專利名稱：微晶陶瓷復(fù)合電熱材料及其制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高性能電熱材料及其用該材料生產(chǎn)遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，為電熱材料領(lǐng)域，也屬于特種陶瓷領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展和人們對生活質(zhì)量、環(huán)境保護(hù)要求的日益提高，各種家庭、辦公采暖及理療保健醫(yī)療場合等對加熱條件和要求也越來越高。由于電加熱的突出優(yōu)點(diǎn)，在上述場合應(yīng)用十分廣泛。電加熱元件一般可由金屬材料或非金屬材料制成。金屬電熱材料由于通電后產(chǎn)生部分可見光而造成能量損耗，電熱轉(zhuǎn)化效率不高，加之由不可再生礦產(chǎn)資源制成，且制備過程中嚴(yán)重的環(huán)境污染等，從可持續(xù)發(fā)展的角度出發(fā)，近年來關(guān)于非 金屬電熱材料的開發(fā)研究十分活躍。目前，報導(dǎo)的非金屬電熱材料主要有導(dǎo)電發(fā)熱涂料、碳化硅材料、鉻酸鑭材料、PTC陶瓷材料、碳纖維、電熱膜、碳晶、碳陶復(fù)合材料等，部分可能存在電絕緣性能差，工作壽命短，易老化，電-輻射熱轉(zhuǎn)化效率不高，發(fā)熱體與電器元件基體之間存在膨脹系數(shù)差異，導(dǎo)致功率衰減大、電氣參數(shù)不穩(wěn)定等問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有非金屬電熱材料上述缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種微晶陶瓷復(fù)合電熱材料的制備方法及其用該材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，具有簡單高效、穩(wěn)定性好、電熱性能優(yōu)良的特點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種微晶陶瓷復(fù)合電熱材料，該材料由石墨微晶、去靜電石墨化碳素晶體以及含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體組成，其中石墨微晶占總重的30% 70%，去靜電石墨化碳素晶體占總重的O. 3% 15%，含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體占總重的25% 60%。所述去靜電石墨化碳素晶體是將支數(shù)為6 12K、直徑為I 7 μ m、長度為3 6mm的短切聚丙烯腈基碳纖維與粒徑為I 2 μ m的石墨微晶按重量比20 1混合，經(jīng)球磨處理為長度小于50 μ m而成。所述含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體是將質(zhì)量分?jǐn)?shù)1% 16%的平均粒度為I 2 μ m的碳粉，質(zhì)量分?jǐn)?shù)3% 25%的平均粒度為I 2 μ m的B4C,與質(zhì)量分?jǐn)?shù)64% 86%的平均粒度為I 2μπι的SiC，采用等離子非平衡法制備而成。本發(fā)明同時提供了利用所述的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，采用如下步驟將所述的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料與陶瓷胚體土料按重量比0.01 O. 2 1的配比，混合均勻、球磨、造粒、成型，接著采用如下方法之一(a)在成型板上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，經(jīng)過一次燒結(jié)制成面狀發(fā)熱板；(b)先將成型板進(jìn)行一次燒結(jié)，后在其上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，再進(jìn)行二次燒結(jié)制成面狀發(fā)熱板；
最后在面狀發(fā)熱板下表面建立導(dǎo)電電極；其中，所述含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料制備方法如下取兩種或者兩種以上金屬氧化物為料，經(jīng)過濕法球磨、成型、焙燒、粉碎制得混合粉體A ；再按任意比取鈦白粉、電氣石粉和麥飯石粉為料，添加水和分散劑調(diào)成漿料，經(jīng)過超細(xì)研磨、真空干燥、焙燒、粉碎研磨，得到混合粉體B ；將混合粉體A與混合粉體B按重量百分比12 30 :1混合攪拌均勻即得所述低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料。所述陶瓷胚體土料由重量百分比為12% 24%的界牌泥、10% 18%的蒲江泥、O 10%的石灰石、O 20%的葉臘石、10% 28%的鋁礦、18% 28%的白泡石組成，該陶瓷胚體 土料的化學(xué)成分為SiO2 58% 70%，Al2O3 15% 20%，F(xiàn)e2O3 O 5%，TiO2 O 5%，Ca0 O 5%, MgO O 2%，K2O O 3%，Na2O O 2%。所述方法b中，混合釉漿為所述微晶粉體材料與普通墻磚或地磚底釉按照重量比I : 15 30混合，一次燒結(jié)溫度為960 1200°C，二次燒結(jié)溫度為600 850°C。在面狀發(fā)熱板下表面建立導(dǎo)電電極的方法是在面狀發(fā)熱板下表面左、右兩邊，距板邊I. 5 2. 5cm處,各開O. 5 O. 8cm寬的槽,槽深O. 2 O. 3cm,然后對該槽表面經(jīng)過打磨、噴砂工藝處理，再經(jīng)過噴涂工藝建立導(dǎo)電電極。本發(fā)明所述的遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板生產(chǎn)工藝流程與普通陶瓷的常規(guī)生產(chǎn)工藝流程相同，僅是原料配方及相關(guān)工藝參數(shù)有所變化，此處不再贅述諸如混料、球磨、造粒、成型、燒結(jié)的具體工藝過程。本發(fā)明所述的遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板是面狀發(fā)熱，紅外輻射散熱為主，能產(chǎn)生8 14 μ m的遠(yuǎn)紅外線，紅外發(fā)射率可達(dá)96%以上,負(fù)尚子釋放量在500 1000個/cm3,長期使用能起到保健強(qiáng)身，凈化空氣作用。還具有堅(jiān)固安全、耐高溫、耐腐蝕、絕緣性能好，使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于建筑采暖、各種取暖器、健康理療儀器、桑拿房等。


