專利名稱：電路基板用層疊板及金屬基底電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路基板用層疊板及由該電路基板用層疊板制造的金屬基底電路基板。
背景技術(shù)：
近年來的電子技術(shù)的發(fā)展異常顯著，電氣電子設(shè)備的高性能化及小型化急速地進(jìn)行著。與此同時，安裝有電氣元件和/或電子元件的器件的發(fā)熱量日益增大。在這種背景下，對于搭載典型的MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)及IGBT (絕緣柵雙極晶體管)等所謂的功率器件的金屬基底電路基板來說，除足夠的耐熱性之外，還要求優(yōu)異的散熱性。金屬基底電路基板具有在金屬基板上依次層疊有絕緣層和電路圖案的結(jié)構(gòu)。如 果該絕緣層由樹脂和無機(jī)填充材料的混合物形成，則可獲得散熱性優(yōu)異的金屬基底電路基板。日本專利特開平5-167212號公報中記載了下述內(nèi)容使用氧化鋁、二氧化硅、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹或它們的組合作為無機(jī)填充材料，以及使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機(jī)硅樹脂或聚酰亞胺樹脂作為樹脂。另外，日本專利特開2005-325231號公報中記載了在具有特定結(jié)構(gòu)的液晶聚酯中填充高熱傳導(dǎo)性無機(jī)物而成的樹脂組合物。該文獻(xiàn)中記載了作為高熱傳導(dǎo)性無機(jī)物可以將氮化鋁、氮化硼及氧化鋁等材料中的2種以上混合而使用。該文獻(xiàn)中還記載了該樹脂組合物能夠用作為半導(dǎo)體、電阻器及電容器等的密封材料、基板及殼體等電氣電子器件的原材料，或者熱交換器及軸承等設(shè)備結(jié)構(gòu)原材料。

發(fā)明內(nèi)容
對于電路基板所使用的電路基板用層疊板，除散熱性優(yōu)異之外，還要求絕緣性及剝離強(qiáng)度也高。例如，為搭載功率器件的金屬基底鋁基板的情況下，若考慮基板的耐久性，則理想的是耐受電壓為4. OkV以上。此外，若考慮在不發(fā)生電路圖案的剝離的情況下能進(jìn)行基板的切割及對基板進(jìn)行開孔加工等加工，則理想的是電路圖案的剝離強(qiáng)度為7. ON/cm以上。如果使用含有液晶聚酯和無機(jī)填充材料的樹脂組合物，則有可能獲得散熱性、絕緣性及剝離強(qiáng)度優(yōu)異的金屬基底電路基板。然而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于由此所得的電路基板，在提高無機(jī)填充材料在絕緣層中所占的比例時，有可能未必獲得所期待的那種程度的性能。本發(fā)明的目的在于，提供有利于實現(xiàn)散熱性、絕緣性及剝離強(qiáng)度優(yōu)異的金屬基底電路基板的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種電路基板用層疊板，其具備金屬基板、絕緣層和設(shè)置在上述絕緣層上的金屬箔；其中，上述絕緣層設(shè)置在上述金屬基板上，含有液晶聚酯和50體積％以上的無機(jī)填充材料，上述無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成，上述氮化硼在上述無機(jī)填充材料中所占的比例在35 80體積％的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種金屬基底電路基板，其具備金屬基板、絕緣層和設(shè)置在上述絕緣層上的電路圖案；其中，上述絕緣層設(shè)置在上述金屬基板上，含有液晶聚酯和50體積％以上的無機(jī)填充材料，上述無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成，上述氮化硼在上述無機(jī)填充材料中所占的比例在35 80體積％的范圍內(nèi)。


圖I是簡略地示出本發(fā)明的一個實施方式的電路基板用層疊板的立體圖。圖2是沿圖I所示的電路基板用層疊板的II-II線的剖視圖。圖3是簡略地示出由圖I及圖2所示的電路基板用層疊板得到的金屬基底電路基板的一例的剖視圖。 圖4是示出氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例對絕緣層的壓縮率產(chǎn)生的影響的例子的圖。圖5是示出氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例對氣孔在絕緣層中所占的比例產(chǎn)生的影響的例子的圖。圖6是示出氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例對電路基板用層疊板的金屬箔的剝離強(qiáng)度產(chǎn)生的影響的例子的圖。圖7是示出氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例對電路基板用層疊板的耐受電壓產(chǎn)生的影響的例子的圖。圖8是示出氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例對電路基板用層疊板的熱阻產(chǎn)生的影響的例子的圖。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。對于起相同或類似功能的構(gòu)成要素，在全部附圖中標(biāo)以同一參照符號，省略重復(fù)說明。如上所述，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果使用含有液晶聚酯和無機(jī)填充材料的樹脂組合物，則在提高無機(jī)填充材料在絕緣層中所占的比例時，有可能未必獲得所期待的那種程度的性能。本發(fā)明人對其原因進(jìn)行了認(rèn)真研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，液晶聚酯與環(huán)氧樹脂等其他樹脂相比為高粘度，因此含有液晶聚酯溶液和無機(jī)填充材料的分散液容易包含氣泡，且難以將氣泡從由該分散液所得的涂膜充分除去。