一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種高介電聚合物復(fù)合薄膜的制備方法，包括：采用LB膜法在基片上制備聚合物超薄膜，然后通過噴涂法在聚合物薄膜表面制備氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜，接著采用化學(xué)氣相聚合沉積的方法在聚合物表面獲得導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜，然后在復(fù)合薄膜上采用LB膜法沉積另一層聚合物薄膜，最后對(duì)獲得的復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理，從而獲得一種高介電聚合物復(fù)合薄膜。該方法制備的復(fù)合薄膜為聚合物電介質(zhì)/納米粒子電介質(zhì)/導(dǎo)電聚合物/聚合物電介質(zhì)的高介電復(fù)合薄膜，并具有自支撐的特點(diǎn)，在高儲(chǔ)能密度電容器及其它儲(chǔ)能器件上有十分廣泛的用途。
【專利說明】一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高介電薄膜材料【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]高介電薄膜材料在新型儲(chǔ)能器件和大功率能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中均具有非常廣泛的應(yīng)用前景。高介電薄膜材料主要有無機(jī)陶瓷材料和高介電聚合物材料。無機(jī)陶瓷材料具有介電常數(shù)高的優(yōu)點(diǎn)，但其機(jī)械性能較差而且不易于大面積成膜。聚合物介電材料具有可加工性好，能自支撐的優(yōu)點(diǎn)，但通常的聚合物介電材料的介電常數(shù)都不高，如何有效提高聚合物介電材料的介電常數(shù)是目前介電材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
[0004]通過將無機(jī)介電材料與有機(jī)介電材料進(jìn)行有效的復(fù)合，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料同時(shí)具有高的介電常數(shù)和良好的加工性能。在這種復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)中，高介電陶瓷材料以分散相的形式分散在聚合基體中，無機(jī)/有機(jī)界面的匹配特性對(duì)復(fù)合材料的介電特性有很大的影響。進(jìn)一步的一些研究表明，在無機(jī)和有機(jī)復(fù)合相中如果分散一定的導(dǎo)電物質(zhì)，可以通過介電的“渝滲”效應(yīng)來更大程度的增強(qiáng)復(fù)合材料的介電性。
[0005]復(fù)合介電材料中的導(dǎo)電相可以是金屬、碳基材料及導(dǎo)電聚合物。目前研究得較多的是通過將導(dǎo)電性良好的納米粒子參入復(fù)合材料中來改善介電特性。納米粒子具有較大的比表面積，通過一定的介電增強(qiáng)作用可以有效改善聚合物和無機(jī)材料之間的界面匹配。但是，多相結(jié)構(gòu)中界面態(tài)及界面穩(wěn)定性的控制還是這種高介電復(fù)合薄膜制備技術(shù)的難點(diǎn)。如何實(shí)現(xiàn)無機(jī)/有機(jī)材料之間的最大限度復(fù)合并保證納米粒子的表明增強(qiáng)效應(yīng)還是函待解決的問題。
[0006]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的之一是提供一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法，其中該方法制造的高介電聚合物復(fù)合薄膜基于高介電聚合物、導(dǎo)電聚合物和高介電納米粒子的復(fù)合材料，通過三者之間的良好協(xié)同作用，充分發(fā)揮各組份的優(yōu)點(diǎn)，從而在高儲(chǔ)能密度介質(zhì)材料和壓電材料方面具有良好的應(yīng)用前景。
[0008]本發(fā)明公開的技術(shù)方案包括:
提供了一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法，其特征在于，包括:將介電聚合物溶于第一有機(jī)溶劑中，獲得介電聚合物分散液；將所述介電聚合物分散液的至少一部分鋪展于LB膜槽中的超純水表面，用LB膜法將所述超純水表面的介電聚合物薄膜的至少一部分轉(zhuǎn)移至基片表面；將納米粒子和氧化劑溶于第二有機(jī)溶劑與超純水組成的混合溶液中，獲得納米粒子/氧化劑分散液；將所述納米粒子/氧化劑分散液的至少一部分沉積于所述基片上的所述介電聚合物薄膜表面，在基片上獲得介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜；將形成了所述介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜的所述基片置于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜；在所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜表面形成介電聚合物薄膜，獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜；將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理并從所述基片剝離，獲得高介電聚合物復(fù)合薄膜。
