專利名稱：氣體阻隔性膜、氣體阻隔性膜的制造方法及電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體阻隔性膜、其制造方法及使用了氣體阻隔性膜的電子器件，更詳細(xì)而言，涉及主要在電子器件等的封裝、太陽能電池、有機(jī)EL元件、液晶等的塑料基板這樣的顯示器材料中使用的氣體阻隔性膜、其制造方法及使用了氣體阻隔性膜的電子器件。
背景技術(shù)：
以往，在塑料基板、膜的表面形成了氧化鋁、氧化鎂、氧化硅等的金屬氧化物的薄膜的氣體阻隔性膜，在需要水蒸氣、氧等的各種氣體的遮斷的物品的包裝用途、用于防止食品、工業(yè)用品及醫(yī)藥品等的變質(zhì)的包裝用途中被廣泛使用。另外，除上述包裝用途以外，也在液晶表示元件、太陽能電池、有機(jī)電致發(fā)光(EL)基板等中使用。作為制造這樣的氣體阻隔性膜的方法，主要已知有通過等離子體CVD法(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相生長法、化學(xué)蒸鍍法)形成氣體阻隔層的方法、涂布了以聚硅氮烷作為主要成分的涂布液后、實(shí)施表面處理的方法、或者并用它們的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)I 3。)。在專利文獻(xiàn)I中記載的發(fā)明中，公開有通過以下的層疊形成方法來達(dá)到為了高氣體阻隔性的厚膜化和裂縫的抑制的兩立，所述層疊方法利用用濕式法形成250nm以下的膜厚的聚硅氮烷膜、接著將照射真空紫外光重復(fù)2次以上。然而，在專利文獻(xiàn)I 中記載的方法中，殘留有如下課題:為了得到更高的氣體阻隔性而僅重復(fù)層疊時，對于彎曲性未必可以說充分。進(jìn)而，新判明了如下問題:由于進(jìn)行切斷加工時所施加的應(yīng)力，切斷的端部如玻璃那樣產(chǎn)生與膜一起猛力地斷裂的現(xiàn)像，由于切斷面的裂縫，作為制品有效的面積變少，生產(chǎn)率差。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載的發(fā)明中，公開有以下方法:所述方法通過在于樹脂基材上用真空等離子體CVD法形成了的氣體阻隔層上層疊涂布聚硅氮烷，通過熱處理修復(fù)氣體阻隔層，進(jìn)一步提高阻隔性能。然而，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換元件等的作為氣體阻隔層的功能不充分，現(xiàn)在，要求即使具備即使作為水蒸氣透過率也大大低于lX10_2g/m2 day那樣的水平的氣體阻隔性的氣體阻隔層的開發(fā)。另外，由于聚硅氮烷的熱處理需要在160°C下I小時，因此存在其應(yīng)用范圍限定于耐熱性優(yōu)異的樹脂基材這樣的難點(diǎn)。另外，在專利文獻(xiàn)3中記載的發(fā)明中，公開有如下制造方法:所述制造方法在用大氣壓等離子體CVD法得到的氣體阻隔層上涂布聚硅氮烷進(jìn)行平滑化后，對導(dǎo)電膜進(jìn)行制膜。關(guān)于該方式，現(xiàn)狀是擔(dān)負(fù)有如下難點(diǎn):雖然可以達(dá)到高阻隔性和表面的平滑性的兩立，但在彎曲時施加的應(yīng)力在形成了的氣體阻隔層中集中，由于未被松弛的應(yīng)力氣體阻隔層被破壞，彎曲性差?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:特開2009-255040號公報專利文獻(xiàn)2:專利第3511325號公報
專利文獻(xiàn)3:特開2008-235165號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于，提供具有高阻隔性能，耐彎曲性、平滑性優(yōu)異，且具有切斷加工適應(yīng)性的氣體阻隔性膜、其制造方法及使用了該氣體阻隔性膜的電子器件。本發(fā)明的上述目的，可通過以下的構(gòu)成來實(shí)現(xiàn)。1、一種氣體阻隔性膜，其在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元，該氣體阻隔層單元具有用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層和對在該第I阻隔層上涂布硅化合物而形成了的涂膜實(shí)施了改性處理的第2阻隔層，且在該第I阻隔層和該基材之間具有中間層。2、上述I所述的氣體阻隔性膜，其中，上述用化學(xué)蒸鍍法形成的第I阻隔層具有選自氧化硅、氮氧化硅及氮化硅的至少I種。3、上述I或2所述的氣體阻隔性膜，其中，在上述第I阻隔層上形成的上述第2阻隔層，是對涂布聚硅氮烷含有液而形成的涂膜實(shí)施了改性處理的膜，在上述基材面?zhèn)染哂蟹歉男詤^(qū)域，在表層側(cè)具有改性區(qū)域。4、上述3所述的氣體阻隔性膜，其中，位于上述第2阻隔層的表層側(cè)的改性區(qū)域的厚度，相對于該第2阻隔層的總膜厚，以厚度比率為0.2以上、0.9以下。5、上述3或4所述的氣體阻隔性膜，其中，上述用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層具有氧化硅或氮氧化硅，在將該第I阻隔層的彈性模量作為E1、將上述第2阻隔層中的改性區(qū)域的彈性模量作為E2、將上述第2阻隔層中的非改性區(qū)域的彈性模量作為E3時，滿足E1>E2>E3的關(guān)系。 6、一種氣體阻隔性膜的制造方法，其為制造上述3 5的任一項(xiàng)所述的氣體阻隔性膜的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，在形成第2阻隔層時所實(shí)施的改性處理為照射具有ISOnm以下的波長成分的真空紫外線的處理。7、一種電子器件，其使用上述I 5的任一項(xiàng)所述的氣體阻隔性膜。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供阻隔層與基材的粘接性提高、具有高阻隔性能、耐彎曲性、平滑性優(yōu)異、且具有切斷加工適應(yīng)性的氣體阻隔性膜，其制造方法及使用了該氣體阻隔性膜的電子器件。