于是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由該涂膜所得的絕緣層的氣孔率對電路基板用層疊板及由此所得的金屬基底電路基板的性能、特別是耐受電壓產(chǎn)生大的影響。于是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用氮化硼作為無機(jī)填充材料的至少一部分，能夠降低絕緣層的氣孔率。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，如果使用選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方與氮化硼的組合作為無機(jī)填充材料，并且將氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例設(shè)定在規(guī)定的范圍內(nèi)，則能夠同時實現(xiàn)足夠的剝離強(qiáng)度、高耐受電壓和低熱阻。本發(fā)明是基于上述發(fā)現(xiàn)而完成的發(fā)明。圖I是簡略地示出本發(fā)明的一個實施方式的電路基板用層疊板的立體圖。
圖2是沿圖I所示的電路基板用層疊板的II-II線的剖視圖。圖I及圖2所不的電路基板用層置板I包括金屬基板2、絕緣層3和金屬猜4。圖I及圖2中，X及Y方向是與金屬基板2的主面平行并且相互正交的方向，Z方向是垂直于X及Y方向的厚度方向。圖I中，作為一例，繪出了矩形的電路基板用層疊板1，但電路基板用層疊板I也可具有其他的形狀。金屬基板2由例如單質(zhì)金屬或合金構(gòu)成。作為金屬基板2的材料，可使用例如鋁、鐵、銅、鋁合金或不銹鋼。金屬基板2還可以含有碳等非金屬。例如，金屬基板2也可以含有與碳復(fù)合化了的鋁。此外，金屬基板2可以具有單層結(jié)構(gòu)，也可以具有多層結(jié)構(gòu)。金屬基板2具有高熱導(dǎo)率。典型的的是，金屬基板2具有60W · πΓ1 · Γ1以上的熱導(dǎo)率。金屬基板2可以具有撓性，也可以不具有撓性。金屬基板2的厚度例如在O. 2 5mm的范圍內(nèi)。·絕緣層3設(shè)在金屬基板2上。絕緣層3含有液晶聚酯和無機(jī)填充材料。液晶聚酯起到使無機(jī)填充材料彼此結(jié)合的粘合劑的作用和使金屬箔4粘接在金屬基板2上的粘接劑的作用。液晶聚酯還起到使絕緣層3的表面平坦的作用。液晶聚酯是電絕緣性材料。液晶聚酯與其他多數(shù)樹脂相比，電阻率更大。液晶聚酯在絕緣層3中所占的比例在例如20 50體積％的范圍內(nèi)，典型的是在35 50體積％的范圍內(nèi)。如果將該比例過度地減小，則無機(jī)填充材料彼此的粘接強(qiáng)度降低，或者絕緣層3與金屬基板2或金屬箔4的粘接強(qiáng)度降低，或者難以使絕緣層3的表面平坦。如果將該比例過度地增大，則電路基板用層疊板I的耐受電壓降低，或者電路基板用層疊板I的熱阻增大。對于液晶聚酯，典型的是具有熱塑性。作為液晶聚酯，可使用例如在熔融時表現(xiàn)出光學(xué)各向異性、在450°C以下的溫度下形成各向異性熔融體的液晶聚酯。作為這種液晶聚酯，可使用具有例如以下述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的液晶聚酯。下述通式(I) (3)中，Arl表示例如亞苯基或亞萘基，Ar2表示例如亞苯基、亞萘基或以下述通式(4)表示的基團(tuán)，Ar3表示例如亞苯基或以下述通式(4)表示的基團(tuán)，X及Y分別獨立地表示例如O或NH。Ar、Ar2及Ar3的芳香族環(huán)上結(jié)合的氫原子也可以被例如鹵素原子、烷基或芳基取代。此外，下述通式(4)中，Arll及Arl2分別獨立地表示例如亞苯基或亞萘基，Z表示例如O、CO或SO2?！狾 —Ar I—CO—......(I)— CO — Ar2 — CO —......(2)- X - Ar3 - Y -......(3)— Arll — Z — Arl2 —......(4)該液晶聚酯中，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在例如30 80摩爾％的范圍內(nèi)。該情況下，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在例如10 35摩爾％的范圍內(nèi)。而且，該情況下，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在例如10 35摩爾％的范圍內(nèi)。該液晶聚酯中，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例也可以在30 45摩爾％的范圍內(nèi)。該情況下，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例也可以在27. 5 35摩爾％的范圍內(nèi)。而且，該情況下，相對于以上述通式(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例也可以在27. 5 35摩爾％的范圍內(nèi)。液晶聚酯較好是在相對于全部構(gòu)成單元為27. 5 35. O摩爾％的范圍內(nèi)含有從由來源于芳香族二胺的結(jié)構(gòu)單元和來源于具有羥基的芳香族胺的結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的組中選出的至少I種結(jié)構(gòu)單元(a)。特別是，作為以上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元具有結(jié)構(gòu)單元(a)的液晶聚酯具有更好地獲得上述效果、即“在熔融時表現(xiàn)出光學(xué)各向異性、在450°C以下的溫度下形成各向異性熔融體”的效果的傾向。以通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元是來源于芳香族羥基羧酸的結(jié)構(gòu)單元，以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元是來源于芳香族二羧酸的結(jié)構(gòu)單元，以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元是來源于芳香族二胺或具有酚性羥基的芳香族胺的結(jié)構(gòu)單元。將這種結(jié)構(gòu)單元(I) (3)各自衍生的化合物作為單體使用，通過將這些單體聚合，得到上述的液晶聚酯。
