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      有價文件的制作方法

      文檔序號:2493747閱讀:297來源:國知局
      專利名稱:有價文件的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種具有至少一個真實性零件的印刷的有價文件,該真實性零件為基于摻入帶有電子結(jié)構(gòu)(3d)2的色基的主晶格的發(fā)光物質(zhì)形式。
      背景技術
      根據(jù)本發(fā)明,術語“有價文件”是指鈔票、支票、股票、代金券、身份證、信用卡、護照和其他文件,以及標簽、圖章、封裝或其他產(chǎn)品保護用的元件。
      利用發(fā)光物質(zhì)保護有價文件不被偽造已經(jīng)知道多時了。在這方面還討論了稀土金屬的使用。稀土金屬的優(yōu)點是特征譜線頻帶較窄,這有利于可靠的檢測和與其他的譜相區(qū)別。所用的物質(zhì)可在可見譜區(qū)域外面吸收或發(fā)射。
      如果發(fā)射的波長為大約400納米至700納米,則經(jīng)過適當激勵,用眼睛可以檢測該發(fā)光物質(zhì)。這對某些應用(如,用紫外光照射進行真實性檢查)是希望的。然而,對其他應用場合,如果在可見譜區(qū)域外面發(fā)射則具有優(yōu)點,因為否則需要特殊的檢測器來檢測該物質(zhì)。
      然而,具有適合于保護有價文件,特別是適合于自動檢測真實性零件的發(fā)光體數(shù)目有限。大多數(shù)無機和有機的發(fā)光體具有特征不明顯的廣闊的頻譜,并且經(jīng)常是商業(yè)上有銷售的。這就妨礙了對它們的辨識,并且同時使用幾種所述物質(zhì)是不實際的。

      發(fā)明內(nèi)容
      從該現(xiàn)有技術開始,本發(fā)明旨在增加適合于標識有價文件真實性的發(fā)光體的數(shù)目,特別是使有價文件帶有與具有迄今為止已知的發(fā)光體的有價文件不同的發(fā)光物質(zhì)形式的真實性零件,這種真實性通過改變激勵和/或發(fā)射的頻譜可以辨別出來。
      這個問題的解決方法可從獨立權利要求中找到。進一步拓展是從屬權利要求的主題。
      本發(fā)明是基于這樣的發(fā)現(xiàn),即可以利用在紅外線譜區(qū)域中發(fā)射波長增大的某些發(fā)光體難以檢測來增加防偽保護。
      根據(jù)本發(fā)明,利用發(fā)射頻譜在可見頻譜區(qū)域以外并最好是在硅檢測器的響應性以外的至少一種發(fā)光物質(zhì)來保護有價文件。
      適合于本發(fā)明真實性保護的物質(zhì)為基于摻雜有帶電子結(jié)構(gòu)(3d)2的色基的主晶格的發(fā)光物質(zhì)。這些發(fā)光物質(zhì)可以為一種色基,或為至少兩種不同色基的混合物。本發(fā)明的色基最好為氧化狀態(tài)的過渡金屬鈦Ti2+(下文稱為Ti(II)),氧化狀態(tài)的釩V3+(下文稱為V(III)),氧化狀態(tài)的鉻Cr4+(下文稱為Cr(IV)),氧化狀態(tài)的錳Mn5+(下文稱為Mn(V))和氧化狀態(tài)的鐵Fe6+(下文稱為Fe(VI))。
      主晶格為無機的基體或有機的螯合物,例如磷灰石、氟磷鈣石、鉀鈉鉛釩、鎂橄欖石、透鈣磷石、碳酸磷灰石、硅磷灰石、細晶磷灰石、三斜磷鈣石、紅磷鈉礦、白磷鈣石、硅硫磷灰石、voelckerite、磷氯鉛礦、石榴石、鈣鈦礦、橄欖石和某些硅酸鹽、鈦酸鹽、釩酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽、鋁酸鹽、鋯酸鹽。
      最好,主晶格為下式的化合物[BaaCabSrcPbdCde(PfVgAshSijSkCrlO4)3FmClnBrp(OH)q]x,式中a+b+c+d+e=5;f+g+h+j+k+l=1;m+n+p+q=1;x=1或2;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至5,f,g,h,j,k,l,m,n,p,q為0至1。
      另一個優(yōu)選的主晶格為下式的化合物[MgaBabCacSrdPbeCdf][PgVhAsjSikSlCrm]O4[FnClpBrq(OH)r],式中a+b+c+d+e+f=2;g+h+j+k+l+m=1;n+p+q+r=1;和a,b,c,d,e,f每一個的范圍為0至2;以及g,h,j,k,l,m,n,p,q,r為0至1。
      再一個適合的主晶格為下式的化合物[MgaBabCacSrdPbeCdf][SigTihGej]O4式中a+b+c+d+e+f=2;g+h+j=1;和a,b,c,d,e,f每一個的范圍為0至2,以及g,h,j為0至1。
      另外,下式的主晶格較好,[LiaNabKcRbd][PeAsfVg]O4式中a+b+c+d=3;e+f+g=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至3,和e,f,g為0至1。
