導(dǎo)電層合體、圖案化導(dǎo)電層合體及使用該層合體得到的觸控面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供由導(dǎo)電區(qū)域（A）和非導(dǎo)電區(qū)域（B）形成的圖案的非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。所述圖案化導(dǎo)電層合體在基材的至少一側(cè)具有圖案化導(dǎo)電層，所述圖案化導(dǎo)電層在面內(nèi)具有在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電區(qū)域（A）和基質(zhì)中含有孤立分散的金屬類分散體的非導(dǎo)電區(qū)域（B），所述圖案化導(dǎo)電層合體滿足下述（I）和（II）。（I）所述基質(zhì)由含有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)得到的，并且來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)（＞C＝C＜：式量24）部分相對(duì)于所述基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9～26質(zhì)量％，利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度ν1與碳-氫單鍵（C-H）的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度ν2的關(guān)系為ν1/ν2≥0.2。（II）所述非導(dǎo)電區(qū)域（B）中利用熒光X射線定量的金屬成分的量是在所述導(dǎo)電區(qū)域（A）中利用熒光X射線定量的金屬成分的量的0.5～0.9倍。
【專利說(shuō)明】導(dǎo)電層合體、圖案化導(dǎo)電層合體及使用該層合體得到的觸控面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及配置有由導(dǎo)電成分和基質(zhì)形成的導(dǎo)電層的導(dǎo)電層合體以及具有在面內(nèi)具有導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)的圖案化導(dǎo)電層的圖案化導(dǎo)電層合體，所述導(dǎo)電成分具有由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，涉及可以縮短對(duì)用于觸控面板等的電極部件加工形成圖案時(shí)的處理時(shí)間的導(dǎo)電層合體以及由導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)形成的圖案部分的非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。還涉及也用于在液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光、電子紙等顯示器相關(guān)產(chǎn)品和太陽(yáng)能電池模塊等中使用的電極部件的導(dǎo)電層合體以及圖案化導(dǎo)電層合體。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，在觸控面板、液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光、電子紙等顯示器相關(guān)產(chǎn)品、太陽(yáng)能電池模塊等中，用于電極的導(dǎo)電部件利用在導(dǎo)電部件的導(dǎo)電層形成非導(dǎo)電區(qū)域的加工處理形成由導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域形成的所希望的圖案來(lái)進(jìn)行使用。[0003]作為導(dǎo)電部件，有在基材上層合導(dǎo)電層得到的導(dǎo)電部件，作為該導(dǎo)電層，除使用ΙΤ0、金屬薄膜等現(xiàn)有的導(dǎo)電性薄膜獲得的導(dǎo)電層之外，還提出了使用碳納米管(以下簡(jiǎn)稱CNT)、金屬納米線等線狀的導(dǎo)電成分獲得的導(dǎo)電層的方案。例如，提出了在基材上層合有以CNT為導(dǎo)電成分混合于紫外線固化樹(shù)脂的涂料的導(dǎo)電層合體的方案(專利文獻(xiàn)I)。另外，提出了在以金屬納米線為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層上層合樹(shù)脂層得到的導(dǎo)電層合體的方案(專利文獻(xiàn)2)。此外，提出了在使用了多官能成分的高固化度的基質(zhì)內(nèi)分散金屬納米線得到的導(dǎo)電層合體的方案(專利文獻(xiàn)3)。還提出了將使用金屬納米線得到的導(dǎo)電層合體圖案化成導(dǎo)電區(qū)域與殘留有金屬納米線的非導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電層合體的方案(專利文獻(xiàn)4)。
[0004]將上述導(dǎo)電部件應(yīng)用于觸控面板等時(shí)，必須形成布線圖，作為形成圖案的方法，通常采用使用了光致抗蝕劑、蝕刻液的化學(xué)蝕刻法(專利文獻(xiàn)5、6)。此外，為了提高圖案部分的非識(shí)別性，提出了在非導(dǎo)電區(qū)域使用絕緣材料的導(dǎo)電部件(專利文獻(xiàn)7)、為了細(xì)化圖案線條而規(guī)定保護(hù)層的接觸角和材料的導(dǎo)電部件(專利文獻(xiàn)8)。
[0005]【專利文獻(xiàn)I】日本特開(kāi)2008-179787號(hào)公報(bào)
[0006]【專利文獻(xiàn)2】日本特表2010-507199號(hào)公報(bào)
[0007]【專利文獻(xiàn)3】日本特開(kāi)2011-29037號(hào)公報(bào)
[0008]【專利文獻(xiàn)4】日本特開(kāi)2011-29038號(hào)公報(bào)
[0009]【專利文獻(xiàn)5】日本特開(kāi)2010-140859號(hào)公報(bào)
[0010]【專利文獻(xiàn)6】日本特開(kāi)2001-307567號(hào)公報(bào)
[0011]【專利文獻(xiàn)7】日本特開(kāi)2010-165460號(hào)公報(bào)
[0012]【專利文獻(xiàn)8】日本特開(kāi)2011-167848號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】
[0013]但是，專利文獻(xiàn)I所記載的導(dǎo)電層合體為了實(shí)現(xiàn)低表面電阻值(高導(dǎo)電性)，必須使CNT的含量較多，存在若形成由導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域形成的圖案，則圖案會(huì)因CNT的光吸收性而被區(qū)分(即非識(shí)別性低)的問(wèn)題。
[0014]專利文獻(xiàn)2所記載的導(dǎo)電層合體由于使用導(dǎo)電性較CNT高的金屬納米線作為導(dǎo)電成分，所以可以將導(dǎo)電成分的濃度設(shè)定為比CNT低，但是，若形成由導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域形成的圖案，則在導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域之間產(chǎn)生光學(xué)特性的差異，圖案的非識(shí)別性同樣不充分。
[0015]另一方面，專利文獻(xiàn)3、4、8所記載的導(dǎo)電層合體中，利用照射高電離放射線量來(lái)形成導(dǎo)電層的基質(zhì)，但認(rèn)為其圖案化所需的處理時(shí)間變得極久，仍然存在圖案的非識(shí)別性低的問(wèn)題。進(jìn)而，專利文獻(xiàn)5提出了利用激光和蝕刻進(jìn)行的成圖方法的方案，但均存在難以調(diào)整成圖后的導(dǎo)電性納米纖維的殘留量的問(wèn)題。對(duì)于專利文獻(xiàn)6、7而言，由于需要較多工序，所以存在生廣效率差的問(wèn)題。 [0016]由此，在用于形成圖案的加工處理中，導(dǎo)電部件對(duì)于加工處理沒(méi)有抗性時(shí)，產(chǎn)生導(dǎo)電層剝離等問(wèn)題，無(wú)法形成所期望的圖案，或者相反，導(dǎo)電部件對(duì)加工處理具有過(guò)強(qiáng)的抗性時(shí)，存在圖案化所需的處理時(shí)間變得極久的問(wèn)題，難以同時(shí)解決上述問(wèn)題。另外，在導(dǎo)電成分使用CNT時(shí)，存在圖案的識(shí)別性因?qū)щ姵煞侄兏叩膯?wèn)題，相反，使用導(dǎo)電性高的金屬納米線作為導(dǎo)電成分時(shí)，存在認(rèn)為起因于基質(zhì)的圖案的非識(shí)別性降低的問(wèn)題。
[0017]本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的背景，目的在于得到可以在用于形成圖案的加工處理中不產(chǎn)生導(dǎo)電層剝離等問(wèn)題且可以穩(wěn)定地形成所希望的圖案，同時(shí)圖案化處理所需時(shí)間也短的導(dǎo)電層合體以及圖案部分的非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0018]本發(fā)明為了解決上述課題，采用下述構(gòu)成。gp，
[0019][I] 一種導(dǎo)電層合體，其是在基材的至少一面配置由導(dǎo)電成分和基質(zhì)形成的導(dǎo)電層而得到的，所述導(dǎo)電成分具有由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該基質(zhì)滿足下述⑴~(iv)。
[0020](i)所述基質(zhì)由具有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的。
[0021](ii)來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)(> C = C<:式量24)部分相對(duì)于基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9~26質(zhì)量％。
[0022](iii)利用FT-1R-ATR法求出的所述基質(zhì)的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度v I與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2滿足V I/ V 2≥0.2的關(guān)系。
[0023](iv)所述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T為70~lOOOnm。
[0024][2]如上述[I]所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r與所述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T滿足1.8 ^ T/r ^ 10的關(guān)系。
[0025][3]如上述[I]或[2]所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體是銀納米線。
[0026][4] 一種圖案化導(dǎo)電層合體，其中，在基材的至少一側(cè)具有圖案化導(dǎo)電層，所述圖案化導(dǎo)電層在面內(nèi)具有導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)，所述導(dǎo)電區(qū)域(A)在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)在基質(zhì)中含有孤立分散的金屬類分散體，所述圖案化導(dǎo)電層合體滿足下述(I)與(II)。[0027](I)所述基質(zhì)由具有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的結(jié)構(gòu)，并且來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)(> C = C <:式量24)部分相對(duì)于所述基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9~26質(zhì)量％，利用FT-1R-ATR法求出的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度VI與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2的關(guān)系為V I/ V 2≥0.2。
[0028](II)在所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)中利用熒光X射線定量的金屬成分的量是在所述導(dǎo)電區(qū)域(A)中利用熒光X射線定量的金屬成分的量的0.5~0.9倍。
[0029][5]如上述[4]所述的圖案化導(dǎo)電層合體，其中，所述導(dǎo)電區(qū)域(A)中的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz1與所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz2的關(guān)系滿足0.8 ^ Hz1ZHz2≤1.5。
[0030][6]上述[4]或[5]所述的圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法，其中，在基材的至少一偵牝在具有導(dǎo)電層的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層上層合與圖案對(duì)應(yīng)的防蝕刻層，同時(shí)，使用含有酸和氧化劑且滿足下述(III)和(IV)的蝕刻液將防蝕刻層的非層合區(qū)域在30~60°C加熱，形成非導(dǎo)電區(qū)域，所述導(dǎo)電層在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。
[0031](III)酸/氧化劑的摩爾比率為1500/1~1/2。
[0032](IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度為10~40質(zhì)量％。
[0033][7] —種加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法，其將上述[4]或[5]所述的圖案化導(dǎo)電層合體在60~150°C加熱處理30秒~10分鐘。
[0034][8] 一種觸控面板，其是使用上述[I]~[3]所述的導(dǎo)電層合體而得到的。
[0035][9] 一種觸控面板，其是使用上述[4]或[5]所述的圖案化導(dǎo)電層合體、利用所述
[6]的制造方法得到的圖案化導(dǎo)電層合體、利用所述[7]所述的制造方法得到的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體中的任一種而得到的。
[0036]根據(jù)本發(fā)明，可以提供在用于形成圖案的加工處理中不易發(fā)生導(dǎo)電層的剝離等問(wèn)題，可以穩(wěn)定地形成所希望的圖案，同時(shí)圖案化處理所需時(shí)間也短的導(dǎo)電層合體、以及圖案部分的非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]【圖1】是本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的剖面模式圖之一例。
[0038]【圖2】是本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電區(qū)域(A)中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的模式圖之一例。
[0039]【圖3】是表示本發(fā)明的一個(gè)方案的觸控面板之一例的剖面模式圖。
[0040]【圖4】是本發(fā)明的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體鄰域的剖面模式圖之一例。
[0041]【圖5】是在實(shí)施例及比較例中用于制作圖案化導(dǎo)電層合體的樣本的圖案掩模的模式圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042][導(dǎo)電層合體]
[0043]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體是在基材的至少一面配置由導(dǎo)電成分和基質(zhì)形成的導(dǎo)電層得到的導(dǎo)電層合體，所述導(dǎo)電成分具有由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該基質(zhì)滿足下述(i)~(iv)。
[0044](i)所述基質(zhì)由具有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的結(jié)構(gòu)。
[0045](ii)來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)(> C = C<:式量24)部分相對(duì)于基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9~26質(zhì)量％。
[0046](iii)利用FT-1R-ATR法求出的所述基質(zhì)的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度v I與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2滿足V I/ V 2≥0.2的關(guān)系。
[0047](iv)所述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T為70~lOOOnm。
[0048]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體通過(guò)如上所述使用具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體作為形成導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分，充分降低表面的電阻值，獲得需要的導(dǎo)電性。并且，導(dǎo)電層的基質(zhì)通過(guò)滿足上述(i)~(iv)，由此同時(shí)實(shí)現(xiàn)了迄今為止難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)的針對(duì)圖案化處理的抗性和短時(shí)間的圖案加工性，具有針對(duì)圖案化處理的抗性，導(dǎo)電層的剝離等問(wèn)題少，可以形成所希望的圖案，同時(shí)可以縮短圖案化處理所需的時(shí)間。
[0049][圖案化導(dǎo)電層合體]
[0050]本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體在基材的至少一側(cè)具有圖案化導(dǎo)電層。
[0051]圖案化導(dǎo)電層在其面內(nèi)具有導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)。
[0052]圖案化導(dǎo)電層由基質(zhì)和金屬成分形成，金屬成分在導(dǎo)電區(qū)域(A)與非導(dǎo)電區(qū)域(B)形態(tài)不同。
[0053]導(dǎo)電區(qū)域(A)在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體作為所謂的導(dǎo)電成分發(fā)揮作用，降低電阻值，所以呈現(xiàn)作為導(dǎo)電區(qū)域(A)所需的導(dǎo)電性。
[0054]非導(dǎo)電區(qū)域(B)在基質(zhì)中含有孤立分散的金屬類分散體。
[0055]金屬成分通過(guò)孤立分散，即使含有下面詳細(xì)描述的條件(II)所規(guī)定的量的金屬成分，也可以提高電阻值，從而可以呈現(xiàn)作為非導(dǎo)電區(qū)域(B)所需的絕緣性。
[0056]本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體滿足條件(I)和(II)。
[0057](I)是與基質(zhì)相關(guān)的條件，(II)是與金屬成分相關(guān)的條件。
[0058](I)進(jìn)一步由2個(gè)條件構(gòu)成。所述基質(zhì)由具有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的，來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)(> C = C <:式量24)部分相對(duì)于所述基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率(以下有時(shí)也記載為交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率)為9~26質(zhì)量％(1-1)。并且，利用FT-1R-ATR法求出的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V I與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度v2的關(guān)系為vl/v2≥0.2 (1_2)。
[0059]即，(I)可以利用原料組成(1-1)和高分子化的反應(yīng)程度(1-2)來(lái)調(diào)整基質(zhì)。通過(guò)找出滿足上述條件(I)的基質(zhì)，可以形成具有針對(duì)下述圖案化處理的抗性且保持蝕刻前導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層為導(dǎo)電區(qū)域(A)的狀態(tài)下滿足條件(II)的非導(dǎo)電區(qū)域(B)，從而可以形成本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0060](II)規(guī)定所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)的利用熒光X射線測(cè)定的所述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬含量是所述導(dǎo)電區(qū)域(A)的利用熒光X射線測(cè)定的金屬含量的0.5~0.9倍。