圖1是表示本發(fā)明的氣體阻隔性膜的優(yōu)選的層構(gòu)成的一個例子的概略剖面圖。圖2是表示可以在本發(fā)明中使用的等離子體CVD裝置的一個例子的概略剖面圖。圖3是表示包含本體異質(zhì)結(jié)型的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池的構(gòu)成的一個例子的剖面圖。圖4表示包含具備串聯(lián)型的本體異質(zhì)結(jié)層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池的構(gòu)成的一個例子的剖面圖。圖5是表示包含具備串聯(lián)型的本體異質(zhì)結(jié)層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池的構(gòu)成的其它的一個例子的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，對用于實(shí)施本發(fā)明的方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。本發(fā)明人鑒于上述課題進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過特征如下的氣體阻隔性膜，可以實(shí)現(xiàn)阻隔層與基材的粘接性提高，進(jìn)而具備高阻隔性能，耐彎曲性、平滑性優(yōu)異，且具有切斷加工適應(yīng)性的氣體阻隔性膜，以至完成了本發(fā)明，所述氣體阻隔性膜的特征在于，在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元，該氣體阻隔層單元具有用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層和對在該第I阻隔層上涂布硅化合物而形成的涂膜實(shí)施了改性處理的第2阻隔層，且在該第I阻隔層和該基材之間具有中間層。另外，作為本發(fā)明的方式，優(yōu)選為如下構(gòu)成:在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元，該氣體阻隔層單元具有用化學(xué)蒸鍍法形成的第I阻隔層和在該第I阻隔層上涂布聚硅氮烷含有液形成涂膜后，實(shí)施了改性處理而成的第2阻隔層，且在該第I阻隔層和上述基材之間具有中間層，進(jìn)而，該第2阻隔層在基材面?zhèn)染哂蟹歉男詤^(qū)域、在表層側(cè)具有改性區(qū)域。由此，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)具有高阻隔性能、耐彎曲性、平滑性優(yōu)異，且具有切斷加工適應(yīng)性的氣體阻隔性膜。另外，作為本發(fā)明涉及的化學(xué)蒸鍍法，可以為大氣壓等離子體CVD法，也可以為真空等離子體CVD法、催化劑化學(xué)氣相沉積法，可以適宜選擇。進(jìn)而，本發(fā)明涉及的用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層，優(yōu)選具有選自氧化硅、氮氧化硅及氮化硅中的至少I種。進(jìn)而，對于形成用以下的方法形成了的2層構(gòu)成:即向通過化學(xué)蒸鍍法在成膜開始溫度為50°C以上成膜了第I阻隔層的以氮化硅作為主要成分的SiN層上層疊在成膜開始溫度為170°C以下形成了的以氮化硅作為主要成分的SiN層的方法，在該阻隔層上涂布聚硅氮烷含有液、形成了實(shí)施了改性處理的第2阻隔層時，阻隔性能大幅提高，因此更優(yōu)選。以下，參照附圖對本發(fā)明的氣體阻隔性膜的構(gòu)成進(jìn)行說明。

圖1為表示本發(fā)明的氣體阻隔性膜的層構(gòu)成的一個例子的概略剖面圖。在圖1中，本發(fā)明的氣體阻隔性膜1，在基材2上具有中間層3，包含具有在該中間層3上用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層4B和通過其上涂布了聚硅氮烷含有液后進(jìn)行改性處理而形成了的第2阻隔層4A的構(gòu)成的氣體阻隔層單元4。第2阻隔層4A，通過如下得到:形成在第I阻隔層4B上后，從上部使用改性處理裝置L、例如具有ISOnm以下的波長成分的真空紫外線的照射等實(shí)施改性處理。在實(shí)施了改性處理的第2阻隔層4A內(nèi)，在改性處理裝置L側(cè)的表層面?zhèn)雀男赃M(jìn)行，在第I阻隔層4B面?zhèn)雀男晕催M(jìn)行或者未引起改性，在層內(nèi)形成有實(shí)施了改性的改性區(qū)域和未進(jìn)行改性的非改性區(qū)域。在本發(fā)明中，對第2阻隔層4A實(shí)施了改性處理后，作為確認(rèn)實(shí)施了改性的改性區(qū)域和未進(jìn)行改性的非改性區(qū)域的方法，將第2阻隔層4A在深度方向一邊進(jìn)行修整一邊對特性值、例如密度、彈性模量、組成比率(例如，SiOx中的X的比率)依次進(jìn)行測定，可以求出特性值的彎曲點(diǎn)，將其作為改性區(qū)域和非改性區(qū)域的界面而求出。