一種新型瓦楞輥的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種新型單面機。
【背景技術(shù)】
[0002]瓦楞輥是單面機的重要關(guān)鍵零件。瓦楞輥分為上瓦楞輥和下瓦楞輥，上下輥面均為雌形，兩輥配對嚙合裝配，其嚙合機理不同于通常的齒輪傳動。下瓦楞輥為主動輥，軸端裝有齒輪，電動機經(jīng)減速裝置帶動下瓦楞輥轉(zhuǎn)動。上瓦楞輥為從動輥，依靠上輥的輥齒和下輥的輥齒相互嚙合傳動。為了使瓦楞原紙在上、下瓦楞輥之間壓楞成型，必須在上瓦楞輥上施加一定壓力。所以上瓦楞輥除了繞自身軸線轉(zhuǎn)動外，并能沿上下瓦楞輥軸線的連線方向移動。這種移動是通過氣缸向上瓦楞輥兩端施加徑向壓力，使相互嚙合的瓦楞輥產(chǎn)生咬入壓力。
[0003]目前，瓦楞輥的加熱方式通常為電加熱、燃氣加熱、油加熱和普通的蒸汽加熱。這幾種加熱方式熱利用率低。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提高瓦楞輥加熱效率。
[0005]本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]—種新型瓦楞輥，包括外側(cè)不銹鋼瓦楞層、緊套在不銹鋼瓦楞層內(nèi)壁的吸波材料層、設(shè)置在吸波材料層內(nèi)的支撐架、設(shè)置在支撐架中部的微波源固定架、設(shè)置在微波固定架上的微波源。
[0007]進一步，所述支撐架為3個均勻設(shè)置在微波源固定架上，所述支撐架將微波源固定架均勻分成三段，每段微波源固定架上設(shè)置有微波源。
[0008]進一步，所述不銹鋼瓦愣層厚度為20mm，所述吸波材料層厚度為25mm。
[0009]進一步，所述吸波材料層為碳化硅層。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型采用微波加熱，能量利用率高，加熱迅速，并且溫度容易控制。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明:
[0013]如圖1所示，一種新型瓦楞輥，包括外側(cè)不銹鋼瓦楞層1、緊套在不銹鋼瓦楞層I內(nèi)壁的吸波材料層2、設(shè)置在吸波材料層2內(nèi)的支撐架3、設(shè)置在支撐架3中部的微波源固定架4、設(shè)置在微波固定架4上的微波源5，所述支撐架3為3個均勻設(shè)置在微波源固定架4上，所述支撐架3將微波源固定架4均勻分成三段，每段微波源固定架4上設(shè)置有微波源5，所述不銹鋼瓦愣層I厚度為20_，所述吸波材料層2厚度為25_，所述吸波材料層2為碳化娃層。
[0014]使用時，開啟微波源，吸波材料層將微波吸收產(chǎn)生熱量并將熱量傳遞給不銹鋼瓦楞層，這樣整個瓦楞輥就得到了充分加熱，由于不銹鋼瓦楞層和吸波材料層厚度的原因，其可以容納的總熱量較少，方便了對其溫度的控制。
【主權(quán)項】
1.一種新型瓦楞輥，其特征在于，包括外側(cè)不銹鋼瓦楞層、緊套在不銹鋼瓦楞層內(nèi)壁的吸波材料層、設(shè)置在吸波材料層內(nèi)的支撐架、設(shè)置在支撐架中部的微波源固定架、設(shè)置在微波固定架上的微波源。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型瓦楞輥，其特征在于，所述支撐架為3個均勻設(shè)置在微波源固定架上，所述支撐架將微波源固定架均勻分成三段，每段微波源固定架上設(shè)置有微波源。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型瓦楞輥，其特征在于，所述不銹鋼瓦楞層厚度為20mm，所述吸波材料層厚度為25mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的一種新型瓦楞輥，其特征在于，所述吸波材料層為碳化硅層。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型瓦楞輥，包括外側(cè)不銹鋼瓦楞層、緊套在不銹鋼瓦楞層內(nèi)壁的吸波材料層、設(shè)置在吸波材料層內(nèi)的支撐架、設(shè)置在支撐架中部的微波源固定架、設(shè)置在微波固定架上的微波源。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型采用微波加熱，能量利用率高，加熱迅速，并且溫度容易控制。
【IPC分類】B31F1/20
【公開號】CN204801119
【申請?zhí)枴緾N201520239508
【發(fā)明人】曾慶友, 漆澤勇, 陳家芬, 陳澄
【申請人】重慶有法數(shù)控設(shè)備有限責任公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年4月20日