[0061]即，(II)可以使用滿足(I)的基質(zhì)并利用蝕刻的程度來(lái)調(diào)整。由此，使用滿足(I)的基質(zhì)，并滿足條件(II)，可以提高圖案部分的非識(shí)別性。
[0062][導(dǎo)電成分]
[0063]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分是金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。通過(guò)將導(dǎo)電成分設(shè)定成導(dǎo)電性高的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，可以得到導(dǎo)電性優(yōu)異的導(dǎo)電層，所以可以將基質(zhì)成分量設(shè)定為較多，由此可以提高針對(duì)圖案化處理的抗性。
[0064]本發(fā)明中，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體在導(dǎo)電層中具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)而存在。通過(guò)具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，形成導(dǎo)電層側(cè)在面方向的導(dǎo)電通路(path)，可以獲得低表面電阻值。本發(fā)明中，所謂網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，是指觀察導(dǎo)電層中的個(gè)別金屬類線狀結(jié)構(gòu)體時(shí)，與其他金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的接點(diǎn)數(shù)的平均至少超過(guò)I這樣的具有分散結(jié)構(gòu)的情況。此時(shí)，對(duì)于接點(diǎn)而言，可以由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的任意部分彼此形成，也可以是金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的末端部彼此連接，或者是末端與金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的末端以外的部分連接，或是金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的末端以外的部分彼此連接。此處，所謂連接，可以是其接點(diǎn)接合，也可以是僅簡(jiǎn)單接觸。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的導(dǎo)電層合體中，如果存在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，則發(fā)生導(dǎo)通，所以在導(dǎo)電層中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體中，可以存在一部分對(duì)于形成網(wǎng)絡(luò)沒(méi)有貢獻(xiàn)的(即接點(diǎn)為0，與網(wǎng)絡(luò)獨(dú)立存在)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以用下面描述的方法進(jìn)行觀察，但并沒(méi)有特別限定。
[0065]由于形成本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成，所以導(dǎo)電層中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的量為一定以下時(shí)，有時(shí)不存在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的區(qū)域分散存在于面內(nèi)，但即使存在上述區(qū)域，在面內(nèi)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體也具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，在任意兩點(diǎn)之間能顯示導(dǎo)電性。
[0066]另外，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的短軸的長(zhǎng)度(金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的直徑)及長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度(金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度)根據(jù)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的種類能取各種范圍，但短軸的長(zhǎng)度優(yōu)選Inm?IOOOnm (I μ m)，另外長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為下述長(zhǎng)度即可:相對(duì)于短軸的長(zhǎng)度，即縱橫比=長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度/短軸的長(zhǎng)度大于10,優(yōu)選I μ m?100 μ m (0.1mm)。本發(fā)明中，所謂金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，優(yōu)選縱橫比=長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度/短軸的長(zhǎng)度大于10(另一方面，例如球狀是縱橫比=I)并且呈弧形的結(jié)構(gòu)體。作為金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，例如可以舉出纖維狀導(dǎo)電體、納米線、晶須之類的針狀導(dǎo)電體等。需要說(shuō)明的是，所謂纖維狀，是指上述縱橫比=金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度/平均徑大于10且如圖2中的符號(hào)5、6所例示那樣的具有直線部及/或彎曲部的形狀。所謂納米線，是指像圖2中的符號(hào)7所例示那樣的呈弧形的結(jié)構(gòu)體，所謂針狀，是指像圖2中的符號(hào)8所例示那樣的呈直線形狀的結(jié)構(gòu)體。需要說(shuō)明的是，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體除單獨(dú)存在的情況之外，有時(shí)形成聚集體而存在。所謂聚集體，例如可以是在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的配置方向性方面沒(méi)有規(guī)則性且無(wú)規(guī)地聚集的狀態(tài)，還可以是金屬線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度方向的面彼此平行聚集的狀態(tài)。作為長(zhǎng)度方向的面彼此平行聚集的狀態(tài)的例子，已知形成稱為線群(bundle)的聚集體，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體也可以具有類似的線群結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的徑即使在形成上述聚集體的情況下也指金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的單獨(dú)的徑。需要說(shuō)明的是，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r利用下述實(shí)施例的“(6)導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)的基質(zhì)的表面平均厚度T、金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r”所記載的方法來(lái)求出。
[0067]本發(fā)明的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的材質(zhì)是金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氫氧化物等含有金屬成分的物質(zhì)。作為金屬，可以舉出歸屬于元素周期表中的第IIA族、第IIIB族、第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族或第VA族的元素。具體而言，可以舉出金、鉬、銀、鎳、銅、鋁、鎵、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鑰、猛、鋪、鈕、秘、锝、錸、鐵、鋨、鈷、鋅、鈧、硼、鎵、銦、娃、鍺、締、錫、鎂等。作為合金，可以舉出含有上述金屬的合金(不銹鋼、黃銅等)。作為金屬氧化物，可以舉出In02、Sn02、Zn0等，還可以舉出它們的金屬氧化物復(fù)合物(InO2Sru SnO2-Sb2O4^ SnO2-V2O5^ TiO2 (Sn/Sb) 02>SiO2 (Sn/Sb) O2、K20-nTi02- (Sn/Sb) 02、K20-nTi02_C 等)。另外，上述材質(zhì)可以被實(shí)施表面處理。進(jìn)而，在有機(jī)化合物(例如植物纖維、合成纖維等)、非金屬材料(例如無(wú)機(jī)纖維等)表面涂敷或蒸鍍所述金屬、金屬氧化物而得的物質(zhì)也包含在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體中。上述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體中，從透明性等光學(xué)特性、導(dǎo)電性等觀點(diǎn)來(lái)看，可以特別優(yōu)選使用銀線狀結(jié)構(gòu)體。
[0068]上述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體例如可以利用日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)2009-146747號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)2009-70660號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的制法獲得。
[0069]另外，也可以單獨(dú)使用金屬類線狀結(jié)構(gòu)體或組合多種金屬類線狀結(jié)構(gòu)體進(jìn)行混合使用，還可以根據(jù)需要添加其他微米~納米尺寸的導(dǎo)電性材料，并不特別限定于這些材料。
[0070][具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體]
[0071]導(dǎo)電區(qū)域(A)的導(dǎo)電成分是具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。通過(guò)將導(dǎo)電成分設(shè)定為導(dǎo)電性高的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，可以獲得與配合量相比導(dǎo)電性優(yōu)異的導(dǎo)電區(qū)域(A)，所以可以提高導(dǎo)電區(qū)域(A)中的基質(zhì)含有比率，由此提高針對(duì)圖案化處理的抗性。
[0072]導(dǎo)電區(qū)域(A)的導(dǎo)電成分中的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)容與上述導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分中的同一結(jié)構(gòu)相通。形成本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電區(qū)域(A)的導(dǎo)電成分由具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成，所以導(dǎo)電區(qū)域(A)內(nèi)具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的含有比率在一定以下時(shí)，有時(shí)不存在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的區(qū)域分散存在于面內(nèi)，但即使存在上述區(qū)域，也能在任意兩點(diǎn)之間顯示導(dǎo)電性。
[0073]另外，構(gòu)成具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體中，平均徑(定義如下所述，有時(shí)也記載為短軸的長(zhǎng)度)及金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度(有時(shí)也記載為金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度)能取多種范圍，但平均徑比圖案小，優(yōu)選Inm~1000nm (Iym),另外，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度為下述長(zhǎng)度即可:相對(duì)于平均徑，即縱橫比(金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度/平均徑)大于10,優(yōu)選I μ m~100 μ m (0.1mm)。
[0074][孤立分散的金屬類分散體]
[0075]非導(dǎo)電區(qū)域(B)含有孤立分散的金屬類分散體作為金屬成分。本發(fā)明中所說(shuō)的孤立分散的金屬類分散體，是與金屬類分散體的個(gè)別形狀無(wú)關(guān)、不具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的分散體。具體而言，通過(guò)降低分散在基質(zhì)中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體或其他金屬類成分在基質(zhì)中的含有濃度，或者使金屬成分的形狀成為金屬彼此難以接觸的球狀，或者縮短線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度，通過(guò)分離金屬類線狀結(jié)構(gòu)體彼此的接點(diǎn)，使各個(gè)金屬成分孤立化，消除金屬成分間的接點(diǎn)，或者即使在金屬成分間具有接點(diǎn)的情況下，也使相對(duì)于金屬成分分散的數(shù)量的接點(diǎn)數(shù)為較少的狀態(tài)。
[0076]金屬成分間具有接點(diǎn)時(shí)，作為使相對(duì)于金屬成分分散的數(shù)量的接點(diǎn)數(shù)量為較少的狀態(tài)的方法，可以舉出使接點(diǎn)部或金屬成分本身為非導(dǎo)電性的狀態(tài)，或切斷一個(gè)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的一部分，更具體而言，可以舉出下述方法:通過(guò)使金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的一部分溶解或使表面發(fā)生化學(xué)變化，由此將接點(diǎn)部或金屬類線狀結(jié)構(gòu)體制成絕緣性來(lái)阻斷導(dǎo)電路徑；使金屬類線狀結(jié)構(gòu)體部分溶解切斷金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的一部分等方法。對(duì)于所含的金屬來(lái)說(shuō)，從圖案非識(shí)別性的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選與導(dǎo)電層的金屬成分相同。
[0077]由此，通過(guò)使非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬成分為孤立分散的金屬類分散體，即使在將利用熒光X射線測(cè)定的非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬含量設(shè)定為所述導(dǎo)電區(qū)域(A)的利用熒光X射線測(cè)定的金屬含量的0.5?0.9倍的情況下，也可以提高電阻值，可以呈現(xiàn)作為非導(dǎo)電區(qū)域(B)所需的絕緣性。
[0078][基質(zhì)]
[0079]本發(fā)明中，形成導(dǎo)電層與圖案化導(dǎo)電層的基質(zhì)(i)由具有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上有利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)所得的結(jié)構(gòu)。上述高分子是將由具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單體、低聚物、聚合物形成的組合物以該碳-碳雙鍵基團(tuán)內(nèi)的碳-碳雙鍵為反應(yīng)點(diǎn)進(jìn)行聚合反應(yīng)來(lái)形成碳-碳單鍵而得到的高分子。
[0080]作為含有碳-碳雙鍵基團(tuán)的官能團(tuán)，例如可以舉出異丙烯基、異戊烯基、烯丙基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、甲基丙烯酸基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基、亞2-丙烯基、次烯丙基(allylidyne)、乙烯基醚基、在碳-碳雙鍵基團(tuán)的碳上鍵合有氟、氯等鹵素得到的官能團(tuán)(例如，氟乙烯基、偏氟乙烯基、氯乙烯基、偏氯乙烯基等)、在碳-碳雙鍵基團(tuán)的碳上鍵合苯基或萘基等具有芳香環(huán)的取代基的官能團(tuán)(例如苯乙烯基等)、丁間二烯基(例如 CH2 = C (R1)-C (R2) = CH-XH2 = C (R1)-C (= CH2)- (R1)R2為H或CH3))之類具有共軛多烯結(jié)構(gòu)的基團(tuán)等。考慮到所要求的特性、生產(chǎn)率等，可以使用上述官能團(tuán)中的I種或混合上述官能團(tuán)中的2種以上進(jìn)行使用。上述官能團(tuán)中，從賦予針對(duì)圖案化處理的抗性的觀點(diǎn)來(lái)看，可以優(yōu)選使用碳-碳雙鍵基團(tuán)部分的反應(yīng)性高的丙烯?；⒓谆；⒈Ｑ趸?、甲基丙烯酰氧基。另外，與在碳-碳雙鍵的周圍具有空間位阻大的甲基(-CH3)的甲基丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基相比，具有空間位阻小的氫(-H)的丙烯?；?、丙烯酰氧基由于所得的基質(zhì)容易形成更致密的結(jié)構(gòu)，除賦予針對(duì)圖案化處理的抗性之外還可以使后面描述的導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T較薄，所以容易縮短加工處理所需要的時(shí)間，故而優(yōu)選。其中，與具有酯鍵(-C00-)的丙烯酰氧基相比，僅具有穩(wěn)定性高的羰基鍵(-CO-)的丙烯?；^為優(yōu)選。
[0081]作為具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物，例如可以舉出季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基三丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基三甲基丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三甲基丙烯酸酯、二 (三羥甲基丙烷)三丙烯酸酯、二 (三羥甲基丙烷)三甲基丙烯酸酯、二 (三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、二 (三羥甲基丙烷)四甲基丙烯酸酯、丙三醇丙氧基三丙烯酸酯、丙三醇丙氧基三甲基丙烯酸酯、在分子內(nèi)具有環(huán)丙烷環(huán)、環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊烷環(huán)、環(huán)己烷環(huán)等環(huán)狀骨架的化合物(例如三丙烯酸酯、三甲基丙烯酸酯、四丙烯酸酯、四甲基丙烯酸酯、五丙烯酸酯、五甲基丙烯酸酯、六丙烯酸酯、六甲基丙烯酸酯等)、對(duì)上述化合物的一部分進(jìn)行改性了的化合物(例如用2-羥基丙酸等改性了的2-羥基丙酸改性季戊四醇三丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇三甲基丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇四丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇四甲基丙烯酸酯、以及導(dǎo)入了有機(jī)硅骨架的有機(jī)硅三丙烯酸酯、有機(jī)硅三甲基丙烯酸酯、有機(jī)硅四丙烯酸酯、有機(jī)硅四甲基丙烯酸酯、有機(jī)硅五丙烯酸酯、有機(jī)硅五甲基丙烯酸酯、有機(jī)硅六丙烯酸酯、有機(jī)硅六甲基丙烯酸酯等)、骨架內(nèi)具有乙烯基及/或亞乙烯基的同時(shí)還具有其他骨架的化合物(例如具有氨基甲酸酯骨架的氨基甲酸酯三丙烯酸酯、氨基甲酸酯三甲基丙烯酸酯、氨基甲酸酯四丙烯酸酯、氨基甲酸酯四甲基丙烯酸酯、氨基甲酸酯五丙烯酸酯、氨基甲酸酯五甲基丙烯酸酯、氨基甲酸酯六丙烯酸酯、氨基甲酸酯六甲基丙烯酸酯、具有醚骨架的聚醚三丙烯酸酯、聚醚三甲基丙烯酸酯、聚醚四丙烯酸酯、聚醚四甲基丙烯酸酯、聚醚五丙烯酸酯、聚醚五甲基丙烯酸酯、聚醚六丙烯酸酯、聚醚六甲基丙烯酸酯、具有來(lái)自環(huán)氧基的骨架的環(huán)氧基三丙烯酸酯、環(huán)氧基三甲基丙烯酸酯、環(huán)氧基四丙烯酸酯、環(huán)氧基四甲基丙烯酸酯、環(huán)氧基五丙烯酸酯、環(huán)氧基五甲基丙烯酸酯、環(huán)氧基六丙烯酸酯、環(huán)氧基六甲基丙烯酸酯、具有酯骨架的聚酯三丙烯酸酯、聚酯三甲基丙烯酸酯、聚酯四丙烯酸酯、聚酯四甲基丙烯酸酯、聚酯五丙烯酸酯、聚酯五甲基丙烯酸酯、聚酯六丙烯酸酯、聚酯六甲基丙烯酸酯等)。對(duì)于上述化合物，考慮到用途、要求的特性、生產(chǎn)率等，可以使用單體聚合獲得的物質(zhì)或?qū)?種以上由單體聚合得到的物質(zhì)進(jìn)行混合得到的組合物，還可以使用由將2種以上共聚得到的二聚體以上的低聚物形成的組合物，但并不特別限定于此。這些化合物中，4個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)即四官能以上的化合物能夠不存在導(dǎo)電層剝離、導(dǎo)電性降低等問(wèn)題地容易形成所希望的圖案，特別優(yōu)選使用。四官能以上的化合物例如可以舉出所述四官能的四丙烯酸酯、四甲基丙烯酸酯、五官能的五丙烯酸酯、五甲基丙烯酸酯、六官能的六丙烯酸酯、六甲基丙烯酸酯等，并且也可以為七官能以上的化合物。