進(jìn)而，作為最有效的方法，通過切片機(jī)切出制作了的氣體阻隔性膜的剖面，通過透射型電子顯微鏡觀察得到的超薄切片。此時，通過在觀察時照射電子束，明確地表現(xiàn)出改性區(qū)域和非改性區(qū)域的界面，確定其位置，由此可以容易地求出改性區(qū)域的厚度和非改性區(qū)域的厚度。對通過透射型電子顯微鏡進(jìn)行觀察而確認(rèn)改性區(qū)域的方法進(jìn)行后述。在本發(fā)明涉及的氣體阻隔層的優(yōu)選的方式中，具有通過化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層4B和實(shí)施了改性處理、具有非改性區(qū)域及改性區(qū)域的第2阻隔層4A。判明，通過形成在致密的第I阻隔層4B和第2阻隔層4A的改性區(qū)域之間存在非改性區(qū)域的構(gòu)成，可以抑制向特定的層彎曲時的應(yīng)力集中，可以使耐彎曲性飛躍性地提高，以至完成了本發(fā)明。進(jìn)而，在本發(fā)明涉及的第2阻隔層4A的表面?zhèn)壬闲纬傻母男詤^(qū)域的厚度，相對于第2阻隔層4A的總膜厚，優(yōu)選為0.2以上、0.9以下的膜厚比率，更優(yōu)選為0.3以上、0.9以下，進(jìn)而，優(yōu)選為0.4以上、0.8以下。另外，本發(fā)明涉及的用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層4B，具有氧化硅或氮氧化硅，在將第I阻隔層4B的彈性模量作為E1、將第2阻隔層4A中的改性區(qū)域的彈性模量作為E2、將第2阻隔層4A中的非改性區(qū)域的彈性模量作為E3時，優(yōu)選滿足E1>E2>E3的關(guān)系。在本發(fā)明的氣體阻隔性膜的制造方法中，優(yōu)選對第2阻隔層實(shí)施的改性處理為照射具有ISOnm以下的波長成分的真空紫外線的處理。在本發(fā)明涉及的電子器件中，使用本發(fā)明的氣體阻隔性膜。

以下，對本發(fā)明的氣體阻隔性膜的構(gòu)成要素的詳細(xì)情況進(jìn)行說明?！稓怏w阻隔性膜》在本發(fā)明的氣體阻隔性膜中，在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元。予以說明的是，本發(fā)明中所謂的氣體阻隔層單元，具有用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層和在該第I阻隔層上涂布聚硅氮烷含有液、實(shí)施了改性處理的第2阻隔層。通過以多個單元構(gòu)成該氣體阻隔層單元，也可以進(jìn)一步提高氣體阻隔性。此時，多個氣體阻隔層單元可以相同，或者也可以不同。另外在本發(fā)明中，優(yōu)選為在基材的兩面配置了氣體阻隔層單元的構(gòu)成。此時，在基材的兩面形成的氣體阻隔層單元可以相同，或者也可以不同。通過在兩面形成氣體阻隔性單元，因在高溫高濕的嚴(yán)酷的條件下的基材膜自身的吸脫濕引起的尺寸變化受到抑制，向氣體阻隔性單元的壓力減少，器件的耐久性提高。另外，在將耐熱性樹脂在基材中使用的情況下，由于在表背側(cè)兩面設(shè)置氣體阻隔性單元的效果大，因此優(yōu)選。即，由于聚酰亞胺、聚醚酰亞胺所代表的耐熱性樹脂為非結(jié)晶性，因此與結(jié)晶性的PET、PEN相比，吸水率為較大的值，因濕度引起的基材的尺寸變化變得更大。通過在基材的表背側(cè)兩面設(shè)置氣體阻隔性單元，可以抑制高溫及高濕兩者下的基材的尺寸變化。特別是在作為柔性顯示器用途而使用的情況下，有時在陣列制作工序中工藝溫度超過200°C，優(yōu)選使用高耐熱基材。進(jìn)而，除高耐熱基材以外，特別優(yōu)選使用熱固化性樹脂作為本發(fā)明涉及的中間層。另外，本發(fā)明中所謂的“氣體阻隔性”，定義為用依據(jù)JIS K7129-1992的方法測定的水蒸氣透過度(水蒸氣透過率)(60±0.5°C、相對濕度(90±2)%RH)為lX10_3g/(m2.24h)以下的情況下具有氣體阻隔性。另外，氣體阻隔性膜的用依據(jù)JIS K7126-1987的方法測定的氧透過度(氧透過率)，優(yōu)選為I X 10_3ml/m2.24h.atm以下(所謂latm，為
1.01325 X IO5Pa)。[第I阻隔層]在本發(fā)明中，特征之一在于，構(gòu)成本發(fā)明的氣體阻隔性膜的第I阻隔層用化學(xué)蒸鍍法形成。通過第I阻隔層的存在，可以阻礙來自基材的水分轉(zhuǎn)移，形成第2阻隔層時的改性處理容易進(jìn)行。一般，作為在基材上形成功能性薄膜的方法，大致可以舉出物理氣相生長法及化學(xué)氣相生長法(化學(xué)蒸鍍法)，物理的氣相生長法為在氣相中在物質(zhì)的表面通過物理的手法堆積目標(biāo)物質(zhì)、例如碳膜等的薄膜的方法，作為這些方法，有蒸鍍(電阻加熱法、電子束蒸鍍、分子束外延)法、離子鍍法、濺射法等。另一方面，化學(xué)氣相生長法(化學(xué)蒸鍍法、Chemical Vapor Deposition)為在基材上供給含有目標(biāo)薄膜的成分的原料氣體,通過基板表面或者氣相中的化學(xué)反應(yīng)來堆積膜的方法。另外，為了使化學(xué)反應(yīng)活化，有產(chǎn)生等離子體等的方法等，可以舉出熱CVD法、催化劑化學(xué)氣相生長法、光CVD法、等離子體CVD法、大氣壓等離子體CVD法等公知的CVD方式等，但在本發(fā)明中，均可以有利地使用。雖然沒有特別限定，但從制膜速度、處理面積的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選應(yīng)用等離子體CVD法。如果通過化學(xué)蒸鍍法形成第I阻隔層，則在氣體阻隔性的方面是有利的。