一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明是提供一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，搭配做在玻璃或者PET上面的透明導(dǎo)電膜，形成觸控面板(基材/ITO/Cu/Cu-alloy的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。薄膜可以在低溫(<150℃)狀態(tài)下濺鍍成膜，符合玻璃及各種可撓性基材得使用，純銅的濺鍍確保了導(dǎo)線的低電阻，搭配上表面的銅合金鍍膜增加導(dǎo)線的耐候性，形成一種低成本、低電阻、耐候性良好的薄膜結(jié)構(gòu)，電阻值可維持于6x10-6Ωcm以下，符合觸控屏及薄膜光電池的上電極或者導(dǎo)線的生產(chǎn)需求。
【專利說明】一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型銅合金材料及薄膜的制備方法，屬于薄膜光電池、液晶電視及觸控屏的應(yīng)用領(lǐng)域。 【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會發(fā)展和科學(xué)技術(shù)的突飛猛進，人類對功能材料的需求日益迫切。新的功能材料已成為新技術(shù)和新興工業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。隨著顯示器、觸膜屏、半導(dǎo)體、太陽能等產(chǎn)業(yè)
的發(fā)展，一種新的功能材料-透明導(dǎo)電氧化物薄膜(transparent conducting oxide,簡
稱為TCO薄膜)隨之產(chǎn)生、發(fā)展起來。所謂透明導(dǎo)電薄膜是指一薄膜材料在可見光范圍內(nèi)的透光率達到80%以上,而且導(dǎo)電性高,比電阻值低于1χ10_3Ω.cm ο習(xí)知Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等金屬，在形成3-15nm厚的薄膜時，都具有某種程度的透光性，都曾應(yīng)用于透明薄膜電極。但這些金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低且穩(wěn)定性差，因此漸漸發(fā)展成以金屬氧化物為透明導(dǎo)電薄膜材料(Transparent Conduction Oxide, TC0)為主,這類薄膜具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等共同光電特性，在太陽能電池、平面顯示、特殊功能窗口涂層及其它光電器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。其中制備技術(shù)最成熟、應(yīng)用最廣泛的當(dāng)屬In2O3基(In2O3 =Sn簡稱ΙΤ0)薄膜
為達薄膜大面積均勻性及量產(chǎn)性真空濺度的工藝是首選，因此薄膜濺鍍用鍍膜材料(靶材)的質(zhì)量與性能就變得非常重要。靶材是具有固定形狀用于濺射鍍膜之母材。靶材若依材料分類可簡單地分為金屬與陶瓷兩大類，若依制程分類通?？纱舐詤^(qū)分為熔煉制程與粉末冶金制程兩大類。大多數(shù)金屬靶材采熔煉制程(Al，Sb，Bi，Cd，Ce，Co，Cu，Ge，Au，Hf, In, Ir, Fe, Pb, Mg, Ni, N1-Cr, N1-Fe, N1-V，Nb, Pd, Pt, Se, Si, Ag, Sn, Ti, V, Y, Zn, Zr)獲得，少數(shù)靶材鑒于使用時晶粒大小控制、合金成份熔點差距太大等諸因素才采用粉末冶金制程(As，B, Cr, Co, Mn, Mo, N1-Cr, Permalloy, Re, Ru, Te, W，90W_10Ti )。陶瓷靶材中只有SiO2與ThF4, Na3AlF6采熔煉制程，大多數(shù)采粉末冶金制程(壓制+燒結(jié)、熱壓、熱均壓)，包括氧化物(Al2O3, BaTi O3, PbTi O3, Ce O2, ΙΤ0, LiNbO3, SiO, Ta2O5^ TiO2, ZrO2, Hf 02，Mg0)，碳化物(SiC，TiC, TaC，WC)，硼化物(TiB2, Zr B2, LaB6),氮化物(Si3N4, TaN，TiN)，氟化物(CaF2,CeF3, MgF2)，硫化物(CdS,MoS2, TaS2)，硒化物(CdSe,PbSe7MoSe),碲化物(CdTe，MoTe)及硅化物(MoSi2, TaSi2, TiSi2, WSi2X
[0003]在大尺寸的觸控屏、液晶電視及薄膜光電池的發(fā)展中透明導(dǎo)電膜(TCO)在大面積的導(dǎo)電性及透光度是關(guān)鍵，且TCO的透光度及電性一定程度影響電池的轉(zhuǎn)換效率及觸控屏的反應(yīng)速率，目前氧化銦系列透明導(dǎo)電膜仍存在可見光及長波長區(qū)域透光度較低及低溫鍍膜電性不佳等問題，需要熱處理才能獲得較佳的電性。由于傳統(tǒng)的IT0(90%氧化銦)薄膜設(shè)計需在較高的溫度鍍膜才能達到較佳的電性，也不利于可撓性基材的使用，且氧化銦價格高昂如何降低使用量也是關(guān)鍵。另外在傳統(tǒng)的電極與導(dǎo)線方面大都使用純鋁及純銀等材料，采用濺鍍或者絲網(wǎng)印刷等方式行成所需的薄膜導(dǎo)線與薄膜電極。但純銀及純鋁材料耐候性較差，在未來使用過程中容易因熱產(chǎn)生電子遷移，長期使用造成薄膜產(chǎn)生異常的突起或者斷線，造成組件的壽命降低。如何延長薄膜導(dǎo)線與電極的壽命及降低生產(chǎn)成本，也是擴大運用的重要關(guān)鍵，以制造出低成本且符合消費者需求的電子產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的是提供一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，搭配做在玻璃或者PET上面的透明導(dǎo)電膜及純金屬薄膜，形成觸控面板或者薄膜光電池的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。采用真空熔煉的方法自制純銅、純鋁、純銀及銅合金靶材，銅合金的成分方面控制純銅添加鎳含量10-49￥七％，添加鋯含量0-1.0 wt%，添加鉻含量0-1.0 wt%，添加純鈦含量0-1.0 wt%。采用注漿成型的方式，自制氧化銦錫及氧化銦鋅兩種靶材，氧化銦錫靶材中控制氧化錫含量在3-45wt%，氧化銦鋅靶材中控制氧化鋅含量在5-45wt%。首創(chuàng)使用純銅、純鋁、純銀及銅合金迭層的復(fù)合結(jié)構(gòu)來制作薄膜導(dǎo)線，首先在玻璃及可撓性PET基板上先濺鍍15-150nm的透明導(dǎo)電的(TCO)薄膜，接著濺鍍30-500nm的純銅、純鋁或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層膜迭層結(jié)構(gòu)，薄膜可以在低溫(<150°C )狀態(tài)下濺鍍成膜，符合玻璃及各種可撓性基材得使用，純銅、純鋁或者純銀的濺鍍確保了導(dǎo)線的低電阻，搭配上表面的銅合金鍍膜增加導(dǎo)線的耐候性，形成一種低成本、低電阻、耐候性良好的薄膜結(jié)構(gòu)，電阻值可維持在6xlO_6Qcm以下。另外可以經(jīng)由各種黃光制程或激光制程，形成在透明導(dǎo)電膜上面各種圖案化的低電阻導(dǎo)線與電極，應(yīng)用于薄膜光電池與電容式觸控面板中。
[0005]銅合金材料層從下至上依次為導(dǎo)電氧化銦錫薄膜層或?qū)щ娧趸熶\薄膜層、純銅、純鋁或者純銀薄膜層、銅合金薄膜層；其特征在于:導(dǎo)電氧化銦錫薄膜層的材料中氧化錫質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為3-45%，余量為氧化銦，導(dǎo)電氧化銦鋅薄膜層的材料中氧化鋅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為5-45%，余量為氧化銦；將上述原料分別使用氧化鋯球、純水及分散劑羧酸鹽類研磨充分混合，研磨時間24小時，然后將漿料灌入的多孔性模具中，經(jīng)過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)靶材；