[0009]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述介電聚合物為聚偏氟乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯或者聚苯乙烯。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)溶劑為N，N 二甲基甲酰胺、N，N 二甲基乙酰胺、甲醇或者正丁醇；所述第二有機(jī)溶劑為N，N二甲基甲酰胺、N，N二甲基乙酰胺、甲醇和正丁醇中的一種或兩種與超純水形成的混合溶劑。
[0011]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述納米粒子為鈦酸鋇納米粒子、鈦酸鍶納米粒子、鈦酸錯(cuò)納米粒子、聚偏氟乙烯納米粒子、聚酰亞胺納米粒子、聚乙烯納米粒子和聚苯乙烯納米粒子中的一種或者兩種。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化劑為三氯化鐵或者甲基苯磺酸鐵。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電聚合物單體為3，4-乙烯二氧噻吩或者噻吩。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述基片為氧化銦錫、鋁片或鋼片。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理包括:將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜在180-200°C下熱處理60-80分鐘。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述介電聚合物分散液中，介電聚合物的濃度為I摩爾/
升至6摩爾/升。
[0017]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述納米粒子/氧化劑分散液中，所述氧化劑的濃度為15暈克/暈升至30暈克/暈升,所述納米粒子的濃度為20暈克/暈升至40暈克/暈升。
[0018]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法制造的高介電聚合物復(fù)合薄膜中，采用了一種夾層結(jié)構(gòu)，包括高介電聚合物、導(dǎo)電聚合物、高介電納米粒子，通過將導(dǎo)電聚合物和納米粒子形成的復(fù)合薄膜夾層于高介電聚合物之間，形成多種組份的良好匹配，從而實(shí)現(xiàn)介電特性的疊加。該材料可以從基片表面剝離而形成自支撐薄膜，在卷繞式高儲(chǔ)能密度電容器和其它能量存儲(chǔ)系統(tǒng)上有良好的應(yīng)用前景。
[0019]
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法的流程示意圖。
[0021]圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法制造的高介電聚合物復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例的制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法的具體步驟。[0024]如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種制造介電聚合物復(fù)合薄膜的方法包括步驟10、步驟12、步驟14、步驟16和18。
[0025]步驟10:LB膜法制備介電聚合物薄膜。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例的方法中，首先將介電聚合物材料散于第一有機(jī)溶劑中，以獲得介電聚合物分散液，以利于介電聚合物在氣/液界面進(jìn)行鋪展。
[0027]本發(fā)明的實(shí)施例中，介電聚合物可以是聚偏氟乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯、聚苯乙烯等等。本發(fā)明的實(shí)施例中，這些聚合物材料可以單獨(dú)使用，也可以其中的至少兩種或者全部同時(shí)使用。
[0028]本發(fā)明的實(shí)施例中，第一有機(jī)溶劑可以是N，N二甲基甲酰胺、N，N二甲基乙酰胺、甲醇或者正丁醇。
[0029]本發(fā)明的實(shí)施例中，介電聚合物在第一有機(jī)溶劑中的濃度可以是I摩爾/升至6
摩爾/升。
[0030]本發(fā)明的實(shí)施例中，可以使用LB成膜設(shè)備形成需要的薄膜。LB成膜設(shè)備的LB膜槽中的水溶液可以為超純水。