      另外,下式的主晶格特別合適,[YaLab][SicTid]O5式中a+b=2;c+d=1;和a,b每一個的范圍為0至2,和c,d為0至1。
      最好,主晶格是具有下式的化合物[BaaCabSrcPbdCde](PfVgAshSijSkCrlO4)2,式中a+b+c+d+e=3;f+g+h+j+k+l=1;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至3,和f,g,h,j,k,l為0至1。
      下式的主晶格也較好[BaaCabSrcPbdCde](PfVgAshSijSkCrlO4)3Cl,式中a+b+c+d+e=5;f+g+h+j+l=1;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至5,和f,g,h,j,k,l為0至1。
      另外,下式的主晶格特別合適[NaaKbRbcCsd][SeSefCrgMoh]O4,式中a+b+c+d=2;e+f+g+h=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至2,和
      e,f,g,h為0至1。
      另外,下式的主晶格也特別合適[MgaCabSrcBad][SeSefCrgMohWi]O4,式中a+b+c+d=1;和e+f+g+h+i=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h,i為0至1。主晶格BaSO4是特別優(yōu)選的。
      另一個優(yōu)選的主晶格為下式的化合物[ScaYbLacCedPreNdfPmgSmhEujGdkTblDymHonErpTmqYbrLns][AluFevCrx]O3式中a+b+c+d+e+f+g+h+j+k+l+m+n+p+q+r+s=1;u+v+x=1;和a,b,c,d,e,f,g,h,j,k,l,m,n,p,q,r,s,u,v,x每一個的范圍為0至1。
      另外,具有下式的主晶格是優(yōu)選的[YaGdbSccLadLne][AlfFegCrh]O12,式中a+b+c+d+e=3;f+g+h=5;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至3,和f,g,h為0至5。
      另一個優(yōu)選的主晶格為下式的化合物[MgaCabSrcBad][AleCrfFegGah]O4,式中a+b+c+d=1;e+f+g+h=2;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h為0至2。
      或者為下式的化合物[MgaCabSrcBad][AleCrfFegGah]O7,式中a+b+c+d=1;e+f+g+h=4;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h為0至4。
      另外,下式的主晶格也較好Y2[SiaTibZrc]O7或MgCa2[SiaTibZrc]O7,
      式中a+b+c=2;和a,b和c每一個的范圍為0至2。
      下式化合物的主晶格也是合適的[BaaCabSrc][SidTieZrf]O5,式中a+b+c=3;d+e+f=1;和a,b,c每一個的范圍為0至3,和d,e,f為0至1。
      另外,具有下式的主晶格是優(yōu)選的[YaLabZrc][PdSie]O4,式中a+b+c=1;d+e=1;和a,b,c每一個的范圍為0至1,d,e為0至1。
      YPO4,LaPO4,ZrSiO4是特別優(yōu)選的。
      另外,下式的主晶格是優(yōu)選的K[Ti2aZr2b](PO4)3,式中a+b=1;和a,b每一個的范圍為0至1。
      KTi2(PO4)3,KZr2(PO4)3是特別優(yōu)選的。
      特別優(yōu)選的是帶有強晶體場的主晶格。
      激勵和/或發(fā)射波段的位置和形狀決定于色基插入主晶格的位置。色基可以在四面體和八面體結(jié)構(gòu)的主晶格的氧化物結(jié)構(gòu)單元中存在。然而,主晶格的四面體結(jié)構(gòu)是較好的。另外,激勵和/或發(fā)射波段的位置和形狀決定于在主晶格中的晶體場的強度。色基和主晶格之間的相互作用造成色基的電子電平相對于其在氣相中的值和排列改變,即偏移(部分地是相互改變)。
      晶體場的概念將利用在八面體環(huán)境中的Cr3+系統(tǒng)作為例子來說明(Imbusch G.F.;“固態(tài)激光式材料的譜測量”,編輯B.Di.Bartolo;第165頁;1987)。

