專(zhuān)利名稱(chēng)：透明導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于觸摸面板等的透明導(dǎo)電膜。
背景技術(shù)：
作為用于觸摸面板的透明導(dǎo)電膜，存在有在一個(gè)面設(shè)有使透明導(dǎo)電膜圖案化而形成的透明配線層的透明導(dǎo)電膜。近年來(lái)，搭載于智能手機(jī)等上的觸摸面板的光學(xué)特性逐步提高。即，要求確保透過(guò)觸摸面板看到的圖像的色調(diào)，且要求使得透明配線層的存在不顯眼。此外，還要求透明配線層的細(xì)線化和高耐久性。作為確保透明配線層的透明性并使得配線不顯眼的技術(shù)，例如提出有在基材膜和透明導(dǎo)電膜(透明配線層)之間形成光學(xué)調(diào)整層的透明導(dǎo)電膜(專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2)。而且，作為透明配線層，采用的是ITO (銦錫氧化物)，但從該透明配線層的耐久性、光學(xué)特性的方面考慮，采用的是結(jié)晶質(zhì)的IT0。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010 - 23282號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008 - 98169號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在進(jìn)行透明配線層的圖案化時(shí)，要進(jìn)行透明導(dǎo)電膜的蝕刻，但透明導(dǎo)電膜(透明配線層)使用結(jié)晶質(zhì)的ITO的話，導(dǎo)致蝕刻速度下降、或者蝕刻殘?jiān)鼩埩舻任g刻特性變差。尤其對(duì)于上述那樣的要求透明配線層的細(xì)線化的近來(lái)的透明導(dǎo)電膜，希望有蝕刻特性優(yōu)異的透明導(dǎo)電膜。因此，考慮通過(guò)非結(jié)晶的(非晶質(zhì))的ITO來(lái)構(gòu)成透明配線層。但是，采用非結(jié)晶的ITO的話，難以維持透明配線層的耐久性和光學(xué)特性。本發(fā)明正是鑒于該問(wèn)題點(diǎn)而做出的，其提供一種具有耐久性和光學(xué)特性優(yōu)異的、且能夠容易地謀求配線精度的高精度化的透明配線層的透明導(dǎo)電膜及其制造方法。用于解決課題的手段第一發(fā)明是透明導(dǎo)電膜，其特征在于，具有:由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜；形成在該基材膜的表面上的、光折射率比該基材膜高的高折射涂層；形成在該高折射涂層的表面上的、光折射率比該高折射涂層低的低折射涂層；形成在該低折射涂層的表面上的由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層；和在該基底層的表面形成圖案、由光折射率比該基底層高的結(jié)晶質(zhì)的ITO構(gòu)成的透明配線層，所述透明配線層的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
第二發(fā)明是透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，在多層膜的低折射涂層側(cè)的表面形成由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層，所述多層膜在由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜的表面形成有光折射率比該基材膜高的高折射涂層，在該高折射涂層的表面形成有光折射率比該高折射涂層低的低折射涂層，接著，在該基底層的表面形成由光折射率比該基底層高的非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，接著，通過(guò)對(duì)所述透明導(dǎo)電膜的一部分進(jìn)行蝕刻而形成圖案，從而形成透明配線層，接著，通過(guò)對(duì)由所述多層膜、所述基底層和所述透明配線層構(gòu)成的層疊體進(jìn)行加熱處理而使得所述透明配線層結(jié)晶化。