采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍15-150nm的氧化銦錫或者氧化銦鋅薄膜，接著濺鍍15-500nm的純銅、純鋁、或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜，使得薄膜在<150°C狀態(tài)下濺鍍成膜。
[0006]所述銅合金由鎳質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量10_49wt%、錯質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量0-1.0 wt%、鉻含量0-1.0 wt%、純鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量O-L O wt%、余量為銅組成。
[0007]所述濺鍍用純銅靶材或銅合金靶材的制備，使用周波爐，在1200°C溶解純銅或銅合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
[0008]所述濺鍍用純銀靶材，使用周波爐，在1100°C溶解純銀，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
[0009]所述濺鍍用純鋁靶材，使用周波爐，在800°C溶解純鋁，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
[0010]所述其濺鍍過程為:首先將玻璃或PET基板、純銅靶材，銅合金及氧化銦錫或者氧化銦鋅靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至
0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3torr，玻璃基板或者PET基板不加熱，然后進行濺鍍。[0011]所述導(dǎo)電氧化銦錫材料中優(yōu)選含量為:氧化錫質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為5-30%，余量為氧化銦。
[0012]所述導(dǎo)電氧化銦鋅材料中還優(yōu)選含量為:氧化鋅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為10-30%，余量為氧化銦。
[0013]所述質(zhì)量比為:導(dǎo)電氧化銦錫材料:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02。
[0014]所述中間導(dǎo)電層選擇純銅、純銀及純鋁。
[0015]一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，搭配做在玻璃上面的透明導(dǎo)電膜及導(dǎo)電金屬薄膜，形成觸控面板的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先在玻璃(康寧7095)先濺鍍15-150nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍30_500nm的純銅、純鋁或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜。采用注漿成型的方式，自制氧化銦錫靶材，控制氧化錫含量在3-45wt%，混合比例中粉末:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02，研磨充分混合相關(guān)氧化錫及氧化銦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經(jīng)過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成三寸自制氧化銦錫鋅(ITO)靶材。純銅及銅合金靶材的制備使用周波爐，在1200°C溶解純銀及銅合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，銅合金的成分方面控制純銅添加鎳含量10-49wt%，添加鋯含量0-1.0 wt%，添加鉻含量0-1.0 wt%，添加純鈦含量0-1.0 wt%。純鋁靶材的制備使用周波爐，在800°C溶解純鋁顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用。首先將玻璃基板、純金屬靶材，銅合金靶材及氧化銦錫(ITO)靶材放入真空濺鍍機中(臺灣北儒科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層15-150nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層15_500nm厚的純銅薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層IO-1OOnm厚的銅合金薄膜，即形成所需的Glass/ITO/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。`
[0016]一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，搭配做在玻璃上面的透明導(dǎo)電膜，形成觸控面板的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先在玻璃(康寧7095)先濺鍍15-150nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍30_500nm的純銅、純鋁或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜。采用注漿成型的方式，自制氧化銦鋅靶材控制氧化鋅含量在5-45wt%，混合比例中，粉末:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02，研磨充分混合相關(guān)氧化鋅及氧化銦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經(jīng)過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成三寸自制氧化銦鋅(IZO)靶材。純銅及銅合金靶材的制備使用周波爐，在1200°C溶解純銀及銅合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，銅合金的成分方面控制純銅添加鎳含量10-49wt%，添加鋯含量0-1.0 wt%，添加鉻含量0-1.0 wt%，添加純鈦含量0-1.0 wt%。純鋁靶材的制備使用周波爐，在800°C溶解純鋁顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°c溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用。首先將玻璃基板、純金屬靶材，銅合金靶材及氧化銦鋅(IZO)靶材放入真空濺鍍機中(臺灣北儒科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層15-150nm厚的氧化銦鋅薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層15_500nm厚的純銅薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層IO-1OOnm厚的銅合金薄膜，即形成所需的Glass/IZO/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C/濕度85%/200小時的耐候測試。
