專利名稱：電子元件、形成導(dǎo)電圖案的方法以及噴墨頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有形成于基體材料上的導(dǎo)電圖案的電子元件，一種形成導(dǎo)電圖案的方法和使用該電子元件的噴墨頭。
背景技術(shù)：
例如，在基體材料(例如，基板)上形成導(dǎo)電圖案(例如，電極、布線)的情形，具體而言，在形成精細(xì)尺寸的導(dǎo)電圖案的情形，如此的構(gòu)圖方法的一個(gè)示例是使用光刻的刻蝕方法。
然而，使用光刻的構(gòu)圖方法需要高的成本和復(fù)雜的步驟(例如，形成抗蝕劑圖案的步驟、曝光/顯影的步驟、用刻蝕氣體刻蝕的步驟)。
在這些年來(lái)，一種印刷方法(例如，用噴墨方法形成精細(xì)導(dǎo)電圖案)作為一種以低成本形成導(dǎo)電圖案的更簡(jiǎn)單方法的示例吸引了人們的注意力。例如，在形成導(dǎo)電圖案(例如，布線圖案)的情形，與光刻方法或刻蝕方法相比，印刷方法簡(jiǎn)單且不昂貴。作為用印刷方法形成導(dǎo)電圖案的一種示范性方法，存在使用包含導(dǎo)電材料(例如，金屬納米墨)的墨在基板(基體材料)上形成圖案的方法。
然而，在使用包含導(dǎo)電材料(例如，金屬納米墨)的墨在基板(基體材料)上形成圖案的方法的使用中，難于將圖案形成為精細(xì)的尺寸。例如，在基板上使用金屬納米墨的情形，當(dāng)被施加到基板表面上時(shí)墨趨于散開(kāi)，由此使得難于形成精細(xì)尺寸的圖案。
提出了一種解決該問(wèn)題的方法，所述方法在基板上形成親液區(qū)和憎液區(qū)，且通過(guò)僅在親液區(qū)形成例如金屬納米墨的導(dǎo)電圖案(參見(jiàn)，例如，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2004-170463)來(lái)利用該表面能的差異。還有另一種方法，所述方法調(diào)整基板表面的拒水性能用于防止金屬納米墨在基板表面散開(kāi)(參見(jiàn)，例如，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2004-6700、No.2004-146796和No.2004-119479)。
然而，采用在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2004-170463中披露的方法，形成親液區(qū)和憎液區(qū)的構(gòu)圖方法復(fù)雜、昂貴且耗時(shí)。
在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2004-6700、No.2004-146796和No.2004-119479中披露的方法需要墨具有相對(duì)應(yīng)基板表面增加的接觸角，用于提高憎液性。然而，提供憎液性(增加接觸角)導(dǎo)致導(dǎo)電圖案失去了相對(duì)于基板的粘結(jié)強(qiáng)度，且使得難于防止導(dǎo)電圖案與基板分離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總的目的是提供一種電子元件、形成導(dǎo)電圖案的方法以及噴墨頭，其基本避免了由相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多的問(wèn)題。
本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，且一部分將從說(shuō)明書(shū)和附圖顯見(jiàn)，或可以通過(guò)根據(jù)說(shuō)明書(shū)中提供的教導(dǎo)進(jìn)行實(shí)踐而得知。本發(fā)明的目的和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)在說(shuō)明書(shū)中以本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的完全、清楚、簡(jiǎn)潔和準(zhǔn)確的術(shù)語(yǔ)具體指出的電子元件、形成導(dǎo)電圖案的方法和噴墨頭來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在這里體現(xiàn)和廣泛描述的，本發(fā)明提供了一種形成導(dǎo)電圖案的方法，所述方法包括的步驟為a)在具有憎液性能的基體材料的表面上形成導(dǎo)電圖案；b)對(duì)于在其上未形成有導(dǎo)電圖案的基體材料的表面的預(yù)定的區(qū)域，提供憎液性能；和c)形成覆蓋導(dǎo)電圖案的絕緣層。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，所述方法還可以包括的步驟為在步驟a)之后，通過(guò)使用鍍覆方法在導(dǎo)電圖案上形成上導(dǎo)電圖案。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，導(dǎo)電圖案可以包括金屬顆粒，其中鍍覆方法可以包括使用金屬顆粒作為形成上導(dǎo)電圖案的催化劑的無(wú)電鍍。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，鍍覆方法可以包括使用導(dǎo)電圖案作為形成上導(dǎo)電圖案的進(jìn)給路徑的電鍍方法。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，所述方法還可以包括的步驟為在步驟a)之前形成具有加入釋放劑的基體材料。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，所述方法還可以包括的步驟為在步驟a)之前對(duì)于基體材料的表面提供憎液性能。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，可以通過(guò)對(duì)于基體材料的表面施加等離子體激發(fā)的氣體而對(duì)于基體材料的表面提供憎液性能。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，在步驟b)中，通過(guò)對(duì)基體材料的表面施加等離子體激發(fā)的氣體而對(duì)預(yù)定的區(qū)域提供親液性能。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，所述方法還可以包括的步驟為將基體材料連接到其上形成第二導(dǎo)電圖案的功能元件；和在導(dǎo)電圖案的至少一部分和第二導(dǎo)電圖案的一部分上形成第三導(dǎo)電圖案。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法中，步驟a)可以包括的步驟為在支撐基板上形成掩模圖案；通過(guò)使用鍍覆方法在掩模圖案的孔部分中生長(zhǎng)導(dǎo)電圖案，且將導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移到基體材料。
另外，本發(fā)明提供了一種電子元件，所述電子元件包括具有其上有導(dǎo)電圖案的表面的基體材料；和以覆蓋導(dǎo)電圖案的方式形成于基體材料的表面的預(yù)定區(qū)域上的絕緣層，其中其上形成絕緣層的預(yù)定區(qū)域的表面具有比其上形成導(dǎo)電圖案的表面更低的親液性能。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件中，所述電子元件還可以包括形成于導(dǎo)電圖案上的上導(dǎo)電圖案，其中所述上導(dǎo)電圖案具有與導(dǎo)電圖案不同的組成。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件中，上導(dǎo)電圖案可以具有小于導(dǎo)電圖案的應(yīng)力。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件中，所述電子元件還可以包括連接到基體材料的功能元件，所述功能元件具有其上形成第二導(dǎo)電圖案的表面；和至少形成于導(dǎo)電圖案的一部分和第二導(dǎo)電圖案的一部分的第三導(dǎo)電圖案。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件中，所述電子元件還可以包括形成于功能元件和基體材料之間的連接部分，所述連接部分具有位于基體材料的表面和功能元件的表面之間的連接表面，其中所述連接部分包括樹(shù)脂材料。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件中，第三導(dǎo)電圖案可以接觸導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案和連接表面。
另外，本發(fā)明還提供了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件的噴墨頭。
當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，從以下的詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的其他目的和進(jìn)一步的特征將變得明顯。