發(fā)明的效果第一發(fā)明所涉及的透明導(dǎo)電膜以上述高折射涂層、上述低折射涂層和上述基底層的層疊順序?qū)⑦@三者設(shè)置在上述基材膜和上述透明配線層之間。由此，能夠提高透明導(dǎo)電膜的光透過(guò)率，提高光學(xué)特性。而且，上述透明配線層的ITO的微晶尺寸為9nm以下。即，形成上述透明配線層的ITO處于雖然結(jié)晶化但結(jié)晶化的程度較小的狀態(tài)。以下將該狀態(tài)稱(chēng)為「微結(jié)晶」。上述透明配線層即使處于微結(jié)晶的狀態(tài)也仍然是結(jié)晶質(zhì)的。因此，能夠維持透明配線層的耐久性、光學(xué)特性。即，例如，在將上述透明導(dǎo)電膜用于觸摸面板的情況下，不僅打鍵特性、滑動(dòng)特性優(yōu)異，且能夠維持高的光透過(guò)性。又，由于透明配線層處于上述微結(jié)晶的狀態(tài)，所以透明配線層能夠在成膜后、在加熱處理(退火)前的狀態(tài)下作成非結(jié)晶的(非晶質(zhì))的狀態(tài)。也就是說(shuō)，在對(duì)透明導(dǎo)電膜進(jìn)形了成膜之后，對(duì)其進(jìn)行局部地蝕刻而做成透明配線層，之后再進(jìn)行加熱處理，從而使透明配線層結(jié)晶化，在這樣的情況下，為了使得加熱處理后的ITO的結(jié)晶化的程度比上述微結(jié)晶的狀態(tài)高，在加熱處理前的狀態(tài)下ITO需要為某程度的結(jié)晶質(zhì)。相對(duì)于此，即使在加熱處理前為非晶質(zhì)(非結(jié)晶)，如果是上述微結(jié)晶，通過(guò)加熱處理就能夠?qū)崿F(xiàn)。因此，如果加熱處理后的ITO為上述微結(jié)晶的程度，就能夠?qū)υ谕该髋渚€層的結(jié)晶化之前的、即處于非結(jié)晶(非晶質(zhì))的狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果，能夠提高通過(guò)蝕刻形成配線的精度，能夠謀求配線精度的高精度化。又，由于透明導(dǎo)電膜形成在由氧化硅構(gòu)成的上述基底層的表面上，因此能夠促進(jìn)加熱處理時(shí)的ITO的結(jié)晶化。在第二發(fā)明所涉及的透明導(dǎo)電膜的制造方法中，在上述多層膜中的低折射涂層側(cè)的表面形成上述基底層。由此，能夠促進(jìn)加熱處理時(shí)的ITO的結(jié)晶化。而且，在基底層的表面形成由非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，接著，通過(guò)對(duì)所述透明導(dǎo)電膜的一部分進(jìn)行蝕刻而形成圖案，從而形成透明配線層。也就是說(shuō)，是對(duì)由蝕刻特性優(yōu)異的非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，因此能夠容易且高精度地進(jìn)行圖案形成。其結(jié)果，透明配線層的細(xì)線化變得容易等，能夠提高配線精度。而且，然后，通過(guò)對(duì)上述層疊體進(jìn)行加熱處理使得上述透明配線層結(jié)晶化，因此可以確保透明配線層的耐久性、光學(xué)特性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有耐久性和光學(xué)特性優(yōu)異的、且能夠容易 地謀求配線精度的高精度化的透明配線層的透明導(dǎo)電膜及其制造方法。


圖1是實(shí)施例1中的透明導(dǎo)電膜的截面說(shuō)明圖。圖2是實(shí)施例1中的多層膜的截面說(shuō)明圖。圖3是實(shí)施例1中的在多層膜上形成了基底層和非結(jié)晶的透明導(dǎo)電膜的狀態(tài)的截面說(shuō)明圖。圖4是實(shí)施例1中的形成有剛蝕刻了透明導(dǎo)電膜后的非結(jié)晶的透明配線層的截面說(shuō)明圖。圖5是示出有關(guān)實(shí)驗(yàn)例I中的透明配線層的在濺射時(shí)的成膜條件與ITO的微晶大小的關(guān)系的線圖。