另外，從使用于得到該液晶聚酯的聚合反應(yīng)容易進(jìn)行的觀點考慮，也可以使用上述單體的酯形成性衍生物或酰胺形成性衍生物來代替上述單體。作為上述羧酸的酯形成性衍生物或酰胺形成性衍生物，可例舉例如羧基成為酰氯及酸酐等反應(yīng)性高的衍生物，以促進(jìn)生成聚酯或聚酰胺的反應(yīng)，以及羧基與醇類及乙二醇等形成酯的衍生物，以通過酯交換反應(yīng)或酰胺交換反應(yīng)生成聚酯或聚酰胺。此外，作為上述酚性羥基的酯形成性衍生物或酰胺形成性衍生物，可例舉例如酚性羥基與羧酸類形成酯的衍生物，以通過酯交換反應(yīng)生成聚酯或聚酰胺。此外，作為上述氨基的酰胺形成性衍生物，可例舉例如氨基與羧酸類形成酯的衍生物，以通過酰胺交換反應(yīng)生成聚酰胺。作為以上述結(jié)構(gòu)單元(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元，具體而言，可例示下述結(jié)構(gòu)單元。但是，以上述結(jié)構(gòu)單元(I) (3)表示的結(jié)構(gòu)單元并不局限于此。作為以通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元，可例舉例如來源于選自對羥基苯甲酸、2-羥基-6-萘甲酸及4-羥基-4’-聯(lián)苯羧酸的芳香族羥基羧酸的結(jié)構(gòu)單元等。液晶聚酯可以僅含有這些結(jié)構(gòu)單元中的I種，也可以含有2種以上。特別優(yōu)選使用具有來源于對羥基苯甲酸的結(jié)構(gòu)單元或來源于2-羥基-6-萘甲酸的結(jié)構(gòu)單元的芳香族液晶聚酯。相對于全部結(jié)構(gòu)單元的總和，以通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元所占的比例在例如30. O 45. O摩爾％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在35. O 40. O摩爾％的范圍內(nèi)。如果增大以通式⑴表示的結(jié)構(gòu)單元相對于全部結(jié)構(gòu)單元的比例，則液晶聚酯在后述的非質(zhì)子性溶劑中的溶解性降低。該比例較小時，存在聚酯不顯示液晶性的傾向。作為以通式⑵表示的結(jié)構(gòu)單元，可例舉例如來源于選自對苯二甲酸、間苯二甲酸及2，3-萘二甲酸的芳香族二羧酸的結(jié)構(gòu)單元。液晶聚酯可以僅含有這些結(jié)構(gòu)單元中的I種，也可以含有2種以上。從液晶聚酯在后述的非質(zhì)子性溶劑中的溶解性的角度考慮，尤其優(yōu)選使用具有來源于間苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元的液晶聚酯。相對于全部結(jié)構(gòu)單元的總和，以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元所占的比例在例如27. 5 35. O摩爾％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在30. O 32. 5摩爾％的范圍內(nèi)。如果增大以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元相對于全部結(jié)構(gòu)單元的比例，則存在聚酯的液晶性降低的傾向。如果減小該比例，則存在聚酯在非質(zhì)子性溶劑中的溶解性降低的傾向。作為以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元，可例舉例如來源于3-氨基苯酚及4-氨基苯酚等具有酚性羥基的芳香族胺的結(jié)構(gòu)單元，以及來源于1，4-苯二胺及1，3-苯二胺等芳香族二胺的結(jié)構(gòu)單元。液晶聚酯可以僅含有這些結(jié)構(gòu)單元中的I種，也可以含有2種以上。其中，從液晶聚酯的制造中進(jìn)行的聚合反應(yīng)的角度考慮，優(yōu)選使用具有來源于4-氨基苯酚的結(jié)構(gòu)單元的液晶聚酯。相對于全部結(jié)構(gòu)單元的總和，以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元所占的比例在例如27. 5 35. O摩爾％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在30. O 32. 5摩爾％的范圍內(nèi)。如果增大以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元相對于全部結(jié)構(gòu)單元的比例，則存在聚酯的液晶性降低的傾向。如果減小該比例，則存在液晶聚酯在非質(zhì)子性溶劑中的溶解性降低的傾向。另外，優(yōu)選以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元和以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元在實質(zhì)上等 量。通過將以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元相對于全部結(jié)構(gòu)單元的比例與以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元相對于全部結(jié)構(gòu)單元的比例之差設(shè)在一 10 + 10摩爾％的范圍內(nèi)，還能夠控制芳香族液晶聚酯的聚合度。對上述液晶聚酯的制造方法沒有特別限定。