專利名稱：一種金色低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及鍍膜玻璃技術領域，具體地，涉及一種金色低輻射鍍膜玻璃。
背景技術：
Low-E玻璃又稱低輻射玻璃，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產品。其鍍膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性，使其與普通玻璃及傳統(tǒng)的建筑用鍍膜玻璃相比，具有優(yōu)異的隔熱效果和良好的透光性。隨著經濟的發(fā)展，市場對LOW-W玻璃的要求越來越高，不僅要求其具有較高的性能，較強的實用性，還必須集美觀、舒適、價廉于一體。但是，市場上普通的鍍膜玻璃，從側面角度看無反射光，沒有顏色；而且市場上的金色LOW-E玻璃，使用純金靶材，價格昂貴。

實用新型內容為了克服現有技術的上述缺陷，本實用新型的目的在于改善鍍膜玻璃透視的顏色及效果，同時降低金色玻璃的制造成本。本實用新型提出一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃依次包括:玻璃基板、底層電介質層、底層阻擋層、功能層、頂層阻擋層、頂層電介質層和頂層半導體層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層，頂層+導體層為Si層。
·[0005]其中，所述底層電介質層膜厚為10 30nm,底層阻擋層膜厚為O IOnm,功能層膜厚為10 30nm,頂層阻擋層膜厚為O IOnm,頂層電介質層膜厚為80 I IOnm,頂層半導體層膜厚為O 10nm。較優(yōu)地，所述底層電介質層膜厚為19.lnm。所述底層阻擋層膜厚為1.7nm。所述功能層膜厚為15.3nm。所述頂層阻擋層膜厚為3.9nm。所述頂層電介質層膜厚為91.5nm。所述頂層半導體層膜厚為5nm。本實用新型提出的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，解決了普通單銀玻璃在80° -90°無反射光的現象，還提出了利用非純金鍍金色玻璃，使LOW-E鍍膜玻璃集美觀，舒適，價廉于一體，滿足了市場的需求。

關于本實用新型的優(yōu)點與精神可以通過以下的實用新型詳述及所附圖式得到進一步的了解。圖1為本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃的結構示意圖；圖2為本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃的膜面反射光譜曲線圖；圖3為本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃的玻璃面反射光譜曲線圖；圖4為本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃的透射特性譜圖；[0013]圖5為單片本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標；圖6為雙片本實用新型金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標。
具體實施方式
以下結合附圖詳細說明本實用新型的具體實施例。如圖1所示，本實用新型的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，包括有玻璃基板I和多個膜層。從玻璃基板I向上，依次包括底層電介質層TiOx層2，底層阻擋層NiCr層或CrNx層3，功能層Ag層4,頂層阻擋層NiCrNx層或CrNx層5,頂層電介質層Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層6以及頂層半導體層Si層7。本實用 新型的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，第一層膜層TiOx層2，是底層電介質層。TiOx為底層減反射膜。該膜層使用氧化鈦靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體02和Ar的參與下，在玻璃基板表面上沉積形膜。濺射功率為:60KW-90KW ;真空濺射氣壓為
5.0E-3mbar_l.0E_3mbar ;膜厚為 10 30nm,優(yōu)選 19.lnm。第二層膜層NiCr層或CrNx層3，是底層阻擋層。NiCr或CrNx可作為鈉離子的阻擋層，它可以很好的阻擋底層電介質層中游離的氧離子侵蝕銀層，是銀層很好的保護層。該膜層使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層電介質TiOx上沉積形膜。濺射功率為:1KW-5KW ;真空濺射氣壓為:1.0E-3mbar-3.0E_6mbar ；膜厚為O IOnm,優(yōu)選1.7nm。第三層膜層Ag層4，是功能層。Ag不僅決定了膜層的輻射率；而且可以保持玻璃在80° -90°之間時，反光是有顏色的，改善了普通單銀側面無顏色的特點。該膜層使用銀靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層阻擋層NiCr或CrNx上沉積形膜。濺射功率為:5KW-15KW ;真空濺射氣壓為:5.0E-3mbar_l.0E_3mbar ;膜厚為 10 30nm,優(yōu)選 15.3nm。第四層膜層NiCrNx層或CrNx層5,是頂層阻擋層。NiCrNx或CrNx—方面可以更好地保護銀層免受沉積過程中等離子體的破壞；另一方面通過影響銀層與頂層電介質之間的附著力來改善膜層的耐磨性。其中加入了反應氣體N2，具有降低玻璃面反射的作用。