具體實(shí)施例方式上述第一發(fā)明所涉及的透明導(dǎo)電膜例如用于靜電容量式或電阻膜式的觸摸面板。上述基材膜可以通過(guò)例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚丙烯酸酯(PAC)、環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚樹(shù)脂、脂肪族環(huán)狀烯烴、降冰片烯類(lèi)的熱塑性透明樹(shù)脂等的可撓性膜或這些兩種以上的層疊體構(gòu)成。又，上述基材膜可以在其表面和背面具有硬涂層。又，高折射涂層可以由例如氧化鋅、氧化鈦、氧化鋪、氧化招、氧化鋪、氧化錯(cuò)、氧化錫、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋁、氧化錫、ITO構(gòu)成，其光折射率可以設(shè)為1.7 2.8。高折射涂層的膜厚例如可以設(shè)為5 50nm。又，低折射涂層可以由例如氧化硅、氟化鈣、氟化鎂等構(gòu)成，其光折射率可以設(shè)為1.2 1.5。低折射涂層的膜厚例如可以設(shè)為10 lOOnm?；讓拥墓庹凵渎士梢栽O(shè)為例如1.4 1.5，其膜厚可以設(shè)為10 20nm。又，透明配線層的光折射率例如可以設(shè)為1.9 2.2，其膜厚可以設(shè)為18 30nm。上述基底層以及上述透明配線層(透明導(dǎo)電膜)優(yōu)選為通過(guò)濺射成膜。在上述第二發(fā)明中，上述加熱處理后的上述透明配線層中的ITO的微晶尺寸優(yōu)選為9nm以下。在該情況下，可以更可靠地得到耐久性、光學(xué)特性優(yōu)異，且能夠容易地謀求配線精度的高精度化的透明配線層。在上述微晶尺寸超過(guò)9nm的情況下，使得加熱處理前的透明配線層(透明導(dǎo)電膜)的ITO為非結(jié)晶的狀態(tài)是比較困難的。該臨界意義對(duì)于上述第一發(fā)明所涉及的透明導(dǎo)電膜的上述透明配線層中的ITO的微晶尺寸也是相同的。另外，加熱處理后的透明配線層的結(jié)晶化的程度(ITO的微晶尺寸)可以通過(guò)透明配線層(透明導(dǎo)電膜)的成膜時(shí)的成膜條件來(lái)進(jìn)行調(diào)整。例如，在通過(guò)濺射對(duì)透明配線層(透明導(dǎo)電膜)成膜的情況下，能夠通過(guò)對(duì)腔室內(nèi)的氬和氧的混合氣體的壓力以及氧分壓進(jìn)行調(diào)整來(lái)對(duì)加熱處理(退火(7 二一 U >々''))后的透明配線層的結(jié)晶化的程度進(jìn)行調(diào)整(參照實(shí)驗(yàn)例I)。實(shí)施例
(實(shí)施例1)采用圖1 圖4對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例所涉及的透明導(dǎo)電膜及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示那樣，本例的透明導(dǎo)電膜I具有:由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜11、形成在該基材膜11的表面上的、光折射率比該基材膜11高的高折射涂層12、和形成在該高折射涂層12的表面上的、光折射率比該高折射涂層12低的低折射涂層13。進(jìn)一步地，透明導(dǎo)電膜I具有形成在低折射涂層13的表面上的由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層14、和在該基底層14的表面形成圖案的、由光折射率比該基底層14高的ITO構(gòu)成透明配線層15。透明配線層15中的ITO的微晶尺寸在9nm以下。S卩，構(gòu)成透明配線層15的ITO為結(jié)晶質(zhì)，其結(jié)晶化的程度處于小的狀態(tài)(微結(jié)晶狀態(tài))。在本例中，基材膜11在其表面和背面具有硬涂層111、112。上述基材膜11由PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)構(gòu)成，其光折射率為1.4 1.7。又，基材膜11的厚度為25 188 iim。又，硬涂層111、112分別具有3 8iim的膜厚。又，高折射涂層12可以由例如氧化鋅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋁、氧化銻、氧化鋯、氧化錫、氧化鈮、氧化鑭、ITO構(gòu)成，其光折射率為1.7 2.8。高折射涂層12的膜厚可以設(shè)為5 50nmo又，低折射涂層13可以由例如氧化硅、氟化鈣、氟化鎂等構(gòu)成，其光折射率為