通過等離子體CVD法、大氣壓或大氣壓附近的壓力下的等離子體CVD法得到的氣體阻隔層，通過選擇作為原材料(也稱為原料)的金屬化合物、分解氣體、分解溫度、投入電力等的條件，也可以分開制作金屬碳化物、金屬氮化物、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬鹵化物、或這些的混合物(金屬氮氧化物、金屬氧化齒化物、金屬氮化碳化物等)，因此優(yōu)選。例如，如果使用硅化合物作為原料化合物、分解氣體中使用氧，則生成硅氧化物。另外，如果使用鋅化合物作為原料化合物、分解氣體中使用二硫化碳，則生成硫化鋅。這是因?yàn)樵诘入x子體空間內(nèi)，非常活性的荷電粒子 活性自由基以高密度存在，因此在等離子體空間內(nèi)，多階段的化學(xué)反應(yīng)非常高速地得到促進(jìn)，存在于等離子體空間內(nèi)的元素在非常短的時間內(nèi)轉(zhuǎn)換成熱力學(xué)上穩(wěn)定的化合物。作為這樣的原料，只要具有典型或過渡金屬元素，則在常溫常壓下可以為氣體、液體、固體中的任一狀態(tài)。在氣體的情況下，可以直接導(dǎo)入放電空間，但在液體、固體的情況下，通過加熱、鼓泡、減壓、超聲波照射等的手段使其氣化來使用。另外，可以利用溶劑進(jìn)行稀釋來使用，溶劑可以使用甲醇、乙醇、正己烷等的有機(jī)溶劑及這些的混合溶劑。予以說明的是，這些的稀釋溶劑在等離 子體放電處理中被分解為分子狀、原子狀，因此幾乎可以忽視影響。但是，優(yōu)選為在大氣壓下在0°C 250°C的溫度區(qū)域下具有蒸氣壓的化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為在(TC 250°C的溫度區(qū)域下呈現(xiàn)液體狀態(tài)的化合物。這是因?yàn)椋捎诘入x子體制膜室內(nèi)為大氣壓附近的壓力，因此，如果在大氣壓下下無法氣化，則難以將氣體送進(jìn)等離子體制膜室內(nèi)，另外原料化合物為液體可以精度良好地管理送進(jìn)等離子體制膜室內(nèi)的量。予以說明的是，在制膜氣體阻隔層的塑料膜的耐熱性為270°C以下的情況下，優(yōu)選為在從塑料膜耐熱溫度進(jìn)一步20°C以下的溫度下具有蒸氣壓的化合物。作為這樣的金屬化合物，沒有特別限制，例如可以舉出硅化合物、鈦化合物、鋯化合物、鋁化合物、硼化合物、錫化合物、有機(jī)金屬化合物等。其中，作為硅化合物，硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基娃燒、四正丁氧基娃燒、四叔丁氧基娃燒、_■甲基_■甲氧基娃燒、_■甲基_■乙氧基娃燒、_■乙基_■甲氧基娃燒、_■苯基_■甲氧基娃燒、甲基二乙氧基娃燒、乙基二甲氧基娃燒、苯基二乙氧基娃燒、(3, 3, 3-二氟丙基)二甲氧基娃燒、六甲基二娃氧燒、雙(二甲基氨基)二甲基硅烷、雙(二甲基氨基)甲基乙烯基硅烷、雙(乙基氨基)二甲基硅烷、N，O-雙(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、雙(三甲基甲硅烷基)碳二酰亞胺、二乙基氨基三甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、六甲基二硅氮烷、六甲基環(huán)三硅氮烷、五甲基二硅氮烷、九甲基三硅氮烷、八甲基環(huán)四硅氮烷、四(二甲基氨基)硅烷、四異氰酸酯硅烷、四甲基二硅氮烷、三(二甲基氣基)娃燒、二乙氧基氣娃燒、稀丙基_■甲基娃燒、稀丙基二甲基娃燒、節(jié)基二甲基娃燒、雙(三甲基甲硅烷基)乙炔、1，4-雙三甲基甲硅烷基-1，3- 丁二炔、二叔丁基硅烷、1，3- 二硅雜丁烷、雙(三甲基甲硅烷基)甲烷、環(huán)戊二烯基三甲基硅烷、苯基二甲基硅烷、苯基三甲基硅烷、炔丙基三甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙炔、1_(三甲基甲硅烷基)-1_丙炔、三(三甲基甲硅烷基)甲烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、乙烯基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、八甲基環(huán)四硅氧烷、四甲基環(huán)四硅氧烷、六甲基環(huán)四硅氧烷、M硅酸酯51等。作為鈦化合物，例如可以舉出甲醇鈦、乙醇鈦、異丙醇鈦、四異丙醇鈦、正丁醇鈦、二異丙氧基(雙-2，4-戊二酮酸)鈦、二異丙氧基(雙_2，4-乙基乙酰乙酸)鈦、二-正丁氧基(雙-2，4-戊二酮酸)鈦、乙酰丙酮鈦、鈦酸丁酯二聚物等。作為鋯化合物，正 丙醇鋯、正丁醇鋯、叔丁醇鋯、三正丁氧基乙酰丙酮鋯、二 -正丁氧基雙乙酰丙酮鋯、乙酰丙酮鋯、乙酸鋯、六氟戊二酮酸鋯等。作為鋁化合物，可以舉出乙醇鋁、三異丙醇鋁、異丙醇鋁、正丁醇鋁、仲丁醇鋁、叔丁醇鋁、乙酰丙酮鋁、三乙基仲丁醇二鋁等。作為硼化合物，可以舉出二硼烷、四硼烷、氟化硼、氯化硼、溴化硼、硼烷-二乙醚絡(luò)合物、硼烷-THF絡(luò)合物、硼烷-二甲硫醚絡(luò)合物、三氟化硼二乙醚絡(luò)合物、三乙基硼烷、三甲氧基硼烷、三乙氧基硼烷、三(異丙氧基)硼烷、硼唑、三甲基硼唑、三乙基硼唑、三異丙基硼唑等。作為錫化合物，可以舉出四乙基錫、四甲基錫、二醋酸二 -正丁基錫、四丁基錫、四羊基錫、四乙氧基錫、甲基二乙氧基錫、_■乙基_■乙氧基錫、二異丙基乙氧基錫、_■乙基錫、~■甲基錫、_■異丙基錫、_■丁基錫、_■乙氧基錫、_■甲氧基錫、_■異丙氧基錫、_■丁氧基錫、_■丁酸錫、二乙酰丙酮錫、乙酰丙酮乙基錫、乙酰丙酮乙氧基錫、二乙酰丙酮二甲基錫等，錫氫化合物等，作為鹵化錫，可以舉出二氯化錫、四氯化錫等。