該膜層使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體N2和Ar的參與下，在功能層Ag層上沉積形膜。濺射功率為:30KW-50KW ;真空濺射氣壓為:5.0E-3mbar_l.0E_3mbar ；膜厚為O IOnm,優(yōu)選3.9nm。第五層膜層Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層6，頂層電介質層。Si3N4與最后的銀層間的附著力對耐磨性的影響非常大，而且Si3N4還決定了膜系的耐刮傷性、耐磨性和耐化學侵蝕性。該膜層使用硅鋁靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體N2和Ar的參與下，在頂層阻擋層NiCrNx或CrNx上沉積形膜。濺射功率為:30KW_50KW ;真空濺射氣壓為:
5.0E-3mbar-l.0E-3mbar ;膜厚為 80 I IOnm,優(yōu)選 91.5nm。第六層膜層Si層7，是頂層半導體層。本發(fā)明運用很薄的純半導體形態(tài)Si可以更好地降低膜層的反射率及透過率，對于改善透視顏色也有很明顯的效果。該膜層使用硅靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在頂層電介質層Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4上沉積形膜。濺射功率為:5KW_15KW ;真空濺射氣壓為:5.0E-3mbar-l.0E_3mbar ;膜厚為 O IOnm,優(yōu)選 5nm。[0023]圖2為本發(fā)明金色LOW-E鍍膜玻璃的膜面反射光譜曲線圖，是玻璃的鍍膜面在可見光不同的頻段內對可見光的反光率。圖3為本發(fā)明金色LOW-E鍍膜玻璃的玻璃面反射光譜曲線圖，是玻璃面在可見光不同的頻段內對可見光的反光率。圖4為本發(fā)明金色LOW-E鍍膜玻璃的透射特性譜圖，是鍍膜玻璃在可見光不同的頻段內對可見光的透過率。圖5為單片本發(fā)明金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標，是單片鍍膜玻璃的在D65光源10°下不同角度所反應出來a*、b*的對應值。其中，標準光源箱中的D65光源是模擬人工日光，保證在室內、陰雨天觀測物品的顏色效果時，有一個近似在太陽光底下觀測的照明效果。顏色坐標a*向正趨于紅色光，向負趨于綠色光。b*向正趨于黃色光，向負趨于藍色光。圖6為雙片本發(fā)明金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標，是6mm白玻-金色L0W-E+12A+6mm白玻配置下的中空玻璃在D65光源10°下不同角度所反應出來a*、b*的對應值。本發(fā)明的一種金色LOW-E鍍膜玻璃的顏色數據如下:
權利要求1.一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃依次包括:玻璃基板、底層電介質層、底層阻擋層、功能層、頂層阻擋層、頂層電介質層和頂層半導體層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功日纟層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層，頂層半導體層為Si層。
2.根據權利要求1所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述底層電介質層膜厚為10 30nm,底層阻擋層膜厚為O IOnm,功能層膜厚為10 30nm,頂層阻擋層膜厚為O 10nm，頂層電介質層膜厚為80 llOnm，頂層半導體層膜厚為O 10nm。
3.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述底層電介質層膜厚為19.lnm。
4.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述底層阻擋層膜厚為1.7nm。
5.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述功能層膜厚為15.3nm。
6.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述頂層阻擋層膜厚為3.9nm。
7.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述頂層電介質層膜厚為91.5nm。
8.根據權利要求2所述金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于:所述頂層半導體層膜厚為 5nm。
專利摘要本實用新型提出一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃依次包括玻璃基板、底層電介質層、底層阻擋層、功能層、頂層阻擋層、頂層電介質層和頂層半導體層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層半導體層為Si層。本實用新型提出的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，不僅解決了普通單銀玻璃在80°-90°無反射光的現象，還提出了利用非純金鍍金色的制備方法，使LOW-E鍍膜玻璃集美觀，舒適，價廉于一體，滿足了市場的需求。
文檔編號B32B15/04GK203095875SQ20122059426
公開日2013年7月31日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權日2012年11月13日
發(fā)明者林嘉佑 申請人:林嘉佑