[0082]上述化合物中，作為具體市售的化合物，例如可以舉出共榮社化學(xué)(株)制的Lightacrylate系列、Light ester系列、環(huán)氧基酯系列、氨基甲酸酯丙烯酸酯AH系列、氨基甲酸酯丙烯酸酯AT系列、氨基甲酸酯丙烯酸酯UA系列、DAICEL-CYTEC (株)制的EBECRYL系列、PETIA、TMPTA、TMPE0TA、0TA480、DPHA、PETA-K、綜研化學(xué)(株)制的 full_cure 系列、東洋油墨(株)制的“L10DURAS”(注冊(cè)商標(biāo))系列、中國(guó)涂料(株)制的PH0LUCID系列、松井化學(xué)(株)制的EXP系列、DAICEL-CYTEC (株)制的EBECRYL1360、信越化學(xué)工業(yè)(株)制的X-12-2456系列等。
[0083]另外，(ii)來(lái)自碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)(> C = C<:式量24)部分相對(duì)于基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率(以下記為交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率)為9?26質(zhì)量％。通過(guò)取上述范圍，可以形成具有針對(duì)上述圖案化處理的抗性且能夠不存在導(dǎo)電層剝離、導(dǎo)電性降低等問(wèn)題地形成所希望的圖案的導(dǎo)電層合體，從而能獲得本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0084]交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率低于9質(zhì)量％時(shí),針對(duì)圖案化處理的抗性不足,有時(shí)發(fā)生導(dǎo)電層剝離、與之相伴的導(dǎo)電性降低等情況，在圖案化導(dǎo)電層產(chǎn)生缺陷，或者難以將非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的金屬量控制在(II)規(guī)定的范圍，有時(shí)難以提高圖案的非識(shí)別性。大于26質(zhì)量％時(shí)，相反賦予過(guò)度的抗性，圖案化所需的加工處理時(shí)間變得極久，或者無(wú)法形成非導(dǎo)電區(qū)域(B)，從而變得無(wú)法圖案化，有時(shí)無(wú)法得到本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體。交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率優(yōu)選19質(zhì)量％~24質(zhì)量％ ,為21質(zhì)量％~24質(zhì)量％的范圍時(shí)，由于除具有針對(duì)圖案化處理的抗性之外，還可以使下述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T較薄，因此容易縮短加工處理所需的時(shí)間，故而較為優(yōu)選。
[0085]此處，基質(zhì)的交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率如下所述地求得。
[0086]首先，從樣品剝離導(dǎo)電層或圖案化導(dǎo)電層，使基質(zhì)溶解于能溶解的溶劑。另外，如果有需要，則從以硅膠柱色譜法、凝膠滲透色譜法、高效液相色譜法等為代表的通常的色譜法中選擇能分離的方法，分離精制成各單一物質(zhì)。
[0087]對(duì)于由此分離的各物質(zhì)，進(jìn)行適當(dāng)濃縮和稀釋，調(diào)制樣品。首先進(jìn)行定性分析，確定樣品中所含的成分。分析方法如下設(shè)定，首先組合下述(I)組的分析方法進(jìn)行分析，當(dāng)存在利用(I)組的分析無(wú)法檢測(cè)的成分時(shí)，組合下述(2)組的分析方法來(lái)進(jìn)行分析。需要說(shuō)明的是，對(duì)于各組的測(cè)定方法，應(yīng)用以下記載的順序，當(dāng)利用記載在前的分析難以檢測(cè)時(shí)采用下一測(cè)定法。另外，在組合的 情況下，也同樣優(yōu)先采用記載在前的分析，優(yōu)先應(yīng)用以較少的組合即可測(cè)定的方法。
[0088](I)核磁共振波譜法(13C-NMR^29S1-NMR, 19F-NMR)、二維核磁共振波譜法(2D-NMR)、紅外分光光度法(IR)、拉曼光譜法、各種質(zhì)譜法(氣相色譜-質(zhì)譜法(GC-MS)、熱解氣相色譜-質(zhì)譜法(熱解GC-MS)、基質(zhì)輔助激光解吸/電離質(zhì)譜(MALD1-MS)、飛行時(shí)間型質(zhì)譜法(T0F-MS)、飛行時(shí)間型基質(zhì)輔助激光解吸/電離質(zhì)譜(MALD1-T0F-MS)、動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Dynamic-SMS)、飛行時(shí)間型二次離子質(zhì)譜法(T0F-SMS)、靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Static-SIMS)等)。
[0089](2 ) X射線衍射法(XRD )、中子衍射法(ND )、低速電子射線衍射法(LEED )、高速反射電子射線衍射法(RHEED )、原子吸收光譜法(AAS )、紫外光電子光譜法(UPS )、俄歇電子光譜法(AES)、X射線光電子光譜法(XPS)、熒光X射線元素分析法(XRF)、電感耦合等離子體發(fā)光光譜法(ICP-AES)、電子射線微分析法(ΕΡΜΑ)、帶電離子激發(fā)X射線光譜法(PIXE)、低能離子散射光譜法(RBS或LEIS)、中能離子散射光譜法(MEIS)、高能離子散射光譜法(ISS或HEIS)、凝膠滲透色譜法(GPC)、透射電子顯微鏡-能量分散X射線光譜分析(TEM-EDX)JS描電子顯微鏡-能量分散X射線光譜分析(SEM-EDX)、其他元素分析。
[0090]然后，對(duì)分取的樣品進(jìn)行定量分析。調(diào)制用適當(dāng)氘代氯仿等稀釋預(yù)先測(cè)定了質(zhì)量的1，1，2，2_四溴乙烷(以下簡(jiǎn)稱TBE)的內(nèi)標(biāo)溶液。在上述分取的試樣中添加上述TBE內(nèi)標(biāo)溶液，對(duì)該試驗(yàn)溶液進(jìn)行1H-NMR測(cè)定。然后，使用所得的1H-NMR譜的與在前體時(shí)刻為碳-碳雙鍵基團(tuán)的(不論在測(cè)定時(shí)刻是否以碳-碳雙鍵基團(tuán)存在)碳上所鍵合的氫相對(duì)應(yīng)的峰的峰面積和與作為內(nèi)標(biāo)添加的TBE的氫(質(zhì)子、H)相對(duì)應(yīng)的峰面積的面積比率，計(jì)算導(dǎo)電層的基質(zhì)質(zhì)量中的碳-碳雙鍵基團(tuán)的量，使用該量計(jì)算交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率。
[0091]另外，對(duì)于用于本發(fā)明的基質(zhì)，(iii)利用FT-1R-ATR (衰減全反射、AttenuatedTotal Reflectance)法求出的所述基質(zhì)的碳-碳雙鍵伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度vl與碳-氫單鍵(C-H)伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2滿足V I/ V 2≥0.2的關(guān)系。通過(guò)v I/ v 2為v I/v2≥0.2，可以縮短圖案加工處理所需的時(shí)間。V I/V 2優(yōu)選V I/v2≥0.23，較優(yōu)選v I/v2≥0.25，更優(yōu)選vl/v2≥0.28，這樣的話，可以進(jìn)一步縮短圖案加工處理所需的時(shí)間。碳-碳雙鍵伸縮振動(dòng)的峰因基質(zhì)成分的結(jié)構(gòu)而有可能稍有前后位移，但出現(xiàn)在1650~1600cm-1的波數(shù)區(qū)域，另外，碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰也是同樣的因基質(zhì)成分的結(jié)構(gòu)而有可能稍有前后位移，但出現(xiàn)在3000?2800CHT1的波數(shù)區(qū)域，所以以存在于各波數(shù)區(qū)域的對(duì)應(yīng)的峰的極大值作為V I及V 2的值計(jì)算V I/V 2。需要說(shuō)明的是，通過(guò)其他途徑僅對(duì)基材同樣地求出并確認(rèn)光譜時(shí)，vl或v2與來(lái)自基材的峰重合時(shí)，用下述方法僅對(duì)基材同樣地求出光譜，求出與所得的導(dǎo)電層合體的光譜的差光譜，從該差光譜以存在于上述各波數(shù)區(qū)域的相對(duì)應(yīng)的峰的極大值為vl及V 2的值計(jì)算V I/V 2。
[0092]此處，對(duì)于用于求出基質(zhì)的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度vl與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度v2的FT-1R-ATR法來(lái)說(shuō)，如下所述進(jìn)行測(cè)定。在傅利葉轉(zhuǎn)換紅外分光光度計(jì)(例如FTS-55A (Bio-Rad Diglab制))設(shè)置Ge結(jié)晶作為ATR結(jié)晶，將試樣的導(dǎo)電側(cè)(本發(fā)明中是層合導(dǎo)電層或圖案化導(dǎo)電層的一側(cè))壓接于ATR結(jié)晶。然后，在氮?dú)庀略跍y(cè)定范圍4000?600CHT1之間以分解能2CHT1、累計(jì)次數(shù)512次進(jìn)行測(cè)定。然后，由所得的分光光譜，將碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰及碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰分別進(jìn)行歸屬。歸屬的各峰強(qiáng)度中極大值的值分別為vl及v2，計(jì)算vl/v2。同樣，以共計(jì)10個(gè)等級(jí)進(jìn)行測(cè)定，算出共計(jì)10處的平均值，將該值作為本發(fā)明的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V I與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度v2的比vl/v2。需要說(shuō)明的是，另外僅針對(duì)基材同樣地求出并確認(rèn)光譜時(shí)，V I及/或V 2與來(lái)自基材的峰重合時(shí)，僅對(duì)基材同樣地求出光譜，并求出該基材光譜與導(dǎo)電層合體的光譜的差光譜，由該差光譜以存在于上述各波數(shù)區(qū)域的相對(duì)應(yīng)的峰的極大值為vl及V 2的值計(jì)算V I/V 2。
[0093]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體及圖案化導(dǎo)電層合體中，(iv)導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度τ(以后有時(shí)簡(jiǎn)單記載為表面平均厚度Τ)優(yōu)選為70?lOOOnm。此處，所謂表面平均厚度T，是圖4所示的符號(hào)21所代表的不存在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的部分的厚度的代表值，如下所述定義。首先，對(duì)于I個(gè)檢體，準(zhǔn)備10個(gè)視野份的包含由不同的部分得到的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的圖像。對(duì)于I個(gè)視野，測(cè)定從金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的兩端分別距離平均徑r的2處(符號(hào)21)的厚度，計(jì)算其平均值，求出導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面厚度t。同樣，對(duì)于共計(jì)10個(gè)視野，求出表面厚度t，以其平均值作為導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T。需要說(shuō)明的是，測(cè)定時(shí)，選擇能確保三位有效數(shù)字的倍率，計(jì)算時(shí)，對(duì)第四位數(shù)字進(jìn)行四舍五入來(lái)求出值。如果采用本發(fā)明的基質(zhì)的成分且作為表面平均厚度T采取上述范圍，則不存在如上所述導(dǎo)電層剝離、導(dǎo)電性降低等問(wèn)題，形成了所希望的圖案，并且還可以縮短該圖案加工處理所需的時(shí)間。表面平均厚度T小于70nm時(shí)，對(duì)圖案化處理的抗性不足，有時(shí)發(fā)生下述問(wèn)題:難以滿足上述(ii)項(xiàng)(非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的圖案化導(dǎo)電層合體的利用熒光X射線獲得的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬量是導(dǎo)電區(qū)域(A)中的圖案化導(dǎo)電層合體的利用熒光X射線獲得的金屬量的0.5?0.9倍);或者導(dǎo)電層剝離、隨之而發(fā)生的得不到所希望的圖案等。另外，表面平均厚度T比IOOOnm厚時(shí)，有時(shí)賦予過(guò)多的抗性，圖案化所需的處理時(shí)間反而增加。另夕卜，有時(shí)圖案化所需的處理時(shí)間變長(zhǎng)而導(dǎo)致在導(dǎo)電區(qū)域金屬類線狀結(jié)構(gòu)體被腐蝕而減少，發(fā)生導(dǎo)電性降低，或者在非導(dǎo)電區(qū)域處理劑的成分無(wú)法到達(dá)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，導(dǎo)電成分除去不充分，因而導(dǎo)致圖案間發(fā)生短路等，從而無(wú)法用作電極部件。表面平均厚度T較優(yōu)選IOOnm ?500nm,更優(yōu)選 IOOnm ?350nm,最優(yōu)選 150nm ?250nm。為 IOOnm ?500nm 時(shí)，可以進(jìn)一步縮短圖案化所需的處理時(shí)間，為IOOnm?350nm時(shí)，可以縮短圖案化所需的處理時(shí)間，同時(shí)變得更容易獲得低表面電阻值，并且，為150nm?250nm時(shí)，即使導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性稍高，導(dǎo)電層合體也穩(wěn)定，容易獲得低表面電阻值。需要說(shuō)明的是，表面平均厚度T利用下面描述的實(shí)施例的“(6)導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)的基質(zhì)的表面平均厚度T、金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r”所述的方法來(lái)獲得。
[0094]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體中，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r與導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T優(yōu)選滿足1.8 ≤ T/r≤ 10的關(guān)系。采取上述范圍時(shí)，圖案化所需的處理時(shí)間縮短且可以獲得低表面電阻值。對(duì)于T/r來(lái)說(shuō)，較優(yōu)選2.2≤T/r ≤ 6，更優(yōu)選3.5≤ T/r≤ 5。需要說(shuō)明的是，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體根據(jù)其材質(zhì)、平均徑r的大小、基質(zhì)的種類等，除在導(dǎo)電層內(nèi)均勻分散且單一存在的情況之外，有時(shí)形成聚集體而存在。所謂聚集體，例如可以是在金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的配置的方向性方面沒(méi)有規(guī)則性且無(wú)規(guī)地聚集的狀態(tài)，還可以是金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)軸方向的面彼此平行地聚集的狀態(tài)。作為長(zhǎng)軸方向的面彼此平行聚集的狀態(tài)的例子，已知稱為線群的聚集體，金屬類線狀結(jié)構(gòu)體也可以具有類似的線群結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明中的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r在形成所述聚集體的情況下也指金屬類線狀結(jié)構(gòu)體單一的徑的平均。
[0095][(ii)導(dǎo)電區(qū)域(A)與非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬含量的比]
[0096]本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體中，非導(dǎo)電區(qū)域(B)的利用熒光X射線獲得的金屬含量是所述導(dǎo)電區(qū)域(A)的利用熒光X射線獲得的金屬含量的0.5~0.9倍。通過(guò)采取這樣的導(dǎo)電區(qū)域(A)與非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬含量的比，能形成圖案非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0097]使用目前使用的通常的導(dǎo)電層即摻錫氧化銦(以下為ΙΤ0)等的導(dǎo)電性薄膜層的導(dǎo)電層合體時(shí)，ITO等導(dǎo)電材料如果不完全除去，則無(wú)法形成非導(dǎo)電區(qū)域(B)，導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域的光學(xué)特性的差變大，圖案的識(shí)別性高。
[0098]與此相對(duì)，本發(fā)明中，通過(guò)在非導(dǎo)電區(qū)域(B)也存在特定量的金屬，形成導(dǎo)電區(qū)域(A)與非導(dǎo)電區(qū)域(B)的光學(xué)特性的差小且圖案的非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0099]關(guān)于所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)的利用熒光X射線獲得的金屬含量，與所述導(dǎo)電區(qū)域(A)的利用熒光X射線獲得的金屬含量的比優(yōu)選為0.7~0.9倍，較優(yōu)選為0.8~0.9倍。進(jìn)而，所述導(dǎo)電區(qū)域(A)中的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz1與所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz2優(yōu)選滿足0.8≤Hz1Ak2≤1.5的關(guān)系。通過(guò)采取上述范圍，圖案化導(dǎo)電層合體的圖案非識(shí)別性與導(dǎo)電性優(yōu)異，且能得到?jīng)]有著色的透射光，所以在應(yīng)用于特別是觸控面板、液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光、電子紙等的與顯示器相關(guān)的產(chǎn)品時(shí)，可以在其顯示畫面中鮮明地顯示出圖像，故而可以優(yōu)選使用。
[0100][導(dǎo)電層的形成方法]
[0101]作為在基材上形成本發(fā)明的導(dǎo)電層的方法，根據(jù)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體、基質(zhì)的種類選擇最佳的方法即可，可以舉出澆鑄、旋涂、浸涂法、棒涂、噴霧、刮刀涂布、縫模涂布(slitdie coat)、凹版涂布、反向涂布法、絲網(wǎng)印刷、鑄模涂布、轉(zhuǎn)印、噴墨等濕式涂布法等通常的方法。其中，優(yōu)選可以均勻地層合導(dǎo)電層且不易使基材受損的縫模涂布、或者使用了可以使導(dǎo)電層均勻且生產(chǎn)率良好地形成的微型凹版的濕式涂布法。需要說(shuō)明的是，在基材上形成導(dǎo)電層時(shí)，可以將具有由導(dǎo)電材料(金屬類線狀結(jié)構(gòu)體)形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電成分預(yù)先配置在基材上后，配置基質(zhì)，與導(dǎo)電成分進(jìn)行復(fù)合化，由此形成導(dǎo)電層；還可以預(yù)先混合導(dǎo)電材料與基質(zhì)制成導(dǎo)電基質(zhì)組合物，將該導(dǎo)電基質(zhì)組合物層合在基材上，從而形成含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層。需要說(shuō)明的是，上述導(dǎo)電材料可以由單一的原料形成，也可以是多種原料的混合物?；|(zhì)也同樣，可以由單一的原料形成，也可以是多種原料的混合物。