作為該液晶聚酯的制造方法，可例舉例如利用過量的脂肪酸酐將與以通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元對應(yīng)的芳香族羥基羧酸和與以通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元對應(yīng)的羥基的芳香族胺或芳香族二胺的酚性羥基或氨基?；?，對所得的酰化物(酯形成性衍生物或酰胺形成性衍生物)和與以通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元對應(yīng)的芳香族二羧酸進(jìn)行酯交換(縮聚)而進(jìn)行熔融聚合的方法。作為上述?；?，也可以使用預(yù)先酰化而得的脂肪酸酯(例如，參照日本專利特開2002-220444號公報或日本專利特開2002-146003號公報)。上述?；磻?yīng)中，優(yōu)選脂肪酸酐的添加量相對于酚性羥基和氨基的總和為I. O I. 2倍當(dāng)量，更優(yōu)選I. 05 I. I倍當(dāng)量。脂肪酸酐的添加量少的情況下，存在酯交換(縮聚)時?；锘蛟蠁误w等升華，反應(yīng)體系容易堵塞的傾向。此外，脂肪酸酐的添加量多的情況下，存在所得的芳香族液晶聚酯的著色明顯的傾向。上述?；磻?yīng)優(yōu)選在130 180°C下反應(yīng)5分鐘 10小時，更優(yōu)選在140 160°C下反應(yīng)10分鐘 3小時。對上述?；磻?yīng)所使用的脂肪酸酐沒有特別限定。作為該脂肪酸酐，可例舉例如乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、新戊酸酐、2-乙基己酸酐、一氯代乙酸酐、二氯乙酸酐、三氯乙酸酐、一溴代乙酸酐、二溴乙酸酐、三溴乙酸酐、一氟代乙酸酐、二氟乙酸酐、三氟乙酸酐、戊二酸酐、馬來酸酐、琥珀酸酐、溴丙酸酐。它們可單獨使用，也可2種以上混合使用。其中，從價格和操作性的角度考慮，優(yōu)選乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐及異丁酸酐，更優(yōu)選乙酸酐。上述酯交換及酰胺交換反應(yīng)中，優(yōu)選?；锏孽；鶠轸然腛. 8 I. 2倍當(dāng)量。此外，優(yōu)選在130 400°C下一邊以O(shè). I 50°C /分鐘的比率升溫一邊進(jìn)行上述酯交換及酰胺交換反應(yīng)，更優(yōu)選在150 350°C下一邊以O(shè). 3 5°C /分鐘的比率升溫一邊進(jìn)行上述酯交換及酰胺交換反應(yīng)。使上述?；玫闹舅狨ヅc羧酸或胺進(jìn)行酯交換及酰胺交換時，為了使平衡移動，優(yōu)選對作為副產(chǎn)物生成的脂肪酸和未反應(yīng)的脂肪酸酐進(jìn)行蒸發(fā)等以蒸餾排出至體系外。另外，?；磻?yīng)以及酯交換及酰胺交換反應(yīng)也可以在催化劑的存在下進(jìn)行。作為該催化劑，可使用例如作為聚酯的聚合用催化劑而常用的催化劑。作為這種催化劑，可例舉例如乙酸鎂、乙酸亞錫、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀及三氧化銻等金屬鹽催化劑，以及N，N- 二甲基氨基吡啶及N-甲基咪唑等有機(jī)化合物催化劑。上述催化劑中，優(yōu)選使用N，N- 二甲基氨基吡啶及N-甲基咪唑等包含2個以上氮原子的雜環(huán)化合物(參照日本專利特開2002-146003號公報)。通常，在單體類的投入時投入上述催化劑。該催化劑可以在?；蟪?，也可以不除去。在不除去該催化劑的情況下，可以在?；罅⒓催M(jìn)行酯交換?！だ蒙鲜鲺ソ粨Q及酰胺交換反應(yīng)的聚合通常通過熔融聚合來進(jìn)行，也可以并用熔融聚合和固相聚合。固相聚合可通過將聚合物從熔融聚合步驟中抽出，將其粉碎而制成粉末狀或薄片狀之后，用公知的固相聚合方法來進(jìn)行。具體而言，可例舉例如在氮等惰性氣氛下，以20 350°C、在固相狀態(tài)下熱處理I 30小時的方法?？梢砸贿厰嚢枰贿呥M(jìn)行固相聚合，也可以在不攪拌而靜置的狀態(tài)下進(jìn)行固相聚合。另外，通過設(shè)置適當(dāng)?shù)臄嚢柙O(shè)備，還可以在同一反應(yīng)槽中進(jìn)行熔融聚合和固相聚
口 ο固相聚合后，可以用公知的方法，將所得的液晶聚酯成形為例如顆粒狀。上述液晶聚酯的制造可以使用分批裝置及/或連續(xù)裝置來進(jìn)行。優(yōu)選上述液晶聚酯的用下述方法求出的流動起始溫度在250°C以上，更優(yōu)選在2600C以上。在使用這種液晶聚酯的情況下，與使用流動起始溫度更低的液晶聚酯的情況相t匕，在絕緣層3和金屬箔4之間以及在絕緣層3和金屬基板2之間可獲得更好的密合性。此外，優(yōu)選上述聚酯的流動起始溫度在300°C以下，更優(yōu)選在290°C以下。這種液晶聚酯與流動起始溫度更高的液晶聚酯相比，存在溶劑中的溶解性更高的傾向。這里，“流動起始溫度”是指，使用流動測試儀的熔融粘度的評價中，該芳香族聚酯的熔融粘度在9. 8MPa的壓力下達(dá)到4800Pa · s以下時的最低溫度。另外，根據(jù)1987年發(fā)行的書籍《液晶聚合物一合成·成形·應(yīng)用一》(液晶'J^ 一-合成·成形·佑用-)(小出直之編，95 105頁，CMC出版株式會社('> 一二 A '>一)，1987年6月5日發(fā)行)，1970年代開發(fā)出液晶聚酯樹脂以后，作為液晶聚酯樹脂的分子量的標(biāo)準(zhǔn)，使用流動溫度(與本說明書中使用的術(shù)語“流動起始溫度”等同)。通過例如在將聚合物從熔融聚合步驟抽出，將該聚合物粉碎而制成粉末狀或薄片狀后，用公知的固相聚合方法來調(diào)整流動起始溫度，從而可容易地實施上述液晶聚酯的流動起始溫度的控制。更具體而言，例如在熔融聚合步驟之后，可通過在氮等惰性氣氛下、以超過210°C的溫度、更優(yōu)選以220 350°C的溫度在固相狀態(tài)下熱處理I 10小時的方法來獲得?？梢砸贿厰嚢枰贿呥M(jìn)行固相聚合，也可以在不攪拌而靜置的狀態(tài)下進(jìn)行固相聚合。例如，可以在氮等惰性氣氛下，在不攪拌而靜置的狀態(tài)下，以225°C進(jìn)行3小時的固相聚合。
