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      具有黑色極薄銅箔的銅箔結構及其制造方法

      文檔序號:2444057閱讀:303來源:國知局
      具有黑色極薄銅箔的銅箔結構及其制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有黑色極薄銅箔的銅箔結構及其制造方法,該具有黑色極薄銅箔的銅箔結構包括一載體箔、一黑化層、一剝離層及一極薄銅箔,該載體箔具有一光滑面及一壓合面,該黑化層設置于該載體箔的光滑面,且該黑化層由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成,該剝離層設置于該黑化層上,該剝離層由鉬、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成,該極薄銅箔設置于該剝離層上。經由所述極薄銅箔的黑色外觀,可以直接進行激光鉆孔,當運用于電路板內層時,也可省去傳統(tǒng)黑、棕化制程而直接運用,同時黑色外觀的極薄銅箔在與聚亞酰胺薄膜(PI)或是其它基材結合時,可顯現(xiàn)優(yōu)異外觀。
      【專利說明】具有黑色極薄銅箔的銅箔結構及其制造方法【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種具有載體的銅箔,尤指是一種剝離型的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構及其制造方法。
      【背景技術】
      [0002]現(xiàn)今電子組件講求的是輕、薄及微小化,故對于電路線路的精密度及銅箔的薄化程度的需求也日益增加。附有載體的電解銅箔通常應用在電子產業(yè)的領域,作為高密度及精細線路用途的印刷電路板組件。
      [0003]一般來說,附有載體的電解銅箔大致分為可剝離型和可蝕刻型;其中,可剝離型是指于形成覆銅層基板后將載體箔物理性剝離去除;而可蝕刻型是指于形成覆銅層基板后將載體箔蝕刻去除。近年來,又以無需進行蝕刻制程的可剝離型的具有載體的電解銅箔的需求更為顯著。
      [0004]傳統(tǒng)可剝離型的具有載體的電解銅箔包括一載體箔(銅箔或鋁箔)、一形成于載體箔上的剝離層和一形成于剝離層上的超薄銅箔;其中,剝離層的材質為金屬氧化物,當載體箔與超薄銅箔經物理性分離后,超薄銅箔的表面均呈現(xiàn)銅箔的光亮特征。
      [0005]然而,當上述的具有載體的超薄銅箔應用于多層印刷電路板的內層時,往往需要再經由一黑、棕化制程,讓超薄銅箔的表面呈現(xiàn)黑、棕色,以增加超薄銅箔與后續(xù)形成的基板的結合力。另一方面,在高密度與精細線路用途的印刷電路板制程中,為形成直徑小于200m的微導孔(micixwias),常需使用到激光鉆孔制程;但是,具有光亮表面的超薄銅箔卻容易反射激光,導致需耗費更高的能量或使用更多的次數(shù)才可形成微導孔。
      [0006]再一方面,所述的具有載體的超薄銅箔以高于300°C的溫度進行熱壓合時,金屬氧化物與金屬銅之間進行氧化還原反應形成的`金屬鍵結會導致剝離強度變大而缺乏穩(wěn)定性,難以保證載體箔與超薄銅箔的剝離特性。
      [0007]因此,本發(fā)明人有感于上述缺陷的可改善,乃特潛心研究并配合學理的運用,終于提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發(fā)明。

      【發(fā)明內容】

      [0008]鑒于上述現(xiàn)有附有載體的極薄銅箔缺陷,發(fā)明人等經多年的工作經驗及研究試驗發(fā)現(xiàn)由以銅箔為載體、黑化層、剝離層以及極薄銅箔所構成的單面、雙面、三面與四面為黑色的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構。其載體箔使用南亞的超低收縮線銅箔,具有表面型態(tài)均一,表面粗度平滑以及無針孔的特點。
      [0009]再者,剝離層方面,其剝離層影響載體箔與極薄銅箔間的結合強度最大,此剝離層由四元合金的鑰、鎳、鉻、鉀金屬所構成時,同時在高溫的熱壓環(huán)境下,載體箔與極薄銅箔仍舊擁有優(yōu)異的剝離特性。
      [0010]此外,黑色層則使用銅、鈷、鎳、錳所組成中至少兩個,可使極薄銅箔的表面(即與載體銅接觸面)呈現(xiàn)黑色外觀,因此具有黑色外觀的極薄銅箔可以直接激光鉆孔、省略傳統(tǒng)黑、棕化制程、具有外觀優(yōu)美、電磁波遮蔽等功能。
      [0011]根據(jù)本發(fā)明的一實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構包括一載體箔、一黑化層、一剝離層及一極薄銅箔,該載體箔具有一光滑面及一壓合面,該黑化層設置于該載體箔的光滑面,且該黑化層由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成,該剝離層設置于該黑化層上,該剝離層由鑰、鎳、鉻及鉀組成的群組的其中之的一所構成,該極薄銅箔設置于該剝離層上。
