一種新型的雙銀low-e鍍膜玻璃的制作方法
【專利摘要】一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SixNy基膜層、第一TiOx膜層、第一AZO阻擋層、第一Ag層、第一NiCr阻擋層、第二AZO阻擋層、第二TiOx膜層、第三AZO阻擋層、第二Ag層、第二NiCr阻擋層、第四AZO阻擋層、第三TiOx膜層、以及SixNy頂膜層。本發(fā)明具有較好的粘結(jié)性和較佳機(jī)械強(qiáng)度，且可延長保存期。
【專利說明】—種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃。

【背景技術(shù)】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品。但現(xiàn)有LOW-E玻璃，其膜層粘結(jié)力較差，機(jī)械強(qiáng)度不佳，容易出現(xiàn)脫膜、氧化等質(zhì)量缺陷。同時，Ag層上下表面之間均使用NiCr膜層作為阻擋層，容易掉渣，無法保護(hù)Ag層，使得LOW-E玻璃的保存期最長才為6個月。
[0003]故有必要對現(xiàn)有的LOW-E玻璃作出改進(jìn)，以提供一種具有較好粘結(jié)性、較佳機(jī)械強(qiáng)度、且可延長保存期的LOW-E鍍膜玻璃。


【發(fā)明內(nèi)容】

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[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其具有較好的粘結(jié)性和較佳機(jī)械強(qiáng)度，且可延長保存期。
[0005]一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SixNy基膜層、第一 T1x膜層、第一 AZO阻擋層、第一 Ag層、第一 NiCr阻擋層、第二 AZO阻擋層、第二 T1x膜層、第三AZO阻擋層、第二 Ag層、第二 NiCr阻擋層、第四AZO阻擋層、第三T1x膜層、以及SixNy頂膜層。
[0006]本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn):
[0007]所述SixNy基膜層的厚度為10?Ιδηπι，SixNy頂膜層的厚度為I5?25nm。
[0008]所述第一 T1x膜層的厚度為15?20nm，第二 T1x膜層的厚度為20?35nm，第三T1x膜層的厚度為15?30nm。
[0009]所述第一 AZO阻擋層的厚度為5?15nm，第二 AZO阻擋層的厚度為10?25nm，第三AZO阻擋層的厚度為4?15nm，第四AZO阻擋層的厚度為2?8nm。
[0010]所述第一 Ag層的厚度為4?8nm,第二 Ag層的厚度為2?5nm。
[0011]所述第一 NiCr阻擋層、第二 NiCr阻擋層的厚度為I?5nm。
[0012]所述SixNy基膜層、所述SixNy頂膜層為Si3N4保護(hù)層。
[0013]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):1、利用SixNy作為基膜層和頂膜層，使膜層具有較好的粘結(jié)性和較佳機(jī)械強(qiáng)度；同時，利用T1x提高玻璃的透光率，各Ag層下面均用AZO阻擋層，各Ag層上面均用NiCr阻擋層和AZO阻擋層，AZO阻擋層具有附著力較強(qiáng)，不容易掉渣的性能，可以使各Ag層得到更好的保護(hù)，可將LOW-E玻璃的保存期延長至7-8個月。2、本玻璃透過率^60%,輻射率< 0.06,反射率< 15，遮陽系數(shù)SC ( 0.38 ;本玻璃顏色顯現(xiàn)淺藍(lán)色，通過色度儀可以測得如下顏色坐標(biāo)值:a* = -2.5?-3.5，b* = -6?_7，光學(xué)性能良好。