無機(jī)填充材料分布于整個絕緣層3。無機(jī)填充材料與液晶聚酯相比，熱導(dǎo)率大。無機(jī)填充材料在絕緣層3中所占的比例在例如50 80體積％的范圍內(nèi)，典型的是在50 65體積％的范圍內(nèi)。如果將該比例過度地減小，則熱阻增大或耐受電壓降低。如果將該比例過度地增大，則無機(jī)填充材料彼此的粘接強(qiáng)度降低，或者絕緣層3與金屬基板2或金屬箔4的粘接強(qiáng)度降低，或者難以使絕緣層3的表面平坦。無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成。這些組分各自大致均勻地分布于整個絕緣層3。氮化鋁及氧化鋁以例如近似球狀的粒子的形態(tài)使用。絕緣層3中，氮化鋁及氧化鋁可以一次粒子的形態(tài)分布，也可以二次粒子的形態(tài)分布?；蛘?，絕緣層3中，也可以是氮化鋁及氧化鋁的一部分以一次粒子的形態(tài)分布，其余部分以二次粒子的形態(tài)分布。 氮化鋁及氧化鋁的平均粒徑在例如5 30 μ m的范圍內(nèi)。這里，“平均粒徑”表示用激光衍射散射法測定的粒子的平均粒徑。氮化鋁及/或氧化鋁的總量在無機(jī)填充材料中所占的比例在例如20 65體積％的范圍內(nèi)，典型的是在20 50體積％的范圍內(nèi)。該比例過于大時，難以得到氣孔少的絕緣層3，難以實現(xiàn)高耐受電壓和低熱阻。該比例過于小時，難以獲得具有高剝離強(qiáng)度的電路基板用層置板I及金屬基底電路基板I’。氮化硼以例如鱗片狀或板狀的粒子的形態(tài)使用。絕緣層3中，氮化硼也可以鱗片狀或板狀的一次粒子的形態(tài)分布?；蛘撸^緣層3中，氮化硼也可以二次粒子的形態(tài)分布，該二次粒子由使鱗片狀或板狀的一次粒子以其法線方向無規(guī)取向的方式凝集而成。典型的是，絕緣層3中，氮化硼的一部分以鱗片狀或板狀的一次粒子的形態(tài)分布，其他部分以上述的二次粒子的形態(tài)分布。氮化硼的平均粒徑在例如10 50 μ m的范圍內(nèi)。另外，該平均粒徑可通過對氮化鋁及氧化鋁使用與上述同樣的方法得到。作為無機(jī)填充材料的至少一部分，為了提高與液晶聚酯的密合性及在后述的分散液中的分散性，可使用實施了表面處理的無機(jī)填充材料。作為能用于該表面處理的表面處理劑，可例舉例如硅烷偶聯(lián)劑、鈦偶聯(lián)劑、鋁或鋯類偶聯(lián)劑、長鏈脂肪酸、異氰酸酯化合物，以及包含例如環(huán)氧基、甲氧基硅烷基、氨基或羥基的極性高分子或反應(yīng)性高分子。氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例在35 80體積％的范圍內(nèi)，典型的是在50 80體積％的范圍內(nèi)。該比例過于大時，難以獲得具有高剝離強(qiáng)度的電路基板用層疊板I及金屬基底電路基板I’。該比例過于小時，難以得到氣孔少的絕緣層3，難以實現(xiàn)高耐受電壓和低熱阻。金屬箔4設(shè)在絕緣層3上。金屬箔4以將絕緣層3夾在中間的方式與金屬基板2相對。金屬箔4由例如單質(zhì)金屬或合金構(gòu)成。作為金屬箔4的材料，可使用例如銅或鋁。金屬箔4的厚度在例如10 500 μ m的范圍內(nèi)。該電路基板用層疊板I可通過例如下述方法制造。首先，使上述的液晶聚酯溶解于溶劑中，得到光學(xué)上各向同性的溶液。作為液晶聚酯，考慮到在該溶劑中的溶解性，優(yōu)選使用分子量較小的液晶聚酯。另夕卜，環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂在保存期間會發(fā)生經(jīng)時變化。與此相對，液晶聚酯為熱塑性，因此不會發(fā)生上述的經(jīng)時變化。因此，可以作為工業(yè)制品放心使用。作為上述溶劑，優(yōu)選使用不含鹵素原子的非質(zhì)子性溶劑。這種非質(zhì)子性溶劑可例舉例如乙醚、四氫呋喃及1，4-二曝?zé)让杨惾軇?；丙酮及環(huán)己烷等酮類溶劑；乙酸乙酯等酯類溶劑；Y-丁內(nèi)酯等內(nèi)酯類溶劑；碳酸亞乙酯及碳酸異丙酯等碳酸酯類溶劑；三乙胺及吡啶等胺類溶劑；乙腈及琥珀腈等腈類溶劑；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、四甲基脲及N-甲基吡咯烷酮等酰胺類溶劑；硝基甲烷及硝基苯等硝基類溶劑；二基亞砜及環(huán)丁砜等硫化物類溶劑；六甲基磷酰胺及三正丁基磷酸等磷酸類溶劑。其中，從上述的液晶聚酯的溶解性的角度考慮，優(yōu)選偶極矩為3 5的溶劑。具體而言，優(yōu)選N，N- 二甲基甲酰胺、N，N- 二甲基乙酰胺、四甲基脲、N-甲基吡咯烷酮等酰胺類溶齊U，以及Y-丁內(nèi)酯等內(nèi)酯類溶劑，特別優(yōu)選N，N-甲基甲酰胺、N，N-甲基乙酰胺及N-甲基吡咯烷酮(NMP)。還有，使用I個大氣壓下的沸點為180°C以下的揮發(fā)性高的溶劑時，在形成由包含液晶聚酯和無機(jī)填充材料的分散液構(gòu)成的涂膜后，容易將溶劑從該涂膜中除去。從該角度考慮，特別優(yōu)選N，N-二甲基甲酰胺(DMF)及N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)。 該分散液中，相對于100質(zhì)量份的非質(zhì)子性溶劑,含有例如10 50質(zhì)量份、優(yōu)選20 40質(zhì)量份的液晶聚酯。液晶聚酯的量過于少時，不得不將大量溶劑從涂膜中除去。因此，容易發(fā)生涂膜的外觀問題。如果液晶聚酯的量過于多，則存在上述的溶液或分散液高粘度化的傾向，其操作性降低。接著，將上述的無機(jī)填充材料分散到之前的溶液中，得到包含聚酯和無機(jī)填充材料的分散液。無機(jī)填充材料可以例如一邊使用球磨機(jī)、三輥機(jī)(日文3本π — > )、離心攪拌機(jī)或珠磨機(jī)進(jìn)行粉碎一邊分散到上述溶液中。此外，在向上述溶液中添加無機(jī)填充材料之前，也可以在該溶液中添加硅烷偶聯(lián)劑及鈦偶聯(lián)劑等偶聯(lián)劑以及離子吸附劑等添加劑。接著，將該分散液涂布在金屬基板2及金屬箔4的至少一方的上面。對于分散液的涂布，可使用例如輥涂法、棒涂法或絲網(wǎng)印刷法?？