      [0012]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法包括以下的步驟:首先,提供一載體箔,其具有一光滑面及一壓合面;接著,形成一黑化層于該載體箔的光滑面,該黑化層由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;隨后,形成一剝離層于該黑化層上,該剝離層由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;以及最后,形成一極薄銅箔于該剝離層的上方。
      [0013]較佳地,所述載體箔為一超低收縮線銅箔。
      [0014]較佳地,所述黑化層包括由銅、鈷、鎳及錳所組成的合金。
      [0015]較佳地,所述黑化層的厚度介于0.1m至0.3m之間。
      [0016]綜上所述,本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構中形成有由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成的黑化層,因此可省略傳統(tǒng)黑、棕化制程,以降低制造成本。再者,所述剝離層設置于載體箔與極薄銅箔之間且由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成,因此載體箔與極薄銅箔在高溫熱壓的環(huán)境下仍具有優(yōu)良的剝離特性,亦即載體箔與極薄銅箔間具有適當?shù)慕Y合力,不致于無法剝離。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]圖1為本發(fā)明第一實施例的具載體的銅箔結構的制造方法的流程示意圖;
      [0018]圖1A為應用本發(fā)明第一實施例的具載體的銅箔結構的制造方法制成的具載體的銅箔結構的剖面示意圖;
      [0019]圖2為本發(fā)明第二實施例的具載體的銅箔結構的制造方法的流程示意圖;
      [0020]圖2A為應用本發(fā)明第二實施例的具載體的銅箔結構的制造方法制成的具載體的銅箔結構的剖面示意圖;
      [0021]圖3為本發(fā)明第三實施例的具載體的銅箔結構的制造方法的流程示意圖;
      [0022]圖3A為應用本發(fā)明第三實施例的具載體的銅箔結構的制造方法制成的具載體的銅箔結構的剖面示意圖;
      [0023]圖4為本發(fā)明第四實施例的具載體的銅箔結構的制造方法的流程示意圖;以及
      [0024]圖4A為應用本發(fā)明第四實施例的具載體的銅箔結構的制造方法制成的具載體的銅箔結構的剖面示意圖。
      [0025]其中,附圖標記說明如下:
      [0026]10載體箔
      [0027]11光滑面
      [0028]12壓合面
      [0029]20黑化層
      [0030]3O剝離層[0031]40保護層
      [0032]50極薄銅箔
      [0033]51光滑面
      [0034]52壓合面
      [0035]60粗化層
      [0036]70抗熱防銹層
      [0037]80黑化處理層
      [0038]81第一黑化處理層
      [0039]82第二黑化處理層
      【具體實施方式】
      [0040]實施例1:
      [0041]請參閱圖1及IA所示,圖1為本發(fā)明第一實施例的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法的流程示意圖,圖1A為應用所述制造方法制成的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的剖面示意圖。
      [0042]根據(jù)本發(fā)明的第一實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法包括以下步驟:執(zhí)行步驟S10,提供一載體箔10,其具有一光滑面11及一壓合面12 ;執(zhí)行步驟S11,形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11,且黑化層20由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S12,形成一剝離層30于黑化層20上,且剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S13,形成一保護層40于剝離層30上。
      [0043]之后,執(zhí)行步驟S14,形成一極薄銅箔50于保護層40上;執(zhí)行步驟S15,形成一粗化層60于極薄銅箔50的壓合面52 ;及執(zhí)行步驟S16,形成一抗熱防銹層70于粗化層60上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12。以下將詳述各步驟的具體特征
      [0044]步驟SlO中,所述載體箔10選自由南亞塑料開發(fā)的超低收縮(very lowprofile,VLP)線銅箔,其厚度介于If 35m之間且靠近陰極側的銅箔面與靠近電鍍液的另一側的銅箔面皆呈現(xiàn)光亮的外觀,并具有粗度低、厚度均一和無針孔等優(yōu)點;另外,載體箔10的光澤面粗糙度(surface roughness ;指十點平均粗糙度值Rz)低于2.0m且定義有一光滑面(shiny side)ll及一壓合面(matside)12。以下載體箔10接著經由多個電鍍溶液,將不同層沉積于載體箔10之上。