附圖是本發(fā)明所述的遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1為紅外負(fù)離子體；2為上層陶瓷絕緣體；3為微晶陶瓷復(fù)合電熱材料；4為導(dǎo)電電極，5為下層陶瓷絕緣體。
具體實(shí)施例方式具體實(shí)施方式

一本實(shí)施方式中微晶陶瓷復(fù)合電熱材料是由粒徑為30 50 μ m、占總重59. 5%的石墨微晶，占總重O. 5%的去靜電石墨化碳素晶體，占總重40%的過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體組成固相混合物，后與水、聚丙烯酸鈉鹽以100 35 :0. 5的質(zhì)量比混合制成漿料，用臥式砂磨機(jī)進(jìn)行砂磨均質(zhì)化處理2小時，經(jīng)烘干、粉碎，得到復(fù)合電熱材料。所述的去靜電石墨化碳素晶體，是由支數(shù)為12K、直徑為7 μ m的聚丙烯腈基碳纖維，剪切為長度3 6mm的碳纖維，與粒度為I 2 μ m的石墨微晶按重量比20 :1混合，經(jīng)球磨處理為長度小于50 μ m的去靜電石墨化碳素晶體。所述的過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體，是把質(zhì)量分?jǐn)?shù)13%的平均粒度約為I 2 μ m的碳粉，與質(zhì)量分?jǐn)?shù)15%的平均粒度約為I 2 μ m的B4C,質(zhì)量分?jǐn)?shù)72%的平均粒度約為I 2μπι的SiC，采用等離子非平衡法制備而成。具體實(shí)施方式

二本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式

一不同的是，微晶陶瓷復(fù)合電熱材料是由占總重40%的石墨微晶，占總重1%的去靜電石墨化碳素晶體，占總重59%的過量碳的SiC-B4C的復(fù)合粉體組成。其他與具體實(shí)施方式

一相同。具體實(shí)施方式

三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式

一不同的是，微晶陶瓷復(fù)合電熱材料是由占總重50%的石墨微晶，占總重5%的去靜電石墨化碳素晶體，占總重45%的過量碳的SiC-B4C的復(fù)合粉體組成。其他與具體實(shí)施方式

一相同。具體實(shí)施方式

四本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式

一不同的是用等離子非平衡法制備過量碳的SiC-B4C的復(fù)合粉體時，其組成材料為質(zhì)量分?jǐn)?shù)16%的平均粒度約為I 2 μ m的碳粉，與質(zhì)量分?jǐn)?shù)7%的平均粒度約為I 2 μ m的B4C,質(zhì)量分?jǐn)?shù)77%的平均粒度約為I 2 μ m的SiC。其他與具體實(shí)施方式

