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      一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線的制作方法

      文檔序號(hào):40441328發(fā)布日期:2024-12-24 15:15閱讀:15來(lái)源:國(guó)知局
      一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線的制作方法

      本發(fā)明涉及紡織紗線,具體地說(shuō),是涉及一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線。


      背景技術(shù):

      1、隨著全球氣候變化趨勢(shì)日益明顯,夏季高溫成為影響人們?nèi)粘I畹囊粋€(gè)重要因素。長(zhǎng)時(shí)間暴露于強(qiáng)烈的陽(yáng)光下不僅會(huì)導(dǎo)致皮膚損傷,還會(huì)引起身體過(guò)熱等健康問(wèn)題。因此,開(kāi)發(fā)能夠有效抵御紫外線傷害并降低體感溫度的功能性紡織品成為了行業(yè)研究的重點(diǎn)方向之一。

      2、傳統(tǒng)方法中,為了達(dá)到遮陽(yáng)降溫的目的,業(yè)內(nèi)通過(guò)在紗線中添加二氧化鈦,增強(qiáng)紗線反射太陽(yáng)光的效果,從而使得所織造的面料具有一定的降溫防曬功能。但實(shí)際使用時(shí),由于常規(guī)紗線結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,仍有較多的光線會(huì)通過(guò)反射穿透紗線,導(dǎo)致體感溫度上升;同時(shí),由于二氧化鈦、滌綸、氨綸等紡織材料對(duì)人體紅外有較強(qiáng)的吸收能力,會(huì)導(dǎo)致人體紅外不能直接穿透面料,而在內(nèi)部形成了熱循環(huán),影響了散熱功能,故現(xiàn)有紗線的遮熱性能仍不滿足需求。

      3、以上缺陷,亟需解訣。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、為了解決現(xiàn)有紗線的遮熱性能不足的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線。

      2、本發(fā)明技術(shù)方案如下所述:

      3、一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線,包括紗線本體,所述紗線本體的周向向外凸伸形成多個(gè)散射凸塊,多個(gè)所述散射凸塊間隔設(shè)置,且相鄰兩個(gè)所述散射凸塊之間形成散射凹槽,所述散射凸塊的寬度、所述散射凹槽的寬度均分布在太陽(yáng)光的能量波段之內(nèi)。

      4、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述散射凸塊的寬度、所述散射凹槽的寬度均為400nm~2500nm。

      5、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述散射凸塊的寬度與所述散射凹槽的寬度按照公差為100nm的等差序列的規(guī)律連續(xù)分布。

      6、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,多個(gè)所述散射凸塊的寬度值與多個(gè)所述散射凹槽的寬度值均不相等,且在所述紗線本體的周向上隨機(jī)分布。

      7、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,每個(gè)所述散射凸塊均具有兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁,且所有散射凸塊的側(cè)壁高度均相等,所述側(cè)壁的高度為280nm~400nm。

      8、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述紗線本體內(nèi)填充有氧化鋅。

      9、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述紗線本體的材質(zhì)為錦綸,所述散射凸塊的數(shù)量為四個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為2.5μm,所述紗線本體的直徑為1.9μm。

      10、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述紗線本體的材質(zhì)為乙綸,所述散射凸塊的數(shù)量為五個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為9.1μm,所述紗線本體的直徑為8.5μm。

      11、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述紗線本體的材質(zhì)為乙綸,所述散射凸塊的數(shù)量為六個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為10.6μm,所述紗線本體的直徑為9.88μm。

      12、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,所述紗線本體的橫截面形狀為圓形,所述散射凸塊的橫截面為扇環(huán)形。

      13、根據(jù)上述方案的本發(fā)明,其有益效果在于:

      14、上述高太陽(yáng)光熱能反射紗線中,紗線本體上的散射凸塊的寬度、散射凹槽的寬度均分布在太陽(yáng)光的能量波段之內(nèi),根據(jù)米氏(光散射)理論,當(dāng)太陽(yáng)光的能量波段與散射凸塊的寬度或散射凹槽的寬度相匹配時(shí),光線能夠在對(duì)應(yīng)的散射凸塊或者散射凹槽發(fā)生光線散射,減少光線直接穿透或吸收進(jìn)入紗線內(nèi)部,即紗線能夠在太陽(yáng)光的照射下,在紗線原有光反射效果上增加光散射效果,將更多的光線阻擋在紗線外,從而達(dá)到遮熱防曬的效果,進(jìn)而能夠減少太陽(yáng)熱能造成的人體升溫。

      15、此外,本發(fā)明紗線本體采用的錦綸材料、乙綸材料對(duì)人體紅外都具有高穿透的作用,而紗線本體內(nèi)填充的氧化鋅不僅對(duì)光線具有高反射作用,同時(shí)還能對(duì)未被反射的紫外具有高吸收作用,防止紫外對(duì)皮膚的傷害,并且氧化鋅對(duì)人體的紅外線吸收極低,熱傳導(dǎo)能力強(qiáng),可以使人體紅外線有效穿透面料,同外界進(jìn)行熱交換,達(dá)到快速散熱降溫的功效。



      技術(shù)特征:

      1.一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,包括紗線本體,所述紗線本體的周向向外凸伸形成多個(gè)散射凸塊,多個(gè)所述散射凸塊間隔設(shè)置,且相鄰兩個(gè)所述散射凸塊之間形成散射凹槽,所述散射凸塊的寬度、所述散射凹槽的寬度均分布在太陽(yáng)光的能量波段之內(nèi)。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述散射凸塊的寬度、所述散射凹槽的寬度均為400nm~2500nm。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述散射凸塊的寬度與所述散射凹槽的寬度按照公差為100nm的等差序列的規(guī)律連續(xù)分布。

      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,多個(gè)所述散射凸塊的寬度值與多個(gè)所述散射凹槽的寬度值均不相等,且在所述紗線本體的周向上隨機(jī)分布。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,每個(gè)所述散射凸塊均具有兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁,且所有散射凸塊的側(cè)壁高度均相等,所述側(cè)壁的高度為280nm~400nm。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述紗線本體內(nèi)填充有氧化鋅。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述紗線本體的材質(zhì)為錦綸,所述散射凸塊的數(shù)量為四個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為2.5μm,所述紗線本體的直徑為1.9μm。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述紗線本體的材質(zhì)為乙綸,所述散射凸塊的數(shù)量為五個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為9.1μm,所述紗線本體的直徑為8.5μm。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述紗線本體的材質(zhì)為乙綸,所述散射凸塊的數(shù)量為六個(gè),位于對(duì)角的兩個(gè)所述散射凸塊的間距為10.6μm,所述紗線本體的直徑為9.88μm。

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高太陽(yáng)光熱能反射紗線,其特征在于,所述紗線本體的橫截面形狀為圓形,所述散射凸塊的橫截面為扇環(huán)形。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了紡織紗線領(lǐng)域中的一種高太陽(yáng)光熱能反射紗線,包括紗線本體,所述紗線本體的周向向外凸伸形成多個(gè)散射凸塊,多個(gè)所述散射凸塊間隔設(shè)置,且相鄰兩個(gè)所述散射凸塊之間形成散射凹槽,所述散射凸塊的寬度、所述散射凹槽的寬度均分布在太陽(yáng)光的能量波段之內(nèi)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有紗線的遮熱性能不足的問(wèn)題,本發(fā)明能夠減少光線直接穿透或吸收進(jìn)入紗線內(nèi)部,即紗線能夠在太陽(yáng)光的照射下,在紗線原有光反射效果上增加光散射效果,將更多的光線阻擋在紗線外,從而達(dá)到遮熱防曬的效果,進(jìn)而能夠減少太陽(yáng)熱能造成的人體升溫。

      技術(shù)研發(fā)人員:楊明,朱毅豪,潘愛(ài)強(qiáng)
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市創(chuàng)冷科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/23
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