      [0045]步驟Sll中,將載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:f 40g/L、硫酸銅五水合物:l(T60gL、硫酸鈷七水合物:l(T50gL及硫酸錳水合物濃度IOlOgL的四元合金的電鍍溶液;其中PH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒,用以形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11。
      [0046]值得一提的是,所述黑化層20可由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;較佳地,所述黑化層20是由銅、鈷、鎳及錳中至少兩個所構成。據(jù)此,當極薄銅箔50自載體箔10分離后,至少一部分的黑化層20會余留在極薄銅箔50的光滑面51而呈現(xiàn)黑色或灰黑色的外觀,能抑制由外部射入光的反射,并具有優(yōu)異的蝕刻特性,因而適用于激光鉆孔制程。
      [0047]步驟S12中,將形成有黑化層20的載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:l(T50gL、鑰酸鈉二水合物:0.5~10gL、焦磷酸鉀(K4P2O7):5(Tl00gL及三氧化鉻(CrO3):0.5^2g/L的四元合金的電鍍溶液;其中pH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至50°C的范圍間,電流密度應介于I至2.5A/dm2的范圍間,通電時間應為20秒,用以形成一剝離層30于黑化層20上。
      [0048]值得一提的是,所述剝離層30可由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;較佳地,所述剝離層30由具有較佳剝離特性的鑰、鎳、鉻及鉀組成的合金所構成。由此,即使在高溫熱壓合的環(huán)境下,載體箔10與極薄銅箔50仍具有較佳的結合力而不易分離,卻又不致因結合力太強而導致體箔10與極薄銅箔50無法分離。
      [0049]步驟S13中,將形成有黑化層20及剝離層30的載體箔10置入包含有焦磷酸銅三水化合物(Cu2P2O7.3H20):l(T60gL及焦磷酸鉀(K4P2O7):1OOlOOgL的電鍍溶液;其中pH值應介于6至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至5A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒,用以形成一保護層40于剝離層30上;所述保護層40為一焦磷酸銅層,能夠防止剝離層30被硫酸銅電鍍溶液洗掉,影響后續(xù)極薄銅箔50的形成及剝離強度(peel strength)的改變。[0050]步驟S14中,將形成有黑化層20、剝離層30及保護層40的載體箔10置入包含有銅離子(濃度:5(Tl00g/L)及硫酸:90~125gL的電鍍溶液;其中溶液溫度應介于40至70°C的范圍間,電流密度應為25A/dm2,通電時間應為20秒,用以形成一極薄銅箔50于保護層40上;所形成的極薄銅箔50的厚度介于f6m間并具有一光滑面51及一壓合面52。
      [0051]步驟S15中,利用現(xiàn)有粗化處理技術對極薄銅箔50的壓合面52進行銅粒子處理,用以形成一粗化層60于極薄銅箔50的壓合面52。步驟S 16中,再對粗化層60表面和載體箔10的壓合面12施行鍍鋅、鎳及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷,用以形成一抗熱防銹層70于粗化層60上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12以制成本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構。
      [0052]值得一提的是,所述粗化層60和抗熱防銹層70能夠提升極薄銅箔50與一外部基材(圖未示)間的剝離強度;且抗熱防銹層70還能附加所述具載體的銅箔結構防銹和耐熱效果。需要說明的是,剝離強度指兩個被黏物分離時的單位寬度所需的最大載荷。
      [0053]實施例2:
      [0054]請參閱圖2及2A所示,圖2為本發(fā)明的第二實施例的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法的流程示意圖,圖2A為應用所述制造方法所制成的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的剖面示意圖。