1.2 1.5。低折射涂層13的膜厚可以設(shè)為10 lOOnm?；讓?4的光折射率為1.4 1.5，其膜厚為10 20nm。又，透明配線層15的光折射率為1.9 2.2，其膜厚可以設(shè)為18 30nm。透明配線層15例如可以由相互平行的多個(gè)直線狀的配線圖案形成。而且，本例的透明導(dǎo)電膜I可以利用于觸摸面板，在該情況下，將2片透明導(dǎo)電膜I配置為，在兩者之間設(shè)置規(guī)定的間隔，使透明配線層15彼此相向地重合。在制造上述透明導(dǎo)電膜I時(shí)，首先，準(zhǔn)備如圖2所示那樣的由樹(shù)脂構(gòu)成的多層膜
10。多層膜10是在基材膜11的表面上依次形成高折射涂層12和低折射涂層13的膜。在該多層膜10的低折射涂層13側(cè)的表面，如圖3所示那樣，形成由氧化硅構(gòu)成的基底層14。接著，在基底層14的表面的整個(gè)面上形成由非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜150。接著，圖4所示那樣，通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電膜150的一部分蝕刻而形成圖案，從而形成透明配線層15。接著，通過(guò)對(duì)由多層膜10、基底層14和透明配線層15構(gòu)成的層疊體101進(jìn)行加熱處理使得透明配線層15結(jié)晶化(圖1)。以下示出上述的基底層14的形成以及形成透明導(dǎo)電膜150的方法的一例。S卩，成膜采用的是卷對(duì)卷式(Roll-to-Roll)的磁控管濺射裝置。在濺射設(shè)備的腔室內(nèi)安裝多層膜10，在腔室內(nèi)設(shè)置了多個(gè)的陰極內(nèi)的一個(gè)上配置硅靶(住友金屬礦山株式會(huì)社制)，在其他的陰極上配置ITO靶(住友金屬礦山株式會(huì)社制)。另外，腔室被分割為兩個(gè)空間，在其中一個(gè)空間配置硅靶，在另一空間配置ITO靶。接著，對(duì)配置有多層膜10的腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，使其真空度為1X10_3 IXlO-5Pa的程度。接著，將氬氣(Ar)和氧氣(O2)的混合氣體導(dǎo)入腔室內(nèi)，將其壓力設(shè)為0.3
0.6Pa。此時(shí)，關(guān)于導(dǎo)入至腔室內(nèi)的配置有硅靶的空間的混合氣體，對(duì)氧氣(O2)的量進(jìn)行調(diào)整以使得陰極的放電電壓達(dá)到規(guī)定的放電電壓。另一方面，關(guān)于導(dǎo)入至配置有ITO靶的空間的混合氣體，將相對(duì)于氬氣的氧氣的比例(相對(duì)于氬分壓的氧分壓的比例)設(shè)為3 6%。在該狀態(tài)下，對(duì)濺射裝置的電極間施加適當(dāng)電壓，將氧化硅和ITO依次成膜在多層膜10的表面(低折射涂層13側(cè)的表面)。由此，如圖3所示那樣，得到在由基材膜11、高折射涂層12和低折射涂層13構(gòu)成的多層膜10的表面上形成基底層14以及非結(jié)晶的透明導(dǎo)電膜150而成的層疊體100。接著，將層疊體100從腔室內(nèi)取出，對(duì)非結(jié)晶的透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行局部地蝕刻，從而進(jìn)行圖案形成。作為蝕刻液，例如采用HCl (鹽酸)。由此，如圖4所示那樣，形成由非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明配線層15。接著，例如以150°C X90分鐘的條件對(duì)形成了透明配線層15的層疊體101進(jìn)行加熱處理(退火)。