[0102]本發(fā)明中的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層的基質(zhì)是將由具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單體、低聚物、聚合物形成的組合物以該碳-碳雙鍵基團(tuán)內(nèi)的碳-碳雙鍵為反應(yīng)點(diǎn)進(jìn)行聚合反應(yīng)，由此形成碳-碳單鍵而得到的高分子。在本說(shuō)明書(shū)中，將上述情況下利用聚合反應(yīng)的基質(zhì)的形成記為固化。作為將所述由具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單體、低聚物、聚合物形成的組合物進(jìn)行固化的方法，可以舉出熱固化、照射紫外光、可見(jiàn)光、電子射線等活性電子射線進(jìn)行的光固化(以下統(tǒng)稱為光固化)。在加熱固化的情況下，在固化開(kāi)始溫度加熱整個(gè)體系需要時(shí)間，而在光固化的情況下，使其含有下述之類的光固化的引發(fā)劑(以下記載為光引發(fā)劑)，對(duì)此照射活性電子射線從而可以在整個(gè)體系中同時(shí)產(chǎn)生活性種，所以可以縮短固化開(kāi)始所需的時(shí)間，故而也可以縮短固化時(shí)間。基于上述理由，較優(yōu)選光固化。
[0103]此處，所謂光引發(fā)劑，是指吸收紫外區(qū)域的光、可見(jiàn)區(qū)域的光、電子射線等活性電子射線，生成使反應(yīng)開(kāi)始的活性種即自由基種、陽(yáng)離子種、陰離子種等活性種，使化學(xué)反應(yīng)開(kāi)始的物質(zhì)。作為能使用的光引發(fā)劑，例如可以舉出二苯甲酮、羥基二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮等二苯甲酮系、芐基二甲基縮酮等苯偶姻系、1-羥基-環(huán)己基-苯基酮、2-羥基2-甲基-1-苯基-1-丙酮、2-甲基I [4-(甲基硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、2-芐基-2- 二甲基氨基-1- (4-嗎啉代苯基)-1_ 丁酮等α-羥基酮類、α-氨基酮類、異丙基噻噸酮、2-4-二乙基噻噸酮等噻噸酮類、甲基苯基乙醛酸等，從極大吸收波長(zhǎng)的值、吸光度、色澤、著色程度等觀點(diǎn)來(lái)看，可以使用上述光引發(fā)劑中的I種或組合2種以上進(jìn)行使用。作為上述光引發(fā)劑的市售品，作為1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮，可以舉出Ciba “IRGA⑶RE”(注冊(cè)商標(biāo))184 (汽巴日本(株)制)，作為2-甲基I [4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮，可以舉出Ciba “ IRGA⑶RE”(注冊(cè)商標(biāo))907 (汽巴日本(株)制)，作為2-芐基-2-二甲基氨基-1- (4-嗎啉代苯基)-1-丁酮，可以舉出Ciba “IRGA⑶RE”(注冊(cè)商標(biāo))369 (汽巴日本(株)制)等。
[0104]進(jìn)而，作為使本發(fā)明的基質(zhì)滿足表示所述高分子化的反應(yīng)程度的V I/ v2 > 0.2的關(guān)系(iii)或(1-2)的關(guān)系的方法，可以舉出根據(jù)基質(zhì)的種類、性質(zhì)適當(dāng)選擇所述活性電子射線的種類，另外，基于所述選擇的所述活性電子射線的種類使其含有單獨(dú)一種所述光引發(fā)劑或吸收波長(zhǎng)區(qū)域不同的2種以上的所述光引發(fā)劑，進(jìn)而調(diào)整所述活性電子射線的照射量等方法，通過(guò)將其進(jìn)行適當(dāng)組合，可以獲得本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。特別是所述調(diào)整活性電子射線的照射量的方法比較容易實(shí)施，所以優(yōu)選使用。調(diào)整照射量的方法可以通過(guò)改變釋放所述活性電子射線的燈等釋放物的條件(輸出條件等)來(lái)比較容易地控制。此外，也可以改變所述燈等釋放物與非照射物的照射距離、調(diào)整制造本發(fā)明的導(dǎo)電層合體時(shí)非照射物的搬送速度縮短照射時(shí)間，從而控制累積計(jì)算的照射量。所述活性電子射線的累積計(jì)算的照射量?jī)?yōu)選300mJ/cm2以下,較優(yōu)選150mJ/cm2以下,更優(yōu)選100mJ/cm2以下。采取上述范圍時(shí)，可以容易使導(dǎo)電層的基質(zhì)滿足(iii)或(1-2)的關(guān)系。所述活性電子射線的累積計(jì)算的照射量的下限值沒(méi)有特別限定，低于lmj/cm2時(shí)，有時(shí)發(fā)生基質(zhì)的固化不足等不良的情況，優(yōu)選lmj/cm2以上。另外，照射所述活性電子射線時(shí)，設(shè)定成在被氮、氬等惰性氣體置換的氣氛下、脫氧的氣氛下等降低氧濃度的特定氣氛下的方法也是有效的，優(yōu)選在降低氧濃度的特定的氣氛下為所述活性電子射線的累積計(jì)算的照射量。
[0105][圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法]
[0106]本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體中，使非導(dǎo)電區(qū)域(B)如上所述滿足(II)非導(dǎo)電區(qū)域(B)中利用熒光X射線定量的金屬成分的量是在導(dǎo)電區(qū)域(A)中利用熒光X射線定量的金屬成分的量的0.5~0.9倍的關(guān)系，以滿足上述關(guān)系的方式制造圖案化導(dǎo)電層合體的方法沒(méi)有特別限定，例如可以舉出下面的方法(I)~(3)。
[0107](I)分別個(gè)別地形成導(dǎo)電區(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)的方法[0108]形成導(dǎo)電區(qū)域(A)、非導(dǎo)電區(qū)域(B)各自的區(qū)域時(shí)，可以采用各種方法(例如絲網(wǎng)印刷、鑄模涂布、轉(zhuǎn)印、噴墨法、浸涂法法、孔板印刷法、墊料印刷法、噴涂等)。此時(shí)，可以在基材上同時(shí)形成導(dǎo)電區(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)，另外，也可以形成其中一個(gè)區(qū)域后再形成另一個(gè)區(qū)域。上述情況的導(dǎo)電區(qū)域(A)的形成方法可以應(yīng)用下述的[導(dǎo)電層的形成方法]。另外，非導(dǎo)電區(qū)域(B)中，使用金屬類線狀結(jié)構(gòu)體作為金屬類成分時(shí)，使用金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的含有濃度低的物質(zhì)作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用線狀結(jié)構(gòu)體以外的物質(zhì)作為金屬類成分時(shí)，使形狀為金屬彼此難以接觸的球狀，由此可以離開(kāi)金屬類成分彼此的接點(diǎn)形成孤立分散的狀態(tài)，從而可以獲得非導(dǎo)電性。
[0109](2)分別個(gè)別地形成導(dǎo)電區(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)的方法(其他方法)
[0110]可以舉出下述方法，即預(yù)先僅將導(dǎo)電成分層合在基材的一個(gè)面的整面上后，在圖案化層合體中，僅在應(yīng)制成導(dǎo)電區(qū)域(A)的區(qū)域涂布用于形成基質(zhì)的組合物進(jìn)行固化后，在圖案化層合體中用下面描述的蝕刻液等除去應(yīng)制成非導(dǎo)電區(qū)域(B)的區(qū)域的導(dǎo)電材料。然后，在除去了導(dǎo)電成分的應(yīng)制成非導(dǎo)電區(qū)域的區(qū)域涂布用于形成非導(dǎo)電區(qū)域的涂劑進(jìn)行固化的方法。
[0111](3)整個(gè)面形成導(dǎo)電層后，利用蝕刻形成非導(dǎo)電區(qū)域的方法
[0112]可以舉出下述方法，即在基材的整面形成在下面描述的基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電層后，在欲形成非導(dǎo)電區(qū)域(B)的區(qū)域，使下面描述的蝕刻液、蝕刻糊料等處理劑作用來(lái)蝕刻處理導(dǎo)電層，從而切斷導(dǎo)電路徑使金屬成分成為孤立分散的狀態(tài)，使其為非導(dǎo)電性。具體而言，作為蝕刻處理欲形成非導(dǎo)電區(qū)域(B)的區(qū)域的方法，可以舉出下述方法，即在形成導(dǎo)電層后，層疊與圖案對(duì)應(yīng)的防蝕刻層，可以蝕刻防蝕刻層的非層合區(qū)域。切斷導(dǎo)電路徑的方案沒(méi)有特別限定，可以舉出根據(jù)處理劑例如使金屬類線狀結(jié)構(gòu)體一部分溶解或使表面發(fā)生化學(xué)變化由此使接點(diǎn)部或金屬類線狀結(jié)構(gòu)體為絕緣性，從而為非導(dǎo)電性；使金屬類線狀結(jié)構(gòu)體一部分溶解來(lái)切斷金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的一部分等。需要說(shuō)明的是，在所述導(dǎo)電層中，利用所述操作使成為非導(dǎo)電區(qū)域的部分以外為導(dǎo)電區(qū)域。
[0113]本發(fā)明中，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整?改變蝕刻的條件，比較容易得到采取上述范圍的圖案化導(dǎo)電層合體，從生產(chǎn)率、成本的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選方法(3)。作為調(diào)整.改變的蝕刻的條件，例如可以舉出蝕刻液的種類、蝕刻液的組成或成分比率、蝕刻液的pH (酸性、堿性)、蝕刻液的濃度、蝕刻的處理時(shí)間、蝕刻的處理溫度(蝕刻液的溫度)、蝕刻液的攪拌等，可以組合上述條件進(jìn)行調(diào)整。
[0114]在以下的說(shuō)明中，將在基材上形成有導(dǎo)電層的狀態(tài)的層合體記作導(dǎo)電層合體；將基于圖案蝕刻導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層，將導(dǎo)電層制成了非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的層合體記作圖案化導(dǎo)電層合體；將圖案化導(dǎo)電層合體的非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域總稱并記作圖案化導(dǎo)電層。
[0115][處理劑]
[0116]作為用于上述圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法中的方法(3)的處理劑，可以舉出含有酸或堿成分的溶液即蝕刻液、含有酸或堿成分的半固態(tài)的蝕刻糊料。通過(guò)含有酸或堿成分，選擇性地除去導(dǎo)電層上的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，變得容易控制非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的金屬量，從而變得容易得到圖案非識(shí)別性高的圖案化導(dǎo)電層合體。
[0117]作為酸，例如可以舉出甲酸、乙酸、丙酸等單羧酸、乙二酸、琥珀酸、酒石酸、丙二酸等二元羧酸、檸檬酸、丙三羧酸等三元羧酸、甲磺酸等烷基磺酸、苯磺酸等苯基磺酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸、苯酚磺酸、硝基苯磺酸、苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸等磺酸化合物、三氟乙酸等將有機(jī)酸部分氟化所得的衍生物、硫酸、鹽酸、硝酸及磷酸等無(wú)機(jī)酸。可以混合2種以上上述酸進(jìn)行使用。另外，堿例如可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銫、氫氧化四甲基銨、氫氧化鋇、胍、氫氧化三甲基锍、乙醇鈉、二氮雜雙環(huán)十一烯、肼、磷腈、前氮磷川(proazaphosphatrane)、乙醇胺、乙二胺、三乙胺、三辛胺、具有氨基的燒氧基娃燒等。可以混合2種以上上述堿成分進(jìn)行使用。
[0118][蝕刻液]
[0119]在本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法中所用的蝕刻液包含所述酸或堿成分中的至少I種和溶劑。蝕刻液所含的所述酸或堿的含量相對(duì)于蝕刻液總質(zhì)量為I?40質(zhì)量％，較優(yōu)選為10?25質(zhì)量％。但是，不限定于該范圍，可以根據(jù)酸或堿的分子量、產(chǎn)生的酸或堿的量、除去的導(dǎo)電層的材質(zhì)或膜厚、加熱溫度或加熱時(shí)間適當(dāng)選擇。
[0120]進(jìn)而，蝕刻液中除所述酸或堿成分以外，還優(yōu)選含有溶劑、氧化劑。
[0121]蝕刻液通過(guò)含有溶劑而變得容易控制蝕刻的時(shí)間、速度，可以容易形成金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬量采取上述范圍的非導(dǎo)電區(qū)域(B)。作為溶劑的具體例，可以代表性地使用的是水，此外，可以舉出甲醇、乙醇、I，2-丙二醇、正丁醇、松油醇、乙?；捎痛肌⒍』ū卮?、乙基溶纖劑、乙二醇、三甘醇、四甘醇、丙三醇等醇類、乙酸乙酯、乙酸丁酯等乙酸酯類、丙酮、苯乙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類、甲苯、二甲苯、芐基醇等芳香族烴類、三乙二醇單丁基醚等乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、乙二醇單芳基醚類、聚乙二醇單芳基醚類、丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、Y-丁內(nèi)酯、溶劑石腦油、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酸三酰胺、二甲基乙撐脲、N，N’_ 二甲基丙撐脲、四甲基脲等?？梢曰旌仙鲜鋈軇┲械?種以上進(jìn)行使用。
[0122]蝕刻液通過(guò)含有氧化劑而可以進(jìn)一步縮短蝕刻的時(shí)間，變得容易在短時(shí)間形成采取上述范圍的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬量的非導(dǎo)電區(qū)域(B)。作為氧化劑的具體例，可以舉出氧化錳(IV) (二氧化錳、Μη02)、氧化鉛(IV) (二氧化鉛、Pb02)、氧化銅(II) (CuO)、氧化銀
(I)(Ag2O)等氧化物類、過(guò)氧化氫(H2O2)、過(guò)氧化鈉(Na2O2)、過(guò)氧化鋇(BaO2)、過(guò)硫酸(H2SO5)等過(guò)氧化物類、硝石、鹽酸鹽、次氯酸鹽、碘酸鹽、溴酸鹽、鉻酸鹽、高錳酸鹽、釩酸鹽、鉍酸鹽等含氧酸的鹽類、氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(12)、臭氧(O3)等單體。進(jìn)而，可以是結(jié)構(gòu)內(nèi)的一部分具有上述化合物、單體、或其他化合物的復(fù)合物，例如可以舉出過(guò)碳酸鈉(2Na2C03/3H202)等加成化合物類、過(guò)硫酸氫鉀(KHSO5) 2摩爾與硫酸氫鉀(KHSO4) I摩爾和硫酸鉀(K2SO4) I摩爾構(gòu)成的作為三重鹽(triple salt)的過(guò)硫酸鹽(2KHS05.KHSO4.K2SO4)等復(fù)鹽類?？梢曰旌仙鲜鑫镔|(zhì)中的2種以上進(jìn)行使用。
[0123]本發(fā)明中，使用由酸和氧化劑的混合物形成且滿足下述(III)?(IV)的蝕刻液，在30?60°C下加熱進(jìn)行圖案化處理，由此可以進(jìn)一步縮短蝕刻時(shí)間，能提高本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的生產(chǎn)率、降低成本，所以較為優(yōu)選。
[0124](III)酸/氧化劑的摩爾比率為1500/1?1/2。
[0125](IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度為10?40質(zhì)量％。
[0126]推測(cè)蝕刻液由酸與氧化劑的混合物形成，由此在氧化劑的作用下，酸可以更有效地除去作為導(dǎo)電成分的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體。作為酸優(yōu)選的是上述酸的例子中的鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、乙二酸，另外，作為氧化劑優(yōu)選的是過(guò)氧化氫，可以優(yōu)選使用組合上述酸與過(guò)氧化氫得到的混合物。
[0127]另外，(III)酸/氧化劑的摩爾比率為1500/1?1/2且(IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度為10?40質(zhì)量％時(shí)，由于可以進(jìn)一步縮短蝕刻時(shí)間同時(shí)容易調(diào)整蝕刻時(shí)間，所以圖案化導(dǎo)電層合體的生產(chǎn)率進(jìn)一步提高，故而優(yōu)選。(III)酸/氧化劑的摩爾比率可以根據(jù)使用的酸、氧化劑的種類以及下述的(IV)所記載的酸與氧化劑的合計(jì)濃度來(lái)適當(dāng)調(diào)整，優(yōu)選1000/1?6/1、較優(yōu)選600/1?6/1、更優(yōu)選300/1?20/1。另外，(IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度與使用的酸、氧化劑的種類、酸/氧化劑的摩爾比率相對(duì)應(yīng)地在所述范圍適當(dāng)調(diào)整即可，優(yōu)選15?40質(zhì)量％，更優(yōu)選20?40質(zhì)量％。(IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度大于40質(zhì)量％時(shí)，有時(shí)蝕刻速度變得極快而難以控制蝕刻，有時(shí)難以滿足所述(II)項(xiàng)(非導(dǎo)電區(qū)域(B)中的圖案化導(dǎo)電層合體的利用熒光X射線獲得的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的金屬量是導(dǎo)電區(qū)域(A)中的圖案化導(dǎo)電層合體的利用熒光X射線獲得的金屬量的0.5?0.9倍)，優(yōu)選40質(zhì)量％以下。(IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度能通過(guò)適當(dāng)增減所述溶劑來(lái)調(diào)整。作為使用的溶劑，特別優(yōu)選與所述溶劑的例子中的酸、氧化劑的相溶性良好的水，進(jìn)而，通過(guò)與水一起添加少量甲醇、乙醇、I，2-丙二醇、正丁醇，也可以調(diào)整蝕刻液的適用期(pot life,壽命)。
[0128]另外，用滿足(III)?(IV)的蝕刻液在30?60°C下加熱進(jìn)行圖案化處理，酸及氧化劑的成分更容易發(fā)揮作用，可以縮短蝕刻時(shí)間，所以優(yōu)選。加熱溫度與使用的酸、氧化劑的種類、酸/氧化劑的摩爾比率、酸與氧化劑的合計(jì)濃度相對(duì)應(yīng)地適當(dāng)調(diào)整即可，但為了容易控制蝕刻液溫度，優(yōu)選為40?50°C。加熱溫度的上限值及下限值沒(méi)有特別限定，但低于30°C時(shí)，有時(shí)難以在低溫下控制，或有時(shí)蝕刻液成分的作用或滲透變緩，故優(yōu)選30°C以上，超過(guò)60°C時(shí)，與作為導(dǎo)電成分的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體作用之前，酸、氧化劑彼此過(guò)度反應(yīng)，或者酸、氧化劑、溶劑揮發(fā)而導(dǎo)致蝕刻液的濃度發(fā)生變化，或者蝕刻液的適應(yīng)期(壽命)發(fā)生惡化。
[0129][蝕刻糊料]
[0130]制造本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體時(shí)可以使用的蝕刻糊料的所述酸或堿的含量在除去溶劑后的成分中為I?80質(zhì)量％，較優(yōu)選為10?70質(zhì)量％，更優(yōu)選為20?70質(zhì)量％。但是，并不限定于該范圍，可以根據(jù)化合物的分子量、產(chǎn)生的酸或堿的量、所除去的導(dǎo)電層的材質(zhì)或膜厚、加熱溫度或加熱時(shí)間適當(dāng)選擇。
[0131]進(jìn)而，優(yōu)選蝕刻糊料除含有所述酸或堿成分以外還含有溶劑、樹(shù)脂、勻涂劑中的一種以上。[0132]蝕刻糊料的溶劑可以使用與所述蝕刻劑的溶劑相同的溶劑，可以混合上述溶劑的2種以上進(jìn)行使用。溶劑的含量?jī)?yōu)選在蝕刻糊料中為I質(zhì)量％以上，較優(yōu)選為30質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為50質(zhì)量％以上。通過(guò)將溶劑的含量設(shè)定在I質(zhì)量％以上，可以提高蝕刻糊料的流動(dòng)性，從而進(jìn)一步提高涂布性。另一方面，溶劑的含量?jī)?yōu)選為99.9質(zhì)量％以下，較優(yōu)選為95質(zhì)量％以下。通過(guò)將溶劑的含量設(shè)定在99.9質(zhì)量％以下，可以將加熱時(shí)的流動(dòng)性保持在適當(dāng)?shù)姆秶瑥亩梢跃攘己玫鼐S持所希望的圖案。