圖1A-1D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；圖2A-2D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電子元件的平面圖；圖4A-4F是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；圖5A-5C是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電子元件的平面圖；圖7A-7E是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；圖8A-8E是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案的方法的示意圖；和圖9A-9E是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案的方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子元件包括具有其上形成有導(dǎo)電圖案的表面的基體材料；和以覆蓋導(dǎo)電圖案的方式形成于基體材料的表面上的絕緣層。在基體材料的表面上，接觸絕緣層的區(qū)域具有的憎液性能(憎液性)小于其上形成有導(dǎo)電圖案的區(qū)域(層)的憎液性能。
因此，在通過(guò)使用例如印刷方法用墨形成導(dǎo)電圖案的情形，可以防止墨在基底的表面散開(kāi)，因?yàn)閷?dǎo)電圖案形成在具有高憎液性的區(qū)域上。因此，電子元件具有能夠使精細(xì)導(dǎo)電圖案形成于其上的配置。另外，因?yàn)楦采w導(dǎo)電圖案的絕緣層以接觸具有低憎液性的區(qū)域(即，親液區(qū)域)的方式形成，所以絕緣層可以滿意地粘結(jié)到基底上。因此，電子元件具有防止導(dǎo)電圖案從基底的表面分離的可靠結(jié)構(gòu)。
另外，通過(guò)使用電子元件作為噴墨印刷機(jī)的噴墨頭，噴墨頭可以形成有精細(xì)布線圖案且可以獲得牢固結(jié)構(gòu)。
電子元件由以下的方法形成，所述方法例如包括的步驟為在基體材料的憎液表面上印刷導(dǎo)電圖案(第一步驟)；對(duì)在其上未形成導(dǎo)電圖案的基體材料表面的區(qū)域提供親液性能(第二步驟)；且在基體材料表面上形成覆蓋導(dǎo)電圖案的絕緣層(第三步驟)。
因?yàn)樵摲椒ㄍㄟ^(guò)使用印刷技術(shù)形成了導(dǎo)電圖案，與例如使用光刻技術(shù)形成導(dǎo)電圖案的方法相比，該導(dǎo)電圖案可以更容易和更便宜地形成。
因?yàn)槠渖线M(jìn)行印刷方法的基體材料的表面具有憎液性能(低表面能)，所以可以防止施加到基體材料表面上的導(dǎo)電圖案(墨)散開(kāi)，由此使得能夠形成精細(xì)導(dǎo)電圖案。
另外，在導(dǎo)電圖案形成于基體材料表面之后，可以對(duì)基體材料表面進(jìn)行為其上未形成導(dǎo)電圖案的基體材料表面的區(qū)域提供親液性能(高表面能)的工藝(親液處理)。然后，以覆蓋導(dǎo)電圖案和接觸基體材料表面的親液區(qū)的方式形成絕緣層(保護(hù)層)。
因?yàn)榻佑|絕緣層的基體材料表面的部分具有親液性能，所以可以增加基體材料表面的親液區(qū)和絕緣層之間的粘結(jié)強(qiáng)度。因此，絕緣層可以牢固地粘結(jié)到基體材料表面，且可以防止導(dǎo)電圖案從基體材料表面分離。常規(guī)地，難于在基體材料上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案并同時(shí)通過(guò)使用印刷方法在導(dǎo)電圖案和基體材料之間獲得足夠的粘結(jié)強(qiáng)度。
第一實(shí)施例圖1A-1D顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的方法。
在圖1A所示的步驟中，通過(guò)對(duì)于基體材料10的表面提供憎液特性(憎液性)，在包括樹(shù)脂材料(例如，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET))的基體材料10的表面上形成憎液表面10A。即，通過(guò)將憎液材料施加到基體材料10的表面上從而形成了憎液表面10A(憎液處理)。在該情形，基體材料例如包括比如基底的平面材料或形成為其他形狀的材料。憎液處理是用于提供或增加基體材料10的表面的憎液性能(憎液性)，即，減小基體材料10的表面能的級(jí)別。通過(guò)在基體材料上進(jìn)行憎液處理，可以增加預(yù)定的液體在基體材料10的表面上的接觸角。
例如通過(guò)在基體材料表面上形成C-F鍵來(lái)進(jìn)行憎液處理。C-F鍵可以通過(guò)將激活的氟化學(xué)氣體(例如，碳氟化合物氣體)施加到基體材料表面來(lái)形成。
在該實(shí)施例中，雖然在附圖中未顯示，但是為了在基體材料10上進(jìn)行憎液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將CF4氣體以0.5L/分鐘的速率提供到表面處理設(shè)備，接下來(lái)通過(guò)用等離子體激活CF4氣體來(lái)形成處理氣體R1，且然后將處理氣體R1施加到基體材料10的表面上。
在基體材料10的表面上進(jìn)行憎液處理之后，通過(guò)在基體材料的表面上進(jìn)行ESCA分析(也稱為XPS(X射線光電子能譜))來(lái)檢測(cè)基體材料10的表面，發(fā)現(xiàn)了C-F鍵。另外，還發(fā)現(xiàn)在基體材料10的表面上的水(純水)的接觸角(在憎液處理之后)為80度或更大。
接下來(lái)，在圖1B所示的步驟中，通過(guò)使用印刷方法，在基體材料10的表面(即，憎液表面10A)上形成導(dǎo)電圖案11。更具體而言，使用例如噴墨方法，將銀納米墨(由Sumitomo Electric Industries Ltd.制造)施加到憎液表面10A。因?yàn)樵饕罕砻?0A具有高的憎液性，所以墨滴接觸憎液表面10A的區(qū)域的直徑為40μm，且因此導(dǎo)電圖案11的寬度為40μm。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的印刷方法不限于噴墨方法。可以使用其他印刷方法，比如網(wǎng)印刷方法、凸版印刷方法、凹板印刷或絲網(wǎng)印刷方法。另外，采用印刷方法形成的導(dǎo)電圖案不限于布線圖案，還可以形成其他圖案。
接下來(lái)，在圖1C所示的步驟中，在其上未形成導(dǎo)電圖案11的基體材料10的表面的區(qū)域上，即在未被導(dǎo)電圖案11覆蓋的憎液表面10A的區(qū)域上，進(jìn)行提供親液性能(親液處理)。因此，在這些區(qū)域上形成了親液表面10B。在該示例中，通過(guò)增加基底表面的這些區(qū)域的表面能來(lái)減小憎液性，從而進(jìn)行親液處理。在進(jìn)行親液處理之后，相對(duì)于預(yù)定的液體的接觸角在基體材料表面變小。
例如通過(guò)溶解基體材料表面上的C-F鍵，進(jìn)行了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的親液處理。例如通過(guò)在基體材料表面(憎液表面10A)上施加激活的氧氣和氧稀釋的氣體(例如，氮?dú)?，從而進(jìn)行了C-F鍵的溶解工藝。
在該實(shí)施例中，雖然在圖中未顯示，但是為了在基體材料10上進(jìn)行親液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將氧氣和氮?dú)馐┘拥奖砻嫣幚碓O(shè)備，接下來(lái)通過(guò)用等離子體激活的氣體來(lái)形成處理氣體R2，且然后將處理氣體R2施加到基體材料10的表面(憎液表面10A)上。由此，可以在基體材料10的表面上的預(yù)定區(qū)域上形成親液表面10B。因此，在未被導(dǎo)電圖案11覆蓋的區(qū)域表面能變大。在進(jìn)行親液處理之后，發(fā)現(xiàn)相對(duì)應(yīng)水(純水)的接觸角是30度或更小。
接下來(lái)，在圖1D所示的步驟中，以覆蓋導(dǎo)電圖案11的方式在基底表面上形成絕緣層12。因?yàn)閷⒒w材料表面進(jìn)行親液處理，所以可以在絕緣層和親液表面之間獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的絕緣層12用樹(shù)脂材料(Hitachi Chemical Co.Ltd.)形成且通過(guò)涂布方法被施加到基體材料表面上。也可以采用其他方法來(lái)形成絕緣層12，比如層壓方法或CVD方法。另外，絕緣層12可以用其他材料形成，比如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、抗蝕劑材料或防汽材料。
除了防止導(dǎo)電圖案11從基體材料表面分離之外，絕緣層12還用作導(dǎo)電圖案11的保護(hù)層，用于防止導(dǎo)電圖案11被損傷。
然后，將基體材料11在200℃下加熱30分鐘。加熱工藝導(dǎo)致了包括在導(dǎo)電圖案11中的銀納米墨的分散材料汽化(蒸發(fā))且導(dǎo)致包括在導(dǎo)電圖案11中的銀顆粒熔合在一起。另外，加熱工藝還用于熱固化絕緣層12。在該情形，優(yōu)選使用熱固性樹(shù)脂材料作為絕緣層12的材料。