      [0055]根據(jù)本發(fā)明的第二實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法包括以下步驟:執(zhí)行步驟S20,提供一載體箔10,其具有一光滑面11及一壓合面12 ;執(zhí)行步驟S21,形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11,且黑化層20由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S22,形成一剝離層30于黑化層20上,且剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S23,形成一保護層40于剝離層30上。
      [0056]之后,執(zhí)行步驟S24,形成一極薄銅箔50于保護層40上,且極薄銅箔50具有一光滑面51及一壓合面52 ;執(zhí)行步驟S25,形成一黑化處理層80于極薄銅箔50的壓合面52 ;及執(zhí)行步驟S26,形成一抗熱防銹層70于黑化處理層80上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12。以下將詳述各步驟的具體特征。[0057]步驟S20中,所述載體箔10選自由南亞塑料開發(fā)的超低收縮(very lowprofile,VLP)線銅箔,其厚度介于If 35m之間且靠近陰極側的銅箔面與靠近電鍍液的另一側的銅箔面皆呈現(xiàn)光亮的外觀,并具有粗度低、厚度均一和無針孔等優(yōu)點;另外,載體箔10的光澤面粗糙度(surface roughness ;指十點平均粗糙度值Rz)低于2.0m且具有一光滑面11及一壓合面12。以下載體箔10接著經由多個電鍍溶液,將不同層沉積于載體箔10之上。
      [0058]步驟S21中,將載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:f 40gL、硫酸銅五水合物:l(T60gL、硫酸鈷七水合物:l(T50gL及硫酸錳水合物濃度IOlOgL的四元合金的電鍍溶液;其中PH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒,用以形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11。值得一提的是,所述黑化層20可由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;較佳地,所述黑化層20由銅、鈷、鎳及錳組成的合金所構成。
      [0059]步驟S22中,將形成有黑化層20的載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:10?50gL、鑰酸鈉二水合物:(λ 5?10gL、K4P207:5(Tl00gL及Cr03:0.5?2g/L的四元合金的電鍍溶液;其中PH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至50°C的范圍間,電流密度應介于I至2.5A/dm2的范圍間,通電時間應為20秒,用以形成一剝離層30于黑化層20上。值得一提的是,所述剝離層30可由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;較佳地,所述剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成的合金所構成。
      [0060]步驟S23中,將形成有黑化層20及剝離層30的載體箔10置入包含有Cu2P2O7.3H20:l(T60gL及K4P2O7:10(T400gL的電鍍溶液;其中pH值應介于6至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至5A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒,用以形成一保護層40于剝離層30上,所述保護層40為一焦磷酸銅層。
      [0061]步驟S24中,將形成有黑化層20、剝離層30及保護層40的載體箔10置入包含有銅離子(濃度:5(Tl00g/L)及硫酸:90?125gL的電鍍溶液;其中溶液溫度應介于40至70°C的范圍間,電流密度應為25A/dm2,通電時間應為20秒,用以形成一極薄銅箔50于保護層40上,所述極薄銅箔50的厚度介于f6m間并具有一光滑面51及一壓合面52。
      [0062]步驟S25中,將形成有黑化層20、剝離層30、保護層40及極薄銅箔50的載體箔10同樣置入包含有硫酸鎳六水合物:1?40g/L、硫酸銅五水合物:l(T60gL、硫酸鈷七水合物:l(T50gL及硫酸錳水合物濃度IOlOgL的四元合金的電鍍溶液;其中pH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒;之后,再進行一絨毛處理,用以形成一黑化處理層80于極薄銅箔50的壓合面52,能夠讓極薄銅箔50的壓合面52呈現(xiàn)濃黑色的外觀,并提升極薄銅箔50與一外部基板(圖未示)間的剝離強度。
      [0063]步驟S26中,對黑化處理層80和載體箔10的壓合面12施行鍍鋅、鎳及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷,用以形成一抗熱防銹層70于黑化處理層80上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12,以制成本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構。