另外，作為有機(jī)金屬化合物，例如可以舉出乙醇銻、三乙醇砷、2，2，6，6-四甲基庚二酮酸鋇、乙酰丙酮鈹、六氟戊二酮酸鉍、二甲基鎘、2，2，6，6-四甲基庚二酮酸鈣、三氟戊二酮酸鉻、乙酰丙酮鈷、六氟戊二酮酸銅、六氟戊二酮酸鎂-二甲基醚絡(luò)合物、乙醇鎵、四乙氧基鍺、四甲氧基鍺、叔丁醇鉿、乙醇鉿、乙酰丙酮銦、2，6- 二甲基氨基庚二酮酸銦、二茂鐵、異丙醇鑭、醋酸鉛、四乙基鉛、乙酰丙酮釹、六氟戊二酮酸鉬、三甲基環(huán)戊二烯基鉬、二羰基乙酰丙酮銠、2，2，6，6-四甲基庚二酮酸鍶、甲醇鉭、三氟乙醇鉭、乙醇碲、乙醇鎢、三異丙醇釩、六氟乙酰丙酮鎂、乙酰丙酮鋅、二乙基鋅等。另外，作為用于將含有這些金屬的原料氣體分解而得到無機(jī)化合物的分解氣體，可以舉出氫氣、甲燒氣體、乙炔氣體、一氧化碳?xì)怏w、二氧化碳?xì)怏w、氮?dú)?、氨氣、氧化亞氮?dú)怏w、氧化氮?dú)怏w、二氧化氮?dú)怏w、氧氣、水蒸氣、氟氣、氟化氫、三氟乙醇、三氟甲苯、硫化氫、二氧化硫、二硫化碳、氯氣等。另外，可以將上述分解氣體與氬氣、氦氣等的不活潑氣體混
入
口 ο通過適宜選擇含有金屬元素的原料氣體和分解氣體，可以得到期望的阻隔層。通過化學(xué)蒸鍍法形成的第I阻隔層，從透過性的觀點(diǎn)的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為金屬碳化物、金屬氮化物、金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬硫化物或這些的復(fù)合化合物。具體而言，第I阻隔層，例如由氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁等構(gòu)成，在氣體阻隔性及透明性的方面，優(yōu)選具有選自氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的至少I種，優(yōu)選具有選自氧化硅或氮氧化硅中的至少I種。另外，第I阻隔層實(shí)質(zhì)上或者完全地以無機(jī)層的形式形成。在此，第I阻隔層的膜厚沒有特別限制，優(yōu)選為50 600nm，更優(yōu)選為100 500nm。只要為這樣的范圍，則高氣體阻隔性能、耐彎曲性、切斷加工適應(yīng)性優(yōu)異。以下，對等離子體CVD法具體地進(jìn)行說明。圖2為表示可以在本發(fā)明中使用的等離子體CVD裝置的一個例子的概略剖面圖。在圖2中，等離子體CVD裝置101具有真空槽102，在真空槽102的內(nèi)部的底面?zhèn)扰渲糜谐惺懿考?05。在真空槽102的內(nèi)部的頂部側(cè)，在與承受部件105對向的位置配置有陰極電極103。在真空槽102的外部,配置有熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106、真空排氣系統(tǒng)107、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)108和高頻電源109。在熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106內(nèi)配置有熱介質(zhì)。在熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106中，設(shè)有加熱冷卻裝置160，所述加熱冷卻裝置160具有使熱介質(zhì)移動的泵、對熱介質(zhì)進(jìn)行加熱的加熱裝置、進(jìn)行冷卻的冷卻裝置、測定熱介質(zhì)的溫度的溫度傳感器和存儲熱介質(zhì)的設(shè)定溫度的存儲裝置。加熱冷卻裝置160如下構(gòu)成:測定熱介質(zhì)的溫度，將熱介質(zhì)加熱或冷卻至存儲的設(shè)定溫度，供給于承受部件105。所供給的熱介質(zhì)在承受部件105的內(nèi)部流動，對承受部件105進(jìn)行加熱或冷卻而返回至加熱冷卻裝置160。此時，熱介質(zhì)的溫度，與設(shè)定溫度相比，成為高溫或低溫，加熱冷卻裝置160將熱介質(zhì)加熱或冷卻至設(shè)定溫度，供給于承受部件105。這樣冷卻介質(zhì)在承受部件和加熱冷卻裝置160之間進(jìn)行循環(huán)，承受部件105通過所供給的設(shè)定溫度的熱介質(zhì)被加熱或冷卻。真空槽102與真空排氣系統(tǒng)107連接，通過該等離子體CVD裝置101開始成膜處理前，預(yù)先將真空槽102的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，同時將熱介質(zhì)進(jìn)行加熱而使其從室溫升溫至設(shè)定溫度，將設(shè)定溫度的熱介質(zhì)供給于承受部件105。承受部件105在使用開始時為室溫，如果供給設(shè)定溫度的熱介質(zhì)，則承受部件105被升溫。使設(shè)定溫度的熱介質(zhì)循環(huán)一定時間后，一邊維持真空槽102內(nèi)的真空氣氛一邊向真空槽102內(nèi)送入成膜對象的基板110，配置于承受部件105上。在陰極電極103的與承受部件105對面的面，形成有多個噴嘴(孔)。陰極電極103與氣體導(dǎo)入系統(tǒng)108連接，如果從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)108向陰極電極103導(dǎo)入CVD氣體，則從陰極電極103的噴嘴向真空氣氛的真空槽102內(nèi)噴出CVD氣體。陰極電極103與高頻電源109連接，將承受部件105和真空槽102連接于接地電位。從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)108向真空槽102內(nèi)供給CVD氣體，一邊從加熱冷卻裝置160向承受部件105供給一定溫度的熱介質(zhì)一邊啟動高頻電源109，向陰極電極103施加高頻電壓，則形成導(dǎo)入了的CVD氣體的等離子體。