加熱導(dǎo)電圖案11的工藝和加熱絕緣層12的工藝可以分開(kāi)進(jìn)行。在一個(gè)示范性情形，在圖1B所示的工藝中，可以在形成(印刷)導(dǎo)電圖案11的步驟和形成絕緣層12的步驟之間進(jìn)行加熱導(dǎo)電圖案11的工藝，且在形成絕緣層12之后可以進(jìn)行加熱絕緣層12的工藝。在該情形，包括在銀納米墨中的分散材料(也稱為活性材料)變得較易汽化(蒸發(fā))，因?yàn)樵诩訜釋?dǎo)電圖案11的工藝的過(guò)程中，導(dǎo)電圖案11未被絕緣層12覆蓋。
因此，通過(guò)進(jìn)行形成導(dǎo)電圖案的上述的方法，可以制造電子元件1，電子元件1具有形成于其表面上的導(dǎo)電圖案11的基體材料10以及以覆蓋導(dǎo)電圖案11的方式形成于基體材料10的表面上的絕緣層12。
在包括在電子元件1中的基體材料10的表面，在將形成絕緣層12的區(qū)域(即，親液表面10B)上進(jìn)行親液處理。因此，形成絕緣層12的區(qū)域的表面具有比形成導(dǎo)電圖案11的區(qū)域的表面更低的憎液性能。
因此，通過(guò)在具有高憎液性能的憎液表面10A上進(jìn)行印刷方法，可以形成精細(xì)尺寸的導(dǎo)電圖案11。另外，通過(guò)在具有低憎液性能(高親液性能)的親液表面10B上以覆蓋導(dǎo)電圖案11的方式形成絕緣層12，可以防止導(dǎo)電圖案11分離。
通過(guò)在未被導(dǎo)電圖案11覆蓋的基體材料10的表面的區(qū)域上進(jìn)行親液處理，增加了絕緣層12和基體材料10的表面之間的粘結(jié)強(qiáng)度。因此，可以防止導(dǎo)電圖案11從基體材料10分離。
常規(guī)地，雖然通過(guò)使用印刷方法比使用光刻方法來(lái)形成導(dǎo)電圖案的方法更容易且更便宜，但是難于形成精細(xì)尺寸的導(dǎo)電圖案。另外，在形成精細(xì)尺寸導(dǎo)電圖案的常規(guī)方法中，當(dāng)增加基體材料的表面的憎液性能時(shí)，導(dǎo)電圖案和基體材料之間的粘結(jié)強(qiáng)度減小。這導(dǎo)致了導(dǎo)電圖案從基體材料分離。因此，難于形成如此精細(xì)的圖案而且保持牢固的配置。
同時(shí)，對(duì)于本發(fā)明的上述的實(shí)施例，除了在形成具有憎液表面的基體材料上的精細(xì)導(dǎo)電圖案之外，對(duì)其上沒(méi)有導(dǎo)電圖案的基體材料表面的區(qū)域進(jìn)行了親液處理，使得絕緣層以覆蓋導(dǎo)電圖案的方式形成于親液處理的區(qū)域上。
因此，可以用簡(jiǎn)單的方法在基體材料上形成了精細(xì)導(dǎo)電圖案，且可以制造防止導(dǎo)電圖案從基體材料分離的牢固配置。
雖然根據(jù)本發(fā)明的上述的實(shí)施例，在樹(shù)脂材料(基體材料)的表面上進(jìn)行提供憎液性能的工藝，但是通過(guò)使用具有憎液性能的基體材料從而可以省略該工藝。在該情形，例如通過(guò)將預(yù)定的釋放劑加入到樹(shù)脂材料且固化該樹(shù)脂材料，從而制造了具有憎液性能的基體材料。
另外，對(duì)于基體材料的表面提供憎液性能和/或親液性能的方法不限于上述使用通過(guò)等離子態(tài)激活的處理氣體的方法。
例如，作為提供憎液性能的另一方法，通過(guò)使用涂布方法，可以在基體材料的表面上形成具有憎液性能的涂層。另外，作為提供親液性能的另一方法，通過(guò)將各種能量(例如，等離子體激發(fā)氣體)施加到基體材料，從而可以獲得的親液性能。
注意的是，具有憎液性能的基體材料表面(具有憎液性能的基體材料的表面)基本意味著預(yù)定液體的接觸角(例如，在上述印刷方法中使用的墨，比如在噴墨印刷方法中使用的金屬納米墨)不小于相對(duì)于基體材料表面的預(yù)定角。因此，其后定義，在當(dāng)墨具有相對(duì)于基體材料表面的30度或更大(即，不小于30度)的接觸角時(shí)的情形，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基體材料具有憎液性能。該情形與當(dāng)水(純水)具有相對(duì)于基體材料表面的大致50度或更大的接觸角的情形基本相同。
然而，注意的是，當(dāng)憎液性能太高時(shí)(即，當(dāng)接觸角太大時(shí))，導(dǎo)電圖案可能變成分段。這使得難于形成例如線性延伸的導(dǎo)電圖案。因此，優(yōu)選的是形成憎液表面(基體材料表面)，從而墨相對(duì)于憎液表面(基體材料表面)的接觸角不大于100度。
即，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，優(yōu)選的是形成憎液表面10A，從而在印刷方法中使用的墨(例如，在噴墨方法中使用的金屬納米墨)具有相對(duì)于基體材料表面(憎液表面10A)不小于30度且不大于100度的接觸角。更優(yōu)選的是形成憎液表面10A，從而在印刷方法中使用的墨(例如，在噴墨方法中使用的金屬納米墨)具有相對(duì)于基體材料表面(憎液表面10A)不小于50度且不大于100度的接觸角。
從另一方面，優(yōu)選的是形成憎液表面10A，從而水(純水)具有相對(duì)于基體材料表面(憎液表面10A)不小于50度且不大于120度的接觸角。
注意的是，具有親液性能的基體材料表面(區(qū)域)基本意味著預(yù)定液體的接觸角不大于相對(duì)于基體材料表面的預(yù)定角。例如，在當(dāng)水(純水)具有相對(duì)于基體材料表面的40度或更小的接觸角時(shí)的情形，根據(jù)本發(fā)明的基體材料表面具有親液性能。
根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，優(yōu)選的是形成親液表面10B，從而水(純水)具有相對(duì)于基體材料表面(親液表面10B)的不大于30度的接觸角。這在絕緣層12和基體材料10之間實(shí)現(xiàn)了滿意的粘結(jié)強(qiáng)度。
第二實(shí)施例圖2A-2D顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的方法。
在圖2A所示的步驟中，例如，通過(guò)例如成型聚鄰苯二亞甲基酰胺(Polyphthalamide，PPA)樹(shù)脂，從而形成了基本矩形形狀的基體材料21。接下來(lái)，通過(guò)使用例如光刻方法和/或鍍覆方法，在基體材料21的表面部分上形成了導(dǎo)電圖案(例如，布線圖案)22。在該實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案22形成為在基體材料21的表面部分上的多行。該多行導(dǎo)電圖案22基本平行對(duì)齊且用170μm的節(jié)距分開(kāi)。通過(guò)在基體材料21的表面部分上進(jìn)行Au鍍，導(dǎo)電圖案22形成有大約8μm的厚度。由此，制造了在基體材料21的表面上形成了具有導(dǎo)電圖案22的第一結(jié)構(gòu)20。
另外，在基本矩形的功能元件31上形成電極32。由此，制造了第二結(jié)構(gòu)30。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的功能元件31的邊緣是削邊的。
接下來(lái)，在圖2B所示的步驟中，通過(guò)使用例如厭氧性的粘結(jié)劑將第一結(jié)構(gòu)20和第二結(jié)構(gòu)30結(jié)合在一起。第一結(jié)構(gòu)20和第二結(jié)構(gòu)30以一種方式結(jié)合在一起，從而其上形成導(dǎo)電圖案22的基體材料21的表面基本與其上形成電極32的功能元件31的表面平齊。
另外，在功能元件的削邊的邊緣形成了表面結(jié)合部分42(如圖2B所示，面對(duì)基體材料21且位于其上形成電極32的表面的附近)。
通過(guò)采用分配器將環(huán)氧樹(shù)脂基的底層充填材料施加到削邊的邊緣且熱固化施加到削邊的邊緣的底層充填材料來(lái)形成表面結(jié)合部分42。因此，通過(guò)在其上形成導(dǎo)電圖案22的基體材料21的表面和其上形成電極32的功能元件31的表面之間形成表面連接部件42，從而獲得了連接表面。該連接表面與其上形成導(dǎo)電圖案22的基體材料21的表面和其上形成電極32的功能元件31的表面基本平齊。
另外，例如通過(guò)使用切片機(jī)械，將功能元件31和電極32切割為條狀結(jié)構(gòu)，從而可以相應(yīng)于多個(gè)導(dǎo)電圖案22制造包括電極32和功能元件31的多個(gè)結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，在圖2C所示的步驟中，通過(guò)以相似于本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1A所示的步驟的方式，對(duì)于基體材料的表面提供憎液性能(憎液性)(憎液處理)，在基體材料21的表面上形成憎液表面21A。通過(guò)例如在基體材料表面上形成C-F鍵來(lái)進(jìn)行憎液處理。通過(guò)將激活的氟化學(xué)氣體(例如，碳氟化合物氣體)施加到基體材料表面，從而可以形成C-F鍵。