[0017]一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，搭配做在PET上面的透明導(dǎo)電膜，形成觸控面板的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先PET上面先濺鍍15-150nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍30-500nm的純銅、純鋁或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜。采用注漿成型的方式，自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在3-45wt%，混合比例中粉末:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02，研磨充分混合相關(guān)氧化錫及氧化銦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經(jīng)過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成700x100x6mm自制氧化銦(ITO)靶材。純銅及銅合金靶材的制備使用周波爐，分別在1200°C溶解純銅及銅合金(Cu，Ni，Cr，Zr)顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需700x100x6mm尺寸的靶材備用，銅合金的成分方面控制純銅添加鎳含量10-49wt%，添加鋯含量0-1.0 wt%,添加鉻含量0-1.0 wt%，添加鈦含量0-1.0 wt%0純鋁靶材的制備使用周波爐，在800°C溶解純鋁顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用。。首先將PET基材、純金屬靶材,銅合金靶材及氧化銦錫(ITO)靶材放入真空卷對卷的濺鍍機中(臺灣勤友科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第`一層15-150nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層15-500nm厚的純銅薄膜,最后以DC電源派鍍第三層IO-1OOnm厚的銅合金薄膜，即形成所需的PET/ITO/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0018]一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，搭配做在PET上面的透明導(dǎo)電膜，形成觸控面板的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先在在PET上面先濺鍍15-150nm的氧化銦鋅薄膜，接著濺鍍30-500nm的純銅、純鋁或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜。采用注漿成型的方式，自制氧化銦鋅靶材控制氧化鋅含量在5-45wt%，混合比例中，粉末:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02，研磨充分混合相關(guān)氧化鋅及氧化銦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經(jīng)過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成700x100x6mm自制氧化銦鋅(IZO)靶材。純銅及銅合金靶材的制備使用周波爐，在1200°C溶解純銀及銅合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需700x100x6mm尺寸的靶材備用，銅合金的成分方面控制純銅添加鎳含量10-49wt%，添加鋯含量0-1.0 wt%，添加鉻含量0-1.0 wt%，添加純鈦含量0-1.0 wt%。純鋁靶材的制備使用周波爐，在800°C溶解純鋁顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用，純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成所需尺寸的靶材備用。。首先將玻璃基板、純金屬靶材，銅合金靶材及氧化銦鋅(IZO)靶材放入真空卷對卷的濺鍍機中(臺灣勤友科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層15-150nm厚的氧化銦鋅薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層15_500nm厚的純銅薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層IO-1OOnm厚的銅合金薄膜，即形成所需的Glass/IZO/Cu/Cu-al1y多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0019]本發(fā)明的特點是在制備銅合金材料及薄膜配線的過程中，首創(chuàng)搭配做在玻璃或者PET上面的透明導(dǎo)電膜及純金屬薄膜，形成觸控面板與薄膜光電池所需的基礎(chǔ)薄膜結(jié)構(gòu)。薄膜可以在低溫(<150°C)狀態(tài)下濺鍍成膜，符合玻璃及各種可撓性基材得使用，純銅、純鋁或者純銀的濺鍍確保了導(dǎo)線的低電阻，搭配上表面的銅合金鍍膜增加薄膜的耐候性，形成一種低成本、低電阻、耐候性良好的薄膜結(jié)構(gòu)，電阻值可維持在6Xl(T6Qcm以下，符合觸控屏及薄膜光電池的上電極或者導(dǎo)線的生產(chǎn)需求。
【具體實施方式】
[0020]實施例1:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-15wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽 至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_15wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0021]實施例2:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0022]實施例3:一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-45wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_45wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。[0023]實施例4:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%N1-0.3wt%Zr)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜,第三層25nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni_0.3wt%Zr)薄膜，即形成所需的GlaSS/95IT0/CU/CU-al1y多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行600C /濕度85%/200小時的耐候測試。