由此，使得透明配線層15的非結(jié)晶的ITO結(jié)晶化。此時(shí)的結(jié)晶化的程度是，X射線衍射峰值強(qiáng)度為200cps以下的微結(jié)晶的程度。基于以上工序，可以得到本例的透明導(dǎo)電膜I。接下來(lái)，對(duì)本例的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。透明導(dǎo)電膜I以高折射涂層12、低折射涂層13、基底層14的層疊順序?qū)⑺鼈冊(cè)O(shè)置在基材膜11和透明配線層15之間。由此，可以使得透明導(dǎo)電膜I的光透過(guò)率提高，提高光學(xué)特性。而且，透明配線層15的ITO的微晶尺寸為9nm以下。即，形成透明配線層15的ITO處于雖結(jié)晶化、但結(jié)晶化的程度小的狀態(tài)(微結(jié)晶的狀態(tài))。透明配線層15即使是微結(jié)晶的狀態(tài)也仍然是結(jié)晶質(zhì)的。因此，能夠維持透明配線層15的耐久性、光學(xué)特性。即，例如，在將上述透明導(dǎo)電膜I用于觸摸面板的情況下，按鍵特性、滑動(dòng)特性優(yōu)異，且能夠維持較高的光透過(guò)性。又，由于透明配線層15處于上述微結(jié)晶的狀態(tài)，所以透明配線層15能夠在成膜后、在加熱處理(退火)前的狀態(tài)下做成非結(jié)晶(非晶質(zhì))的狀態(tài)。也就是說(shuō)，在對(duì)透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行了成膜之后，對(duì)其進(jìn)行局部地蝕刻而做成透明配線層15，之后再進(jìn)行加熱處理，從而使透明配線層15結(jié)晶化，在這樣的情況下，為了使得加熱處理后的ITO的結(jié)晶化的程度比上述微結(jié)晶的狀態(tài)高，在加熱處理前的狀態(tài)下ITO需要為某程度的結(jié)晶質(zhì)。相對(duì)于此，即使在加熱處理前為非晶質(zhì)(非結(jié)晶)，只要為上述微結(jié)晶，通過(guò)加熱處理就能夠?qū)崿F(xiàn)。因此，如果加熱處理后的ITO為上述微結(jié)晶的程度，就能夠?qū)υ谕该髋渚€層15的結(jié)晶化之前的、即處于非結(jié)晶(非晶質(zhì))的狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果，能夠提高通過(guò)蝕刻形成配線的精度,能夠謀求配線精度的高精度化。又，透明導(dǎo)電膜150被形成在由氧化硅構(gòu)成的基底層14的表面上，因此能夠促進(jìn)加熱處理時(shí)的ITO的結(jié)晶化。而且，在本例的透明導(dǎo)電膜的制造方法中，在基底層14的表面形成由非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜150，接著，對(duì)透明導(dǎo)電膜150的一部分進(jìn)行蝕刻而形成圖案，由此來(lái)形成透明配線層15。也就是說(shuō)，由于是對(duì)由蝕刻特性優(yōu)異的非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行蝕刻，因此能夠容易且高精度地進(jìn)行圖案形成。其結(jié)果，透明配線層15的細(xì)線化變得容易等，能提高配線精度。而且，然后，通過(guò)對(duì)層疊體101進(jìn)行加熱處理使得透明配線層15結(jié)晶化，因此能夠確保透明配線層15的耐久性、光學(xué)特性。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，能夠提供具有耐久性、光學(xué)特性優(yōu)異的、且能夠容易地謀求配線精度的高精度化的透明配線層的透明導(dǎo)電膜及其制造方法。(實(shí)驗(yàn)例I)如圖5、表I所示那樣，本實(shí)驗(yàn)例是對(duì)上述實(shí)施例1所示的透明導(dǎo)電膜的制造方法中的透明導(dǎo)電膜150的成膜時(shí)的濺射條件與通過(guò)之后的加熱處理達(dá)到的透明配線層15的結(jié)晶化程度之間的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查的例子。