高透過消影導(dǎo)電玻璃的制作方法
【專利摘要】一種高透過消影導(dǎo)電玻璃，包括沿垂直方向依次層疊的玻璃基板，折射率匹配層，和透明導(dǎo)電膜層，所述折射率匹配層由高折射率層，折射率漸變層，及低折射率層組成，所述折射率漸變層沿垂直方向位于所述高折射率層和所述低折射率層之間，所述高折射率層與所述玻璃基板相連，所述低折射率層連接至所述透明導(dǎo)電膜層。所述折射率匹配層由SiOxNy構(gòu)成，所述SiOxNy為SiO2和Si3N4的中間相。采用此種結(jié)構(gòu)的消影導(dǎo)電玻璃，透明導(dǎo)電電極區(qū)域和刻蝕區(qū)域透過率差值在0.5％以下，并且整個(gè)消影導(dǎo)電玻璃的反射率降至5％以下，在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)，大幅度的提高了其光學(xué)透過率。
【專利說明】高透過消影導(dǎo)電玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，涉及一種消影導(dǎo)電玻璃，特別涉及一種用于觸摸屏以及平板顯示領(lǐng)域的消影導(dǎo)電玻璃。

【背景技術(shù)】
[0002]如今，觸摸屏廣泛應(yīng)用于各種需要人機(jī)交互終端的電子產(chǎn)品，如:液晶電視、等離子電視、各種監(jiān)測(cè)器等大尺寸電子產(chǎn)品，游戲機(jī)、平板電腦、e-book等中尺寸電子產(chǎn)品，和遙控器、智能手機(jī)、PDA(掌上電腦)等小尺寸電子產(chǎn)品。
[0003]但目前觸摸屏存在最大的問題是顯示陰影問題:由于透明導(dǎo)電膜的折射率與觸摸屏玻璃基板的折射率不同，如ITO膜(ΑΖ0膜或FTO膜)折射率η —般為1.9-2.0 (550nm附近)，玻璃基板的折射率約為1.5 (550nm附近)，導(dǎo)致顯示區(qū)內(nèi)電極與電極縫隙之間的反射率有較大區(qū)別(一般為3% )，使電極與縫隙清晰可見，即存在刻蝕陰影，影響顯示效果和外觀，而且觸摸屏尺寸越大，透明導(dǎo)電電極膜層厚度和電極寬度越大，以上電極與縫隙的視覺差距越明顯。
[0004]目前解決這一問題的主要方法是在透明導(dǎo)電電極與玻璃基板之間引入折射率匹配層，通過光學(xué)介質(zhì)的干涉相消作用，起到消除刻蝕陰影作用，例如專利號(hào)為201220350209.7的實(shí)用新型專利公開的消影玻璃和專利號(hào)為201310125495.6的實(shí)用新型專利公開的一種消影透明導(dǎo)電膜都是采用添加折射率匹配層來實(shí)現(xiàn)消影作用，折射率匹配層由至少一層高折射率層和至少一層低折射率層依次交替疊加而成，所采用的高折射率介質(zhì)層折射率為2.1?2.4，而低折射率介質(zhì)層折射率為1.4?1.5，兩種介質(zhì)由于折射率相差較大導(dǎo)致折射率匹配層整體折射率變化不夠均勻，會(huì)影響光的透過性能，所以采用這種方式的消影導(dǎo)電玻璃的反射率一般為10%左右。
[0005]S1xNy是S12和Si3N4的中間相，其光學(xué)和電學(xué)性能介于兩者之間，因而可通過改變化學(xué)組成，可使其折射率變化范圍為1.47?2.3，因此可以將S1xNy膜層加入到高折射率層與低折射率層之間，并且通過連續(xù)控制工藝參數(shù)改變其化學(xué)成分，使其成為一層折射率漸變的膜層材料，并且折射率自自高折射率層(Si3N4、T12或Nb2O5膜層)向低折射率層(S12膜層)逐漸降低，即可實(shí)現(xiàn)整個(gè)折射率匹配層折射率變化的均勻性，可顯著提高消影導(dǎo)電玻璃的透過性能，有效抑制其反射特性。
[0006]綜上所述，雖然現(xiàn)有技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電玻璃的消影功能，但由于膜層折射率變化不夠均勻，會(huì)降低其透過性能，而通過在折射率匹配層中引入一層折射率漸變層(S1xNy層)可以解決上述問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型旨在提供一種高透過消影導(dǎo)電玻璃，使導(dǎo)電玻璃在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)可以大幅度提聞其透過特性。
[0008]為了達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型提供了一種高透過消影導(dǎo)電玻璃，沿垂直方向依次層疊的玻璃基板，折射率匹配層，和透明導(dǎo)電膜層，所述折射率匹配層由高折射率層，折射率漸變層，及低折射率層組成，所述折射率漸變層沿垂直方向位于所述高折射率層和所述低折射率層之間，所述高折射率層與所述玻璃基板相連，所述低折射率層連接至所述透明導(dǎo)電膜層。所述折射率匹配層由S1xNy構(gòu)成,所述S1xNy為S12和Si3N4的中間相。
[0009]一些實(shí)施例中，所述折射率漸變層的折射率沿從所述高折射率層向所述低折射率層的方向逐漸降低。
[0010]一些實(shí)施例中，所述折射率漸變層的厚度為20nm?lOOnm。
[0011]一些實(shí)施例中，所述高折射率層為Si3N4, T12，或Nb2O5膜層，厚度為5nm?30nm。
[0012]一些實(shí)施例中，所述低折射率層為S12膜層，厚度為1nm?50nm。
[0013]一些實(shí)施例中，所述玻璃基板為普通光電玻璃，厚度為0.3mm, 0.7mm, 1.1_。
[0014]一些實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電膜層為ITO(In2O3 = Sn)，AZO(ZnOiAl)，或FTO(SnO2 = F)，厚度為 1nm ?10nm0