      圖1a表示色基Cr3+的電子電平的位置和順序是如何取決于晶體場強度(即色基和晶格之間的相互作用)的(Tanabe-Sugano圖)。對于弱的八面體晶體場,電子狀態(tài)4T2為在研磨狀態(tài)4A2上面的第一個激勵狀態(tài),觀察到由4T2電平產(chǎn)生的寬帶發(fā)光。對于強晶體場,與晶體場有弱的依賴關系的狀態(tài)2E為第一個激勵的電子狀態(tài),并觀察到由這個電平產(chǎn)生的窄帶發(fā)射。采用相應的電平設計,對發(fā)明的(3d)2結(jié)構(gòu)也可作成類似的能量圖。對于重要的八面體(Oh)和四面體(Td)構(gòu)形,電平順序如圖1b所示。
      為了保護有價文件,可以使用寬帶和窄帶發(fā)光,但由于選擇性的原因,窄帶發(fā)光較好。這些在帶有強晶體場的主晶格中,特別從色基Mn(V)和Fe(VI)中可以看到。
      當在發(fā)射頻譜中的波段的平均半值寬度小于50納米時,通常使用窄帶發(fā)射。但這不意味著半值寬度在這個范圍以外的波段不能解決本發(fā)明的問題。
      改變和綜合本發(fā)明的色基和改變主晶格可提供影響本發(fā)明發(fā)光物質(zhì)的激勵和發(fā)射頻譜的許多可能性,并可以形成大量的防偽零件。不僅激勵和/或發(fā)射頻譜的評估而且發(fā)光的持續(xù)時間可以用來進行區(qū)別。評估考慮的不但是激勵或發(fā)射線的波長,而且是其數(shù)目和/或形狀和/或強度,因此可以代表任何所希望的編碼。
      如果主晶格的混合晶體可以允許,或主晶格隨著添加的摻雜物而改變,則可區(qū)別的本發(fā)明的物質(zhì)數(shù)目還可增加。例如,開始物質(zhì)的一定的濃度比的磷灰石、氟磷鈣石、或石榴石和鈣鈦礦可以形成晶格互相進入的混合晶體。與其連接的作用在色基上的晶體場可以改變。
      同樣,除了本發(fā)明的色基以外,還可通過摻雜將其他色基引入主晶格中,從而得到兩個系統(tǒng)的綜合發(fā)光或系統(tǒng)之間的能量轉(zhuǎn)換;并可利用其進行辨識。例如,由于其屏蔽殼而在主晶格中保持其典型發(fā)光的稀土離子,適合于作此用途。這些離子最好為釹(Nd)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)或鐿(Yb)陽離子或其混合物。
      如果有價文件不是用一種,而是用幾種本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)標記,則可區(qū)別的組合數(shù)還可增加。如果可區(qū)別不同的混合物比,則組合數(shù)目還可增加??梢栽谟袃r文件的不同地方或同一個地方進行標記。如果在有價文件的不同地方加上或引入發(fā)光物質(zhì),則可以用這種方法形成立體代碼,最簡單情況下為條形碼。
      另外,將有價文件中的所選擇的特定的發(fā)光物質(zhì)與有價文件的其他信息聯(lián)系起來,則可以增加有價文件的防偽性,使得可以利用適當?shù)乃惴ㄟM行檢查。除了本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)以外,有價文件還可以有另外的真實性零件,例如,經(jīng)典的熒光物和/或磁性。
      根據(jù)本發(fā)明,可以用各種方法將發(fā)光物質(zhì)放入有價文件中。例如,可將發(fā)光物質(zhì)放入印刷油墨中。還可以在制造以紙或塑料為基礎的有價文件過程中,將發(fā)光物質(zhì)混入紙漿或塑料成分中。同樣,可以將發(fā)光物質(zhì)放在或放入塑料載體材料中,再將該載體材料至少部分地埋入紙漿中?;谶m當?shù)木酆衔?如,PMMA)和埋入本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的載體材料可以具有防偽線、雜色纖維或圓片形式。同樣,對于產(chǎn)品保護,發(fā)光物質(zhì)可以直接放入要保護的對象的材料中,例如放入殼體和塑料瓶中。
      然而,塑料或紙的載體材料可以固定在用于產(chǎn)品保護的任何其他物體上。在這種情況下,載體材料最好設計成標簽形式。如果如在撕開線的情況那樣,載體材料是要保護的產(chǎn)品的一部分,則任何其他設計也可以。在某些應用情況下,可將有價文件上的發(fā)光物質(zhì)作成看不到的涂層。這種涂層可涂在全部有價文件上,或作成某種圖形形式,例如條、線、圓或字母數(shù)字符號形式。為了保證看不見發(fā)光物質(zhì),根據(jù)本發(fā)明,在印刷油墨中必需使用無色的發(fā)光物質(zhì),或使用低濃度的涂層清漆或有色發(fā)光物質(zhì),但涂層剛好透明即可。另一種方法是,載體材料可以已經(jīng)適當著色,使得由于其固有顏色的關系,看不出有色的發(fā)光物質(zhì)。
      通常,本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)加工成顏料形式。為了更好地加工或增加其穩(wěn)定性,顏料可以為單個封裝的顏料顆?;蛴脽o機或有機涂層覆蓋。例如,單個的顏料顆??梢杂霉杷猁}外殼包圍,因此更容易在介質(zhì)中分散。同樣,不同的顏料顆料組合可以聯(lián)合用纖維、線、硅酸鹽外殼封裝。這樣就不能改變組合的“代碼”。這里“封裝”是指完全將顏料顆粒封閉起來,而“涂層”包括部分封閉或覆蓋顏料顆粒。