如果等離子體中被活化了的CVD氣體到達(dá)承受部件105上的基板110的表面，則薄膜在基板110的表面生長。薄膜生長中，從加熱冷卻裝置160向承受部件105供給一定溫度的熱介質(zhì)，承受部件105通過熱介質(zhì)被加熱或冷卻，在維持為一定溫度的狀態(tài)下形成薄膜。一般，形成薄膜時的生長溫度的下限溫度由薄膜的膜質(zhì)決定，上限溫度由在基板110上已形成的薄膜的損傷的容許范圍確定。下限溫度、上限溫度根據(jù)形成的薄膜的材質(zhì)、已形成的薄膜的材質(zhì)等而不同，在形成在高阻隔膜等中使用的SiN膜、SiON膜的情況下，為了確保膜質(zhì)，下限溫度為50°C，上限溫度為基材的耐熱溫度以下。預(yù)先求出用等離子體CVD方法形成的薄膜的膜質(zhì)和成膜溫度的相關(guān)關(guān)系和成膜對象物(基板110)受到的損傷和成膜溫度的相關(guān)關(guān)系。例如，等離子體CVD工藝中的基板110的下限溫度為50°C、上限溫度為250°C。進(jìn)而，在對陰極電極103施加13.56MHz以上的高頻電壓而形成了等離子體的情況下，預(yù)先測定供給于承受部件105的熱介質(zhì)的溫度和基板110的溫度的關(guān)系，為了在等離子體CVD工藝中將基板110的溫度維持為下限溫度以上、上限溫度以下，求出供給于承受部件105的熱介質(zhì)的溫度。例如，存儲下限溫度(在此為50°C )，以向承受部件105供給溫度控制為下限溫度以上的溫度的熱介質(zhì)的方式進(jìn)行設(shè)定。從承受部件105回流的熱介質(zhì)被加熱或冷卻，向承受部件105供給50°C的設(shè)定溫度的熱介質(zhì)。例如，作為CVD氣體，供給硅烷氣體、氨氣和氮?dú)饣驓錃獾幕旌蠚怏w，基板110在維持為下限溫度以上、上限溫度以下的溫度的狀態(tài)下形成SiN膜。等離子體CVD裝置101剛啟動后，承受部件105為室溫，從承受部件105向加熱冷卻裝置160回流了的熱 介質(zhì)的溫度比設(shè)定溫度低。因此，剛啟動后，加熱冷卻裝置160對回流了的熱介質(zhì)進(jìn)行加熱而使其升溫至設(shè)定溫度，供給于承受部件105。此時，承受部件105及基板110通過熱介質(zhì)被加熱、升溫，基板110被維持為下限溫度以上、上限溫度以下的范圍。如果在多個基板110上連續(xù)地形成薄膜，承受部件105因從等離子體流入的熱而升溫。此時，從承受部件105向加熱冷卻裝置160回流的熱介質(zhì)與下限溫度(50°C )相比成為高溫，因此加熱冷卻裝置160將熱介質(zhì)冷卻，將設(shè)定溫度的熱介質(zhì)供給于承受部件105。由此，可以一邊將基板110維持為下限溫度以上、上限溫度以下的范圍一邊形成薄膜。這樣，加熱冷卻裝置160在回流了的熱介質(zhì)的溫度與設(shè)定溫度相比為低溫的情況下，將熱介質(zhì)加熱，在與設(shè)定溫度相比為高溫的情況下，將熱介質(zhì)冷卻，在任一情況下也將設(shè)定溫度的熱介質(zhì)供給于承受部件，其結(jié)果，基板110被維持為下限溫度以上、上限溫度以下的溫度范圍。一旦薄膜形成了規(guī)定膜厚，則將基板110搬出至真空槽102的外部，將未成膜的基板Iio送入真空槽102內(nèi)，與上述同樣地一邊供給設(shè)定溫度的熱介質(zhì)一邊形成薄膜。以上，對于利用真空等離子體CVD法的第I阻隔層的形成方法舉出了一個例子，但作為第I阻隔層的形成方法，優(yōu)選不需要真空的等離子體CVD法，進(jìn)一步優(yōu)選大氣壓等離子體CVD法。進(jìn)行在大氣壓附近的等離子體CVD處理的大氣壓等離子體CVD法，與真空下的等離子體CVD法相比，不需要進(jìn)行減壓，不僅生產(chǎn)率高，而且由于等離子體密度為高密度，因此成膜速度快，進(jìn)而與通常的CVD法的條件相比，在大氣壓下這樣的高壓力條件下，氣體的平均自由工序非常短，因此可得到極均質(zhì)的膜。在大氣壓等離子體處理的情況下，作為放電氣體可以使用氮?dú)饣蛟刂芷诒淼?8族原子、具體而言，可以舉出氦、氖、氬、氪、氙、氡等。其中優(yōu)選使用氮、氦、氬，特別是氮的成本也低廉，優(yōu)選。<重疊了二個以上不同頻率的電場的大氣壓等離子體處理>接著，對于大氣壓等離子體處理說明優(yōu)選的方式。大氣壓等離子體處理，具體而言，如國際公開第2007/026545號中所記載那樣，在放電空間形成2個以上不同頻率的電場，優(yōu)選使用形成將第I高頻電場和第2高頻電場重疊了的電場的方式。具體而言，與第I高頻電場的頻率ω I相比，第2高頻電場的頻率ω2高，且，第I高頻電場的強(qiáng)度V1、第2高 頻電場的強(qiáng)度V2和放電開始電場的強(qiáng)度IV的關(guān)系滿足Vl ≥ IV>V2 或 V1>IV ≥ V2,第2高頻電場的輸出密度優(yōu)選為lW/cm2以上。 通過采用這樣的放電條件，例如即使為如氮?dú)饽菢臃烹婇_始電場強(qiáng)度高的放電氣體，也可以開始放電、維持高密度穩(wěn)定的等離子體狀態(tài)，可以進(jìn)行高性能的薄膜形成。在通過上述的測定而使放電氣體為氮?dú)獾那闆r下，其放電開始電場強(qiáng)度IV(l/2Vp-p)為3.7kV/mm左右，因此，在上述的關(guān)系中，通過將第I施加電場強(qiáng)度作為Vl彡3.7kV/mm進(jìn)行施加，可以將氮?dú)饧ぐl(fā)、形成等離子體狀態(tài)。