[0133]蝕刻糊料含有樹(shù)脂時(shí)，可以對(duì)蝕刻糊料賦予非牛頓流動(dòng)性，容易涂布于導(dǎo)電層合體，故而優(yōu)選。另外，可以抑制加熱處理時(shí)的蝕刻糊料的流動(dòng)，提高涂布位置的精度。作為樹(shù)脂，例如可以舉出聚苯乙烯樹(shù)脂、聚丙烯酸樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、氨基甲酸酯樹(shù)脂、苯胍胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、氟樹(shù)脂等?？梢院?種以上上述樹(shù)脂。此外，含有非離子性、陰離子性、兩性離子性、陽(yáng)離子性等親水性樹(shù)脂時(shí)，可以用水、下面描述的堿性水溶液、有機(jī)溶劑的水溶液容易地清洗，從而可以降低除去面的殘留物。
[0134]作為上述親水性樹(shù)脂，可以舉出聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酸酯、聚二烷基氨基乙基丙烯酸酯、聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酰胺、聚二烷基氨基乙基丙烯酰胺、聚環(huán)氧基胺、聚酰胺胺、雙氰胺-甲醛縮聚物、聚二甲基二烯丙基氯化銨、瓜爾膠羥丙基三甲基氯化銨、聚胺聚酰胺表氯醇、聚乙烯胺、聚烯丙基胺、聚丙烯酰胺(polyacrylamine)、聚季銨鹽_4、聚季銨鹽-6、聚季銨鹽-7、聚季銨鹽-9、聚季銨鹽-10、聚季銨鹽-11、聚季銨鹽-16、聚季銨鹽-28、聚季銨鹽-32、聚季銨鹽-37、聚季銨鹽-39、聚季銨鹽-51、聚季銨鹽-52、聚季銨鹽-44、聚季銨鹽-46、聚季銨鹽-55、聚季銨鹽-68、聚乙烯基吡咯烷酮、親水性聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙基噁唑啉、聚丙烯酸、明膠、羥烷基瓜耳膠、瓜膠、刺槐豆膠、角叉菜膠、海藻酸、阿拉伯樹(shù)膠、果膠、黃原膠、纖維素、乙基纖維素、羥丙基纖維素、羧基甲基纖維素、羧基甲基羥基乙基纖維素鈉、丙烯酰胺類共聚合物、聚乙烯亞胺、聚胺锍、聚乙烯基吡啶以及它們的改性物等。上述親水性樹(shù)脂具有高溶解性，從而在加熱處理后，在利用使用液體的清洗來(lái)除去導(dǎo)電層的工序中可以短時(shí)間除去導(dǎo)電層，故而優(yōu)選。例如，聚季銨鹽-10在側(cè)鏈末端具有三甲基銨基，所以在酸性條件下，三甲基銨基陽(yáng)離子化，利用靜電排斥的作用而顯示高溶解性，另外，難以因加熱而導(dǎo)致脫水縮聚，在加熱后也保持高溶劑溶解性。因此，加熱處理后，在利用使用液體的清洗來(lái)除去導(dǎo)電層的工序中，可以短時(shí)間除去導(dǎo)電膜，故而優(yōu)選。蝕刻糊料中的樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選在除去溶劑后的成分中為0.01?80質(zhì)量％。在上述范圍中，為了抑制除去導(dǎo)電層所需的加熱溫度為較低，能縮短加熱時(shí)間，在上述范圍中的樹(shù)脂含量較優(yōu)選在可以維持非牛頓流動(dòng)性的范圍內(nèi)盡量較少者。
[0135]蝕刻糊料可以含有勻涂劑。勻涂劑賦予蝕刻糊料高浸透力，使得金屬類線狀結(jié)構(gòu)體容易被蝕刻。勻涂劑優(yōu)選具有使除去劑的表面張力降低至低于50mN/m的性質(zhì)的化合物。需要說(shuō)明的是，如果是具有使表面張力降低至低于50mN/m的性質(zhì)的化合物，則即使是高分子化合物，也被分類為勻涂劑。作為勻涂劑的具體例，可以舉出改性聚丙烯酸酯等丙烯酸類化合物或丙烯酸類樹(shù)脂、分子骨架具有雙鍵的乙烯基系化合物或乙烯基類樹(shù)脂、烷基氧基甲硅烷基及/或具有聚硅氧烷骨架等的有機(jī)硅類化合物或有機(jī)硅類樹(shù)脂、具有氟烷基及/或氟苯基等的氟類化合物或氟類樹(shù)脂等。根據(jù)基質(zhì)的表面的材質(zhì)、極性狀態(tài)，可以適當(dāng)選擇使用這些物質(zhì)，但具有氟烷基及/或氟苯基等的氟類化合物或氟類樹(shù)脂由于表面張力降低能力強(qiáng)，所以特別優(yōu)選使用。從在導(dǎo)電層合體的潤(rùn)濕性或流平性等表面活性能和所得涂膜的酸或堿的含量的平衡來(lái)看，勻涂劑的含量?jī)?yōu)選在除去溶劑的成分中為0.0Ol?10質(zhì)量％，較優(yōu)選為0.01?5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05?3質(zhì)量％。
[0136]進(jìn)而，蝕刻糊料根據(jù)目的可以含有氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等無(wú)機(jī)微粒、可以賦予觸變性的觸變劑、防帶電劑、消泡劑、粘度調(diào)節(jié)劑、耐光穩(wěn)定劑、耐氣候劑、耐熱劑、抗氧化劑、防銹劑、滑爽劑、臘、脫模劑、相溶化劑、分散劑、分散穩(wěn)定劑、流變控制劑等。
[0137]對(duì)于使用蝕刻糊料蝕刻本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的方法，舉例說(shuō)明。對(duì)本發(fā)明中的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)的欲除去部分涂布蝕刻糊料。蝕刻糊料不論導(dǎo)電層合體的種類、大小、形狀，可以使用已知的方法進(jìn)行涂布。作為涂布方法，例如可以舉出絲網(wǎng)印刷法、分配器法、孔板印刷法、墊料印刷法、噴霧涂布法、噴墨法、微型凹版印刷法、刮刀涂布法、旋涂法、縫模涂布法、輥涂法、幕簾涂布法、流涂法等，但并不限于此。然后，對(duì)涂布了蝕刻糊料的導(dǎo)電層合體進(jìn)行加熱處理。加熱處理溫度優(yōu)選為比所述溶劑以外的成分的沸點(diǎn)低的溫度，優(yōu)選為80?200°C。通過(guò)在所述溫度范圍進(jìn)行加熱處理，涂布有蝕刻糊料的部分的導(dǎo)電成分被溶解或分解，被可溶化。加熱處理的方法根據(jù)目的、用途來(lái)選擇，例如可以舉出熱塊、熱風(fēng)烘箱、紅外線烘箱、頻率300兆赫?3太赫茲的微波照射等，但并不限定于此。然后，加熱處理后，利用使用液體的清洗除去蝕刻糊料和導(dǎo)電成分的溶解或分解的物質(zhì)，得到所希望的圖案。在清洗工序中使用的液體優(yōu)選蝕刻糊料所含的樹(shù)脂能溶解的液體，具體而言，可以舉出丙酮等酮類、甲醇等醇類、四氫呋喃等有機(jī)溶劑，可以舉出含有所述有機(jī)溶劑的水溶液、含有氫氧化鈉、乙醇胺、三乙基胺等的堿性水溶液、純水等，但并不限定于此。在清洗工序中為了沒(méi)有殘留物地清洗，可以將所述液體加熱到25?100°C進(jìn)行使用。
[0138][加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體]
[0139]本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體是進(jìn)一步在60?150°C下加熱處理30秒?10分鐘得到的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體，由此圖案非識(shí)別性進(jìn)一步提高，圖案部分變得更難識(shí)別。加熱處理方法可以根據(jù)目的、用途選擇，例如可以舉出熱塊、熱風(fēng)烘箱、紅外線烘箱、頻率為300兆赫?3太赫茲的微波照射等，但并不限定于此。
[0140]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體與圖案化導(dǎo)電層合體優(yōu)選從所述導(dǎo)電層側(cè)入射時(shí)基于JISK7361-1 (1997年)的全部光線透過(guò)率優(yōu)選為80%以上。作為透明導(dǎo)電層合體組合本發(fā)明的導(dǎo)電層合體及/或圖案化導(dǎo)電層合體而獲得的觸控面板顯示優(yōu)異的透明性，可以鮮明地識(shí)別設(shè)置在使用該透明導(dǎo)電層合體的觸控面板下層的顯示器的顯示。所謂本發(fā)明的透明性，是指從所述導(dǎo)電層側(cè)入射時(shí)基于JIS K7361-1 (1997年)的全部光線透過(guò)率為80%以上，優(yōu)選為85%以上，較優(yōu)選為90%以上。作為提高全部光線透過(guò)率的方法，例如可以舉出提高使用的基材的全部光線透過(guò)率的方法、進(jìn)一步減小所述導(dǎo)電層的膜厚的方法、另外以使導(dǎo)電層為光學(xué)干涉膜的方式進(jìn)行層合的方法等。
[0141]作為提高基材的全部光線透過(guò)率的方法，可以舉出減小基材的厚度的方法、或者選擇全部光線透過(guò)率大的材質(zhì)的基材的方法。本發(fā)明的透明導(dǎo)電層合體的基材可以優(yōu)選使用可見(jiàn)光線的全部光線透過(guò)率高的基材，具體而言，是基于JIS K7361-1 (1997年)的全部光線透過(guò)率為80%以上的基材，較優(yōu)選具有90%以上的透明性的基材。作為基于JISK7361-1 (1997年)的全部光線透過(guò)率為80%以上的基材(以下簡(jiǎn)單記為基材)的原料，具體而言，例如可以舉出透明的樹(shù)脂、玻璃等。作為樹(shù)脂，可以舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯硫醚、芳香族聚酰胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類?甲基丙烯酸類樹(shù)脂、脂環(huán)式丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)烯烴樹(shù)脂、三乙?；w維素、ABS、聚乙酸乙烯基酯、三聚氰胺系樹(shù)脂、酚類樹(shù)脂、聚氯乙烯或聚偏二氯乙烯等含有氯元素(Cl元素)的樹(shù)脂、含有氟元素(F元素)的樹(shù)脂、有機(jī)硅類樹(shù)脂及這些樹(shù)脂的混合及/或共聚得到的樹(shù)脂，作為玻璃，可以使用通常的鈉玻璃。另外，也可以組合上述多種基材進(jìn)行使用。例如，可以是組合樹(shù)脂與玻璃得到的基材、層合2種以上樹(shù)脂得到的基材等復(fù)合基材。對(duì)于基材的形狀，即使是厚度為250 μ m以下能卷繞的膜，或是厚度超過(guò)250 μ m的基板，只要在上述全部光線透過(guò)率的范圍就可以。從成本、生產(chǎn)率、操作性等觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選厚度為250 μ m以下的樹(shù)脂膜，較優(yōu)選厚度為190 μ m以下，更優(yōu)選厚度為150 μ m以下，特別優(yōu)選厚度為IOOym以下的樹(shù)脂膜。作為基材使用樹(shù)脂膜時(shí)，可以應(yīng)用將樹(shù)脂未拉伸、單軸拉伸、雙軸拉伸制成膜的基材。上述樹(shù)脂膜中，從對(duì)基材的成形性、透明性等光學(xué)特性、生產(chǎn)率等觀點(diǎn)來(lái)看，可以優(yōu)選應(yīng)用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯膜、或與PEN混合及/或共聚得到的PET膜、聚丙烯膜。
[0142]另外，本發(fā)明中，可以對(duì)基材在與導(dǎo)電側(cè)(本發(fā)明中為層合有導(dǎo)電層的一側(cè))相反的面實(shí)施賦予耐摩耗性、高表面硬度、耐溶劑性、耐污染性等的硬涂處理。
[0143]然后，以下給出以導(dǎo)電層為光學(xué)干涉膜的方式進(jìn)行層合的方法的說(shuō)明。
[0144]導(dǎo)電材料(金屬類線狀結(jié)構(gòu)體)利用其導(dǎo)電成分本身的物性反射或吸收光。因此，為了提高含有設(shè)置在基材上的導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電層合體的全部光線透過(guò)率，如下做法是有效的，即基質(zhì)是透明的材料且以導(dǎo)電層為光學(xué)干涉膜的方式進(jìn)行設(shè)置，并將該光學(xué)干涉膜側(cè)在波長(zhǎng)380~780nm下的平均反射率降低至4%以下，優(yōu)選降至3%以下，較優(yōu)選降至2%以下是有效的。平均反射率為4%以下時(shí)，可以生產(chǎn)率良好地得到用于觸控面板用途等時(shí)的全部光線透過(guò)率80%以上的性能，所以優(yōu)選。
[0145]本發(fā)明的導(dǎo)電層合體與圖案化導(dǎo)電層合體優(yōu)選其導(dǎo)電層側(cè)的表面電阻值為1Χ10°Ω / □以上、1Χ104Ω / □以下，較優(yōu)選為IXlO1Q / □以上、1.5X IO3以下。通過(guò)處于該范圍，可以優(yōu)選作為用于觸控面板的導(dǎo)電層合體使用。即，如果為1Χ10°Ω/ □以上，則可以減少消耗電力，如果為I X IO4 Ω / □以下，則可以減小觸控面板的坐標(biāo)讀取中的誤差的影響。
[0146]本發(fā)明中所用的基材及/或?qū)щ妼又锌梢栽跓o(wú)損本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)添加各種添加劑。作為添加劑，例如可以使用有機(jī)及/或無(wú)機(jī)的微粒、交聯(lián)劑、阻燃劑、阻燃助劑、耐熱穩(wěn)定劑、耐氧化穩(wěn)定劑、勻涂劑、滑爽賦活劑、防帶電劑、紫外線吸收劑、光穩(wěn)劑、成核劑、染料、填充劑、分散劑和偶聯(lián)劑等。
[0147]表示本發(fā)明的觸控面板的一例的剖面模式圖如圖3所示。本發(fā)明的觸控面板是將具有導(dǎo)電層的本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體(例如圖1)單獨(dú)搭載或搭載多張、進(jìn)而與其他部件組合搭載所得的，所述導(dǎo)電層具有由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，作為其例子，可以舉出電阻膜式觸控面板或靜電電容式觸控面板等。本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層含有圖2的符號(hào)5、6、7、8所示的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的任一種或者多種的組合，形成具有符號(hào)10、11、12之類的接點(diǎn)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。搭載本發(fā)明的圖案化導(dǎo)電層合體所成的觸控面板是例如如圖3所示將圖案化導(dǎo)電層合體13用粘合劑等接合層17接合而層合得到的，進(jìn)而有時(shí)設(shè)置觸控面板的畫面?zhèn)鹊幕?8、在觸控面板的畫面?zhèn)鹊幕膶雍系挠餐繉?9。上述觸控面板例如設(shè)置引線和驅(qū)動(dòng)單元等，組裝到液晶顯示器的前表面進(jìn)行使用。
[0148]【實(shí)施例】
[0149]以下，基于實(shí)施例具體說(shuō)明本發(fā)明。但是，本發(fā)明并不限定于下述實(shí)施例。
[0150][評(píng)價(jià)方法]
[0151 ] 首先，說(shuō)明各實(shí)施例和比較例的評(píng)價(jià)方法。
[0152](I)導(dǎo)電成分的結(jié)構(gòu)(形狀)、導(dǎo)電成分的網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)
[0153]使用絕緣電阻計(jì)(三和電氣計(jì)器(株)制、DG6)，在試樣的各面接觸探針，基于有無(wú)通電來(lái)確定試樣的導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域。難以確定時(shí)，使用低電阻率計(jì)Loresta-EP MCP-T360(三菱化學(xué)(株)、或連接有環(huán)型探針(三菱化學(xué)(株)制URS探針MCP-HTP14)的高電阻率計(jì)(三菱化學(xué)(株)制Hiresta-UP MCP-HT450)同樣地評(píng)價(jià)試樣的各位置，確定導(dǎo)電區(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)。
[0154]然后，使用掃描透射電子顯微鏡((株)日立High Technologies制日立掃描透射電子顯微鏡HD-2700)或電場(chǎng)放射型掃描電子顯微鏡(日本電子(株)制JSM-6700-F)以加速電壓3kV、適當(dāng)調(diào)節(jié)觀察倍率和圖像的對(duì)比度以各倍率觀察試樣的導(dǎo)電層側(cè)的表面或?qū)щ妳^(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)的各表面。
[0155]難以用上述方法觀察的情況下，接著使用彩色3D激光顯微鏡((株)KEYENCE制VK-9710)，利用附帶的標(biāo)準(zhǔn)物鏡IOX ((株)尼康制CF IC EPI PlanlOX),20X ((株)尼康制CF IC EPI Plan20X)、50X ((株)尼康制 CF IC EPI Plan Apo50X)、150X ((株)尼康制 CF ICEPI Plan ΑροΙδΟΧΑ)以各倍率觀察導(dǎo)電側(cè)的相同位置的表面，基于其圖像數(shù)據(jù)使用觀察應(yīng)用軟件((株)KEYENCE制VK-HVl)進(jìn)行圖像解析。
[0156](2)基質(zhì)的化合物的鑒定(結(jié)構(gòu)、所含的官能團(tuán)種類)
[0157]從試樣剝離導(dǎo)電層或圖案化導(dǎo)電層(導(dǎo)電區(qū)域(A)及/或非導(dǎo)電區(qū)域(B))，使其溶解在溶解的溶劑中。根據(jù)需要，應(yīng)用硅膠柱色譜法、凝膠滲透色譜法、高效液相色譜法等所代表的通常的色譜法等，將其分離精制成單一物質(zhì)。
[0158]對(duì)由此分離的各物質(zhì)，適當(dāng)進(jìn)行濃縮和稀釋，調(diào)制試樣。然后，使用以下的評(píng)價(jià)方法確定試樣中所含的成分。
[0159]分析方法如下，首先組合組(2i)的分析方法來(lái)進(jìn)行，對(duì)于利用組(2i)的分析無(wú)法檢測(cè)出的成分，組合組(2ii)的分析方法來(lái)進(jìn)行分析。需要說(shuō)明的是，各組的測(cè)定方法從先給出的方法依次應(yīng)用，當(dāng)在先的方法無(wú)法測(cè)出時(shí)使用下一方法。另外，在組合的情況下，也同樣優(yōu)先使用記載在先的方法，優(yōu)先應(yīng)用以較少的組合就可以測(cè)定的方法。
[0160](2i)核磁共振波譜法(1H-NMRj3C-NMI^29S1-NMRj9F-NMRX二維核磁共振波譜法(2D-NMR)、紅外分光光度法(IR)、拉曼光譜法、各種質(zhì)譜法(氣相色譜法-質(zhì)譜法(GC-MS)、熱解氣相色譜法-質(zhì)譜法(熱解GC-MS)、基質(zhì)輔助激光解吸/電離質(zhì)譜(MALD1-MS)、飛行時(shí)間型質(zhì)譜法(T0F-MS)、飛行時(shí)間型基質(zhì)輔助激光解吸/電離質(zhì)譜(MALD1-T0F-MS)、動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Dynamic-SIMS)、飛行時(shí)間型二次離子質(zhì)譜法(T0F-SIMS)、靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Static-SIMS)等)。
[0161](2i i ) X射線衍射法(XRD )、中子衍射法(ND )、低速電子射線衍射法(LEED )、高速反射電子射線衍射法(RHEED)、原子吸收光譜法(AAS)、紫外光電子光譜法(UPS)、俄歇電子光譜法(AES)、X射線光電子光譜法(XPS)、熒光X射線元素分析法(XRF)、電感耦合等離子體發(fā)光光譜法(ICP-AES)、電子射線微分析法(ΕΡΜΑ)、帶電粒子激發(fā)X射線光譜法(PIXE)Jg能離子散射光譜法(RBS或LEIS)、中能離子散射光譜法(MEIS)、高能離子散射光譜法(ISS或HEIS)、凝膠滲透色譜法(GPC)、透射電子顯微鏡-能量分散X射線光譜分析(TEM-EDX)、掃描電子顯微鏡-能量分散X射線光譜分析(SEM-EDX)、氣相色譜(GC)、其他元素分析。
[0162](3)導(dǎo)電成分的鑒定
[0163]首先，用(I)所述的評(píng)價(jià)方法，確定導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電區(qū)域(Α)。然后，以導(dǎo)電成分為對(duì)象，應(yīng)用所述(2)的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行導(dǎo)電成分的鑒定。
[0164](4)交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率
[0165]實(shí)施所述(2)的評(píng)價(jià)方法后，分取所得的導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)的剝離物或分離物中的任意一部分測(cè)定質(zhì)量。然后，將預(yù)先測(cè)定了質(zhì)量的1，1，2，2_四溴乙烷(以下簡(jiǎn)稱為TBE)用氘代氯仿等適當(dāng)稀釋，準(zhǔn)備制成已知濃度的內(nèi)標(biāo)溶液。在所述分取的試樣中添加所述TBE內(nèi)標(biāo)溶液，對(duì)該試驗(yàn)溶液進(jìn)行1H-NMR測(cè)定。然后，使用所得的1H-NMR譜的與含有碳-碳雙鍵基團(tuán)的官能團(tuán)的碳-碳雙鍵基團(tuán)部分的氫(質(zhì)子、H)相對(duì)應(yīng)的峰的峰面積(也包括發(fā)生反應(yīng)形成其他鍵的碳-碳雙鍵基團(tuán)(嚴(yán)密地說(shuō)不存在碳-碳雙鍵基團(tuán)本身))和與作為內(nèi)標(biāo)添加的TBE的氫(質(zhì)子、H)相對(duì)應(yīng)的峰面積的面積比率，由交聯(lián)層的剝離物或分離物的分取物質(zhì)量和TBE濃度計(jì)算碳-碳雙鍵基團(tuán)的含有率，以此作為交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率。