梢赃B續(xù)式進(jìn)行，也可以單板式進(jìn)行。根據(jù)需要將涂膜干燥后，使金屬基板2和金屬箔4以將涂膜夾在中間而相對的方式重疊。然后對其進(jìn)行熱壓。通過如上操作，得到電路基板用層疊板I。該方法中，將包含液晶聚酯的涂膜供于加熱工序。如果加熱液晶聚酯，則其分子量增大，涂膜固化。由此所得的絕緣層3的機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異。還有，由于液晶聚酯為熱塑性，因此能夠在涂膜干燥后使介晶的取向充分發(fā)展。即，通過使分子量充分增大的加熱工序，從而使聲子傳導(dǎo)的路徑長度增加，其結(jié)果是，熱導(dǎo)率大幅提聞。此外，典型的是氮化硼的一次粒子為鱗片狀或板狀，因此當(dāng)對干燥后的涂膜進(jìn)行加熱，在液晶聚酯能夠流動的狀態(tài)下對涂膜施加壓力時，會使氮化硼的一次粒子的一部分的方位發(fā)生變化。藉此，可獲得氣泡、液晶聚酯、氮化鋁及氧化鋁的移動得到促進(jìn)，氣泡少且致密的絕緣層3。此外，施加壓力前的涂膜中，氮化硼的至少一部分以二次粒子的形態(tài)存在且該二次粒子由使鱗片狀或板狀的一次粒子以其法線方向無規(guī)取向的方式凝集而成的情況下，該二次粒子所含的一次粒子的至少一部分以其主面相對于涂膜的基底表面垂直或傾斜的方式取向。如果對涂膜施加壓力，則相對于基底表面垂直或傾斜地取向的一次粒子的一部分的方位會發(fā)生變化，但并不是說全部這些一次粒子的方位都發(fā)生變化。此外，通過對涂膜施加壓力而相對于基底表面平行地取向的一次粒子只是方位發(fā)生變化的一次粒子中的一部分。即，施加壓力后的涂膜中，氮化硼的一次粒子的至少一部分相對于涂膜的基底表面垂直或傾斜地取向。氮化硼的一次粒子以該方式取向的絕緣層3與氮化硼的一次粒子相對于Z方向垂直地取向的絕緣層3相比，Z方向上的熱導(dǎo)率高。即，如果使氮化硼以上述的形態(tài)存在，則能夠得到性能更優(yōu)異的電路基板用層疊板I。接著。對從上述的電路基板用層疊板I得到的金屬基底電路基板I’進(jìn)行說明。圖3是簡略地不出由圖I及圖2所不的電路基板用層置板I得到的金屬基底電路基板I’的一例的剖視圖。圖3所不的金屬基底電路基板I’包括金屬基板2、絕緣層3和電路圖案4’。電路圖案4’可通過對參照圖I及圖2說明的電路基板用層疊板I的金屬箔4進(jìn)行圖案形成而得到。該圖案形成可通過例如在金屬箔4上形成掩模圖案，通過蝕刻將金屬箔4的露出部分除去來進(jìn)行。金屬基底電路基板I’可通過例如對之前的電路基板用層疊板I的金屬箔4進(jìn)行上述的圖案形成，根據(jù)需要進(jìn)行切割及開孔加工等加工來得到?！び捎谠摻饘倩纂娐坊錓’從上述的電路基板用層疊板I得到，因此散熱性及耐熱性優(yōu)異。此外，該金屬基底電路基板I’中，即使無機(jī)填充材料在絕緣層3中所占的比例高，電路圖案4’也具有足夠的剝離強(qiáng)度。以下，記載本發(fā)明的實施例?！匆壕Ь埘サ闹圃臁翟诰邆鋽嚢柩b置、扭矩計、氮氣導(dǎo)入管、溫度計及回流冷卻器的反應(yīng)器中投入1976g(10.5摩爾)的2-羥基-6-萘甲酸、1474g(9.75摩爾)的4-羥基乙酰苯胺、1620g(9. 75摩爾)的間苯二甲酸、2374g(23. 25摩爾)的乙酸酐。用氮氣對反應(yīng)器內(nèi)的氣氛進(jìn)行充分置換后，在氮氣氣流下用15分鐘升溫至150°C，在該溫度下回流3小時。然后，一邊將餾出的副產(chǎn)物乙酸及未反應(yīng)的乙酸酐蒸餾除去，一邊用170分鐘升溫至300°C，將確認(rèn)到扭矩上升的時刻視作反應(yīng)結(jié)束，取出內(nèi)容物。將取出的內(nèi)容物冷卻至室溫，用粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎，從而得到分子量較低的液晶聚酯的粉末。用島津制作所(島津製作所)的流動測試儀CFT - 500對所得的粉末的流動起始溫度進(jìn)行測定，結(jié)果為235°C。此外，在氮氣氛中以223°C對該液晶聚酯粉末進(jìn)行3小時的加熱處理，使其發(fā)生固相聚合。固相聚合后的液晶聚酯的流動起始溫度為270°C。〈液晶聚酯溶液的制備〉將由上述的方法所得的2200g的液晶聚酯添加到7800g的N，N-甲基乙酰胺(DMAc)中，以100°C加熱2小時，從而得到液晶聚酯溶液。該溶液的粘度為320cP。該粘度是使用B型粘度計(東機(jī)產(chǎn)業(yè)株式會社(東機(jī)産業(yè))制，“TVL-20型”，轉(zhuǎn)子No. 21 (轉(zhuǎn)速5rpm))并在23 °C下測定的值?！蠢?>在由上述的方法所得的液晶聚酯溶液中添加氮化鋁(古河電子工業(yè)株式會社(古河電子工業(yè)株式會社)制，“FAN-f30”，平均粒徑30μπι)，從而制備分散液。這里，添加氮化鋁以使得在由該分散液所得的絕緣層中，由氮化鋁構(gòu)成的無機(jī)填充材料所占的比例為65體積％。用離心式攪拌脫泡機(jī)將該分散液攪拌5分鐘后，將其以約130 μ m的厚度涂布在厚度為70 μ m的銅箔上。接著，將該涂膜以100°C干燥20分鐘后，以340°C熱處理3小時。接著，將金屬基板和之前的銅箔以涂膜介于它們之間的方式重疊。這里，作為金屬基板，使用熱導(dǎo)率為140W ^nT1 .K'厚度為2. Omm的鋁合金基板。然后，一邊對其施加20MPa的壓力一邊以340°C對其加熱處理20分鐘以使其熱粘接。此時，測定施加壓力前的涂膜的厚度Dl和熱粘接后的涂膜、即絕緣層的厚度D2，求出厚度D2和厚度Dl的差D1-D2。接著，求出差D1-D2與厚度Dl的比(D1_D2)/D1以作為壓縮率。其結(jié)果是，壓縮率為14.6%。此外，根據(jù)分散液的組成及每單位面積的涂布量等算出假定氣泡含有率為零時的絕緣層的厚度D2’。接著，求出厚度D2和D2’的差D2-D2’與厚度D2的比(D2_D2’)/D2以作為氣孔率。其結(jié)果是，氣孔率為20.0%。接著，使用由此得到的電路基板用層疊板，分別在以下的條件下進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。 耐受電壓將切割成規(guī)定尺寸的電路基板用層疊板浸潰于絕緣油中，在室溫下對銅箔施加交流電壓。