一相同。具體實(shí)施方式

五本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式

一不同的是用等離子非平衡法制備過量碳的SiC-B4C的復(fù)合粉體時，其組成材料為質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%的平均粒度約為I 2 μ m的碳粉，與質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%的平均粒度約為I 2 μ m的B4C,質(zhì)量分?jǐn)?shù)85%的平均粒度約為I 2 μ m的SiC。其他與具體實(shí)施方式

一相同。具體實(shí)施方式

六本實(shí)施方式使用具體實(shí)施方式

一中的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法步驟如下將微晶陶瓷復(fù)合電熱材料與陶瓷胚體土料按重量比O. 01 O. I 1的配比，混合均勻、球磨、造粒、成型，在成型板上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉衆(zhòng)，經(jīng)過一次燒結(jié)制成面狀發(fā)熱板，燒結(jié)溫度為1050°c。所述的陶瓷胚體土料是由重量百分比為12% 24%的界牌泥、10% 18%的蒲江泥、O 10%的石灰石、O 20%的葉臘石、10% 28%的鋁礦、18% 28%的白泡石組成，該陶瓷土料的化學(xué)成分應(yīng)滿足下列要求SiO2 58% 70%, Al2O3 15% 20%，F(xiàn)e2O3 O 5%，TiO2 O 5%，CaOO 5%, MgO O 2%, K2O O 3%, Na2O O 2%。所述的混合釉漿為一種含有Fe,Ti,Ni,Al,Zn、Mn、Co、Cr、La、Zr、O等其中一種或多種元素的共氧體與普通墻磚(或地磚)底釉按照重量比I : 15 30混合。后在面狀發(fā)熱板下表面左、右兩邊,距板邊I. 5 2. 5cm處,各開
O.5 O. 8cm寬的槽，槽深O. 2 O. 3cm，對該槽表面經(jīng)過打磨、噴砂工藝處理，再經(jīng)過噴涂工藝建立導(dǎo)電電極。具體實(shí)施方式

七本實(shí)施方式使用具體實(shí)施方式

六中的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法步驟如下將微晶陶瓷復(fù)合電熱材料與陶瓷胚體土料按重量比O. 01 O. I :1的配比，混合均勻、球磨、造粒、成型，先將成型板進(jìn)行一次燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1100°c ;后在其上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，再進(jìn)行二次燒結(jié)，二次燒結(jié)溫度為680°c。其他與具體實(shí)施方式

六相同。
具體實(shí)施方式

八本實(shí)施方式使用具體實(shí)施方式

一中的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法步驟與具體實(shí)施方式

七不同的是，微晶陶瓷復(fù)合電熱材料與陶瓷胚體土料按重量比O. I O. 2 :1的配比組成；一次燒結(jié)溫度為1150°c其他與具體實(shí)施方式