【專利附圖】

【附圖說明】
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[0014]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖?！揪唧w實(shí)施方式】:
[0015]如圖所示，一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設(shè)有SixNy基膜層2、第一 T1x膜層3、第一 AZO阻擋層4、第一 Ag層5、第一 NiCr阻擋層6、第二 AZO阻擋層7、第二 T1x膜層8、第三AZO阻擋層9、第二 Ag層10、第二 NiCr阻擋層11、第四AZO阻擋層12、第三T1x膜層13、以及SixNy頂膜層14。
[0016]進(jìn)一步地，所述SixNy基膜層2的厚度為10?15nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射硅鋁靶(硅鋁質(zhì)量百分比92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0017]再進(jìn)一步地，所述第一 T1x膜層3的厚度為15?20nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體射陶瓷鈦靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氬氧比是該膜層的核心。
[0018]更進(jìn)一步地，所述第一 AZO阻擋層4的厚度為5?15nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。為第一 Ag層5作鋪墊，降低輻射率。
[0019]又進(jìn)一步地，所述第一 Ag層5的厚度為4?8nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、用氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0020]再進(jìn)一步地，所述第一 NiCr阻擋層6的厚度為I?5nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金、用氬氣作為濺射氣體制備而成。
[0021]再進(jìn)一步地，所述第二 AZO阻擋層7的厚度為10?25nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0022]再進(jìn)一步地，所述第二 T1x膜層8的厚度為20?35nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體射陶瓷鈦靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氬氧比是該膜層的核心。
[0023]再進(jìn)一步地，所述第三AZO阻擋層9的厚度為4?15nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0024]再進(jìn)一步地，所述第二 Ag層10的厚度為2?5nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、用氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0025]再進(jìn)一步地，所述第二 NiCr阻擋層11的厚度為I?5nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金、用氬氣作為濺射氣體制備而成。
[0026]再進(jìn)一步地，所述第四AZO阻擋層12的厚度為2?8nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0027]再進(jìn)一步地，所述第三T1x膜層13的厚度為15?30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體射陶瓷鈦靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氬氧比是該膜層的核心。
[0028]再進(jìn)一步地，所述SixNy頂膜層14的厚度為15?25nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射硅鋁靶(硅鋁質(zhì)量百分比92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0029]具體地，所述SixNy基膜層2、所述SixNy頂膜層14為Si3N4保護(hù)層。
[0030]本發(fā)明利用SixNy作為基膜層和頂膜層，使膜層具有較好的粘結(jié)性和較佳機(jī)械強(qiáng)度；同時，利用T1x提高玻璃的透光率，各Ag層下面均用AZO阻擋層，各Ag層上面均用NiCr阻擋層和AZO阻擋層，AZO阻擋層具有附著力較強(qiáng)，不容易掉渣的性能，可以使各Ag層得到更好的保護(hù)，可將LOW-E玻璃的保存期延長至7-8個月。2、本發(fā)明透過率> 60%，輻射率(0.06，反射率< 15，遮陽系數(shù)SC ( 0.38 ;本發(fā)明顏色顯現(xiàn)淺藍(lán)色，通過色度儀可以測得如下顏色坐標(biāo)值:a* = -2.5?-3.5, b* = -6?_7，光學(xué)性能良好。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SixNy基膜層、第一 T1x膜層、第一 AZO阻擋層、第一 Ag層、第一 NiCr阻擋層、第二 AZO阻擋層、第二 T1x膜層、第三AZO阻擋層、第二 Ag層、第二 NiCr阻擋層、第四AZO阻擋層、第三T1x膜層、以及SixNy頂膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜層的厚度為10?15nm，SixNy頂膜層的厚度為15?25nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一T1x膜層的厚度為15?20nm，第二 T1x膜層的厚度為20?35nm，第三T1x膜層的厚度為15?30nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一AZO阻擋層的厚度為5?15nm，第二 AZO阻擋層的厚度為10?25nm，第三AZO阻擋層的厚度為4?15nm,第四AZO阻擋層的厚度為2?8nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一Ag層的厚度為4?8nm,第二 Ag層的厚度為2?5nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一NiCr阻擋層、第二 NiCr阻擋層的厚度為I?5nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種新型的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜層、所述SixNy頂膜層為Si3N4保護(hù)層。
【文檔編號】B32B17/06GK104355551SQ201410606694
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】陳圓, 禹幸福 申請人:中山市亨立達(dá)機(jī)械有限公司