在該實(shí)施例中，雖然在附圖中未顯示，為了在基體材料21上進(jìn)行憎液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將CF4氣體以0.5L/分鐘的速率提供到表面處理設(shè)備，接著通過(guò)激活CF4氣體來(lái)形成處理氣體，并且然后將該處理氣體施加到基體材料21的表面上。另外，在形成憎液表面21A的同時(shí)，在表面結(jié)合部分42上的上述連接表面上形成憎液表面42A。
接下來(lái)，以相似于本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1B所示的步驟的方式，形成了導(dǎo)電圖案(上導(dǎo)電圖案)43。通過(guò)使用例如噴墨方法施加(噴射)銀納米墨(由Sumitomo Electric Industries Ltd.制造)，從而形成了上導(dǎo)電圖案43。導(dǎo)電圖案43形成為從導(dǎo)電圖案22經(jīng)由憎液表面21A和42A延伸到電極32的基本上直的線，使得導(dǎo)電圖案22和電極32電連接。在該情形，因?yàn)樵饕罕砻?1A、42A具有憎液性能，所以可以在其上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案。例如，在該情形，上導(dǎo)電圖案43可以形成具有不大于50μm的寬度。
雖然上導(dǎo)電圖案43主要形成以具有大約8μm的厚度，但是在導(dǎo)電圖案22和憎液表面21A之間的臺(tái)階區(qū)形成以具有10μm的厚度，用于防止上導(dǎo)電圖案43在臺(tái)階區(qū)斷連(切斷)。
接下來(lái)，在圖2D所示的步驟中，(以相似于本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1C所示的步驟的方式)在其上未形成導(dǎo)電圖案22、43的基體材料21的表面的區(qū)域上，即在未被導(dǎo)電圖案22、43覆蓋的憎液表面21A、42A的區(qū)域上進(jìn)行提供親液性能的工藝(親液處理)。因此，在這些區(qū)域上形成了親液表面21B、42B(見(jiàn)圖3)。例如通過(guò)溶解在基體材料表面上的C-F鍵，進(jìn)行了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的親液處理。例如通過(guò)在基體材料表面(憎液表面21A、42A)上施加激活(激活)氧氣和氧稀釋的氣體(例如，氮?dú)?，進(jìn)行了溶解C-F鍵的工藝。
在該實(shí)施例中，雖然在附圖中未顯示，為了在基體材料21和表面結(jié)合部分42上進(jìn)行親液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由SekisuiChemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將氧氣和氮?dú)馓峁┑奖砻嫣幚碓O(shè)備，然后通過(guò)用等離子體激活(活化)氣體來(lái)形成處理氣體，然后將該處理氣體施加到基體材料21的表面和表面結(jié)合部分42的表面(連接表面)。由此，可以在基體材料21和表面結(jié)合部分42的表面上的預(yù)定區(qū)域上形成親液表面21B、42B。
接下來(lái)，以相似于圖1D所示的步驟，以覆蓋上導(dǎo)電圖案43的方式形成絕緣層43。絕緣層43不僅形成于導(dǎo)電圖案22的一部分和電極32的一部分上，而且還形成于基體材料21的親液區(qū)域(親液表面21B)和表面連接部分42的親液區(qū)域(親液表面42B)上。換言之，絕緣層43形成于相鄰的導(dǎo)電圖案22之間和相鄰的上導(dǎo)電圖案44之間。因?yàn)閷⒒w材料21的表面和表面連接部分42的表面進(jìn)行親液處理，所以在絕緣層43和這些親液表面之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度。在以下參考圖3詳細(xì)描述其中形成絕緣層44的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的絕緣層44用樹(shù)脂材料(Hitachi Chemical Co.Ltd.，SN-9000系列)形成，且通過(guò)使用涂布方法被施加到基體材料21的表面和表面結(jié)合部分42的表面上。為了形成絕緣層43還可以使用其它方法，比如層壓方法或CVD方法。另外，絕緣層43可以用其它材料形成，比如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、抗蝕劑樹(shù)脂或防汽材料。
然后，將基體材料21在200℃的溫度下加熱30分鐘。加熱工藝導(dǎo)致了包括在上導(dǎo)電圖案43中的銀納米墨的分散材料汽化(蒸發(fā))且包括在上導(dǎo)電圖案43中的銀顆粒熔合在一起。另外，加熱工藝還用于熱固化絕緣層44。在該情形，優(yōu)選使用熱固性樹(shù)脂材料作為絕緣層44的材料。
因?yàn)椴捎蒙鲜龅呐渲每梢栽诮^緣層44和親液表面21B之間獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止上導(dǎo)電圖案43分離且可以獲得可靠結(jié)構(gòu)。
形成導(dǎo)電圖案的上述的方法使得能夠制造這樣的電子元件40，通過(guò)上導(dǎo)電圖案43，該電子元件40具有連接到功能元件31的基體材料21且具有連接到電極32的導(dǎo)電圖案22，上導(dǎo)電圖案43被絕緣層44覆蓋。
另外，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電子元件40可以被用作圖像形成設(shè)備的噴墨頭。在該情形，優(yōu)選地通過(guò)倒裝片方法安裝功能元件的驅(qū)動(dòng)器IC，用于連接到上導(dǎo)電圖案43。
圖3是當(dāng)從形成絕緣層44側(cè)觀看時(shí)圖2D的電子元件(噴墨頭)40的平面圖。注意的是，相似的元件用與圖2A-2D相似的參考標(biāo)號(hào)指示，且省略了其進(jìn)一步的說(shuō)明。另外，在圖3中，未示出絕緣層44以提供電子元件40的更好的視圖，且由虛線圍繞的部分(區(qū)域A)是其中形成絕緣層44的區(qū)域。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電子元件(噴墨頭)40具有這樣的配置，其中上導(dǎo)電圖案43將基體材料21的導(dǎo)電圖案22電連接到功能元件31的電極32(在圖3中未顯示)。
在該情形，電極32和功能元件31例如通過(guò)切片機(jī)被切割為條狀結(jié)構(gòu)，從而可以相應(yīng)于多個(gè)導(dǎo)電圖案22制造包括電極32和功能元件31的多個(gè)結(jié)構(gòu)。
另外，絕緣層44(在圖3中未顯示)以不僅覆蓋上導(dǎo)電圖案43而且覆蓋部分的導(dǎo)電圖案22和部分的電極32的方式形成絕緣層44。另外，絕緣層44(在圖3中未顯示)形成于相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案22之間和相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案43之間。
在該情形，將相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案22之間的空間和相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案43之間的空間進(jìn)行親液處理，且由此將其形成為親液表面21B。相似地，也將表面結(jié)合部分42(連接表面)上的導(dǎo)電圖案43之間的空間進(jìn)行親液處理，且由此將其形成為親液表面42B。
相應(yīng)地，因?yàn)樵诮^緣層44(在圖3中未顯示)和親液表面21B、42B之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止上導(dǎo)電圖案43分離且可以獲得可靠結(jié)構(gòu)。
第三實(shí)施例雖然第二實(shí)施例說(shuō)明了通過(guò)直接在基體材料21上形成(構(gòu)圖)導(dǎo)電圖案(布線圖案)22來(lái)制造第一結(jié)構(gòu)20，但是可以通過(guò)使用分開(kāi)的支撐基底且將導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移到基體材料來(lái)形成導(dǎo)電圖案。在以下參考圖4A-4F說(shuō)明通過(guò)使用轉(zhuǎn)移方法來(lái)形成導(dǎo)電圖案的示例。
在圖4A所示的步驟中，在支撐基底101上沉積厚度為0.8μm的絕緣層102。支撐基底例如包括不銹鋼材料(JIS標(biāo)準(zhǔn)SUS 304)。絕緣層102例如包括類金剛石碳(DLC)材料。
接下來(lái)，在圖4B所示的步驟中，通過(guò)在絕緣層102上進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻(RIE)方法在絕緣層102中形成多個(gè)孔部分102A。在該示例中，通過(guò)光刻方法形成的抗蝕劑圖案被用作進(jìn)行RIE方法的掩膜。在形成孔部分102A之后，從絕緣層102去除抗蝕劑。每個(gè)孔部分102A具有大約70μm的寬度。孔部分102A從彼此分開(kāi)了170μm的節(jié)距。