在此，作為第I電源的頻率，可以優(yōu)選使用200kHz以下。另外，作為該電場波形，可以為連續(xù)波，也可以為脈沖波。下限優(yōu)選IkHz左右。另一方面，作為第2電源的頻率，優(yōu)選使用800kHz以上。該第2電源的頻率越高，等離子體密度變得越高，可得到致密良質(zhì)的薄膜。上限優(yōu)選200MHz左右。這樣由2個電源形成高頻電場，對于通過第I高頻電場而開始具有高放電開始電場強(qiáng)度的放電氣體的放電是必要的，另外可以通過第2高頻電場高的頻率及高輸出密度來提高等離子體密度而形成致密良質(zhì)的薄膜。本發(fā)明中所謂的大氣壓或者其附近的壓力，為20kPa IlOkPa左右，為了得到本發(fā)明中記載的良好的效果，優(yōu)選93kPa 104kPa。另外，本發(fā)明中所謂的激發(fā)了的氣體，是指通過得到能量、氣體中的分子的至少一部分從當(dāng)前某種狀態(tài)向更高的狀態(tài)移動，含有激發(fā)氣體分子、自由基化的氣體分子、離子化的氣體分子的氣體與其相當(dāng)。本發(fā)明涉及的第I阻隔層，優(yōu)選為以下方法:在大氣壓或者其附近的壓力下，在產(chǎn)生高頻電場的放電空間將包含含有硅的原料氣體的氣體與激發(fā)了的放電氣體進(jìn)行混合而形成二次激發(fā)氣體，將基材暴露于該二次激發(fā)氣體，由此形成無機(jī)膜。S卩，作為第I步驟，使對向電極間(放電空間)為大氣壓或者其附近的壓力，將放電氣體導(dǎo)入對向電極間，將高頻電壓施加于對向電極間而使放電氣體為等離子體狀態(tài)，接著將成為了等離子體狀態(tài)的放電氣體和原料氣體在放電空間外進(jìn)行混合，使基材暴露于該混合氣體(二次激發(fā)氣體)，在基材上形成第I阻隔層。
[第2阻隔層]本發(fā)明涉及的第2阻隔層可通過在用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層上使用含有硅化合物的涂布液進(jìn)行層疊涂布后、進(jìn)行改性處理來形成。作為硅化合物的涂布方法，可采用任意的適當(dāng)?shù)臐袷酵坎挤椒?。作為具體例，可以舉出旋涂法、輥涂法、流涂法、噴墨法、噴涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、凹版印刷法等。涂布膜厚，可根據(jù)目的而適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定。例如，涂布膜厚可以以干燥后的厚度優(yōu)選為Inm 100 μ m左右、進(jìn)一步優(yōu)選為IOnm 10 μ m左右、最優(yōu)選為IOnm I μ m左右的方式適宜設(shè)定。(硅化合物)
作為本發(fā)明涉及的硅化合物，只要可調(diào)制含有硅化合物的涂布液就沒有特別限制，在成膜性、裂縫等的缺陷少、殘留有機(jī)物少的方面，優(yōu)選全氫聚硅氮烷、有機(jī)聚硅氮烷等的聚硅氮烷；倍半硅氧烷等的聚硅氧烷等。作為本發(fā)明涉及的硅化合物，例如可以舉出全氫聚硅氮烷、有機(jī)聚硅氮烷、倍半硅氧烷、四甲基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三甲基乙氧基娃燒、_■甲基_■乙氧基娃燒、甲基二乙氧基娃燒、四甲氧基娃燒、四甲氧基娃燒、TK甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、1，1-二甲基-1-硅雜環(huán)丁烷、三甲基乙烯基硅烷、甲氧基二甲基乙稀基娃燒、二甲氧基乙稀基娃燒、乙基二甲氧基娃燒、_■甲基_■乙稀基娃燒、_■甲基乙氧基乙塊基娃燒、二乙酸氧基二甲基娃燒、二甲氧基甲基-3，3, 3- 二氣丙基娃燒、3，3, 3- 二氣丙基二甲氧基娃燒、芳基二甲氧基娃燒、乙氧基_■甲基乙稀基娃燒、芳基氣基二甲氧基娃燒、N-甲基-N- 二甲基甲娃燒基乙酸胺、3_氛基丙基二甲氧基娃燒、甲基二乙稀基娃燒、_■乙酸氧基甲基乙稀基娃燒、甲基二乙酸氧基娃燒、芳氧基_■甲基乙稀基娃燒、_■乙基乙稀基娃燒、丁基二甲氧基娃燒、3-氣基丙基_■甲基乙氧基娃燒、四乙稀基娃燒、二乙酸氧基乙烯基硅烷、四乙酰氧基硅烷、3-三氟乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二芳基二甲氧基硅烷、丁基_■甲氧基乙稀基娃燒、二甲基_3_乙稀基硫代丙基娃燒、苯基二甲基娃燒、_■甲氧基甲基苯基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基二甲氧基娃燒、_■甲基異戍氧基乙稀基娃燒、2-芳氧基乙基硫代甲氧基二甲基娃燒、3-環(huán)氧丙氧基丙基二甲氧基娃燒、3-芳基氨基丙基二甲氧基娃燒、己基二甲氧基娃燒、十七氟癸基三甲氧基硅烷、二甲基乙氧基苯基硅烷、苯甲酰氧基三甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基娃燒、二甲基乙氧基_3_環(huán)氧丙氧基丙基娃燒、二丁氧基二甲基娃燒、3_ 丁基氛基丙基二甲基娃燒、3- _.甲基氣基丙基_■乙氧基甲基娃燒、2- (2-氣基乙基硫代乙基)二乙氧基娃燒、雙(丁基氣基)_■甲基娃燒、_■乙稀基甲基苯基娃燒、_■乙酸氧基甲基苯基娃燒、_■甲基_對甲苯基乙稀基娃燒、對苯乙稀基二甲氧基娃燒、_■乙基甲基苯基娃燒、節(jié)基_■甲基乙氧基娃燒、_■乙氧基甲基苯基娃燒、癸基甲基_■甲氧基娃燒、_■乙氧基_3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基娃燒、羊氧基二甲基娃燒、苯基二乙稀基娃燒、四芳氧基娃燒、十_■燒基二甲基娃燒、_■芳基甲基苯基硅烷、二苯基甲基乙烯基硅烷、二苯基乙氧基甲基硅烷、二乙酰氧基二苯基硅烷、二芐基二甲基硅烷、二芳基二苯基硅烷、十八烷基三甲基硅烷、甲基十八烷基二甲基硅烷、二十二烷基甲基二甲基硅烷、1，3- 二乙烯基-1，I, 3，3-四甲基二硅氧烷、1，3- 二乙烯基-1，1,3, 3-四甲基二硅氮烷、1，4-雙(二甲基乙烯基甲硅烷基)苯、1，3_雙(3-乙酰氧基丙基)四甲基二娃氧燒、1，3, 5_二甲基_1，3, 5_二乙稀基環(huán)二娃氧燒、1，3, 5_二(3，3, 3-二氟丙基)_1，3, 5- 二甲基環(huán)二娃氧燒、八甲基環(huán)四娃氧燒、1，3，5，7-四乙氧基-1，3，5，7-四