[0024]實施例5:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%N1-0.3wt%Cr)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜,第三層25nm厚的銅合金銅合金(Cu-30wt%Ni_0.3wt%Cr)薄膜，即形成所需的GlaSS/95IT0/CU/CU-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0025]實施例6:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%N1-0.3Ti)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni_0.3Ti)薄膜，即形成所需的GlaSS/95IT0/CU/CU-al1y多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行600C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0026]實施例7:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+25wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+25wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/75ITO/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0027]實施例8: 一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+45wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+45wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/55IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0028]實施例9:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層50nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C/濕度85%/200小時的耐候測試。
[0029]實施例10:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層50nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0030]實施例11:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層50nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層200nm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0031]實施例12:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層50nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層300nm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0032]實施例13:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層IOOnm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層300nm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚的銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0033]實施例14:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將PET、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦`錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3torr，PET基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的PET/95IT0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C/濕度85%/200小時的耐候測試。
[0034]實施例15:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅革El材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)祀材放入真空派鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/90IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0035]實施例16:一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+25wt%Zn0)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦鋅(In203+25wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/75IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0036]實施例17:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅革El材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+40wt%Zn0)祀材放入真空派鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦鋅(In203+40wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/60IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0037]實施例18:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅革El材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)祀材放入真空派鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層50nm厚的氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚`的銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/90IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0038]實施例19:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3Xl(T3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序派鍍第一層50nm厚的氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜,第二層300nm厚的純銅薄膜，第三層50nm厚的銅合金銅合金(Cu-30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/90IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0039]實施例20:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將PET、純銅靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序派鍍第一層25nm厚的氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銅薄膜，第三層25nm厚的銅合金銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的PET/90IZ0/Cu/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0040]實施例21:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銀靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純銀薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Ag/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0041]實施例22:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純銀革El材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)祀材放入真空派鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銀薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/90IZ0/Ag/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用 四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C/濕度85%/200小時的耐候測試。