[0166](5)伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度比V I/V 2
[0167]碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 1、碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度
V2及其峰強(qiáng)度比V I/ V 2用FT-1R法中的FT-1R-ATR (衰減全反射、Attenuated TotalReflectance)法如下所述地求出。
[0168]在傅里葉轉(zhuǎn)換紅外分光光度計(jì)FTS-55A (Bio-Rad Diglab制)設(shè)置Ge結(jié)晶作為ATR結(jié)晶，將試樣的層合有導(dǎo)電層的一側(cè)或?qū)щ妳^(qū)域(A)的圖案化導(dǎo)電層的一側(cè)壓接于ATR結(jié)晶。然后，在氮?dú)庀乱苑纸饽?CHT1、累計(jì)次數(shù)512次對(duì)4000?600CHT1之間的測(cè)定范圍進(jìn)行測(cè)定。然后，從所得的分光光譜，在與歸屬于基材的峰不重疊的波數(shù)區(qū)域，將碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰(波數(shù)=1633CHT1)及碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰(波數(shù)=2956cm-1)分別進(jìn)行歸屬。以歸屬的各峰的強(qiáng)度極大值分別為vl及v2，計(jì)算vl/v2。同樣地測(cè)定共計(jì)10個(gè)試樣，計(jì)算共計(jì)10處的平均值，以該值作為本發(fā)明的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V I與碳-氫單鍵(C-H)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2的比V I/ V 2。
[0169](6)導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)的基質(zhì)的表面平均厚度T、金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r
[0170]首先，用冰包埋試樣的欲觀察的部分鄰域，冷凍凝固后，使用日本Microtome研究所(株)制旋轉(zhuǎn)式超薄切片機(jī)，以刀片傾斜角度3°設(shè)置金剛石刀片，沿垂直于層合體平面的方向切斷。
[0171]然后使用電場(chǎng)放射型掃描電子顯微鏡(日本電子(株)制JSM-6700-F)以加速電壓3kV、觀察倍率10000?100000倍并適當(dāng)調(diào)節(jié)圖像的對(duì)比度對(duì)所得的層合體剖面的導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)進(jìn)行觀察。
[0172](6i)導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域(A)的基質(zhì)的表面平均厚度T[0173]對(duì)于一個(gè)檢體，準(zhǔn)備10個(gè)視野份的包括從不同的部分獲得的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的圖像。對(duì)于每一個(gè)視野，測(cè)定從金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的兩端分別距離平均徑r的2處(符號(hào)21)的厚度，計(jì)算其平均值，求出導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域基質(zhì)的表面厚度t。同樣，對(duì)于共計(jì)10個(gè)視野，求出表面厚度t，以其平均值作為導(dǎo)電層或?qū)щ妳^(qū)域的基質(zhì)的表面平均厚度T。在本測(cè)定中，選擇可以確保三位有效數(shù)字的倍率，計(jì)算時(shí)，對(duì)于第四位進(jìn)行四舍五入求出值。
[0174](6ii)金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r
[0175]對(duì)于一個(gè)檢體，準(zhǔn)備10個(gè)視野份的包括由不同的部分得到的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的圖像。然后，求出10個(gè)視野內(nèi)的全部金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的剖面的徑，以所有它們的平均值作為平均徑r。需要說(shuō)明的是，本測(cè)定中，選擇可以確保三位有效數(shù)字的倍率，計(jì)算時(shí)，對(duì)第四位進(jìn)行四舍五入來(lái)求出值。另外，在金屬類納米線的各剖面，采用最短徑作為各剖面的徑。
[0176](7)用熒光X射線測(cè)定的導(dǎo)電區(qū)域(A)及非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬量、金屬量的比率
[0177]對(duì)于(3)中確定的導(dǎo)電成分的金屬，用以下的方法測(cè)定導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)的金屬量。
[0178]使用熒光X射線裝置(SII納米技術(shù)社3?19250)，并使用0.11111"0^)的準(zhǔn)直儀，在導(dǎo)電區(qū)域(A)與非導(dǎo)電區(qū)域(B)均分別測(cè)定5處，計(jì)算各個(gè)峰強(qiáng)度的平均值。然后，用非導(dǎo)電區(qū)域(B)的峰強(qiáng)度的平均值的值除以導(dǎo)電區(qū)域(A)的峰強(qiáng)度的平均值的值來(lái)計(jì)算金屬量的比率。
[0179](8)圖案處理
[0180](Si)用蝕刻液進(jìn)行的圖案化導(dǎo)電層合體的制作
[0181]將各實(shí)施例及比較例的層合體與干膜抗蝕劑膜(旭化成(株)制SUNFORT SPG-152)在110°C下進(jìn)行熱疊層，進(jìn)而使用圖5所示的圖案掩模進(jìn)行曝光處理后，使用3質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理，制作抗蝕劑圖案形成試樣。然后，將抗蝕劑圖案形成試樣使用下述蝕刻液在各實(shí)施例及比較例的條件下浸潰來(lái)進(jìn)行蝕刻處理，得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。所得的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣中，與圖5符號(hào)27對(duì)應(yīng)的部分是圖案加工(蝕刻處理)非處理部分，與圖5符號(hào)28相對(duì)應(yīng)的部分是圖案加工(蝕刻處理)部分。
[0182](8ii)用蝕刻糊料進(jìn)行的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣的制作
[0183]在實(shí)施例所記載的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電區(qū)域一側(cè)，將下述處理劑6用sus # 500篩網(wǎng)按照與圖5相同的印刷圖案進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，使得干燥后的膜厚為2.4μπι。涂布處理劑后，放入紅外線烘箱，在130°C下加熱處理3分鐘，從烘箱中取出，放冷至室溫后，使用25°C的純水清洗I分鐘，除去附著的處理劑與分解物。然后，利用壓空除去水后用紅外線烘箱在80°C下干燥I分鐘，得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。所得的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣中，與圖5符號(hào)27相對(duì)應(yīng)的部分是圖案加工(蝕刻處理)非處理部分，與圖5符號(hào)28相對(duì)應(yīng)的部分是圖案加工(蝕刻處理)部分。
[0184](8iii)絕緣試驗(yàn)
[0185]對(duì)于蝕刻部，使用絕緣電阻計(jì)(三和電氣計(jì)器(株)制、DG6)，確認(rèn)有無(wú)導(dǎo)通。將端子間電阻值在25V下為40ΜΩ以上的情況判定為合格(絕緣性良好)。
[0186](Siv)圖案非識(shí)別性試驗(yàn)[0187]在三波長(zhǎng)熒光燈下目視觀察蝕刻部分與未蝕刻部分的邊界，對(duì)于邊界的非識(shí)別性，分類成下述五個(gè)等級(jí)，以非識(shí)別性最高的為5，最低的為I。3?5的判定為合格，I或2的判定為不合格。
[0188]5:看不見(jiàn)邊界
[0189]4:可見(jiàn)極少的邊界
[0190]3:可見(jiàn)薄的邊界
[0191]2:可見(jiàn)邊界
[0192]1:明顯可見(jiàn)邊界
[0193]( 8V )處理時(shí)間(蝕刻時(shí)間)
[0194]以(8i )或(8ii )中的蝕刻處理時(shí)間(浸潰時(shí)間)作為處理時(shí)間。另外，以(8iii )的試驗(yàn)中的蝕刻部絕緣的最小時(shí)間作為蝕刻處理時(shí)間?？紤]圖案處理的量產(chǎn)性，以蝕刻處理時(shí)間在5分鐘以內(nèi)的情況判定為合格，需要比其長(zhǎng)的時(shí)間的情況判定為不合格。
[0195](Svi)對(duì)于圖案處理的抗性(有無(wú)導(dǎo)電層的異常(外觀變化))
[0196]用(8ii)的方法測(cè)試(8i)或(8ii)的圖案化試樣的導(dǎo)電側(cè)的與圖5符號(hào)27相對(duì)應(yīng)的部分(圖案加工(蝕刻處理)未處理部分)，確認(rèn)有無(wú)導(dǎo)通。然后，導(dǎo)通時(shí)判定為有抗性，為合格，絕緣時(shí)判斷為發(fā)生了導(dǎo)電層剝離或?qū)щ娦越档?，沒(méi)有抗性時(shí)判定為不合格。
[0197](8vii)用蝕刻液制作的圖案化導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電部的導(dǎo)電性
[0198]用(8iii)的方法測(cè)試圖案化導(dǎo)電層的與圖5符號(hào)27相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電區(qū)域,確認(rèn)有無(wú)導(dǎo)通。然后，將導(dǎo)通的情況判定為合格，將絕緣的情況判定為不合格。
[0199](9)表面電阻值R。
[0200]對(duì)于導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)的表面電阻值，使用非接觸式電阻率計(jì)(NAPS0N (株)制NC-10)以潤(rùn)電流方式測(cè)定100mmX50mm的試樣的中央部分。對(duì)5個(gè)試樣計(jì)算平均值，以其為表面電阻值R0 [Ω/口]。超過(guò)檢測(cè)限得不到表面電阻值的情況下，接著用以下的方法測(cè)定。
[0201]使用高電阻率計(jì)(三菱化學(xué)(株)制Hiresta-UP MCP-HT450)，連接環(huán)型探針(三菱化學(xué)(株)制URS探針MCP-HTP14)，用二重環(huán)方式測(cè)定IOOmmX IOOmm的試樣的中央部分。對(duì)5個(gè)試樣計(jì)算平均值，以其為表面電阻值Rtl [Ω/口]。
[0202](10)全部光線透過(guò)率
[0203]使用濁度計(jì)(霧度計(jì))NDH2000 (日本電色工業(yè)(株)制)基于JIS K7361-1 (1997年)從導(dǎo)電層側(cè)入射光來(lái)測(cè)定導(dǎo)電層合體厚度方向的全部光線透過(guò)率。由對(duì)5個(gè)試樣測(cè)定的值計(jì)算平均值，以其作為全部光線透過(guò)率。
[0204](11)霧度
[0205]使用濁度計(jì)(霧度計(jì))NDH2000 (日本電色工業(yè)(株)制)基于JIS K7361-1 (1997年)，對(duì)于導(dǎo)電區(qū)域(A)，從導(dǎo)電層側(cè)入射光，對(duì)于非導(dǎo)電區(qū)域(B)，從分散層側(cè)入射光，測(cè)定圖案化導(dǎo)電層合體厚度方向的霧度。對(duì)5個(gè)試樣測(cè)定導(dǎo)電區(qū)域(A)霧度值Hz1及非導(dǎo)電區(qū)域(B)霧度值Hz2。對(duì)于I個(gè)試樣，求出用Hz1的值除以Hz2的值獲得的Hz1ZiHz2，計(jì)算5個(gè)試樣的平均值，以其作為Ηζι/Ηζ2。在本測(cè)定中，選擇可以確保二位有效數(shù)字的倍率，計(jì)算時(shí)，對(duì)第三位進(jìn)行四舍五入來(lái)求值。
[0206][材料][0207]< 基材 >
[0208]用于各實(shí)施例及比較例的基材如以下所示。
[0209]( I)基材 A
[0210].聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(東麗(株)制“Lumiiror”(注冊(cè)商標(biāo))U48)
[0211].厚度 125 μ m
[0212](2)基材 B
[0213].聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(東麗(株)^"Lumirror"(注冊(cè)商標(biāo))U48)
[0214].厚度 50 μ m
[0215]<導(dǎo)電材料>
[0216] 用于各實(shí)施例及比較例的各導(dǎo)電材料如以下所示。
[0217]( I)導(dǎo)電材料A “銀納米線”
[0218]按照日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例I (銀納米線的合成)記載的方法得到的銀納米線導(dǎo)電材料(短軸:50~lOOnm、長(zhǎng)軸:20~40 μ m)。
[0219](2)導(dǎo)電材料B “銅納米線”
[0220]按照日本特開(kāi)2002-266007號(hào)公報(bào)的制造例1、實(shí)施例2記載的方法得到的銅納米線導(dǎo)電材料(短軸:10~20nm、長(zhǎng)軸:1~ΙΟΟμπι)。
[0221](3)導(dǎo)電材料C “銀納米線.銅納米線混合導(dǎo)電材料”
[0222]將所述導(dǎo)電材料A “銀納米線”與所述導(dǎo)電材料B “銅納米線”以質(zhì)量比為6:4的方式混合得到的銀納米線.銅納米線混合導(dǎo)電材料。
[0223](4)導(dǎo)電材料D “銀納米微粒導(dǎo)電材料”
[0224]按照日本特開(kāi)2001-243841號(hào)公報(bào)的實(shí)施例((2)銀納米膠體涂布液的調(diào)整)記載的方法得到的銀納米微粒導(dǎo)電材料(粒徑:9~12nm)。
[0225](5)導(dǎo)電材料E “針狀二氧化硅系.ATO (摻銻氧化錫)復(fù)合化合物導(dǎo)電材料”
[0226]大塚化學(xué)(株)制Dentall TM100 (短軸:700 ~900nm、長(zhǎng)軸:15 ~25 μ m)。
[0227]< 基質(zhì) >
[0228]在調(diào)制用于形成各實(shí)施例及比較例的基質(zhì)的組合物中使用的材料(基質(zhì)材料、添加劑)如以下所示。
[0229]( I)基質(zhì)材料A
[0230]含有具有2個(gè)以上作為丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的丙烯酸類組合物(綜研化學(xué)(株)制Fullcure HC-6、固態(tài)成分濃度51質(zhì)量％)。
[0231](2)基質(zhì)材料B
[0232]含有具有2個(gè)以上作為丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的丙烯酸類/氨基甲酸酯丙烯酸酯類混合組合物(中國(guó)涂料(株)制PH0LUCID N0.420C、固態(tài)成分濃度50質(zhì)量％)。
[0233](3)基質(zhì)材料C
[0234]含有具有2個(gè)以上作為甲基丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的甲基丙烯酸類組合物(共榮社化學(xué)(株)制Light ester TMP、固態(tài)成分濃度100質(zhì)量％ )。
[0235](4)基質(zhì)材料D
[0236]含有具有2個(gè)以上作為丙烯酰基利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的氨基甲酸酯丙烯酸酯類組合物(根上工業(yè)(株)制ArtResin UN-904M、固態(tài)成分濃度80質(zhì)量％)。
[0237](5)基質(zhì)材料E
[0238]含有具有2個(gè)以上作為丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的氨基甲酸酯丙烯酸酯系組合物(共榮社化學(xué)(株)制AT-600、固態(tài)成分濃度100質(zhì)量％)。
[0239](6)基質(zhì)材料F
[0240]含有具有2個(gè)以上作為丙烯酰基和甲基丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的多官能丙烯酸類/甲基丙烯酸酯類混合組合物(綜研化學(xué)(株)制FullcureHCE-032、固態(tài)成分濃度51.4質(zhì)量％)。
[0241](7)基質(zhì)材料G
[0242]如下所述聚合得到的甲基丙烯酸類聚合物(固態(tài)成分濃度100質(zhì)量％)。
[0243]在具有I個(gè)作為甲基丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物與甲基丙烯酸甲酯(別名甲基丙烯酸甲酯、2-甲基2-丙酸甲酯、簡(jiǎn)稱MMA)的混合物中使用2，2’ -偶氮雙(2-甲基丙腈)(別名α，α’ -偶氮雙異丁腈、偶氮雙異丁腈、簡(jiǎn)稱ΑΙΒΝ)作為引發(fā)劑，脫氣后于55°C下加熱72小時(shí)，得到聚(甲基丙烯酸甲酯)(簡(jiǎn)稱PMMA)。
[0244](8)基質(zhì)材料H
[0245]含有具有2個(gè)以上作為丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的丙烯酸類組合物(共榮社化學(xué)(株)制Light acrylate BP-10EA、固態(tài)成分濃度100質(zhì)量％)。
[0246](9)基質(zhì)材料I`
[0247]為不含有利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的組合物，且為因熱而固化的聚酯改性有機(jī)硅類(末端羥基(羥基)聚酯改性二甲基聚硅氧烷)組合物(信越化學(xué)工業(yè)(株)制X-22-8300、固態(tài)成分濃度25質(zhì)量％ )。
[0248](10)基質(zhì)材料J
[0249]含有具有2個(gè)以上作為丙烯?；诰酆戏磻?yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的丙烯酸類組合物(共榮社化學(xué)(株)制Light acrylate PE-4A、固態(tài)成分濃度100質(zhì)量％ )。
[0250](11)添加劑 A
[0251]?極大吸收波長(zhǎng)為240nm的光聚合引發(fā)劑(汽巴日本(株)制Ciba “IRGACURE”(注冊(cè)商標(biāo))184)。
[0252](12)添加劑 B
[0253]?極大吸收波長(zhǎng)為300nm的光聚合引發(fā)劑(汽巴日本(株)制Ciba “IRGACURE”(注冊(cè)商標(biāo))907)。
[0254](13)添加劑 C
[0255]?極大吸收波長(zhǎng)為320nm的光聚合引發(fā)劑(汽巴日本(株)制Ciba “IRGACURE”(注冊(cè)商標(biāo))369)。
[0256][處理劑]
[0257]各實(shí)施例及比較例的圖案處理試驗(yàn)中使用的處理劑的調(diào)制方法如以下所示。
[0258](I)處理劑I (蝕刻液)
[0259]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ ) 170質(zhì)量份與硝酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、60質(zhì)量％) 24.8質(zhì)量份中加入純水135.8質(zhì)量份,調(diào)制氯化氫與硝酸的質(zhì)量比率為4:1 (摩爾比率6.9:1)的氯化氫與硝酸的合計(jì)濃度為22.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0260](2)處理劑2 (蝕刻液)
[0261]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ )220質(zhì)量份與過(guò)氧化氫(關(guān)東化學(xué)(株)制特級(jí)品、過(guò)氧化氫30質(zhì)量％ ) 0.34質(zhì)量份中加入純水122.34質(zhì)量份，調(diào)制氯化氫與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比率為750.7:1 (摩爾比率700:1)、氯化氫與過(guò)氧化氫的合計(jì)濃度為22.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0262](3)處理劑3 (蝕刻液)