接下來(lái)，在圖4C所示的步驟中，支撐基底101被用作進(jìn)行電鍍的電極，由此在相應(yīng)于孔部分102A的區(qū)域形成導(dǎo)電圖案(例如，Cu圖案)103。導(dǎo)電圖案103的厚度為大約10μm。因?yàn)閷?dǎo)電圖案103具有大于絕緣層102的厚度，所以導(dǎo)電圖案103的橫截面具有蘑菇狀形狀。
接下來(lái)，說(shuō)明了變形導(dǎo)電圖案103的表面的工藝(表面變形處理)。在該工藝中，導(dǎo)電圖案103的表面用預(yù)定的化學(xué)劑(由Ebara-Udylite Co.Ltd.制造的銅粘結(jié)劑)處理。該工藝改善了相對(duì)于基體材料的粘結(jié)強(qiáng)度，形成該基體材料，其在隨后的工藝中覆蓋導(dǎo)電圖案103暴露的部分。通過(guò)進(jìn)行表面變形處理，導(dǎo)電圖案103的厚度變?yōu)榇蠹s8μm。由此，導(dǎo)電圖案103的厚度變得基本與絕緣層102的厚度相同。然而，注意的是，從絕緣層102突出的導(dǎo)電圖案103的暴露的部分在圖4C中以放大的方式且在使得該配置更容易理解之后示出。
接下來(lái)，在圖4D所示的步驟中，將支撐基體材料105以面對(duì)支撐基底101的方式放置在導(dǎo)電圖案103上方。支撐基體材料105例如包括不銹鋼(JIS標(biāo)準(zhǔn)SUS 430)。然后，將基體材料104在支撐基體材料105和導(dǎo)電圖案103之間注射成型?；w材料104例如包括用作熱固性半導(dǎo)體密封樹(shù)脂的環(huán)氧樹(shù)脂(成型樹(shù)脂)，其加入了約1％的釋放劑。通過(guò)添加熱釋放劑，基體材料104可以獲得憎液性能(或使得其憎液性能提高)，從而在隨后的工藝中在其上可以形成精細(xì)圖案。
接下來(lái)，在圖4E所示的步驟中，絕緣層104和導(dǎo)電圖案103一起作為整體從支撐基底101和絕緣層102分開(kāi)(去除)。
接下來(lái)，在圖4F所示的步驟中，在導(dǎo)電圖案103的表面上進(jìn)行Ni、Au鍍覆(未顯示)，由此獲得第一結(jié)構(gòu)100。
第一結(jié)構(gòu)100具有低電阻值，原因在于雖然導(dǎo)電圖案103從基體材料104突出的量小，但是導(dǎo)電圖案103在基體材料104內(nèi)埋入的量大。
接下來(lái)，參考圖5A-5C說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例通過(guò)使用第一結(jié)構(gòu)100制造電子元件的步驟。
首先，在圖5A所示的步驟中，形成連接到上述第一結(jié)構(gòu)100的第二結(jié)構(gòu)200。第二結(jié)構(gòu)200具有一種配置，其中電極202形成于基本矩形的功能元件201上。功能元件201例如包括壓電元件。功能元件201的邊緣被削邊。注意的是，圖5A是圖4F所示的配置被旋轉(zhuǎn)90度的橫截面視圖。
接下來(lái)，在圖5B所示的步驟中，將第一結(jié)構(gòu)100和第二結(jié)構(gòu)200結(jié)合在一起，例如通過(guò)使用導(dǎo)電粘結(jié)劑。在該情形，優(yōu)選地在面對(duì)功能元件201的支撐基體材料105的表面上進(jìn)行Ni、Au鍍覆。
通過(guò)在支撐基底105和功能元件201之間的結(jié)合表面形成公共電極，公共電極可以具有比功能元件201更大的面積。由此，可以滿意地減小公共電極的電阻值。
在該情形，其上形成導(dǎo)電圖案103的基體材料104的表面形成基本與其上形成電極202的功能元件的表面平齊。
另外，表面結(jié)合部分302形成于功能元件的削邊的邊緣(如圖5A所示，面對(duì)基體材料104且位于其上形成電極202的表面的附近)。
通過(guò)從分配器施加加入1％的釋放劑的環(huán)氧樹(shù)脂基底層填充材料且將施加到削邊邊緣的底層填充材料熱固化，從而形成表面連接部分302。在該情形，通過(guò)加入釋放劑，表面連接部分302可以獲得憎液性能(或使得其憎液性能提高)，從而在隨后的工藝中在其上形成(印刷)精細(xì)圖案。
相應(yīng)地，通過(guò)其上形成導(dǎo)電圖案103的基體材料104的表面和其上形成電極202的功能元件201的表面之間形成表面連接部分302，獲得了連接表面。該連接表面基本與其上形成導(dǎo)電圖案103的基體材料104的表面和其上形成電極202的功能元件201的表面平齊。
另外，電極202和功能元件201例如通過(guò)使用切片機(jī)被切割為條狀結(jié)構(gòu)，從而可以相應(yīng)于多個(gè)導(dǎo)電圖案103制造包括電極202和功能元件201的多個(gè)結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，以相似于本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖2C所示的步驟的方式形成導(dǎo)電圖案303。通過(guò)例如使用噴墨方法施加(噴射)銀納米墨(由SumitomoElectric Industries Ltd.制造)，從而形成了導(dǎo)電圖案303。導(dǎo)電圖案43形成為從導(dǎo)電圖案103經(jīng)由基體材料104和表面結(jié)合部分302的表面延伸到電極202的基本上直的線，使得導(dǎo)電圖案103和電極202電連接。在該情形，因?yàn)橥ㄟ^(guò)加入釋放劑在基體材料104和表面連接部分302提供(或提高)了憎液性能，所以可以在基體材料104和表面結(jié)合部分302的表面上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案。例如，在該情形，導(dǎo)電圖案303可以形成具有不大于50μm的寬度。
因?yàn)樵谠撌纠袑?dǎo)電圖案303形成具有大約2μm的厚度，所以導(dǎo)電圖案103和基體材料104之間的臺(tái)階的區(qū)域(高度差)比較小。由此，可以防止在導(dǎo)電圖案303的斷連(例如，裂紋)，且可以獲得可靠結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，以相似于圖2D所示的步驟的方式，以覆蓋導(dǎo)電圖案103的方式形成絕緣層304。絕緣層304不僅形成于導(dǎo)電圖案302的一部分和電極202的一部分上，而且還形成于基體材料104的親液區(qū)域(親液表面104B)和表面連接部分302的親液區(qū)域(親液表面302B)上。換言之，絕緣層304形成于相鄰的導(dǎo)電圖案103之間和相鄰的導(dǎo)電圖案303之間。因?yàn)閷⒒w材料104的表面和表面連接部分302的表面進(jìn)行親液處理，所以在絕緣層304和這些親液表面之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度。形成絕緣層304的區(qū)域在以下參考圖6被詳細(xì)描述。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的絕緣層304用樹(shù)脂材料(Hitachi Chemical Co.Ltd.，SN-9000系列)形成且通過(guò)使用涂布方法被施加到基體材料104的表面和表面結(jié)合部分302的表面上。
然后，將基體材料104在200℃的溫度下加熱30分鐘。加熱工藝導(dǎo)致了包括在導(dǎo)電圖案303中的銀納米墨的分散材料汽化(蒸發(fā))且包括在導(dǎo)電圖案303中的銀顆粒熔合在一起。另外，加熱工藝還用于熱固化絕緣層304。在該情形，優(yōu)選使用熱固性樹(shù)脂材料作為絕緣層304的材料。
因?yàn)椴捎蒙鲜龅呐渲每梢栽诮^緣層304和親液表面104B、302B之間獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止導(dǎo)電圖案303分離且可以獲得可靠結(jié)構(gòu)。
形成導(dǎo)電圖案的上述方法使得能夠制造電子元件300，其中基體材料104連接到功能元件201且導(dǎo)電圖案103連接到電極202，而導(dǎo)電圖案302被絕緣層304覆蓋。
另外，根據(jù)本發(fā)明的上述的實(shí)施例的電子元件300可以被用作圖像形成設(shè)備的噴墨頭。在該情形，優(yōu)選地通過(guò)倒裝片方法安裝功能元件的驅(qū)動(dòng)器IC，用于與導(dǎo)電圖案103連接。
圖6是當(dāng)從形成絕緣層304的一側(cè)觀看時(shí)圖5C的的電子元件(噴墨頭)300的平面圖。注意的是，相似的元件用與圖5A-5C相似的參考標(biāo)號(hào)指示，且省略了其進(jìn)一步的說(shuō)明。另外，在圖6中，未示出絕緣層304以提供電子元件300的更好的視圖，且由虛線圍繞的部分(區(qū)域B)是其中形成絕緣層304的區(qū)域。
如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電子元件(噴墨頭)300具有這樣一種配置，其中導(dǎo)電圖案303將基體材料104的導(dǎo)電圖案103電連接到功能元件201的電極202(在圖6中未顯示)。
在該情形，電極202和功能元件201例如通過(guò)切片機(jī)被切割為條狀結(jié)構(gòu)，從而可以相應(yīng)于多個(gè)導(dǎo)電圖案103制造包括電極202和功能元件201的多個(gè)結(jié)構(gòu)。