七相同。上述實(shí)施例中用到的含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的具體制備如下 步驟一制備混合粉體A 從氧化鐵、氧化招、氧化鎳、氧化鈷、氧化鈦、氧化鋅、氧化錯和氧化鉻中，按任意比取兩種或者兩種以上為料，再以質(zhì)量比為料水分散劑=100 30 40 :0. 2 O. 8的比例混合制成混合漿料，進(jìn)入球磨機(jī)中濕法球磨I 6小時，成型后焙燒，焙燒溫度為900°C 1500°C，焙燒時間為I 3小時，然后粉碎成d5(l〈2 μ m的粉末，即混合粉體A，混合粉體A中包含了多種金屬共氧體；步驟二 制備混合粉體B取鈦白粉、電氣石粉和麥飯石粉為料，再添加水和分散劑調(diào)成漿料，其中漿料中質(zhì)量百分比為鈦白粉O 50%，電氣石粉O 30%，麥飯石粉O 10%，水40 80%，分散劑
O.2 O. 8%，經(jīng)過超細(xì)研磨并干燥后，于400°C 600°C焙燒2 4小時，然后粉碎成d5(l〈2 μ m的粉末，即混合粉體B ；步驟三將混合粉體A和混合粉體B按重量百分比12 30 :1混合攪拌均勻，得到所述微晶粉體材料，上述步驟一和步驟二中的分散劑為聚丙烯酸鈉、六偏磷酸鈉或聚羧酸鈉。制備混合粉體A時，取料最好滿足如下要求當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鐵時，氧化鐵的重量百分比不大于50% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋁時，氧化鋁的重量百分比不大于30% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鎳時，氧化鎳的重量百分比不大于20% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鈷時，氧化鈷的重量百分比不大于60% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鈦時，氧化鈦的重量百分比不大于30% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋅時，氧化鋅的重量百分比不大于10% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋯時，氧化鋯的重量百分比不大于15% ；當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鉻時，氧化鉻的重量百分比不大于30%。所述方法a中，混合釉漿為所述微晶粉體材料與普通墻磚或地磚底釉按照重量比I 15 30混合，一次燒結(jié)溫度為960 1200°C。本發(fā)明制備的遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板結(jié)構(gòu)如附圖所示，圖中1為紅外負(fù)離子體；2為上層陶瓷絕緣體；3為微晶陶瓷復(fù)合電熱材料；4為導(dǎo)電電極，5為下層陶瓷絕緣體。紅外負(fù)離子體I附著在上層陶瓷絕緣體2上，微晶陶瓷復(fù)合電熱材料3位于上層陶瓷絕緣體2和下層陶瓷絕緣體5之間構(gòu)成面狀發(fā)熱板，在面狀發(fā)熱板下表面建立導(dǎo)電電極4。
權(quán)利要求
1.一種微晶陶瓷復(fù)合電熱材料，其特征在于，該材料由石墨微晶、去靜電石墨化碳素晶體以及含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體組成，其中石墨微晶占總重的30% 70%，去靜電石墨化碳素晶體占總重的O. 3% 15%，含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體占總重的25% 60%。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述微晶陶瓷復(fù)合電熱材料，其特征在于，所述去靜電石墨化碳素晶體是將支數(shù)為6 12K、直徑為I 7 μ m、長度為3 6mm的短切聚丙烯腈基碳纖維與粒徑為I 2 μ m的石墨微晶按重量比20 1混合，經(jīng)球磨處理為長度小于50 μ m而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述微晶陶瓷復(fù)合電熱材料，其特征在于，所述含過量碳的SiC-B4C復(fù)合粉體是將質(zhì)量分?jǐn)?shù)1% 16%的平均粒度為I 2 μ m的碳粉，質(zhì)量分?jǐn)?shù)3% 25%的平均粒度為I 2 μ m的B4C,與質(zhì)量分?jǐn)?shù)64% 86%的平均粒度為I 2 μ m的SiC，采用等離子非平衡法制備而成。
4.一種利用權(quán)利要求I所述的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，采用如下步驟將所述的微晶陶瓷復(fù)合電熱材料與陶瓷胚體土料按重量比O.01 O. 2 :1的配比，混合均勻、球磨、造粒、成型，接著采用如下方法之一 (a)在成型板上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，經(jīng)過一次燒結(jié)制成面狀發(fā)熱板； (b)先將成型板進(jìn)行一次燒結(jié)，后在其上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，再進(jìn)行二次燒結(jié)制成面狀發(fā)熱板； 最后在面狀發(fā)熱板下表面建立導(dǎo)電電極； 其中，所述低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料制備方法如下 取兩種或者兩種以上金屬氧化物為料，經(jīng)過濕法球磨、成型、焙燒、粉碎制得混合粉體A ； 再按任意比取鈦白粉、電氣石粉和麥飯石粉為料，添加水和分散劑調(diào)成漿料，經(jīng)過超細(xì)研磨、真空干燥、焙燒、粉碎研磨，得到混合粉體B ; 將混合粉體A與混合粉體B按重量百分比12 30 :1混合攪拌均勻即得所述低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，所述陶瓷胚體土料由重量百分比為12% 24%的界牌泥、10% 18%的蒲江泥、O 10%的石灰石、O 20%的葉臘石、10% 28%的鋁礦、18% 28%的白泡石組成，該陶瓷胚體土料的化學(xué)成分為=SiO258% 70%，Al2O3 15% 20%，F(xiàn)e2O3 O 5%，Ti02 O 5%，Ca0 O 5%，Mg0 O 2%，K20 O 3%, Na2O O 2%ο