[0263]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ )220質(zhì)量份與過(guò)氧化氫(關(guān)東化學(xué)(株)制特級(jí)品、過(guò)氧化氫30質(zhì)量％) 0.48質(zhì)量份中加入純水122.38質(zhì)量份，調(diào)制氯化氫與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比率為536.2:1 (摩爾比率500:1)、氯化氫與過(guò)氧化氫的合計(jì)濃度為22.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0264](4)處理劑4 (蝕刻液)
[0265]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ )220質(zhì)量份與過(guò)氧化氫(關(guān)東化學(xué)(株)制特級(jí)品、過(guò)氧化氫30質(zhì)量％) 2.39質(zhì)量份中加入純水123.02質(zhì)量份，調(diào)制氯化氫與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比率為107.2:1 (摩爾比率100:1)、氯化氫與過(guò)氧化氫的合計(jì)濃度為22.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0266](5)處理劑5 (蝕刻液)
[0267]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ )150質(zhì)量份與過(guò)氧化氫(關(guān)東化學(xué)(株)制特級(jí)品、過(guò)氧化氫30質(zhì)量％) 40.7質(zhì)量份中加入純水179.07質(zhì)量份，調(diào)制氯化氫與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比率為4.3:1 (摩爾比率4:1)、氯化氫與過(guò)氧化氫的合計(jì)濃度為17.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0268](6)處理劑6 (蝕刻液)
[0269]在鹽酸(佐佐木化學(xué)藥品(株)制特級(jí)品、氯化氫35質(zhì)量％ )100質(zhì)量份與過(guò)氧化氫(關(guān)東化學(xué)(株)制特級(jí)品、過(guò)氧化氫30質(zhì)量％ )27.13質(zhì)量份中加入純水217.98質(zhì)量份，調(diào)制氯化氫與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比率為4.3:1 (摩爾比率4:1)、氯化氫與過(guò)氧化氫的合計(jì)濃度為12.5質(zhì)量％的蝕刻液。
[0270](7)處理劑7 (蝕刻糊料)
[0271 ] 在容器中加入乙二醇(和光純藥工業(yè)(株)制)70g、N，N’ - 二甲基丙撐脲(東京化成工業(yè)(株)制)30g、硝酸鈉5g進(jìn)行混合，向其中加入聚季銨鹽-10 (ISP日本制)5g和作為觸變劑的Thixatrol MAX (海明斯日本(株)制、聚酯酰胺衍生物)0.5g，用油浴邊在60°C加熱邊攪拌30分鐘。
[0272]然后，將容器從油浴取出，放冷至室溫后，加入勻涂劑(DIC (株)制、F_555)0.5g和對(duì)甲苯磺酸一水合物(東京化成工業(yè)(株)制、大氣壓下的沸點(diǎn):103?106°C) 10g，攪拌15分鐘。將所得的溶液用膜式過(guò)濾器(密理博(株)制Omnipore膜PTFE、公稱通徑0.45 μ m)過(guò)濾，調(diào)制蝕刻糊料。
[0273](實(shí)施例1)
[0274]使用導(dǎo)電材料E，混合丙烯酸類樹(shù)脂(綜研化學(xué)(株)制PHORET GS-1000、固態(tài)成分濃度30質(zhì)量％)作為粘合劑成分使得導(dǎo)電材料相對(duì)于全部固態(tài)成分為60質(zhì)量％ (固態(tài)成分混合比:粘合劑成分/導(dǎo)電材料=40質(zhì)量％ /60質(zhì)量％)，然后，在該混合液中加入乙酸乙酯調(diào)整濃度，使得涂料固態(tài)成分濃度為50質(zhì)量％，得到針狀二氧化硅類.ΑΤΟ (摻銻氧化錫)復(fù)合化合物分散液。將該針狀二氧化硅類.ATO (摻銻氧化錫)復(fù)合化合物分散液使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(shim)(隔片厚度100 μ m)的縫模涂布器涂布在基材A的一面，在120°C下干燥5分鐘，層合形成導(dǎo)電成分。
[0275]然后，混合基質(zhì)材料A300g、添加劑A4.8g、添加劑B4.8g、添加劑C4.8g、乙酸乙酯15 70 g,攪拌,調(diào)制用于形成基質(zhì)的組合物。
[0276]然后，將用于形成基質(zhì)的組合物使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 μ m)的縫模涂布器涂布在所述基材的層合形成有導(dǎo)電成分的面上，在120°C下干燥2分鐘后，照射紫外線180mJ/cm2，使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為950nm的導(dǎo)電層，得到導(dǎo)電層合體。
[0277]然后，將導(dǎo)電層合體按照所述(8)圖案處理的(Si)用蝕刻液進(jìn)行的圖案化導(dǎo)電層合體的制作中所記載的方法進(jìn)行處理，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰7分鐘進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0278](實(shí)施例2)
[0279]使用導(dǎo)電材料A,用日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例8(納米線分散)所公開(kāi)的方法得到銀納米線分散液。在該銀納米線分散液中追加分散劑，使得銀納米線的濃度為0.05質(zhì)量％，調(diào)制銀納米線分散涂液。將該銀納米線分散涂液使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 μ m)的縫模涂布器在基材A的一面涂布，在120°C下干燥2分鐘，層合形成導(dǎo)電成分。
[0280]然后,混合基質(zhì)材料E76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯1140g并進(jìn)行攪拌，調(diào)制用于形成基質(zhì)的組合物。
[0281]接下來(lái)，將用于形成基質(zhì)的組合物使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 μ m)的縫模涂布器在所述基材的層合形成導(dǎo)電成分的面上涂布，在120°C下干燥2分鐘后，照射紫外線80mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為730nm的導(dǎo)電層，得到導(dǎo)電層合體。
[0282]然后，將導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰5分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0283](實(shí)施例3)
[0284]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料E76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯1400g調(diào)制的物質(zhì),形成基質(zhì)的表面平均厚度T為600nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0285](實(shí)施例4)
[0286]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料D95.6g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯2140g調(diào)制的物質(zhì),形成基質(zhì)的表面平均厚度T為400nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0287](實(shí)施例5)
[0288]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料C76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯2900g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線130mJ/cm2,使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為300nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，除將蝕刻處理的時(shí)間設(shè)定為4分鐘以外，與實(shí)施例2相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0289](實(shí)施例6)
[0290]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料C76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯3230g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線130mJ/cm2,使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為270nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。接下來(lái)，除將蝕刻處理的時(shí)間設(shè)定為3分鐘以外，與實(shí)施例2相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0291](實(shí)施例7)
[0292]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A150g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯3430g調(diào)制的物質(zhì)，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為250nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0293](實(shí)施例8)
[0294]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯1500g調(diào)制的物質(zhì),形成基質(zhì)的表面平均厚度T為250nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0295](實(shí)施例9)
[0296]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯1650g調(diào)制的物質(zhì),形成基質(zhì)的表面平均厚度T為220nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，除將蝕刻處理的時(shí)間設(shè)定為2分鐘以外，與實(shí)施例2相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0297](實(shí)施例10)
[0298]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯2060g調(diào)制的物質(zhì),形成基質(zhì)的表面平均厚度T為180nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，除將蝕刻處理的時(shí)間設(shè)定為I分鐘以外，與實(shí)施例2相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0299](實(shí)施例11)
[0300]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料F149g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯4820g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線180mJ/cm2使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為ISOnm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0301](實(shí)施例12)
[0302]照射紫外線130mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為ISOnm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例10相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例10相同地蝕刻處理I分鐘，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0303](實(shí)施例13)
[0304]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯2710g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線180mJ/cm2,使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為140nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例9相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0305](實(shí)施例14)
[0306]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯3220g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線180mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為120nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例10相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0307](實(shí)施例15)
[0308]除使用導(dǎo)電材料B以外，與實(shí)施例2相同地操作，在基材A的一面層合形成導(dǎo)電成分。
[0309]然后，作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A15g、添加劑A0.24g、添加劑B0.24g、添加劑C0.24g、乙酸乙酯1178g調(diào)制的物質(zhì)，照射紫外線180mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為75nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0310](實(shí)施例16)
[0311]除使用導(dǎo)電材料C以外，與實(shí)施例2相同地操作，層合形成導(dǎo)電成分。然后，與實(shí)施例10相同地層合基質(zhì)，得到導(dǎo)電層合體，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0312](實(shí)施例17)
[0313]除使用基材B以外，與實(shí)施例10相同地操作，得到導(dǎo)電層合體，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0314](實(shí)施例18)
[0315]在實(shí)施例12中形成的導(dǎo)電層合體上按照實(shí)施例9的條件進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0316](實(shí)施例19)
[0317]在加熱到50°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰I分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，除此以外，與實(shí)施例18相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0318](實(shí)施例20)
[0319]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑2的蝕刻液中浸潰2.5分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0320](實(shí)施例21)
[0321]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑3的蝕刻液中浸潰2分鐘進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0322](實(shí)施例22)
[0323]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑4的蝕刻液中浸潰0.5分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。[0324](實(shí)施例23)
[0325]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制作抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑5的蝕刻液中浸潰I分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0326](實(shí)施例24)
[0327]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑6的蝕刻液中浸潰2分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0328](實(shí)施例25)
[0329]將在實(shí)施例8中形成的導(dǎo)電層合體使用處理劑7的蝕刻糊料利用所述(8ii)項(xiàng)記載的方法處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0330](實(shí)施例26 )
[0331]將由實(shí)施例19制作的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣使用熱風(fēng)烘箱(愛(ài)斯佩克(株)制帶有安全門的恒溫器安全烘箱SPHH-201)在130°C下加熱處理3分鐘，制作加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0332]本實(shí)施例的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣與實(shí)施例19的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣相比，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)中的非識(shí)別性確認(rèn)獲得改善。
[0333](實(shí)施例27)
[0334]除將加熱處理的條件設(shè)定為在60°C下10分鐘以外，與實(shí)施例26相同地操作，制作加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0335]本實(shí)施例的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣與實(shí)施例19的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣相比較，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)中的非識(shí)別性確認(rèn)改善。
[0336](實(shí)施例28)
[0337]將通過(guò)實(shí)施例25制作的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣使用熱風(fēng)烘箱(愛(ài)斯佩克(株)制帶有安全門的恒溫器安全烘箱SPHH-201)在130°C下加熱處理5分鐘，制作加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0338]本實(shí)施例的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的試樣與實(shí)施例25的圖案化導(dǎo)電層合體的試樣相比較，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)中的非識(shí)別性確認(rèn)改善。
[0339](實(shí)施例29)
[0340]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料C76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯3500g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為250nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。
[0341]然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0342](實(shí)施例30)