[0015]采用此種結(jié)構(gòu)的消影導(dǎo)電玻璃，透明導(dǎo)電電極區(qū)域和刻蝕區(qū)域透過率差值在0.5%以下，并且整個(gè)消影導(dǎo)電玻璃的反射率降至5%以下，在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)，大幅度的提高了其光學(xué)透過率。
[0016]以下結(jié)合附圖，通過示例說明本實(shí)用新型主旨的描述，以清楚本實(shí)用新型的其他方面和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]結(jié)合附圖，通過下文的詳細(xì)說明，可更清楚地理解本實(shí)用新型的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0018]圖1為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的高透過消影導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]參見本實(shí)用新型具體實(shí)施例的附圖，下文將更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型。然而，本實(shí)用新型可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施例的限制。相反，提出這些實(shí)施例是為了達(dá)成充分及完整公開，并且使本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員完全了解本實(shí)用新型的范圍。
[0020]現(xiàn)參考附圖詳細(xì)說明根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的高透過消影導(dǎo)電玻璃。
[0021]如圖1所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的高透過消影導(dǎo)電玻璃包括普通玻璃基板1、高折射率層2、折射率漸變層3、低折射率層4以及透明導(dǎo)電膜層5。在折射率匹配層中，折射率漸變層3位于高折射率層2與低折射率層4之間，并且其折射率沿著自高折射率層2向低折射率層4方向逐漸降低。
[0022]本實(shí)施例中，玻璃基板I為普通光電玻璃，厚度為1.1_，高折射率層2選用Si3N4、T12或Nb2O5,厚度為1nm ;折射率漸變層S1xNy膜層3的厚度為50nm，低折射率層S12膜層4的厚度為15nm。透明導(dǎo)電膜層5選用ITO (In2O3: Sn)，AZO (ZnO: Al)，或FTO (SnO2 = F)，厚度為18nm。
[0023]采用此種結(jié)構(gòu)的消影導(dǎo)電玻璃，透明導(dǎo)電電極區(qū)域和刻蝕區(qū)域透過率差值在0.5%以下，并且整個(gè)消影導(dǎo)電玻璃的反射率降至5%以下，在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)，大幅度的提高了其光學(xué)透過率。
[0024]以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思做出諸多修改和變化。凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高透過消影導(dǎo)電玻璃，包括沿垂直方向依次層疊的玻璃基板，折射率匹配層，和透明導(dǎo)電膜層，所述折射率匹配層由高折射率層，折射率漸變層，及低折射率層組成，所述折射率漸變層沿垂直方向位于所述高折射率層和所述低折射率層之間，所述高折射率層與所述玻璃基板相連，所述低折射率層連接至所述透明導(dǎo)電膜層，其特征在于，所述折射率匹配層由S1xNy構(gòu)成，所述S1xNy為S12和Si3N4的中間相。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述折射率漸變層的折射率沿從所述高折射率層向所述低折射率層的方向逐漸降低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述折射率漸變層的厚度為 20nm ?lOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述高折射率層為Si3N4,T12,或Nb2O5膜層，厚度為5nm?30nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述低折射率層為S12膜層，厚度為1nm?50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述玻璃基板為普通光電玻璃，厚度為0.3mm, 0.7mm,或1.1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過消影導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜層為ITO (In2O3: Sn)，AZO (ZnO: Al)，或 FTO (SnO2: F)，厚度為 1nm ?10nm0
【文檔編號(hào)】B32B17/06GK204210110SQ201420450152
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月11日
【發(fā)明者】徐根保, 蔣繼文, 張寬翔, 姚婷婷, 曹欣, 楊勇, 金克武 申請(qǐng)人:中國(guó)建材國(guó)際工程集團(tuán)有限公司, 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院