[0031]在步驟10中，將介電聚合物分散液的至少一部分鋪展于LB成膜設(shè)備的LB膜槽中的超純水溶液的表面，從而在該超純水溶液表面(即LB膜槽中的氣/液界面)上形成介電聚合物薄膜。
[0032]在LB膜槽中形成了介電聚合物薄膜之后，在步驟10中，可以使用LB成膜法將LB膜槽中的介電聚合物薄膜轉(zhuǎn)移到適合的基片上。
[0033]例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以控制LB成膜設(shè)備的滑障壓縮膜槽中的超純水溶液表面的介電聚合物薄膜，并采用垂直成膜的方式將該介電聚合物薄膜的至少一部分轉(zhuǎn)移至基片表面。本發(fā)明的另外的實(shí)施例中，也可以采用水平成膜的方式將該介電聚合物薄膜的至少一部分轉(zhuǎn)移至基片表面。
[0034]本發(fā)明的實(shí)施例中，基片可以是氧化銦錫(ΙΤ0)、鋁片或鋼片等等。
[0035]本發(fā)明另外的實(shí)施例中，上述步驟10可以重復(fù)多次，從而在基片上形成多層介電聚合物薄膜基體結(jié)構(gòu)。
[0036]這里，LB成膜設(shè)備的具體結(jié)構(gòu)可以與本領(lǐng)域內(nèi)常用的LB成膜結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)相同，在此不再詳述。
[0037]步驟12:在介電聚合物薄膜上沉積氧化劑/納米粒子復(fù)合層。
[0038]在基片上形成了介電聚合物薄膜后，在步驟12中，可以用適合的方法(例如，噴涂的方法)在基片上的介電聚合物薄膜表面沉積氧化劑/高介電納米粒子復(fù)合層，從而在基片上形成介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜。
[0039]本發(fā)明的實(shí)施例中，用于噴涂的氧化劑/納米粒子溶液為氧化劑/納米粒子在第二有機(jī)溶劑中的分散液，氧化劑在第二有機(jī)溶劑中的濃度可以是15毫克/毫升至30毫克/毫升，納米粒子在第二有機(jī)溶劑中的濃度可以是20毫克/毫升至40毫克/毫升。
[0040]本發(fā)明的實(shí)施例中，氧化劑可以為三氯化鐵或者甲基苯磺酸鐵等等。
[0041]本發(fā)明的實(shí)施例中，納米粒子可以為高介電鈦酸鋇納米粒子、鈦酸鍶納米粒子、鈦酸錯(cuò)納米粒子和聚偏氟乙烯納米粒子、聚酰亞胺納米粒子、聚乙烯納米粒子、聚苯乙烯納米粒子中的一種或任意兩種的組合。[0042]本發(fā)明的實(shí)施例中，用于氧化劑/納米粒子的配置的第二有機(jī)溶劑可以為N，N 二甲基甲酰胺、N，N 二甲基乙酰胺、甲醇、正丁醇中的一種或任意兩種與超純水形成的混合溶劑。
[0043]步驟14:采用化學(xué)氣相聚合沉積方法制備介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)
合薄膜。
[0044]在基片上形成介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜之后，在步驟14中，將該介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜置于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中進(jìn)行化學(xué)氣相聚合沉積，從而在基片上獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子薄膜。
[0045]本發(fā)明的實(shí)施例中，步驟14中的導(dǎo)電聚合物單體可以為3，4乙烯二氧噻吩或者噻吩等等。相應(yīng)地，介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子薄膜中的導(dǎo)電聚合物可以為聚3，4-乙烯二氧噻吩或者聚噻吩，等等。
[0046]步驟16:采用LB膜方法制備介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物
復(fù)合薄膜
在基片上獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子薄膜之后，在步驟16中，采用與步驟10類似的方法在該介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子薄膜表面再沉積與步驟10中的類似的介電聚合物膜，從而在基片上獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜。
[0047]步驟18:對(duì)介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理并從基片剝尚
在步驟18中，將獲得的介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜置于高溫真空烘箱進(jìn)行熱處理，以保證復(fù)合膜中各層的良好接觸。最后將熱處理后的介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜從基片剝離，從而獲得自支撐的介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物的高介電聚合物復(fù)合薄膜。
[0048]本發(fā)明的實(shí)施例中，熱處理的溫度可以為180-200°C，處理時(shí)間可以為60-80分鐘。