[0343]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯2710g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線130mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為140nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例9相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。[0344](實(shí)施例31)
[0345]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A58.2g、基質(zhì)材料B4.7g、添加劑Al.56g、添加劑B1.56g、乙酸乙酯3220g調(diào)制的物質(zhì)，進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為120nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例10相同地操作，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0346](實(shí)施例32)
[0347]除使用導(dǎo)電材料B以外，與實(shí)施例2相同地操作，在基材A的一面層合形成導(dǎo)電成分。
[0348]然后，作為基質(zhì)組合物使用由基質(zhì)材料A15g、添加劑A0.24g、添加劑B0.24g、添加劑C0.24g、乙酸乙酯1178g調(diào)制的物質(zhì)，照射紫外線250mJ/cm2使其固化，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為75nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例6相同地操作，制作圖案化試樣。
[0349](比較例I)
[0350]不在基材A設(shè)置導(dǎo)電層，僅為基材。
[0351](比較例2)
[0352]除將銀納米線分散涂液(導(dǎo)電組合物)的濃度設(shè)定為0.01質(zhì)量％以外，與實(shí)施例2相同地操作，涂布導(dǎo)電材料。在本條件下得到的導(dǎo)電材料的涂布層中銀納米線未形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0353]然后，與實(shí)施例7相同地操作，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為250nm的層合體。本比較例的層合體未顯示導(dǎo)電性，所以不實(shí)施圖案處理。
[0354](比較例3)
[0355]在基材A的一面用與實(shí)施例2相同的方法僅層合由導(dǎo)電材料A的銀納米線形成的導(dǎo)電成分，得到不涂布基質(zhì)的狀態(tài)的層合體。該層合體的表面電阻值為204Ω/ □，全部光線透過(guò)率為91.1 %。然后，在不設(shè)置基質(zhì)的層合體的狀態(tài)下處理圖案，結(jié)果，利用使用加熱到40°C的處理劑I的蝕刻處理，導(dǎo)電成分全部剝離，無(wú)法得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0356](比較例4)
[0357]使用導(dǎo)電材料D，用日本特開(kāi)2001-243841號(hào)公報(bào)的實(shí)施例((2)銀納米膠體涂布液的調(diào)整)記載的方法得到銀納米微粒分散液，用同日本特開(kāi)2001-243841號(hào)公報(bào)的[實(shí)施例I]公開(kāi)的方法將銀納米微粒分散液涂布在基材A的一面，層合形成導(dǎo)電成分。然后，與實(shí)施例7相同地涂布基質(zhì)，得到含有非線狀的球狀導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層合體。將由此得到的導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰15分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。需要說(shuō)明的是，浸潰在蝕刻液中的時(shí)間為14分鐘的情況無(wú)法制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣(絕緣試驗(yàn)不合格)。
[0358]本比較例的導(dǎo)電層合體中，金屬量的比率為0.39，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)不合格。進(jìn)而，蝕刻處理時(shí)間需要15分鐘，處理時(shí)間也極久。
[0359](比較例5)
[0360]與實(shí)施例2相同地操作，層合形成導(dǎo)電成分，使用混合基質(zhì)材料I200g、乙酸乙酯1970g并進(jìn)行攪拌而調(diào)制得到的由不含有利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的組合物形成的用于形成基質(zhì)的組合物，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為250nm的導(dǎo)電層，除此以夕卜，與實(shí)施例2相同地操作,得到導(dǎo)電層合體。該導(dǎo)電層合體的表面電阻值是165Ω/□,全部光線透過(guò)率是91.2%。然后，與實(shí)施例2相同地操作，欲制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣，結(jié)果，在蝕刻處理階段，導(dǎo)電層全部剝離，無(wú)法得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0361](比較例6)
[0362]作為用于形成基質(zhì)的組合物,使用由基質(zhì)材料G50g、乙酸乙酯2120g調(diào)制的物質(zhì)，制成由具有I個(gè)利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物的組合物形成的用于形成基質(zhì)的組合物，除此以外，與比較例5相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。該導(dǎo)電層的基質(zhì)的交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率為24質(zhì)量％，伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度比V I/ v2為0.26，但由一個(gè)具有利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物形成，所以未形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)電層合體的表面電阻值為159 Ω/□，全部光線透過(guò)率為91.0%。然后，與實(shí)施例2相同地操作，欲制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣，結(jié)果，在蝕刻處理的階段，導(dǎo)電層全部剝離，無(wú)法得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0363](比較例7)
[0364]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料H76.5g、添加劑A3.60g、添加劑B3.60g、乙酸乙酯1400g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為600nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。導(dǎo)電層的基質(zhì)由2個(gè)具有利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物形成，伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度比V I/ V 2為
0.20,但交聯(lián)單兀結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率為6質(zhì)量％。該導(dǎo)電層合體的表面電阻值為608 Ω/ □，全部光線透過(guò)率為87.1%。然后，與實(shí)施例1相同地操作，欲制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣，結(jié)果，在蝕刻處理的階段，導(dǎo)電層全部發(fā)生剝離，無(wú)法得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0365](比較例8)
[0366]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料J25.5g、添加劑Al.2g、添加劑B1.2g、乙酸乙酯1630g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為ISOnm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。該導(dǎo)電層的基質(zhì)的交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率為27質(zhì)量％。然后，將導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰12分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。需要說(shuō)明的是，在蝕刻液中浸潰的時(shí)間為11分鐘的情況無(wú)法制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣(絕緣試驗(yàn)不合格)。
[0367]本比較例的導(dǎo)電層合體的金屬量比率為0.39，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)不合格。進(jìn)而，蝕刻處理時(shí)間需要12分鐘，處理時(shí)間也極久。
[0368](比較例9)
[0369]將與實(shí)施例2中使用的物質(zhì)相同的銀納米線分散涂液(導(dǎo)電組合物)使用安裝有材質(zhì)為SUS的厚隔片(隔片厚度150 μ m)的縫模涂布器在基材A上的一面涂布，在120°C下干燥5分鐘，層合形成導(dǎo)電成分。
[0370]然后，作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料E153g、添加劑A7.20g、添加劑B7.20g、乙酸乙酯1460g調(diào)制的物質(zhì)，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為IlOOnm的由導(dǎo)電材料和基質(zhì)形成的層，除此以外，與實(shí)施例2相同地制作，得到層合體。
[0371]然后，將導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作，制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰35分鐘，進(jìn)行了蝕刻處理，但無(wú)法制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣(絕緣試驗(yàn)不合格)，所以未實(shí)施進(jìn)一步的蝕刻處理。
[0372]需要說(shuō)明的是，對(duì)于蝕刻處理了 35分鐘的試樣，實(shí)施圖案非識(shí)別性試驗(yàn)，結(jié)果圖案非識(shí)別性最良好的是5的判定，但計(jì)算試樣中的導(dǎo)電側(cè)的與圖5符號(hào)27相對(duì)應(yīng)的部分(圖案加工(蝕刻處理)未處理部分)和與符號(hào)28相對(duì)應(yīng)的部分(圖案加工(蝕刻處理)處理部分)的金屬量的比率的值的結(jié)果為0.95，可知圖案處理(蝕刻處理)幾乎未進(jìn)行。
[0373](比較例10)
[0374]除照射紫外線320mJ/cm2使其固化以外，與實(shí)施例6相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。該導(dǎo)電層的基質(zhì)的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度比vl/v2的值為0.18。然后，將導(dǎo)電層合體與實(shí)施例1相同地操作制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的處理劑I的蝕刻液中浸潰30分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。需要說(shuō)明的是，在蝕刻液中浸潰的時(shí)間為29分鐘的情況無(wú)法制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣(絕緣試驗(yàn)不合格)。
[0375]本比較例的導(dǎo)電層合體中，金屬量的比率為0.47，圖案非識(shí)別性試驗(yàn)不合格。進(jìn)而，蝕刻處理時(shí)間需要30分鐘，處理時(shí)間也極久。
[0376](比較例11)
[0377]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料J25.5g、添加劑Al.2g、添加劑B1.2g、乙酸乙酯1630g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為ISOnm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。該導(dǎo)電層的基質(zhì)的交聯(lián)單元結(jié)構(gòu)質(zhì)量含有率為27質(zhì)量％。然后，將導(dǎo)電層合體用上述方法制成抗蝕劑圖案形成試樣，在加熱到40°C的蝕刻液中浸潰12分鐘，進(jìn)行蝕刻處理，制作圖案化試樣。需要說(shuō)明的是，在蝕刻液中浸潰的時(shí)間為11分鐘，無(wú)法制作圖案化導(dǎo)電層合體的試樣(絕緣試驗(yàn)不合格)。
[0378]本比較例的導(dǎo)電層合體的蝕刻處理時(shí)間為12分鐘，不合格，處理時(shí)間極久。
[0379](比較例12)
[0380]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料A15g、添加劑A0.36g、添加劑B0.36g、乙酸乙酯1480g調(diào)制的物質(zhì),進(jìn)而照射紫外線250mJ/cm2使其固化,形成基質(zhì)的表面平均厚度T為60nm的導(dǎo)電層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到導(dǎo)電層合體。然后，與實(shí)施例2相同地操作，欲制作圖案化試樣，結(jié)果，在蝕刻處理的階段，導(dǎo)電層全部發(fā)生剝離，無(wú)法得到圖案化導(dǎo)電層合體的試樣。
[0381]本比較例的導(dǎo)電層合體由于對(duì)圖案處理的抗性不足，所以未實(shí)施圖案處理試驗(yàn)。
[0382](比較例13)
[0383]作為用于形成基質(zhì)的組合物，使用由基質(zhì)材料E153g、添加劑A7.20g、添加劑B7.20g、乙酸乙酯1460g調(diào)制的物質(zhì)，形成基質(zhì)的表面平均厚度T為IlOOnm的由導(dǎo)電材和基質(zhì)形成的層，除此以外，與實(shí)施例2相同地操作，得到層合體。
[0384]本比較例的層合體由于不顯示導(dǎo)電性，所以未實(shí)施圖案處理試驗(yàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電層合體，其是在基材的至少一面配置由導(dǎo)電成分和基質(zhì)形成的導(dǎo)電層而得到的，所述導(dǎo)電成分具有由金屬類線狀結(jié)構(gòu)體形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述基質(zhì)滿足下述(i)~(iv), (i)所述基質(zhì)由含有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的； (ii )來(lái)自于碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)部分相對(duì)于基質(zhì)總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9~26質(zhì)量所述碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)是> C = C <，式量為24； (iii)利用FT-1R-ATR法求出的所述基質(zhì)的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度vI與碳-氫單鍵、即C-H的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2滿足Vl/ V 2≥0.2的關(guān)系； (iv)所述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T為70~lOOOnm。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體的平均徑r與所述導(dǎo)電層的基質(zhì)的表面平均厚度T滿足1.8 < T / r < 10的關(guān)系。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述金屬類線狀結(jié)構(gòu)體是銀納米線。
4.一種圖案化導(dǎo)電層合體，其中，在基材的至少一側(cè)具有圖案化導(dǎo)電層，所述圖案化導(dǎo)電層在面內(nèi)具有導(dǎo)電區(qū)域(A)和非導(dǎo)電區(qū)域(B)，所述導(dǎo)電區(qū)域(A)在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體，所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)在基質(zhì)中含有孤立分散的金屬類分散體，并且所述圖案化導(dǎo)電層合體滿足下述(I)和(II)， (I)所述基質(zhì)由含有下述結(jié)構(gòu)的高分子形成，所述結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上利于聚合反應(yīng)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而得到的，并且所述基質(zhì)的來(lái)自于碳-碳雙鍵基團(tuán)的結(jié)構(gòu)的碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)部分相對(duì)于所述基質(zhì)的總質(zhì)量的質(zhì)量含有率為9~26質(zhì)量％，所述碳-碳雙鍵基團(tuán)的單元結(jié)構(gòu)是> C = C <，式量為24，并且所述基質(zhì)的利用FT-1R-ATR法求出的碳-碳雙鍵的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V I和碳-氫單鍵、即C-H的伸縮振動(dòng)的峰強(qiáng)度V 2的關(guān)系為Vl/ V 2≥0.2， (II)在所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)中利用熒光X射線所定量的金屬成分的量是在所述導(dǎo)電區(qū)域(A)中利用熒光X射線所定量的金屬成分的量的0.5~0.9倍。
5.如權(quán)利要求4所述的圖案化導(dǎo)電層合體，其中，所述導(dǎo)電區(qū)域(A)的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz1與所述非導(dǎo)電區(qū)域(B)的所述圖案化導(dǎo)電層合體的霧度值Hz2的關(guān)系滿足 0.8 ^ Hz1 / Hz2 ( 1.5。
6.權(quán)利要求4或5所述的圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法，其中，在基材的至少一側(cè)，在具有導(dǎo)電層的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層上層合與圖案相對(duì)應(yīng)的防蝕刻層，同時(shí)使用含有酸和氧化劑且滿足下述(III)和(IV)的蝕刻液，在30~60°C下將防蝕刻層的非層合區(qū)域進(jìn)行加熱形成非導(dǎo)電區(qū)域，所述導(dǎo)電層在基質(zhì)中含有具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬類線狀結(jié)構(gòu)體， (III)酸/氧化劑的摩爾比為1500/ I~I / 2， (IV)酸與氧化劑的合計(jì)濃度為10~40質(zhì)量％。
7.一種加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體的制造方法，其中，將權(quán)利要求4或5所述的圖案化導(dǎo)電層合體在60~150°C下加熱處理30秒~10分鐘。
8.—種觸控面板，其使用權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體而得到。
9.一種觸控面板，其使用權(quán)利要求4或5所述的圖案化導(dǎo)電層合體、利用權(quán)利要求6的制造方法獲得的圖案化導(dǎo)電層合體、利用權(quán)利要求7所述的制造方法獲得的加熱處理圖案化導(dǎo)電層合體中的 任一種而得到。
【文檔編號(hào)】B32B15/08GK103703519SQ201280035646
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月3日
【發(fā)明者】佐藤義和, 渡邊修, 上岡武則 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社, 東麗薄膜先端加工股份有限公司