另外，絕緣層304(在圖6中未顯示)以不僅覆蓋導(dǎo)電圖案303而且覆蓋部分的導(dǎo)電圖案103和部分的電極202的方式形成絕緣層304。另外，絕緣層304(在圖6中未顯示)形成于相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案103之間和相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案303之間。
在該情形，將相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案103之間的空間和相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案303之間的空間進(jìn)行親液處理，且由此將其形成為親液表面104B。相似地，將表面結(jié)合部分302(連接表面)上的導(dǎo)電圖案303之間的空間也進(jìn)行親液處理，且由此將其形成為親液表面302B。
相應(yīng)地，因?yàn)樵诮^緣層304(在圖6中未顯示)和親液表面104B、302B之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止導(dǎo)電圖案303分離且可以獲得可靠結(jié)構(gòu)。
另外，在形成絕緣層304中，可以將例如包括2-4-二氨基-6-乙烯基-S-三胺和異三聚氰酸(isocyanuric acid)的離子俘獲劑揉入絕緣層304的樹(shù)脂材料。優(yōu)選地使用具有S-三嗪環(huán)的化合物作為離子俘獲劑。
這樣的離子俘獲劑的揉入防止了當(dāng)用銀納米墨形成導(dǎo)電圖案時(shí)銀顆粒的遷移。
通過(guò)進(jìn)行以下描述的遷移測(cè)試，發(fā)現(xiàn)離子俘獲劑防止銀離子顆粒的遷移的事實(shí)。
通過(guò)用絕緣層覆蓋布線圖案(在電極間0.5μm的間隙)且在85℃和85％Rh的環(huán)境中施加DC 100V來(lái)進(jìn)行該測(cè)試。以針狀方式用銀納米墨將布線圖案印刷到PET基底上。在沒(méi)有離子俘獲劑被加入絕緣層的情形，在過(guò)去大約100小時(shí)之后在電極之間發(fā)現(xiàn)銀的分支狀生長(zhǎng)(產(chǎn)生銀遷移)。同時(shí)，在將離子俘獲劑加到絕緣層的情形，即使在大約1000小時(shí)經(jīng)過(guò)之后也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)遷移。
第四實(shí)施例在形成第一結(jié)構(gòu)100中，雖然在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的圖4E所示的步驟中，基底104從絕緣層102分離，但是可以可替換地使用下述的方法。
圖7A-7E顯示了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例形成導(dǎo)電圖案的另一方法。注意的是，相似的元件用與第三實(shí)施例相似的參考標(biāo)號(hào)指示且省略了其進(jìn)一步的說(shuō)明。
首先，與第三實(shí)施例中的圖4A-4B的步驟相同，在支撐基底101上形成具有構(gòu)圖的孔部分102A的包括DLC的絕緣層102。
接下來(lái)，在圖7A所示的步驟中，在絕緣層102和形成孔部分102A的支撐基底101的區(qū)域上形成厚度大約為0.05μm的涂層102C。涂層102C例如包括含氟涂布材料(由Fluoro Technology Co.Ltd.制造的fluorosurfFG-5000)。
接下來(lái)，在圖7B所示的步驟中，支撐基底101被用作進(jìn)行電鍍的電極，由此在相應(yīng)于孔部分102A的區(qū)域形成導(dǎo)電圖案(例如，Cu圖案)103。導(dǎo)電圖案103的厚度為大約10μm。因?yàn)閷?dǎo)電圖案103具有大于絕緣層102的厚度，所以導(dǎo)電圖案103的橫截面具有蘑菇狀形狀。因?yàn)橥繉?02C薄(在該示例中，0.05μm的厚度)，所以可以進(jìn)行電鍍方法。
與本發(fā)明的第三實(shí)施例相同，在導(dǎo)電圖案103上進(jìn)行了表面變形處理。在該工藝中，導(dǎo)電圖案103的表面用預(yù)定的化學(xué)劑(由Ebara-Udylite Co.Ltd.制造的銅粘結(jié)劑)處理。該工藝改善了相對(duì)于基體材料的粘結(jié)強(qiáng)度，形成該基體材料覆蓋在隨后的工藝中導(dǎo)電圖案103的暴露的部分。通過(guò)進(jìn)行表面變形處理，導(dǎo)電圖案103的厚度變?yōu)榇蠹s8μm。由此，導(dǎo)電圖案103的厚度變得基本上與絕緣層102的厚度相同。然而，注意的是，從絕緣層102突出的導(dǎo)電圖案103的暴露的部分在圖7B中以放大的方式且在使得該配置更容易理解之后示出。
接下來(lái)，在圖7C所示的步驟中，將支撐基體材料105以面對(duì)支撐基底101的方式放置在導(dǎo)電圖案103上方(與第三實(shí)施例的圖4D所示的步驟相同)。支撐基體材料105例如包括不銹鋼(JIS標(biāo)準(zhǔn)SUS 430)。然后，將基體材料104在支撐基體材料105和導(dǎo)電圖案103之間注射成型?；w材料104例如包括用作熱固性半導(dǎo)體密封樹(shù)脂的環(huán)氧樹(shù)脂(成型樹(shù)脂)。
接下來(lái)，在圖7D所示的步驟中，絕緣層104和導(dǎo)電圖案103一起作為整體從支撐基底101和絕緣層102分開(kāi)(去除)(與第三實(shí)施例的圖4E所示的步驟相同)。
因?yàn)橥繉?02C形成于絕緣層102上，所以涂層102C充當(dāng)提供特別對(duì)于基體材料104增強(qiáng)釋放性能的釋放層。由此，基體材料104可以容易地從絕緣層102分離。另外，部分的涂層102被轉(zhuǎn)移到基體材料104的表面，優(yōu)選形成涂層102C’。
接下來(lái)，在圖7E所示的步驟中，在導(dǎo)電圖案103的表面上進(jìn)行Ni、Au鍍覆(未顯示)，由此獲得第一結(jié)構(gòu)100A(與第三實(shí)施例的圖4F所示的步驟相同)。
與第三實(shí)施例的第一結(jié)構(gòu)100相同，第一結(jié)構(gòu)100A也具有低電阻值，原因在于雖然導(dǎo)電圖案103從基體材料104突出的量小，但是導(dǎo)電圖案103在基體材料104內(nèi)埋入的量大。
另外，在第一結(jié)構(gòu)100A中，基體材料104的表面具有憎液性能，在其上可以通過(guò)印刷方法形成精細(xì)導(dǎo)電圖案，原因在于在基體材料104的表面上形成了上述涂層102C’。在該情形，可以省略在成型基體材料104時(shí)加入釋放劑的工藝。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一結(jié)構(gòu)100A的基體材料104的表面上檢測(cè)銀納米墨的接觸角中，發(fā)現(xiàn)基體材料的表面具有高憎液性能，其中接觸角為55度或更大。
另外，與第三實(shí)施例相同，通過(guò)使用第一結(jié)構(gòu)100A可以制造電子元件。在該情形，通過(guò)用第一結(jié)構(gòu)100A替換第一結(jié)構(gòu)100且進(jìn)行第三實(shí)施例的圖5A-5C所示的步驟，可以制造該電子元件。
因此，通過(guò)使用各種導(dǎo)電圖案(布線圖案)和用于形成導(dǎo)電圖案的基體材料(例如，基底)，可以執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法。
第五實(shí)施例近年來(lái)，期望在比如第一到第四實(shí)施所述的那些電子元件(例如，噴墨頭)上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案。然而，在形成如此的精細(xì)導(dǎo)電圖案中，隨著導(dǎo)電圖案的尺寸變得越精細(xì)(隨著導(dǎo)電圖案的寬度變得更小)，導(dǎo)電圖案的電阻趨于變得越大。因此，在制造電子元件(例如，噴墨頭)中，期望制造一種電子元件，其允許在其上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案同時(shí)防止電阻變大(或防止電阻變小)。
例如，為了減小導(dǎo)電圖案的電阻，提供了一種方法，其中增加導(dǎo)電圖案的高度(厚度)。然后，因?yàn)橥ㄟ^(guò)印刷方法形成的導(dǎo)電圖案具有相對(duì)大的應(yīng)力，所以在導(dǎo)電圖案被形成得厚的情形，導(dǎo)電圖案趨于不期望地從基體材料分離。
因此，本發(fā)明的下述的實(shí)施例使用了這樣一種方法，其中通過(guò)使用印刷方法在基體材料上形成導(dǎo)電圖案，然后通過(guò)使用鍍覆方法在導(dǎo)電圖案上形成上導(dǎo)電圖案。
憑借下述的實(shí)施例，包括通過(guò)印刷方法形成的導(dǎo)電圖案和形成于導(dǎo)電圖案上的上導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電路徑可以具有小的電阻。另外，因?yàn)榕c通過(guò)印刷方法形成的導(dǎo)電圖案相比，通過(guò)鍍覆方法形成的上導(dǎo)電圖案具有小的應(yīng)力，所以即使當(dāng)導(dǎo)電圖案形成得厚時(shí)導(dǎo)電圖案也不易從基體材料分離。由此，可以獲得更可靠的布線。