[0049]具體地，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法的具體步驟如下:
①將介電聚合物溶于有機(jī)溶劑中，獲得介電聚合物分散液，介電聚合物的濃度可以為I
摩爾/升至6摩爾/升。
[0050]②將所述介電聚合物物溶液的至少一部分鋪展于LB膜槽中的超純水表面，用LB膜法將所述超純水表面的介電聚合物薄膜的至少一部分轉(zhuǎn)移至基片表面；
③將高介電納米粒子和氧化劑溶于有機(jī)溶劑與超純水組成的混合溶液中，獲得高介電納米粒子/氧化劑分散液；氧化劑在溶液中的濃度可以是15暈克/暈升至30暈克/暈升，納米粒子在溶液中的濃度可以是20暈克/暈升至40暈克/暈升。
[0051]④將所述納米粒子/氧化劑分散液的至少一部分沉積于(例如，采用噴涂的方法)所述的介電聚合物L(fēng)B膜表面，獲得介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜；
⑤將介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜在聚合物單體氣氛中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜；
⑥在該介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子薄膜上采用LB膜沉積方法再沉積介電聚合物，從而獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜；
⑦將該介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜在180-200°C的真空烘箱進(jìn)行熱處理，處理時(shí)間為60-80分鐘。接著將復(fù)合薄膜從基片剝離，即獲得所需要的可自支撐的介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物高介電復(fù)合薄膜。
[0052]圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法制造的高介電聚合物復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖，其中I為基片，2為高介電聚合物層，3為導(dǎo)電聚合物，4為高介電納米粒子。
[0053]下面是本發(fā)明的方法的幾個(gè)具體的實(shí)例。
[0054]實(shí)例1:
①將聚偏氟乙烯溶于N，N二甲基甲酰胺溶劑中，聚偏氟乙烯的濃度為I摩爾/升，形成用于LB膜制備的聚偏氟乙烯溶液；
②采用微量進(jìn)樣器抽取400μ I①中獲得的聚偏氟乙烯溶液，加于LB膜槽中超純水表面，聚偏氟乙烯在氣/液界面鋪展并形成有序薄膜；
③控制LB膜設(shè)備滑障以0.5 mm/min的速度壓縮聚偏氟乙烯膜到膜壓15 mN/m，采用垂直成膜的方式將聚偏氟乙烯膜轉(zhuǎn)移至鋁基片上，成膜速率為0.1 mm/min ；
④將鈦酸鋇納米粒子和三氯化鐵溶于正丁醇/超純水溶液中，鈦酸鋇納米粒子濃度為30毫克/毫升，三氯化鐵的濃度為10毫克/毫升，形成用于噴涂的溶液；
⑤將④中獲得的溶液采用噴涂的方式沉積于鋁基片的偏氟乙烯膜LB膜上；
⑥將經(jīng)過步驟⑤處理后的鋁基片置于噻吩單體氣氛中30分鐘進(jìn)行化學(xué)氣相聚合沉
積；
⑦采用與步驟①-③類似的步驟在經(jīng)過步驟⑥處理后的基片上沉積聚偏氟乙烯LB
膜；
⑧將經(jīng)過步驟⑦處理后的鋁基片放入180°C的真空烘箱中處理60分鐘。
[0055]⑨將獲得的復(fù)合薄膜從鋁基片剝離獲得自支撐的聚偏氟乙烯/聚噻吩/鈦酸鋇納米粒子/聚偏氟乙烯高介電復(fù)合薄膜。
[0056]實(shí)例2:
實(shí)例2中，聚合物為聚酰亞胺，其余物質(zhì)和制造流程與實(shí)施I中類似，從而獲得聚酰亞胺/聚噻吩/鈦酸鋇納米粒子/聚酰亞胺高介電復(fù)合薄膜。
[0057]實(shí)例3:
實(shí)例3中，聚合物為聚苯乙烯，其余物質(zhì)和制造流程與實(shí)施I中類似，從而獲得聚苯乙烯/聚噻吩/鈦酸鋇納米粒子/聚苯乙烯高介電復(fù)合薄膜。
[0058]實(shí)例4:
實(shí)例4中，導(dǎo)電聚合物為聚3，4-乙烯二氧噻吩，其余物質(zhì)和制造流程與實(shí)施I中類似，從而獲得聚偏氟乙烯/聚3，4-乙烯二氧噻吩/鈦酸鋇納米粒子/聚偏氟乙烯高介電復(fù)合薄膜。
[0059]實(shí)例5:
實(shí)例5中，導(dǎo)電聚合物為聚3，4-乙烯二氧噻吩，介電聚合物為聚酰亞胺其余物質(zhì)和制造流程與實(shí)施I中類似，從而獲得聚酰亞胺/聚3，4-乙烯二氧噻吩/鈦酸鋇納米粒子/聚酰亞胺高介電復(fù)合薄膜。
