一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，包括：交流濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；交流濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在Si3N4層上磁控濺射AZO層；直流濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；交流濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在Ag層上磁控濺射AZO層；直流濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；交流濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在Ag層上磁控濺射AZO層；直流濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；交流濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在Ag層上磁控濺射AZO層；交流濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在AZO層上磁控濺射Si3N4層。本發(fā)明目的提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本低的三銀低輻射玻璃制備方法。
【專利說明】一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低輻射玻璃是指對(duì)紅外輻射具有高反射率，對(duì)可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]目前市場上較常見的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等?，F(xiàn)有的這四種低輻射玻璃在380~780納米的可見光波長范圍內(nèi)透射率不夠高，僅為50%左右；在紅外輻射波長范圍內(nèi)透射率較高，尤其是在900~1100納米的波長范圍內(nèi)透射率為10~20%之間。故此，現(xiàn)有的透明玻璃基材有待于進(jìn)步兀吾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的紅外屏蔽功能薄膜的制備方法。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0006]一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氮?dú)庾鳛閌反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；
[0008]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射AZO層；
[0009]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0010]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；
[0011 ] E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0012]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；
[0013]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0014]H、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的Ag層上磁控濺射AZO層；
[0015]1、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟H中的AZO層上磁控濺射Si3N4層。[0016]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Si3N4層的厚度為20~25nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中S1:Al的摩爾比為92:8，交流電源的功率100~125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50~65KW。
[0017]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述AZO層的厚度為20~25nm，氧化鋅陶瓷靶中按重量百分比摻鋁2%，交流電源的功率為20~25KW。
[0018]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
[0019]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50 ~65KW。
[0020]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
[0021]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為 20 ~25KW。
[0022]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率為4~5KW。
[0023]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述AZO層的厚度為20~25nm ;交流電源的濺射功率為20~25KW。
[0024]如上所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟I中所述Si3N4層的厚度為30~35nm ;其中氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，交流電源濺射功率150~165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極75~85KW。[0025]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0026]本發(fā)明工藝方法簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低。使用陰極少；輻射率低，達(dá)到
0.02以下。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0028]實(shí)施例1
[0029]一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0030]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣:氮?dú)?500SCCm:600SCCm，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為20nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中S1: Al的摩爾比為92:8，交流電源的功率100KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50KW。
[0031]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為20nm，氧化鋅陶瓷靶中按重量百分比摻鋁2%，交流電源的功率為20KW。
[0032]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述的直流電源的濺射功率 4KW。
[0033]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為50nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50KW。
[0034]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述直流電源的濺射功率4KW。
[0035]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為50nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20KW。
[0036]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述直流電源的濺射功率為4KW。
[0037]H、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為20nm ;交流電源的濺射功率為20KW。
[0038]1、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟H中的AZO層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為30nm ;其中氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:600sCCm，交流電源濺射功率150KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極7 5KW。
[0039]實(shí)施例2
[0040]一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0041]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣:氮?dú)?500SCCm:600SCCm，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為22nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中S1: Al的摩爾比為92:8，交流電源的功率110KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極55KW。
[0042]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為22nm，氧化鋅陶瓷靶中按重量百分比摻鋁2%，交流電源的功率為22KW。
[0043]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述的直流電源的濺射功率 4.5KW。
[0044]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為60nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率60KW。
[0045]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率
4.5KW。
[0046]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為60nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20~25KW。[0047] G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率為4.5KW。
[0048]H、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為22nm ;交流電源的濺射功率為23KW。
[0049]1、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟H中的AZO層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為32nm ;其中氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:600sCCm，交流電源濺射功率160KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極80KW。
[0050]實(shí)施例3
[0051]一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0052]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣:氮?dú)?500SCCm:600SCCm，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為25nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中S1: Al的摩爾比為92:8，交流電源的功率125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極62.5KW。
[0053]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為25nm，氧化鋅陶瓷靶中按重量百分比摻鋁2%，交流電源的功率為25KW。
[0054]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述的直流電源的濺射功率5KW。
[0055]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率65KW。
[0056]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率 5KW。
[0057]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為25KW。
[0058]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率為5KW。
[0059]H、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為25nm ;交流電源的濺射功率為25KW。
[0060]1、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟H中的AZO層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為30~35nm ;其中氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500sccm:600sccm，交流電源濺射功率165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極82.5KW。
[0061]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定 。
【權(quán)利要求】
1.一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層； B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射AZO層； C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層； D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層； E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層； F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層； G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射Ag層； H、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的Ag層上磁控濺射AZO層； 1、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟H中的AZO層上磁控濺射Si3N4層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Si3N4層的厚度為20~25nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中S1: Al的摩爾比為92:8，交流電源的功率100~125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50~65KW。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述AZO層的厚度為20~25nm，氧化鋅陶瓷靶中按重量百分比摻鋁2%，交流電源的功率為20 ~25KW。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50~65KW。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20~25KW。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述 直流電源的濺射功率為4~5KW。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述AZO層的厚度為20~25nm ;交流電源的濺射功率為20~25KW。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外屏蔽功能薄膜的制備方法，其特征在于步驟I中所述Si3N4層的厚度為30~35nm ;其中氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，交流電源濺射功率150~165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極75~85 KW。
【文檔編號(hào)】B32B15/04GK103643209SQ201310549471
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月7日
【發(fā)明者】陳路玉 申請(qǐng)人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司