作為形成上導(dǎo)電圖案的鍍覆方法，例如存在電鍍方法和無(wú)電鍍方法。下面，本發(fā)明的第五實(shí)施例描述了使用電鍍方法的情形，本發(fā)明的第六實(shí)施例描述了使用無(wú)電鍍方法的情形。
參考圖8A-8E描述了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的采用電鍍方法形成上電鍍圖案的情形。注意的是，相似的元件用相似的參考標(biāo)號(hào)指示且省略了其進(jìn)一步的描述。
在圖8A所示的步驟中，通過(guò)對(duì)于基體材料10的表面提供憎液性能(憎液性)，從而在基體材料10的表面上形成憎液表面10A，其包括樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺)(與第一實(shí)施例的圖1A所示的步驟相同)。
在該步驟中，雖然在附圖中未顯示，為了在基體材料10上進(jìn)行憎液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將CF4氣體以0.5L/分鐘的速率提供到表面處理設(shè)備，通過(guò)用等離子體激活CF4來(lái)形成處理氣體R1，且然后將處理氣體R1施加到基體材料10的表面上。
接下來(lái)，在圖8B所示的步驟中，通過(guò)使用印刷方法，在基體材料10的表面(即憎液表面10A)上形成了導(dǎo)電圖案11。更具體而言，通過(guò)使用例如噴墨方法在憎液表面10A上施加銀納米墨(由Sumitomo Electric IndustriesLtd.制造)。因?yàn)樵饕罕砻?0A具有高憎液性能，所以墨滴接觸憎液表面10A的區(qū)域的直徑是40μm，且因此導(dǎo)電圖案11的寬度為40μm。另外，銀納米墨包括金屬顆粒(銀顆粒)，其具有不大于100nm的顆粒直徑。當(dāng)在隨后的步驟中進(jìn)行電鍍時(shí)，金屬顆粒變?yōu)殡娏鞒休d路徑(進(jìn)給路徑)。
另外，優(yōu)選地加熱導(dǎo)電圖案11以減小導(dǎo)電圖案11的電阻值。因此，為了將導(dǎo)電圖案11用作進(jìn)行電鍍工藝的電流承載路徑，將導(dǎo)電圖案11(基體材料10)在180℃下加熱30分鐘。加熱工藝導(dǎo)致包括在導(dǎo)電圖案11中的銀納米墨的分散材料氣化(蒸發(fā))且包括在導(dǎo)電圖案11中的金屬顆粒(銀顆粒)熔合在一起。由此，可以減小導(dǎo)電圖案11的電阻值，用于對(duì)于導(dǎo)電圖案11提供導(dǎo)電性。
在圖8C所示的步驟中，通過(guò)使用鍍液(刷鍍液，由Yamamoto MS Co.Ltd制造)且使用導(dǎo)電圖案11作為進(jìn)給路徑，從而進(jìn)行了電鍍工藝。結(jié)果，包括Cu材料的上導(dǎo)電圖案11A形成(層疊)于導(dǎo)電圖案11上。因?yàn)槭褂昧穗婂兎椒ǎ钥梢詽M意的產(chǎn)率(沉積速率)形成上導(dǎo)電圖案11A。在形成上導(dǎo)電圖案11A之后，將基體材料10(上導(dǎo)電圖案11A)凈化和干燥。
接下來(lái)，在圖8D所示的步驟中(與圖1C所示的步驟相同)，在其上未形成導(dǎo)電圖案11的基體材料表面的區(qū)域上，即在未被導(dǎo)電圖案11覆蓋的憎液表面10A的區(qū)域上進(jìn)行提供親液性能的工藝(親液處理)。因此，在這些區(qū)域上形成了親液表面10B。
在該步驟中，雖然在圖中未顯示，但是為了在基體材料10上進(jìn)行親液處理，使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)。更具體而言，將氧氣和氮?dú)馓峁┑皆摫砻嫣幚碓O(shè)備，然后通過(guò)用等離子體激活氣體來(lái)形成處理氣體R2，且然后將處理氣體R2施加到基體材料10的表面(憎液表面10A)上。由此，在基體材料的表面上的預(yù)定的區(qū)域上可以形成親液表面10B。
接下來(lái)，在圖8E所示的步驟中(與圖1D所示的步驟)，以覆蓋導(dǎo)電圖案11的方式在襯底表面上形成絕緣層12。因?yàn)閷⒒w材料表面進(jìn)行親液處理，所以在絕緣層12和親液表面10B之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的絕緣層12用樹(shù)脂材料(Hitachi Chemical Co.Ltd.，SN-9000系列)形成，且通過(guò)涂布方法施加到基體材料表面上。
因?yàn)樵诮^緣層12和親液表面10B之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A從基體材料表面分離。另外，絕緣層12還可以用作導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A的保護(hù)層，用于防止導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A被損傷。
然后，將基體材料在200℃下加熱30分鐘。加熱工藝用于熱固化絕緣層12。在該情形，優(yōu)選地使用熱固性樹(shù)脂材料作為絕緣層12的材料。
由此，通過(guò)進(jìn)行形成導(dǎo)電圖案的上述的方法，可以制造電子元件1A，該電子元件1A包括具有形成于其表面上的導(dǎo)電圖案11、形成(層疊)于導(dǎo)電圖案11上的上導(dǎo)電圖案11A和以覆蓋導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A的方式形成于基體材料10的表面上的絕緣層12。
除了獲得本發(fā)明的第一實(shí)施例的所述的優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明的第五實(shí)施例還可以獲得以下的性能。
根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，通過(guò)印刷方法形成的導(dǎo)電圖案11和通過(guò)鍍覆方法形成的上導(dǎo)電圖案11A以層疊的方式形成于基體材料10上。另外，對(duì)于使得導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A形成于基體材料10上的配置，由鍍覆方法形成的上導(dǎo)電圖案11A比由印刷方法形成的導(dǎo)電圖案11具有更小的應(yīng)力。
因此，即使當(dāng)形成相當(dāng)?shù)暮穸?高度)的上導(dǎo)電圖案11A時(shí)，也可以防止上導(dǎo)電圖案11A從基體材料10(導(dǎo)電圖案11)分離。即，采用根據(jù)第五實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法，上導(dǎo)電圖案11可以具有低的電阻且可以抵抗從基體材料分離。因此，可以制造包括導(dǎo)電圖案的可靠的電子元件(噴墨頭)。換言之，采用根據(jù)第五實(shí)施例的形成導(dǎo)電圖案的方法，可以獲得允許在其上形成精細(xì)布線圖案的可靠的電子元件(噴墨頭)。
第六實(shí)施例接下來(lái)，將參考圖9A-9E描述根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的通過(guò)使用無(wú)電鍍形成上導(dǎo)電圖案的情形。注意的是，相似的元件用與上述的實(shí)施例相似的參考標(biāo)號(hào)指示，且省略了其描述。
圖9A和9B所示的步驟與圖8A和8B所示的第五實(shí)施例的步驟相同。注意的是，為形成導(dǎo)電圖案使用的銀納米墨包括其顆粒直徑不大于100nm的金屬顆粒(銀顆粒)。在隨后的步驟中當(dāng)進(jìn)行無(wú)電鍍工藝時(shí)，金屬顆粒作為催化劑。
另外，在基體材料10的表面上印刷導(dǎo)電圖案11中，通過(guò)調(diào)整金屬顆粒(銀顆粒)在銀納米墨中的密度以及噴射銀納米墨的次數(shù)，可以改變導(dǎo)電圖案的厚度和/或排列(分布)。例如，通過(guò)將具有大約30重量百分比的密度的金屬顆粒多次噴射到基體材料10上，可以在基體材料10上形成金屬顆粒為連接狀態(tài)的布線圖案。另外，通過(guò)噴射具有減小的密度的銀納米墨，可以在基體材料10上形成金屬顆粒為部分散開(kāi)狀態(tài)的布線圖案。
接下來(lái)，在圖9C所示的步驟中，將包括在導(dǎo)電圖案11中的金屬顆粒進(jìn)行激活工藝，因?yàn)樵陔S后的步驟中金屬顆粒將被用作進(jìn)行無(wú)電鍍的催化劑。
該激活工藝以與第五實(shí)施例的圖8D所示的步驟相同的方式進(jìn)行。即，同時(shí)(在同一步驟中)進(jìn)行在金屬顆粒上進(jìn)行的激活工藝以及在其上沒(méi)有形成導(dǎo)電圖案的區(qū)域上進(jìn)行的親液工藝(形成親液表面10B)。例如通過(guò)使用了大氣壓等離子體表面處理設(shè)備(由Sekisui Chemical制造的遙控型等離子體處理設(shè)備)進(jìn)行親液處理，用于將等離子態(tài)激活的氧氣和氮?dú)馓峁┑交w材料10的表面上，由此溶解導(dǎo)電圖案11的表面上的包括在金屬顆粒中的分散材料并溶解形成于基體材料表面上的C-F鍵。