甲基環(huán)四硅氧烷、十甲基環(huán)五硅氧烷等。作為倍半娃氧燒，例如可以舉出Mayaterials制Q8系列的八(四甲基銨)五環(huán)-八硅氧烷-八(基氧化物氧化物)水合物；八(四甲基銨)倍半硅氧烷、八(二甲基甲硅烷氧基)八倍半硅氧烷、八[[3-[(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁烷基)甲氧基]丙基]二甲基甲硅烷氧基]八倍半硅氧烷；八烯丙基氧雜環(huán)丁烷倍半硅氧烷、八[(3-丙基縮水甘油基醚)二甲基甲硅烷氧基]倍半硅氧烷；八[[3-(2, 3-環(huán)氧丙氧基)丙基]二甲基甲硅烷氧基]八倍半硅氧烷、八[[2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基]二甲基甲硅烷氧基]八倍半硅氧烷、八[2-(乙烯基)二甲基甲硅烷氧基]倍半硅氧烷；八(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)八倍半硅氧烷、八[(3-羥基丙基)二甲基甲硅烷氧基]八倍半硅氧烷、八[(甲基丙烯酰氧基丙基丙基)二甲基甲硅烷基氧]倍半硅氧烷、八[(3-甲基丙烯酰氧基丙基)二甲基甲硅烷氧基]八倍半硅氧烷及不含有機(jī)基團(tuán)的氫化倍半硅氧烷等。特別是，其中優(yōu)選無機(jī)硅化合物，更優(yōu)選在常溫下為固體的無機(jī)硅化合物。更優(yōu)選
使用全氫聚硅氮烷、氫化倍半硅氧烷等。所謂“聚硅氮烷”，為具有硅-氮鍵的聚合物，即包含S1-N、S1-H、N-H等的Si02、Si3N4及兩者的中間固溶體SiOxNy等的陶瓷前體無機(jī)聚合物。為了不損傷膜基材地進(jìn)行涂布，可以為在較低溫下進(jìn)行陶瓷化而改性成二氧化硅的化合物(低溫陶瓷化聚硅氮烷)，例如優(yōu)選特開平8-112879號公報中記載的具有包含下述通式(I)所示的單元的主骨架的化合物。[化學(xué)式I]通式(I)
權(quán)利要求
1.一種氣體阻隔性膜，其在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元，該氣體阻隔層單元具有用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層和對在該第I阻隔層上涂布硅化合物而形成了的涂膜實(shí)施了改性處理的第2阻隔層，且在該第I阻隔層和該基材之間具有中間層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體阻隔性膜，其中，所述用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層具有選自氧化硅、氮氧化硅及氮化硅的至少I種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體阻隔性膜，其中，所述在第I阻隔層上形成的所述第2阻隔層為對涂布聚硅氮烷含有液而形成了的涂膜實(shí)施了改性處理的層，在所述基材面?zhèn)染哂蟹歉男詤^(qū)域，在表層側(cè)具有改性區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體阻隔性膜，其中，位于所述第2阻隔層的表層側(cè)的改性區(qū)域的厚度，相對于該第2阻隔層的總膜厚，以厚度比率計為0.2以上、0.9以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氣體阻隔性膜，其中，所述用化學(xué)蒸鍍法形成了的第I阻隔層具有氧化硅或氮氧化硅，在將該第I阻隔層的彈性模量作為E1、將所述第2阻隔層中的改性區(qū)域的彈性模量作為E2、將所述第2阻隔層中的非改性區(qū)域的彈性模量作為E3時，滿足E1>E2>E3的關(guān)系。
6.一種氣體阻隔性膜的制造方法，其為制造權(quán)利要求3 5的任一項(xiàng)所述的氣體阻隔性膜的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，形成第2阻隔層時實(shí)施的改性處理為照射具有ISOnm以下的波長成分的真空紫外線的處理。
7.一種電子器 件，其使用權(quán)利要求1 5的任一項(xiàng)所述的氣體阻隔性膜。
全文摘要
本發(fā)明提供具有高阻隔性能，耐彎曲性、平滑性以及切斷加工適應(yīng)性優(yōu)異的氣體阻隔性膜、其制造方法和使用其的電子器件。所述氣體阻隔性膜的特征在于，在基材的至少一方的面?zhèn)染哂袣怏w阻隔層單元，該氣體阻隔層單元具有用化學(xué)蒸鍍法形成的第1阻隔層和對在該第1阻隔層上涂布硅化合物而形成的涂膜實(shí)施了改性處理而成的第2阻隔層，且在該第1阻隔層和該基材之間具有中間層。
文檔編號B32B9/00GK103237657SQ2011800583
公開日2013年8月7日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者本田誠, 竹村千代子 申請人:柯尼卡美能達(dá)株式會社