      [0064]實施例3:
      [0065]請參閱圖3及3A所示,圖3為本發(fā)明的第三實施例的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法的流程示意圖,圖3A為應用所述制造方法制成的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的剖面示意圖。[0066]根據(jù)本發(fā)明的第三實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法包括以下步驟:執(zhí)行步驟30,提供一載體箔10,其具有一光滑面11及一壓合面12 ;執(zhí)行步驟S31,形成一剝離層30于載體箔10的光滑面11,且剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S32,形成一保護層40于剝離層30上。
      [0067]之后,執(zhí)行步驟S33,形成一極薄銅箔50于保護層40上且具有一光滑面51及一壓合面52 ;執(zhí)行步驟S34,形成一黑化處理層80于極薄銅箔50上的壓合面52 ;及執(zhí)行步驟S36,形成一抗熱防銹層70于黑化處理層80上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12。以下將詳述各步驟的具體特征。
      [0068]步驟S30中,所述載體箔10選自由南亞塑料開發(fā)的超低收縮(very lowprofile,VLP)線銅箔,其厚度介于If 35m之間且靠近陰極側的銅箔面與靠近電鍍液的另一側的銅箔面皆呈現(xiàn)光亮的外觀,并具有粗度低、厚度均一和無針孔等優(yōu)點;另外,載體箔10的光澤面粗糙度(surface roughness ;指十點平均粗糙度值Rz)低于2.0m且具有一光滑面11及一壓合面12。以下載體箔10接著經由多個電鍍溶液,將不同層沉積于載體箔10之上。
      [0069]步驟S31中,將載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:l(T50gL、鑰酸鈉二水合物:
      0.5?10gL、K4P2O7:5(Tl00gL及CrO3:0.5?2gL的四元合金的電鍍溶液;其中pH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至50°C的范圍間,電流密度應介于I至2.5A/dm2的范圍間,通電時間應為20秒,用以形成一剝離層30于載體箔10的光滑面11。值得一提的是,所述剝離層30可由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;較佳地,所述剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成的合金所構成。
      [0070]步驟S32中,將形成有剝離層30的載體箔10置入包含有Cu2P2O7.3H20: l(T60gL及K4P2O7:10(T400gL的電鍍溶液;其中pH值應介于6至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至5A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒,用以形成一保護層40于剝離層30上,所述保護層40為一焦磷酸銅層。
      [0071]步驟S33中,將形成有剝離層30及保護層40的載體箔10置入包含有銅離子(濃度:5(Tl00gL)及硫酸:9(Tl25g/L的電鍍溶液;其中溶液溫度應介于40至70°C的范圍間,電流密度應為25A/dm2,通電時間應為20秒,用以形成一極薄銅箔50于保護層40上,所述極薄銅箔50的厚度介于f 6m間并具有一光滑面51及一壓合面52。
      [0072]步驟S34中,將形成有剝離層30、保護層40及極薄銅箔50的載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:f 40g/L、硫酸銅五水合物:l(T60g/L、硫酸鈷七水合物:l(T50g/L及硫酸錳水合物濃度l(T40g/L的四元合金的電鍍溶液;其中pH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒;之后,再進行一絨毛處理,用以形成一黑化處理層80于極薄銅箔50的壓合面52。
      [0073]步驟S35中,對黑化處理層80和載體箔10的壓合面12施行鍍鋅、鎳及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷,用以形成一抗熱防銹層70于黑化處理層80上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的壓合面12,以制成本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構。
      [0074]實施例4:
      [0075]請參閱圖4及4A所示,圖4為本發(fā)明的第四實施例的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法的流程示意圖,圖4A為應用所述制造方法所制成的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的剖面示意圖。[0076]根據(jù)本發(fā)明的第四實施例,所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法包括以下步驟:執(zhí)行步驟S40,提供一載體箔10,其具有一光滑面11及一壓合面12 ;執(zhí)行步驟S41,形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11,且所述黑化層20由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;執(zhí)行步驟S42,形成一剝離層30于黑化層20上,且剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成。
      [0077]之后,執(zhí)行步驟S43,形成一極薄銅箔50于剝離層30上且具有一光滑面51及一壓合面52,其中極薄銅箔50的光滑面51連接于剝離層30 ;執(zhí)行步驟S44,形成第一黑化處理層81于極薄銅箔50的壓合面52,及形成第二黑化處理層82于載體箔10的壓合面12 ;及執(zhí)行步驟S45,形成一抗熱防銹層70于第一黑化處理層81上,及形成另一抗熱防銹層70于第二黑化層82上。以下將詳述各步驟的技術內容。
      [0078]步驟S40中,所述載體箔10選自由南亞塑料開發(fā)的超低收縮(very lowprofile,VLP)線銅箔,其厚度介于If 35m之間且靠近陰極側的銅箔面與靠近電鍍液的另一側的銅箔面皆呈現(xiàn)光亮的外觀,并具有粗度低、厚度均一和無針孔等優(yōu)點;另外,載體箔10的光澤面粗糙度(surface roughness ;指十點平均粗糙度值Rz)低于2.0m且具有一光滑面11及一壓合面12。以下載體箔10接著經由多個電鍍溶液,將不同層沉積于載體箔10之上。
      [0079]步驟S41中,將載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:f 40g/L、硫酸銅五水合物:l(T60gL、硫酸鈷七水合物:l(T50gL及硫酸錳水合物濃度IOlOgL的四元合金的電鍍溶液;其中PH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒。由此,形成一黑化層20于載體箔10的光滑面11。
      [0080]值得一提的是,所述黑化層20可由銅、鈷、鎳及錳組成中至少兩個所構成;較佳地,所述黑化層20由銅、鈷、鎳及錳組成的合金所構成。
      [0081]步驟S42中,將形成有黑化層20的載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:10?50gL、鑰酸鈉二水合物:(λ 5?10gL、K4P2O7:5(Tl00gL及CrO3:0.5?2g/L的四元合金的電鍍溶液;其中PH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至50°C的范圍間,電流密度應介于I至2.5A/dm2的范圍間,通電時間應為20秒,用以形成一剝離層30于黑化層20上。值得一提的是,所述剝離層30可由鑰、鎳、鉻及鉀組成中至少兩個所構成;較佳地,所述剝離層30由鑰、鎳、鉻及鉀組成的合金所構成。
      [0082]步驟S43中,將形成有黑化層20及剝離層30的載體箔10置入包含有銅離子(濃度:5(Tl00g/L)及硫酸:9(Tl25g/L的電鍍溶液;其中溶液溫度應介于40至70°C的范圍間,電流密度應為25A/dm2,通電時間應為20秒,用以形成一極薄銅箔50于剝離層30上,所述極薄銅箔50的厚度介于f6m間并具有一光滑面51及一壓合面52,其中極薄銅箔50的光滑面51連接于剝離層30。
      [0083]步驟S44中,將形成有黑化層20、剝離層30及極薄銅箔50的載體箔10置入包含有硫酸鎳六水合物:l?40gL、硫酸銅五水合物:l(T60g/L、硫酸鈷七水合物:l(T50g/L及硫酸錳水合物濃度l(T40g/L的四元合金的電鍍溶液;其中pH值應介于I至10的范圍間,溶液溫度應介于10至60°C的范圍間,電流密度應介于I至20A/dm2的范圍間,通電時間應為15秒;之后,再進行一絨毛處理,用以形成一黑化處理層80于極薄銅箔50的壓合面52。
      [0084]步驟S45中,對黑化處理層80和載體箔10的壓合面12施行鍍鋅、鎳及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷,用以形成一抗熱防銹層70于第一黑化處理層81上,及形成另一抗熱防銹層70于載體箔10的第二黑化處理層82,以制成本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構。
      [0085]需提及的是,在上述本發(fā)明的第一至第四實施例中,載體箔10的種類并不限制,其可為鋁箔、銅箔、鈦箔、不銹鋼箔等等,皆不致影響本發(fā)明具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的基本特性(如剝離特性、蝕刻特性及耐高溫度特性等),載體箔10的厚度變化亦然;但若選用優(yōu)良的VLP銅箔,則會提升所述具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的整體特性。