升高施加電壓，將發(fā)生絕緣破壞的最低電壓作為耐受電壓。T剝離強(qiáng)度試驗通過蝕刻將切割成規(guī)定尺寸的電路基板用層疊板的銅箔的一部分除去，以形成寬度為IOmm的銅箔圖案。抓住該銅箔圖案的一端，一邊以銅箔圖案中已剝離的部分相對于金屬基板的主面呈垂直的方式施加力，一邊以50mm/分鐘的速度將銅箔圖案從金屬基板撕下。此時，將施加在銅箔圖案的力作為T剝離強(qiáng)度。熱阻通過將切割成30mmX40mm的尺寸的電路基板用層疊板的銅箔蝕刻而進(jìn)行部分除去，形成HmmXlOmm的焊盤(日語9 > F')。使用焊錫將晶體管(C2233)安裝到該焊盤之后，將其以金屬基板隔著硅脂層且與冷卻裝置的冷卻面相對的方式安裝在水冷卻裝置上。接著，向晶體管供應(yīng)30W的功率P，測定晶體管的溫度Tl和冷卻裝置的冷卻面的溫度T2。求出由此得到的溫度Tl和溫度T2的差T1-T2，將該差T1-T2與供應(yīng)的功率P的比(Tl/T2)/P作為熱阻。在以上的條件下進(jìn)行各種測定的結(jié)果是，耐受電壓為I. 5kV，T剝離強(qiáng)度為13. 6N/cm，熱阻為 O. 200C /W?！蠢?>在由上述的方法所得的液晶聚酯溶液中添加與例I中使用的相同的氮化鋁和氮化硼(水島合金鐵株式會社(水島合金鉄株式會社)制，“HP-40”，平均粒徑20μπι)，從而制備分散液。這里，氮化鋁和氮化硼以下述條件添加在從該分散液得到的絕緣層中，由氮化鋁和氮化硼構(gòu)成的無機(jī)填充材料所占的比例為65體積％，以及氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例(以下稱為“ΒΝ摻合率”)為25體積％。除了使用由上述方法制備的分散液以外，用與例I中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為18. 0%，氣孔率為10.8%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為2.0kV，T剝離強(qiáng)度為13. IN/cm，熱阻為 O. 180C /W。〈例3>除了將BN摻合率改為35體積％以外，用與例2中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為20.0%，氣孔率為7.0%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為4. OkV, T剝離強(qiáng)度為12. 3N/cm，熱阻為 O. 17。。/W?！蠢?>
除了將BN摻合率改為50體積％以外，用與例2中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為21. 7%，氣孔率為I. 3%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為7. OkV, T剝離強(qiáng)度為11. 6N/cm，熱阻為 O. 160C /W。〈例5>除了將BN摻合率改為80體積％以外，用與例2中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為29. 0%，氣孔率為O. 5%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為8. 0kV，T剝離強(qiáng)度為7. 5N/cm,熱阻為O. 15°C /W?！蠢?>除了使用與例2中使用的同樣的氮化硼代替氮化鋁以外，使用與例I中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為33. 3%，氣孔率為O. I %。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為9. 0kV，T剝離強(qiáng)度為5. ON/cm,熱阻為O. 15°C /W?！蠢?>除了使用氧化鋁(住友化學(xué)株式會社(住友化學(xué)株式會社)制，“AA-5”，平均粒徑5μπι)代替氮化鋁以外，使用與例I中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另夕卜，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為
13.0%，氣孔率為25. 0%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為I. 5kV，T剝離強(qiáng)度為15. 9N/cm，熱阻為 O. 260C /W?！蠢?>
在由上述方法所得的液晶聚酯溶液中添加與例7中使用的同樣的氧化鋁和與例2中使用的同樣的氮化硼，從而制備分散液。這里，氧化鋁和氮化硼以下述條件添加在從該分散液得到的絕緣層中，由氧化鋁和氮化硼構(gòu)成的無機(jī)填充材料所占的比例為65體積％，以及BN摻合率為25體積％。除了使用由上述方法制備的分散液以外，用與例I中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為17.0%，氣孔率為13.0%。
此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為I. 5kV，T剝離強(qiáng)度為12. 9N/cm，熱阻為 O. 230C /W?！蠢?>除了將BN摻合率改為35體積％以外，用與例8中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為19.0%，氣孔率為8.5%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為4. OkV, T剝離強(qiáng)度為12. 3N/cm，熱阻為 O. 200C /W。〈例10>除了將BN摻合率改為50體積％以外，用與例8中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為22.0%，氣孔率為1.0%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為8. OkV, T剝離強(qiáng)度為11. IN/cm，熱阻為 O. 17。。