      具體實施例方式
      下面,更詳細地說明本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的一些例子。
      例1為了準備氧化形成的開始物質(zhì),將可以轉(zhuǎn)換為氧化物的物質(zhì)按式(1)的適當比例與色基混合,然后進行退火、壓碎、清洗(如,用水)、干燥和研磨。使用的色基可以為Mn2O3,MnO,MnO2,MnCo3,MnCl2,KMnO4和有機錳化合物。基于總混合物的色基重量份額可達20重量%。退火在200~1700℃溫度范圍內(nèi)進行,保持時間為0.2~24小時,但最好為300~500℃,保持時間為0.5~2小時。
      (1)6LiOH+As2O5+xMNCl2?2Li3AsO4:Mn+3H2O+xCl2為了使平衡狀態(tài)在產(chǎn)品形成方向上偏移,可以另外與優(yōu)選1-5重量%的LiCO3混合,和另外與優(yōu)選1-20重量%的LiOH混合進行制備。
      例2將適量的硫酸鹽(例如K2SO4),或鉻酸鹽(例如K2CrO4)和適當量的摻雜劑(例如Na2FeO4)在堿性介質(zhì)中溶解。用達到20%的Na2FeO4進行摻雜。將溶劑蒸發(fā)得到產(chǎn)品,再將產(chǎn)品研磨供進一步使用。
      另外還可進行固態(tài)反應。為此,將K2SO4與NaCl研磨,并與Fe3O4緊密混合。在700-1800℃溫度下,使混合物退火。再研磨產(chǎn)品供進一步使用。
      例3改變例2中所述的方法,利用噴霧式干燥器使溶劑蒸發(fā)。另外,堿性介質(zhì)可以完全或部分地由硅酸鹽懸浮液組成(例如LUDOXAS-40,杜邦公司)。在這種情況下,在噴霧干燥后可得到用硅酸鹽封裝的材料。接著在200-600℃溫度下進行退火過程,形成SiO2保護層,并使該物質(zhì)在水中的溶解度穩(wěn)定。另外,可將該材料埋入聚合物(例如PMMA)中,并加工成箔材料。再將箔材料切成圓片。
      本發(fā)明的其他實施例和優(yōu)點可參照圖2進行說明。
      圖2表示本發(fā)明的防偽元件的橫截面。
      圖2表示本發(fā)明的防偽元件的一個實施例。在這種情況下,該防偽元件由紙或塑料層3、透明的覆蓋層4和粘接劑層5構(gòu)成的標簽2組成。標簽2通過粘接劑層5與任何所需的基片1連接?;?可以為有價文件、身份證、護照、證明等或另一種要保護的物體,例如CD,組件等。在這個例子中,發(fā)光物質(zhì)6包含在層3的容積內(nèi)。
      另一種方式是,發(fā)光物質(zhì)可以包含在印刷于一個標簽層(最好是在層3的表面上)上的印刷油墨(未示出)中。
      可以不將發(fā)光物質(zhì)設在要作為防偽元件固定在物體上的載體材料中或載體材料上。根據(jù)本發(fā)明,可以直接將發(fā)光物質(zhì)設置在要保護的有價文件上,或以涂層形式設置在該文件表面上。
      權利要求
      1.一種有價文件,其具有至少一個基于摻雜的主晶格的發(fā)光物質(zhì)形式的真實性零件,其特征在于,該主晶格摻雜有至少一種帶有電子結(jié)構(gòu)(3d)2的色基。
      2.如權利要求1所述的有價文件,其中該主晶格具有強晶體場。
      3.如權利要求1或2所述的有價文件,其中該色基為氧化狀態(tài)2的鈦,或氧化狀態(tài)3的釩,或氧化狀態(tài)4的鉻,或氧化狀態(tài)5的錳,或氧化狀態(tài)6的鐵。
      4.如權利要求1至3中至少一項所述的有價文件,其中該有價文件由紙或塑料構(gòu)成。
      5.如權利要求1至4中至少一項所述的有價文件,其中該真實性零件放在有價文件的容積中,或放在施加在有價文件上的一個層中。
      6.如權利要求1至5中至少一項所述的有價文件,其中該發(fā)光物質(zhì)作為看不見的、至少是部分涂層加在有價文件上。
      7.如權利要求1至6中至少一項所述的有價文件,其中該發(fā)光物質(zhì)混入印刷油墨中。
      8.如權利要求1至7中至少一項所述的有價文件,其中該涂層為一個或多個條的形式。
      9.如權利要求1至8中至少一項所述的有價文件,其中該主晶格另外摻雜有至少一個來自于稀土金屬陽離子的組中的代表物。
      10.如權利要求9所述的有價文件,其中稀土金屬陽離子從釹(Nd)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)中選擇。
      11.如權利要求1至10中至少一項所述的有價文件,其中主晶格從磷灰石、氟磷鈣石、鉀鈉鉛釩、鎂橄欖石、透鈣磷石、碳酸磷灰石、硅磷灰石、細晶磷灰石、三斜磷鈣石、紅磷鈉礦、白磷鈣石、硅硫磷灰石、voelckerite、磷氯鉛礦、石榴石、鈣鈦礦、硅酸鹽、鈦酸鹽、釩酸鹽、磷酸鹽中選擇。