[0042]實施例23:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純鋁靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦錫(In203+5wt%Sn02)薄膜，第二層IOOnm厚的純鋁薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/95IT0/Al/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0043]實施例24:
一種制備新型銅合金材料及薄膜配線的方法，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先將玻璃基板、純鋁靶材，銅合金(Cu-30wt%Ni)及氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層25nm厚的氧化銦鋅(In203+10wt%Zn0)薄膜，第二層IOOnm厚的純銀薄膜，第三層25nm厚的銅合金(Cu_30wt%Ni)薄膜，即形成所需的Glass/90IZ0/Al/Cu-alloy多層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0044]對比例1:
現(xiàn)有技術(shù)中制備導(dǎo)電氧化銦靶材的方法，將氧化銦中添加氧化錫10wt%，使用冷均壓成型及高溫?zé)Y(jié)的方式制作坯體，然后加工成靶材。首先將玻璃基板及氧化銦錫(In203+10%Sn)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至
0.7 X 10_5-0.9 X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源濺鍍一層25nm厚的氧化銦錫(In203+10%Sn)薄膜，然后用DC電源濺鍍第二層IOOnm的純銅薄膜即形成所需的Glass/90IT0/Cu的層膜結(jié)構(gòu)，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測，并進行60°C /濕度85%/200小時的耐候測試。
[0045]各實施例和對比例制得的銅薄膜導(dǎo)線與電極的的性能如下表所示:
【權(quán)利要求】
1.一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，銅合金材料層從下至上依次為導(dǎo)電氧化銦錫薄膜層或?qū)щ娧趸熶\薄膜層、純銅、純鋁或者純銀薄膜層、銅合金薄膜層；其特征在于:導(dǎo)電氧化銦錫薄膜層的材料中氧化錫質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為3-45%，余量為氧化銦，導(dǎo)電氧化銦鋅薄膜層的材料中氧化鋅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為5-45%，余量為氧化銦；將上述原料分別使用氧化鋯球、純水及分散劑羧酸鹽類研磨充分混合，研磨時間24小時，然后將漿料灌入的多孔性模具中，經(jīng)過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550°C的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經(jīng)切割與表面研磨成氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)靶材； 采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍15-150nm的氧化銦錫或者氧化銦鋅薄膜，接著濺鍍15-500nm的純銅、純鋁、或者純銀薄膜，最后在濺鍍IO-1OOnm的銅合金薄膜，形成多層堆棧結(jié)構(gòu)的薄膜，使得薄膜在<150°C狀態(tài)下濺鍍成膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征在于:銅合金由鎳質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量10_49wt%、錯質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量0-1.0 ￥丨％、鉻含量0-1.0 wt%、純鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量0-1.0 wt%、余量為銅組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征在于:所述濺鍍用純銅靶材或銅合金靶材的制備，使用周波爐，在1200°C溶解純銅或銅合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征在于:所述濺鍍用純銀靶材，使用周 波爐，在1100°C溶解純銀，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征在于:所述濺鍍用純鋁靶材，使用周波爐，在800°C溶解純鋁，然后澆注在鑄鐵模具中，機加工所需尺寸的靶材備用。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征是其濺鍍過程為:首先將玻璃或PET基板、純銅靶材，銅合金及氧化銦錫或者氧化銦鋅靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為3X 10_3tOrr，玻璃基板或者PET基板不加熱，然后進行濺鍍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征是導(dǎo)電氧化銦錫材料中優(yōu)選含量為:氧化錫質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為5-30%，余量為氧化銦。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征是導(dǎo)電氧化銦鋅材料中還優(yōu)選含量為:氧化鋅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量為10-30%，余量為氧化銦。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征是質(zhì)量比為:導(dǎo)電氧化銦錫材料:氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型銅合金材料層及薄膜的方法，其特征是中間導(dǎo)電層選擇純銅、純銀及純鋁。
【文檔編號】B32B9/04GK103556120SQ201310494767
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月21日
【發(fā)明者】黃信二 申請人:研創(chuàng)應(yīng)用材料（贛州）有限公司