[0060]實(shí)例6: 實(shí)例6中，導(dǎo)電聚合物為聚3，4-乙烯二氧噻吩，納米粒子為納米氧化鋯，其余物質(zhì)和制造流程與實(shí)施I中類似，從而獲得聚偏氟乙烯/聚3，4-乙烯二氧噻吩/鈦酸鋯納米粒子/聚偏氟乙烯高介電復(fù)合薄膜。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例所提供的制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法中，采用了一種夾層式結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)電聚合物和高介電納米粒子形成的復(fù)合物夾層于高介電聚合物薄膜中，通過聚合物導(dǎo)電相和納米粒子之間的良好協(xié)同作用及介電增強(qiáng)作用來提高復(fù)合物的介電常數(shù)，并通過熱處理手段可以使得各組分之間接觸良好。另外，該聚合物復(fù)合薄膜可以從基片表面剝離而形成自支撐膜，在高儲(chǔ)能密度電容器和壓電儲(chǔ)能材料方面均具有良好的應(yīng)用前景。并且該制造方法合理簡(jiǎn)單，易于操作。
[0062]以上通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于這些具體的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，還可以對(duì)本發(fā)明做各種修改、等同替換、變化等等，這些變換只要未背離本發(fā)明的精神，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，以上多處所述的“一個(gè)實(shí)施例”表示不同的實(shí)施例，當(dāng)然也可以將其全部或部分結(jié)合在一個(gè)實(shí)施例中。
【權(quán)利要求】
1.一種制造高介電聚合物復(fù)合薄膜的方法，其特征在于，包括: 將介電聚合物溶于第一有機(jī)溶劑中，獲得介電聚合物分散液； 將所述介電聚合物分散液的至少一部分鋪展于LB膜槽中的超純水表面，用LB膜法將所述超純水表面的介電聚合物薄膜的至少一部分轉(zhuǎn)移至基片表面； 將納米粒子和氧化劑溶于第二有機(jī)溶劑與超純水組成的混合溶液中，獲得納米粒子/氧化劑分散液； 將所述納米粒子/氧化劑分散液的至少一部分沉積于所述基片上的所述介電聚合物薄膜表面，在基片上獲得介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜； 將形成了所述介電聚合物/氧化劑/納米粒子復(fù)合薄膜的所述基片置于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜； 在所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子復(fù)合薄膜表面形成介電聚合物薄膜，獲得介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜； 將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理并從所述基片剝離，獲得高介電聚合物復(fù)合薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電聚合物為聚偏氟乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯或者聚苯乙烯。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述第一有機(jī)溶劑為N，N二甲基甲酰胺、N, N 二甲基乙酰胺、甲醇或者正丁醇；所述第二有機(jī)溶劑為N，N 二甲基甲酰胺、N，N 二甲基乙酰胺、甲醇和正丁醇中的一種或兩種與超純水形成的混合溶劑。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述納米粒子為鈦酸鋇納米粒子、鈦酸鍶納米粒子、鈦酸鋯納米粒子、聚偏氟乙烯納米粒子、聚酰亞胺納米粒子、聚乙烯納米粒子和聚苯乙烯納米粒子中的一種或者兩種。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述氧化劑為三氯化鐵或者甲基苯磺酸鐵。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述導(dǎo)電聚合物單體為3，4-乙烯二氧噻吩或者噻吩。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述基片為氧化銦錫、鋁片或鋼片。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行熱處理包括:將所述介電聚合物/導(dǎo)電聚合物/納米粒子/介電聚合物復(fù)合薄膜在180-20(TC下熱處理60-80分鐘。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述介電聚合物分散液中，介電聚合物的濃度為I摩爾/升至6摩爾/升。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述納米粒子/氧化劑分散液中，所述氧化劑的濃度為15毫克/毫升至30毫克/毫升，所述納米粒子的濃度為20毫克/毫升至40暈克/暈升°
【文檔編號(hào)】B32B27/28GK103963408SQ201410178975
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】楊亞杰, 袁文濤, 楊文耀, 楊曉潔, 徐建華, 蔣亞東 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)