/W。〈例11>除了將BN摻合率改為80體積％以外，用與例8中使用的同樣的方法來制造電路基板用層疊板。另外，這里也使用與例I中使用的同樣的方法來求出壓縮率及氣孔率。其結(jié)果是，壓縮率為29. 0%，氣孔率為O. 5%。此外，除使用該電路基板用層疊板以外，使用與例I中使用的同樣的方法來進(jìn)行耐受電壓、T剝離強(qiáng)度及熱阻的測定。其結(jié)果是，耐受電壓為8. 5kV，T剝離強(qiáng)度為7. 9N/cm,熱阻為O. 160C /W。將例I 例11中所得的結(jié)果示于下述表I及圖4 圖8。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種電路基板用層疊板，其具備金屬基板、絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層上的金屬箔； 其中，所述絕緣層設(shè)置在所述金屬基板上，含有液晶聚酯和50體積％以上的無機(jī)填充材料，所述無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成，所述氮化硼在所述無機(jī)填充材料中所占的比例在35 80體積％的范圍內(nèi)。
2.如權(quán)利要求I所述的電路基板用層疊板，其特征在于，所述氮化硼在所述無機(jī)填充材料中所占的比例在50 80體積％的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電路基板用層疊板，其特征在于，所述液晶聚酯具有以下述通式⑴ ⑶表示的結(jié)構(gòu)單元，相對于以下述通式⑴ ⑶表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以下述通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在30 80摩爾％的范圍內(nèi)，以下述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在10 35摩爾％的范圍內(nèi)，以下述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在10 35摩爾％的范圍內(nèi)； —O — Arl — CO —...... (I) —CO — Ar2 — CO —......(2) -X - Ar3 - Y -......(3) 式中，Arl表示亞苯基或亞萘基，Ar2表示亞苯基、亞萘基或以下述通式(4)表示的基團(tuán)，Ar3表示亞苯基或以下述式(4)表示的基團(tuán)，X及Y分別獨立地表示O或NH ;Ar、Ar2及Ar3的芳香族環(huán)上結(jié)合的氫原子也可以被鹵素原子、烷基或芳基取代； —Arll -Z- Arl2 —......(4) 式中，Arll及Arl2分別獨立地表示亞苯基或亞萘基，Z表示O、CO或SO2。
4.一種金屬基底電路基板，其具備金屬基板、絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層上的電路圖案； 其中，所述絕緣層設(shè)置在所述金屬基板上，含有液晶聚酯和50體積％以上的無機(jī)填充材料，所述無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成，所述氮化硼在所述無機(jī)填充材料中所占的比例在35 80體積％的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬基底電路基板，其特征在于，所述氮化硼在所述無機(jī)填充材料中所占的比例在50 80體積％的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4或5所述的金屬基底電路基板，其特征在于，所述液晶聚酯具有以下述通式⑴ ⑶表示的結(jié)構(gòu)單元，相對于以下述通式⑴ ⑶表示的結(jié)構(gòu)單元的總和，以下述通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在30 80摩爾％的范圍內(nèi)，以下述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在10 35摩爾％的范圍內(nèi)，以下述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元的比例在10 35摩爾％的范圍內(nèi)； —O — Arl — CO —......(I) —CO — Ar2 — CO —......(2) -X - Ar3 - Y -......(3) 式中，Arl表示亞苯基或亞萘基，Ar2表示亞苯基、亞萘基或以下述通式(4)表示的基團(tuán)，Ar3表示亞苯基或以下述式(4)表示的基團(tuán)，X及Y分別獨立地表示O或NH ;Ar、Ar2及Ar3的芳香族環(huán)上結(jié)合的氫原子也可以被鹵素原子、烷基或芳基取代； —Arll -Z- Arl2 —......(4)式中，Arll及Arl2分別獨 立地表示亞苯基或亞萘基，Z表示O、CO或SO2。
全文摘要
本發(fā)明提供有利于實現(xiàn)散熱性、絕緣性及剝離強(qiáng)度優(yōu)異的金屬基底電路基板的技術(shù)。電路基板用層疊板(1)包括金屬基板(2)、設(shè)置在金屬基板(2)上的絕緣層(3)和設(shè)置在絕緣層(3)上的金屬箔(4)。絕緣層(3)含有液晶聚酯和50體積％以上的無機(jī)填充材料。無機(jī)填充材料由氮化硼、和選自氮化鋁及氧化鋁中的至少一方構(gòu)成。氮化硼在無機(jī)填充材料中所占的比例在35～80體積％的范圍內(nèi)。
文檔編號B32B15/04GK102948264SQ20118002628
公開日2013年2月27日 申請日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者水野克美, 許斐和彥, 夏目豐, 宮越亮, 近藤剛司 申請人:日本發(fā)條株式會社, 住友化學(xué)株式會社