      12.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[BaaCabSrcPbdCde(PfVgAshSijSkCrlO4)3FmClnBrp(OH)q]x,式中a+b+c+d+e=5;f+g+h+j+k+l=1,m+n+p+q=1x=1或2;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至5;和f,g,h,j,k,l,m,n,p,q為0至1。
      13.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[MgaBabCacSrdPbeCdf][PgVhAsjSikSlCrm]O4[FnClpBrq(OH)r],式中a+b+c+d+e+f=2;g+h+j+k+l+m=1;n+p+q+r=1;和a,b,c,d,e,f每一個的范圍為0至2;和g,h,j,k,l,m,n,p,q,r為0至1。
      14.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[MgaBabCacSrdPbeCdf][SigTihGej]O4式中a+b+c+d+e+f=2;g+h+j=1;和a,b,c,d,e,f每一個的范圍為0至2,和g,h,j為0至1。
      15.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[LiaNabKcRbd][PeAsfVg]O4式中a+b+c+d=3;e+f+g=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至3,和e,f,g為0至1。
      16.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[YaLab][SicTid]O5式中a+b=2;c+d=1;和a,b每一個的范圍為0至2,和c,d為0至1。
      17.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[BaaCabSrcPbdCde](PfVgAshSijSkCrlO4)2,式中a+b+c+d+e=3;f+g+h+j+k+l=1;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至3,和f,g,h,j,k,l為0至1。
      18.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[BaaCabSrcPbdCde](PfVgAshSijSkCrlO4)3Cl,式中a+b+c+d+e=5;f+g+h+j+l=1;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至5,和f,g,h,j,k,l為0至1。
      19.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[NaaKbRbcCsd][SeSefCrgMoh]O4,式中a+b+c+d=2;e+f+g+h=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至2,和e,f,g,h為0至1。
      20.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[MgaCabSrcBad][SeSefCrgMohWi]O4,式中a+b+c+d=1;和e+f+g+h+i=1;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h,i為0至1。
      21.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[ScaYbLacCedPreNdfPmgSmhEujGdkTblDymHonErpTmqYbrLns][AluFevCrx]O3式中a+b+c+d+e+f+g+h+j+k+l+m+n+p+q+r+s=1;u+v+x=1;和a,b,c,d,e,f,g,h,j,k,l,m,n,p,q,r,s,u,v,x每一個的范圍為0至1。
      22.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[YaGdbSccLadLne][AlfFegCrh]O12,式中a+b+c+d+e=3;f+g+h=5;和a,b,c,d,e每一個的范圍為0至3,和f,g,h為0至5。