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，所述微晶粉體材料通過如下方法制備而成 步驟一制備混合粉體A 從氧化鐵、氧化鋁、氧化鎳、氧化鈷、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯和氧化鉻中，按任意比取兩種或者兩種以上為料，再以質(zhì)量比為料水分散劑=100 30 40 :0. 2 O. 8的比例混合制成混合漿料，進(jìn)入球磨機(jī)中濕法球磨I 6小時，成型后焙燒，焙燒溫度為900°C 15000C，焙燒時間為I 3小時，然后粉碎成d5(l〈2 μ m的粉末，即混合粉體A ； 步驟二 制備混合粉體B 取鈦白粉、電氣石粉和麥飯石粉為料，再添加水和分散劑調(diào)成漿料，其中漿料中質(zhì)量百分比為鈦白粉O 50%，電氣石粉O 30%，麥飯石粉O 10%，水40 80%，分散劑O. 2 O.8%，經(jīng)過超細(xì)研磨并干燥后，于400°C 600°C焙燒2 4小時，然后粉碎成d5(l〈2 μ m的粉末，即混合粉體B; 步驟三將混合粉體A和混合粉體B按重量百分比12 30 :1混合攪拌均勻，得到所述微晶粉體材料，上述步驟一和步驟二中的分散劑為聚丙烯酸鈉、六偏磷酸鈉或聚羧酸鈉。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于， 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鐵時，氧化鐵的重量百分比不大于50% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋁時，氧化鋁的重量百分比不大于30% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鎳時，氧化鎳的重量百分比不大于20% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鈷時，氧化鈷的重量百分比不大于60% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鈦時，氧化鈦的重量百分比不大于30% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋅時，氧化鋅的重量百分比不大于10% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鋯時，氧化鋯的重量百分比不大于15% ； 當(dāng)所述混合粉體A中包括氧化鉻時，氧化鉻的重量百分比不大于30%。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，所述方法a中，混合釉漿為所述微晶粉體材料與普通墻磚或地磚底釉按照重量比I :15 30混合，一次燒結(jié)溫度為960 1200°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，所述方法b中，混合釉漿為所述微晶粉體材料與普通墻磚或地磚底釉按照重量比I :15 30混合，一次燒結(jié)溫度為960 1200°C，二次燒結(jié)溫度為600 850°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其特征在于，在面狀發(fā)熱板下表面建立導(dǎo)電電極的方法是在面狀發(fā)熱板下表面左、右兩邊，距板邊I. 5 2. 5cm處,各開O.5 O. 8cm寬的槽，槽深O. 2 O. 3cm,然后對該槽表面經(jīng)過打磨、噴砂工藝處理，再經(jīng)過噴涂工藝建立導(dǎo)電電極。
全文摘要
一種微晶陶瓷復(fù)合電熱材料及其制備遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板的方法，其中微晶陶瓷復(fù)合電熱材料是由石墨微晶、去靜電石墨化碳素晶體和含過量碳的SiC-B4C組成，遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板是將該微晶復(fù)合粉體與陶瓷胚體土料混合、球磨、造粒、成型，后在其上表面涂覆一種含低溫?zé)崦舾懈呒t外發(fā)射率負(fù)離子的微晶粉體材料的混合釉漿，經(jīng)過燒制形成面狀發(fā)熱板，后在該板下表面建立導(dǎo)電電極而成，本遠(yuǎn)紅外陶瓷電熱板具有熱性能均勻穩(wěn)定，升溫迅速，電絕緣性好，使用壽命長，電熱轉(zhuǎn)化效率高，紅外輻射率高，同時可釋放負(fù)離子的優(yōu)點(diǎn)，既可直接制作成加熱墻磚、加熱地磚，也可作為采暖電器的主要元器件，廣泛應(yīng)用于各種家庭、辦公采暖及醫(yī)療場合。
文檔編號B32B18/00GK102838369SQ201210349418
公開日2012年12月26日 申請日期2012年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月19日
發(fā)明者張永利 申請人:張永利