      [0086]請參閱表1,表1顯示實施例與比較例的剝離特性與色度比較,所使用的色度檢測儀器廠牌及型號為MINOLTA-Chroma meter CR410。其中的比較例I相較于實施例1的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構少了黑化層;比較例2相較于實施例1的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構少了保護層。
      [0087]表1
      【權利要求】
      1.一種具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其外觀形式包含有單面黑色、雙面黑色、三面黑色或四面黑色等,且黑色極薄銅箔的色度Y值小于等于25,其特征在于,包括: 一載體箔,其具有一光滑面及一壓合面; 一黑化層,其設置于該載體箔的光滑面,該黑化層是由銅、鈷、鎳及錳中至少兩個中至少兩個所構成; 一剝離層,其設置于該黑化層上,該剝離層是由鑰、鎳、鉻及鉀中至少兩上中至少兩個所構成;以及 一極薄銅箔,其設置于該剝離層上。
      2.如權利要求1所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其特征在于,還包括: 一粗化層,其設置于該極薄銅箔上;以及 兩個抗熱防銹層,該兩個抗熱防銹層的其中之一設置于該粗化層上,該兩個抗熱防銹層的其中另一個設置于該載體箔的壓合面。
      3.如權利要求1所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其特征在于,還包括: 一黑化處理層,其設置于該極薄銅箔上;以及 兩個抗熱防銹層,該兩個抗熱防銹層的其中之一設置于該黑化處理層上,該兩個抗熱防銹層的其中另一個設置于該載體箔的壓合面。
      4.如權利要求3所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其特征在于,還包括另一黑化處理層,其設置于該載體箔與該該兩 個抗熱防銹層的其中另一個之間。
      5.如權利要求1所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其特征在于,該黑化層是包括銅離子、鈷離子、鎳離子及錳離子的四元合金,黑化層是在包括摩爾濃度比為10.5:17.5:1:4.5的銅離子、鈷離子、鎳離子及錳離子的電鍍溶液中進行電鍍而形成的。
      6.如權利要求1所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構,其特征在于,該黑化層是包含銅、鈷、鎳及錳的四元合金,黑化層是在包括濃度為I至40g/L的硫酸鎳六水合物、濃度為10至60gL的硫酸銅五水合物、濃度為10至50gL的硫酸鈷七水合物、濃度為10至40g/L的硫酸錳水合物的電鍍溶液進行電鍍而形成的。
      7.一種具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法,其特征在于,包括以下步驟: (A)提供一載體箔,其具有一光滑面及一壓合面; (B)形成一黑化層于該載體箔的光滑面,該黑化層是由銅、鈷、鎳及錳中至少兩個所構成; (C)形成一剝離層于該黑化層上,該剝離層是由鑰、鎳、鉻及鉀中至少兩個所構成;以及 (D)形成一極薄銅箔于該剝離層的上方。
      8.如權利要求7所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法,其特征在于,在該步驟(D)之后還包括以下步驟: 形成第一黑化處理層于該極薄銅箔上,及形成第二黑化處理層于該載體箔的壓合面;以及 形成一抗熱防銹層于該第一黑化處理層上,及形成另一抗熱防銹層于該第二黑化處理層上。
      9.如權利要求7所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法,其特征在于,該黑化層是包括銅離子、鈷離子、鎳離子及錳離子的四元合金,黑化層是在包括摩爾濃度比為10.5:17.5:1:4.5的銅離子、鈷離子、鎳離子及錳離子的濃度的電鍍溶液中進行電鍍而形成的。
      10.如權利要求7所述的具有黑色極薄銅箔的銅箔結構的制造方法,其特征在于,該黑化層是包含有銅、鈷、鎳及錳的四元合金,黑化層是在包括濃度為I至40gL的硫酸鎳六水合物、濃度為10至60gL的硫酸銅五水合物、濃度為10至50gL的硫酸鈷七水合物、濃度為10至40gL的硫酸錳水合物的電 鍍溶液進行電鍍而形成的。
      【文檔編號】B32B15/04GK103857178SQ201210510185
      【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年12月3日 優(yōu)先權日:2012年12月3日
      【發(fā)明者】鄒明仁, 陳國釗, 林雅玫 申請人:南亞塑膠工業(yè)股份有限公司
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