      23.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[MgaCabSrcBad][AleCrfFegGah]O4,式中a+b+c+d=1;e+f+g+h=2;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h為0至2。或者為下式的化合物[MgaCabSrcBad][AleCrfFegGah]O7,式中a+b+c+d=1;e+f+g+h=4;和a,b,c,d每一個的范圍為0至1,和e,f,g,h為0至4。
      24.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物Y2[SiaTibZrc]O7或MgCa2[SiaTibZrc]O7,式中a+b+c=2,和a,b和c每一個的范圍為0至2。
      25.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[BaaCabSrc][SidTieZrf]O5,式中a+b+c=3;d+e+f=1;和a,b,c每一個的范圍為0至3,和d,e,f為0至1。
      26.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物[YaLabZrc][PdSie]O4,式中a+b+c=1;d+e=1;和a,b,c每一個的范圍為0至1,d,e為0至1。
      27.如權利要求1至11中至少一項所述的有價文件,其中主晶格為下式的化合物K[Ti2aZr2b](PO4)3,式中a+b=1,和a,b每一個的范圍為0至1。
      28.如權利要求1至27中至少一項所述的有價文件,其中在主晶格中色基以四面體的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)。
      29.如權利要求1至28中至少一項所述的有價文件,其中發(fā)光物質(zhì)作為顏料顆粒出現(xiàn)。
      30.一種防偽文件,它具有載體材料和至少一種基于摻雜的主晶格的發(fā)光物質(zhì),其特征在于,主晶格用至少一種帶有電子結(jié)構(gòu)(3d)2的色基摻雜。
      31.如權利要求30所述的保密文件,其中主晶格具有強晶體場。
      32.如權利要求30或31所述的保密文件,其中保密文件為條或帶形式。
      33.如權利要求30至32中至少一項所述的保密文件,其中載體材料作成保密線、圓片或雜色纖維。
      34.如權利要求30至33中至少一項所述的保密文件,其特征在于,保密文件作成標簽。
      35.如權利要求30至34中至少一項所述的保密文件,其特征在于,至少一種發(fā)光物質(zhì)埋入載體材料中,或加在載體材料上。
      36.如權利要求1至29中至少一項所述的生產(chǎn)有價文件的方法,其特征在于,將發(fā)光物質(zhì)加入印刷油墨中。
      37.如權利要求1至29中至少一項所述的生產(chǎn)有價文件的方法,其特征在于,發(fā)光物質(zhì)利用涂層方法加上去。
      38.如權利要求1至29中至少一項所述的生產(chǎn)有價文件的方法,其特征在于,發(fā)光物質(zhì)放入有價文件的容積中。
      39.如權利要求1至29中至少一項所述的生產(chǎn)有價文件的方法,其特征在于,發(fā)光物質(zhì)通過相應準備的雜色纖維提供給有價文件。
      40.如權利要求1至29中至少一項所述的生產(chǎn)有價文件的方法,其特征在于,發(fā)光物質(zhì)通過相應準備的防偽線提供給有價文件。
      41.如權利要求1至29中至少一項所述的有價文件或如權利要求30至35中至少一項所述的保密文件的真實性測試的測試方法,其特征在于評估發(fā)光物質(zhì)的波長和/或數(shù)目和/或形狀和/或發(fā)射線的強度和/或激勵頻帶。
      42.如權利要求41所述的有價文件或防偽文件的真實性測試的測試方法,其特征在于,發(fā)射線和/或激勵頻帶代表一個代碼。
      43.如權利要求1至29中至少一項所述的有價文件或如權利要求30至35中至少一項所述的防偽文件的真實性測試的測試方法,其特征在于,評估發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光持續(xù)時間。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及具有至少一個基于摻雜的主晶格的發(fā)光物質(zhì)形式的真實性零件的有價文件。主晶格具有強晶體場,并摻雜有至少一個帶有電子結(jié)構(gòu)(3d)
      文檔編號B41M3/14GK1501864SQ02807965
      公開日2004年6月2日 申請日期2002年3月5日 優(yōu)先權日2001年3月8日
      發(fā)明者托馬斯·吉林, 雷納·霍普, 弗里茨·施塔爾, 施塔爾, 托馬斯 吉林, 霍普 申請人:德國捷德有限公司
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