作為上述濺射的條件，對(duì)導(dǎo)入腔室內(nèi)的氬氣(Ar)和氧氣(O2)的混合氣體的壓力、混合氣體中的氧氣相對(duì)氬氣的比例(氧分壓相對(duì)于氬分壓的比例(O2 / Ar))進(jìn)行各種變更?；诟鞣N的條件，分別對(duì)透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行成膜，然后，通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行蝕刻而形成圖案，從而形成透明配線層15，且以150°C X 90分鐘的條件對(duì)其進(jìn)行加熱處理，使透明配線層15結(jié)晶化，從而制作出透明導(dǎo)電膜I。另外，濺射時(shí)的腔室內(nèi)的真空度設(shè)為lX10_3Pa。又，所采用的濺射裝置是卷對(duì)卷式(Roll-to-Roll)的磁控管濺射裝置。對(duì)于所得到的各種透明導(dǎo)電膜1，測(cè)量透明配線層15的ITO的微晶尺寸。ITO的微晶尺寸采用X射線衍射法求得。即，根據(jù)薄膜的X射線衍射的ITO (222)衍射峰值通過(guò)謝樂(lè)(Scherrer)法求出。在此，謝樂(lè)法是利用了以下關(guān)系的測(cè)量法，該關(guān)系為，在將X射線的使用波長(zhǎng)設(shè)為\〔nm〕、將衍射角設(shè)為0〔rad.〕、將微晶尺寸設(shè)為t〔nm〕、將衍射線的擴(kuò)展寬度(半高寬)設(shè)為B〔rad.〕時(shí)，在它們之間存在由t = 0.9X / Bcos 0表示的關(guān)系。另外，測(cè)量采用的是理學(xué)P」力株式會(huì)社制的X射線衍射裝置(RINT —2100)。又，其 X 線源為 CuK a (40kV、40mA)。在圖5中示出所測(cè)定的微晶尺寸。在該圖中，由曲線LI連接的數(shù)據(jù)是將濺射時(shí)的混合氣體的壓力設(shè)為0.38Pa時(shí)的數(shù)據(jù)，由曲線L2連接的數(shù)據(jù)是將濺射時(shí)的混合氣體的壓力設(shè)為0.42Pa時(shí)的數(shù)據(jù)，由曲線L3連接的數(shù)據(jù)是將濺射時(shí)的混合氣體的壓力設(shè)為0.45Pa時(shí)的數(shù)據(jù)，由曲線L4連接的數(shù)據(jù)是將濺射時(shí)的混合氣體的壓力設(shè)為0.47Pa時(shí)的數(shù)據(jù)，由曲線L5連接的數(shù)據(jù)是將濺射時(shí)的混合氣體的壓力設(shè)為0.51Pa時(shí)的數(shù)據(jù)。而且，該圖的橫軸表示氧分壓相對(duì)于氬分壓的比例(O2 / Ar)，縱軸表示微晶尺寸。從該圖可知，通過(guò)調(diào)整濺射時(shí)的混合氣體的壓力以及混合氣體中的氧分壓相對(duì)于氬分壓的比例，可以將ITO的微晶尺寸調(diào)整為9nm以下。即，例如，通過(guò)將混合氣體的壓力設(shè)為0.51Pa且將混合氣體中的氧氣相對(duì)于氬氣的比例設(shè)為3.25%、或?qū)⒒旌蠚怏w的壓力設(shè)為0.38Pa且將混合氣體中的氧氣相對(duì)于氬氣的比例設(shè)為6%，可以將上述微晶尺寸調(diào)整為9nm以下。另外，關(guān)于加熱處理后的微晶尺寸超過(guò)9nm的情形，在加熱處理如也結(jié)晶化。另一方面，關(guān)于加熱處理后的微晶尺寸在9nm以下的情形，在加熱處理前的狀態(tài)下為非結(jié)晶狀態(tài)。接下來(lái)，對(duì)于以上述各種條件成膜的透明配線層15 (透明導(dǎo)電膜150)評(píng)價(jià)其色調(diào)(L*a*b*顏色空間中的b*值)和蝕刻特性。評(píng)價(jià)對(duì)象的試料是從取得上述的圖5所示的數(shù)據(jù)的各種試料中挑選的，其濺射條件等如下述的表I所示。但是，對(duì)于試料6、9、10，使腔室內(nèi)的極限真空度為lX10_4Pa或者lX10_5Pa，并對(duì)透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行成膜。