接下來(lái)，在圖9D所示的步驟中，通過(guò)使用無(wú)電鍍液(TSP銅，由OkunoChemical Industries Co.Ltd.制造)且使用金屬顆粒作為催化劑，進(jìn)行了無(wú)電鍍。因此，在導(dǎo)電圖案11上形成(層疊)了包括Cu材料的上導(dǎo)電圖案11A。在該示例中，更具體而言，鍍覆工藝進(jìn)行了兩個(gè)小時(shí)，其中將在該工藝中使用的無(wú)電鍍液的液體溫度設(shè)定為40℃。由此，在導(dǎo)電圖案11上形成(層疊)了大約3μm的厚度的上導(dǎo)電圖案11B。可以將金屬顆粒形成為導(dǎo)電圖案11中的連接狀態(tài)或分散狀態(tài)。
接下來(lái)，在圖9E所示的步驟中，將UV固化型保護(hù)材料(UVCF-535，由Taiyo Ink MFG Co.Ltd.制造)施加到基體材料表面和上導(dǎo)電圖案11B的表面。通過(guò)對(duì)其照射UV線來(lái)固化保護(hù)層材料。由此，在基體材料表面和上導(dǎo)電圖案11B的表面上形成了絕緣層12。比如第五實(shí)施例中使用的熱固性材料也可以可替換地用作絕緣層12的材料。
因?yàn)樵诮^緣層12和親液表面10B之間可以獲得滿意的粘結(jié)強(qiáng)度，所以可以防止導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11B從基體材料表面分離。另外，絕緣層12還可以用作導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A的保護(hù)層，用于防止導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11A被損傷。
由此，通過(guò)進(jìn)行形成導(dǎo)電圖案的上述的方法，可以制造電子元件1B，該電子元件1B包括具有形成于其表面上的導(dǎo)電圖案11的基體材料10、形成(層疊)于導(dǎo)電圖案11上的上導(dǎo)電圖案11B、和以覆蓋導(dǎo)電圖案11和上導(dǎo)電圖案11B的方式形成于基體材料10的表面上的絕緣層12。
除了獲得本發(fā)明的第五實(shí)施例的所述的優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明的第六實(shí)施例還可以獲得以下的性能。例如，因?yàn)閷?dǎo)電圖案11不必用作鍍覆工藝中進(jìn)給路徑，所以可以省略將導(dǎo)電圖案11加熱到高溫的步驟。因此通過(guò)采用UV固化型材料來(lái)形成絕緣層，可以省略加熱基體材料10的步驟。通過(guò)省略加熱工藝，可以防止導(dǎo)電圖案11、11B由于熱應(yīng)力而分離或產(chǎn)生裂紋。由此，可以制造可靠的布線圖案。
雖然使用金屬納米墨(銀納米墨)用于形成導(dǎo)電材料11來(lái)描述本發(fā)明的前述的實(shí)施例，但是可以使用其他材料。例如，用于形成導(dǎo)電圖案的墨可以是其他類型的墨，只要它在無(wú)電鍍工藝過(guò)程中提供催化劑功能。另外，包括在金屬納米墨中的金屬顆粒不限于銀顆粒。例如，還可以使用鈀顆粒。
另外，可以將少量的粘結(jié)劑材料加入金屬納米墨，用于進(jìn)一步增加導(dǎo)電圖案和基體材料之間的粘結(jié)強(qiáng)度。
另外，在第五和第六實(shí)施例中使用的方法可以與第二到第四實(shí)施例中所述的方法組合使用，用于制造各種電子元件(例如，噴墨頭)。
另外，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，而是在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以進(jìn)行變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于包括如下步驟a)在具有憎液性能的基體材料的表面上形成導(dǎo)電圖案；b)對(duì)于在其上未形成有導(dǎo)電圖案的基體材料的表面的預(yù)定區(qū)域，提供憎液性能；和c)形成覆蓋所述導(dǎo)電圖案的絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于還包括步驟在步驟a)之后，通過(guò)使用鍍覆方法在所述導(dǎo)電圖案上形成上導(dǎo)電圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于所述導(dǎo)電圖案包括金屬顆粒，其中所述鍍覆方法包括使用金屬顆粒作為形成所述上導(dǎo)電圖案的催化劑的無(wú)電鍍方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于所述鍍覆方法包括使用所述導(dǎo)電圖案作為形成所述上導(dǎo)電圖案的進(jìn)給路徑的電鍍方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于還包括步驟在步驟a)之前形成具有加入釋放劑的基體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于還包括步驟在步驟a)之前對(duì)于所述基體材料的表面提供憎液性能。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于通過(guò)對(duì)基體材料的表面施加等離子體激發(fā)的氣體來(lái)對(duì)所述基體材料的表面提供憎液性能。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于在步驟b)中，通過(guò)對(duì)所述基體材料的表面施加等離子體激發(fā)的氣體來(lái)對(duì)所述預(yù)定區(qū)域提供親液性能。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于還包括步驟將所述基體材料連接到其上形成第二導(dǎo)電圖案的功能元件；和在所述導(dǎo)電圖案的至少一部分和所述第二導(dǎo)電圖案的一部分上形成第三導(dǎo)電圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成導(dǎo)電圖案的方法，其特征在于所述步驟a)包括的步驟為在所述支撐基板上形成掩模圖案；通過(guò)使用鍍覆方法在所述掩模圖案的孔部分中生長(zhǎng)所述導(dǎo)電圖案；且將所述導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移到所述基體材料。
11.一種電子元件，其特征在于包括具有其上有導(dǎo)電圖案的表面的基體材料；和以覆蓋所述導(dǎo)電圖案的方式形成于所述基體材料的表面的預(yù)定區(qū)域上的絕緣層，其中其上形成所述絕緣層的預(yù)定區(qū)域的表面具有比其上形成所述導(dǎo)電圖案的表面更低的親液性能。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子元件，其特征在于還包括形成于所述導(dǎo)電圖案上的上導(dǎo)電圖案，其中所述上導(dǎo)電圖案具有與所述導(dǎo)電圖案不同的組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子元件，其特征在于所述上導(dǎo)電圖案具有小于所述導(dǎo)電圖案的應(yīng)力。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子元件，其特征在于所述導(dǎo)電圖案包括金屬顆粒。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子元件，其特征在于還包括連接到所述基體材料的功能元件，所述功能元件具有其上形成第二導(dǎo)電圖案的表面；和至少形成于所述導(dǎo)電圖案的一部分和所述第二導(dǎo)電圖案的一部分的第三導(dǎo)電圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子元件，其特征在于還包括形成于所述功能元件和所述基體材料之間的連接部分，所述連接部分具有位于所述基體材料的表面和所述功能元件的表面之間的連接表面，其中所述連接部分包括樹(shù)脂材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子元件，其特征在于所述第三導(dǎo)電圖案接觸所述導(dǎo)電圖案、所述第二導(dǎo)電圖案和所述連接表面。
18.一種噴墨頭，其特征在于包括如權(quán)利要求11所述的電子元件。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種形成導(dǎo)電圖案的方法以及使用該方法形成的電子元件。所述方法包括的步驟為a)在具有憎液性能的基體材料的表面上形成導(dǎo)電圖案；b)對(duì)于在其上未形成導(dǎo)電圖案的基體材料的表面的預(yù)定區(qū)域，提供憎液性能；和c)形成覆蓋所述導(dǎo)電圖案的絕緣層。
文檔編號(hào)B41J2/01GK1855373SQ200610080110
公開(kāi)日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者佐野武, 大倉(cāng)秀章, 小林寬史, 池田邦夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光