(shù)：
低輻射鍍膜玻璃是指在玻璃表面沉積包括銀層在內(nèi)的多層金屬或其他化合物的產(chǎn)品。由于銀層具有低輻射的特性，低輻射玻璃對(duì)可見(jiàn)光有較高的透射率，對(duì)紅外線有很高的反射率，具有良好的隔熱性能。低輻射鍍膜玻璃作為當(dāng)前建筑行業(yè)的環(huán)保節(jié)能產(chǎn)品，正被日益廣泛采用。同時(shí)，對(duì)低輻射鍍膜玻璃產(chǎn)品顏色的多樣性有更高的要求。因此，為了滿足市場(chǎng)需求，有必要開發(fā)出一種工藝穩(wěn)定的紅色低輻射鍍膜玻璃。
發(fā)明內(nèi)容為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種在白玻上鍍膜，采用獨(dú)特的膜層配置，得到一種紅色低輻射鍍膜玻璃。其生產(chǎn)工藝穩(wěn)定，可以滿足后續(xù)加工的所有要求。本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型提供一種紅色低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一側(cè)由內(nèi)向外依次設(shè)置有基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銀膜層、第二阻擋層及上層電介質(zhì)組合層，所述基層電介質(zhì)組合層厚度為10 20nm，實(shí)施時(shí)，所述基層電介質(zhì)組合層由金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，或者由非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成。實(shí)施時(shí)，所述上層電介質(zhì)組合層由金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，或由非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成。實(shí)施時(shí)，所述上層電介質(zhì)組合層厚度為10 25nm。實(shí)施時(shí)，所述銀膜層的厚度為15 25nm。實(shí)施時(shí)，所述第一阻擋層的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種。實(shí)施時(shí)，所述第二阻擋層的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種，實(shí)施時(shí)，所述第一阻擋層的單層厚度為3 15nm。實(shí)施時(shí)，所述第二阻擋層的單層厚度為3 15nm。本實(shí)用新型的有益效果是，采用本實(shí)用新型的紅色低輻射鍍膜玻璃在較好的成本控制下具有輻射率低、高光熱選擇性及較好的耐加工性等特點(diǎn)。

圖1所示是本實(shí)用新型的紅色低輻射鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示是本實(shí)用新型的紅色低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝流程示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-玻璃基板；2-基層電介質(zhì)組合層；3-第一阻擋層；4-銀膜層； 5-第二阻擋層；6-上層電介質(zhì)組合層。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的形狀、構(gòu)造以及特點(diǎn)能夠更好地被理解，以下將列舉較佳實(shí)施例并結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面將結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)用新型提供一種紅色低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的一側(cè)由內(nèi)向外依次設(shè)置有基層電介質(zhì)組合層2、第一阻擋層3、銀膜層4、第二阻擋層5及上層電介質(zhì)組合層6，所述基層電介質(zhì)組合層2厚度為10 20nm。所述的基層電介質(zhì)組合層 2由金屬或非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，如Ti02、ZnSnOx, SnO2, ZnO, SiO2, Ta2O5, SiNxOy, Bi02、Al203、Nb205、Si3N4、AZ0等。所述的上層電介質(zhì)組合層6由金屬或非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，如 Ti02、ZnSnOx, SnO2, ZnO, SiO2, Ta2O5, SiNxOy, Bi02、A1203、Nb2O5, Si3N4, AZO 等。所述上層電介質(zhì)組合層6厚度為10 25nm。所述銀膜層4的厚度為15 25nm。 所述第一阻擋層3的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種，所述第一阻擋層3的單層厚度為3 15nm。所述第二阻擋層5的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種，所述第二阻擋層5的單層厚度為3 15nm。下面為本實(shí)用新型提供的紅色低輻射鍍膜玻璃的一個(gè)應(yīng)用實(shí)例的膜結(jié)構(gòu)玻璃基片1、Si3N4層、Cu層、銀膜層、NiCr層、Si3N4層。其中，基層電介質(zhì)組合層2是氮含量可調(diào)的氮化硅(Si3N4)，膜層厚度為12-18nm。第一阻擋層3的主要材料為銅(Cu)，膜層厚度為5-12nm銀膜層4的膜層厚度為18-22nm。第二阻擋層5的主要材料為鎳鉻(NiCr)，膜層厚度為5-12nm。上層電介質(zhì)組合層6是氮化硅(Si3N4)，膜層厚度為15-22nm。上述膜層的加工工藝為所有氮化硅層采用中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極在氬氮氛圍中濺射沉積，功率為 50Kw-100Kw,中頻電源頻率為30-50kHz ；所有阻擋層在氬氣氛圍中濺射平面靶材，功率為5Kw-15Kw ；銀膜層4在氬氣氛圍中濺射銀膜平面靶材，功率為3-12KW ；參閱圖2所示，所述紅色低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括(1)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗、干燥，并置于真空濺射區(qū)；(2)于玻璃基板1上沉積基層電介質(zhì)組合層2 ；(3)于該基層電介質(zhì)組合層2上沉積第一阻擋層3 ；(4)于第一阻擋層3上沉積銀膜層4 ；(5)于銀膜層4上沉積第二阻擋層5 ；(6)于第二阻擋層5上沉積上層電介質(zhì)組合層6 ；以上所述實(shí)施事例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制，應(yīng)當(dāng)指出的是對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種紅色低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板，其特征在于所述玻璃基板的一側(cè)由內(nèi)向外依次設(shè)置有基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銀膜層、第二阻擋層及上層電介質(zhì)組合層，所述基層電介質(zhì)組合層厚度為10 20nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述基層電介質(zhì)組合層由金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，或者由非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述上層電介質(zhì)組合層由金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成，或由非金屬的氧化物或氮化物構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述上層電介質(zhì)組合層厚度為10 25nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述銀膜層的厚度為 15 25nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第二阻擋層的材料為鎳鉻合金、氧化鎳鉻、鈦、銅中的一種，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一阻擋層的單層厚度為3 15nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第二阻擋層的單層厚度為3 15nm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種紅色低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板，其特征在于所述玻璃基板的一側(cè)由內(nèi)向外依次設(shè)置有基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銀膜層、第二阻擋層及上層電介質(zhì)組合層，所述基層電介質(zhì)組合層厚度為10～20nm。本實(shí)用新型的紅色低輻射鍍膜玻璃在較好的成本控制下具有輻射率低、高光熱選擇性及較好的耐加工性等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)B32B15/00GK202293481SQ20112043036
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月3日
發(fā)明者史小明, 楊志遠(yuǎn), 董清世 申請(qǐng)人:信義玻璃(天津)有限公司