關(guān)于b*值，表示的是沒(méi)有透明配線層15的部分的b*值為1.0的情況下的、具有透明配線層15的部分的b*值。因此，b*值越比1.0大則透明配線層15越明顯。另外，b*值的測(cè)定是采用思加(SUGA)試驗(yàn)機(jī)株式會(huì)社制的比色計(jì)「Colour Cute i」，根據(jù)JISZ8722進(jìn)行測(cè)定的。又，關(guān)于蝕刻特性，在通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電膜150進(jìn)行蝕刻而形成圖案之時(shí)，在沒(méi)有蝕刻殘?jiān)那闆r下判定為合格(〇)，在有蝕刻殘?jiān)那闆r下判定為不合格(X )。又，也對(duì)退火(加熱處理)前的透明導(dǎo)電膜150的微晶尺寸進(jìn)行了測(cè)定。表I中的「一」表示沒(méi)有結(jié)晶化。[表I]
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，具有: 由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜； 形成在該基材膜的表面上的、光折射率比該基材膜高的高折射涂層； 形成在該高折射涂層的表面上的、光折射率比該高折射涂層低的低折射涂層； 形成在該低折射涂層的表面上的由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層；和在該基底層的表面形成圖案、由光折射率比該基底層高的結(jié)晶質(zhì)的ITO構(gòu)成的透明配線層， 所述透明配線層的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
2.一種透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于， 在多層膜的低折射涂層側(cè)的表面形成由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層，所述多層膜是在由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜的表面形成有光折射率比該基材膜高的高折射涂層、在該高折射涂層的表面形成有光折射率比該高折射涂層低的低折射涂層的多層膜， 接著，在該基底層的表面形成由光折射率比該基底層高的非結(jié)晶的ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜， 接著，通過(guò)對(duì)所述透明導(dǎo)電膜的一部分進(jìn)行蝕刻而形成圖案，從而形成透明配線層，接著，通過(guò)對(duì)由所述多層膜、所述基底層和所述透明配線層構(gòu)成的層疊體進(jìn)行加熱處理而使得所述透明配線層結(jié)晶化。
3.如權(quán)利要求2中記載的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于， 所述加熱處理后的所述透明配線層中的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
全文摘要
透明導(dǎo)電膜(1)具有由透明的樹(shù)脂構(gòu)成的基材膜(11)；形成在基材膜(11)的表面上的、光折射率比基材膜(11)高的高折射涂層(12)；和形成在高折射涂層(12)的表面上的、光折射率比高折射涂層(12)低的低折射涂層(13)；和形成在低折射涂層(13)的表面上的由氧化硅構(gòu)成的防濕性的基底層(14)；和在基底層(14)的表面形成圖案的、由光折射率比基底層(14)高的ITO構(gòu)成透明配線層(15)。透明配線層(15)的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
文檔編號(hào)B32B9/00GK103201105SQ201180054
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月11日
發(fā)明者川口康弘, 古田健 申請(qǐng)人:北川工業(yè)株式會(huì)社