專利名稱：Led 陣列頭及圖像記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有多個LED的LED陣列頭，以及一種圖像記錄裝置。
背景技術(shù)：
通常，在LED陣列頭等中用作發(fā)光器件的LED陣列通過鍵合線與印制板(printed board)相連。在鍵合線接合在LED陣列上的部分處，來自LED的發(fā)光點的光被鍵合線的焊球(ball)或引線等反射，從而易于產(chǎn)生散射光和雜散光。
因為感光體被該散射光或雜散光以大于或等于其原始曝光量的曝光量曝光，所以產(chǎn)生了形成圖像條紋和圖像質(zhì)量劣化的問題。
因此，例如，在日本專利申請?zhí)亻_No.5-183191中，通過所謂的自動點焊(stitch bonding)(其中，在LED陣列的焊盤上進行第二鍵合，而在安裝有LED陣列的基板上進行第一鍵合)來降低引線的回路高度(loop height)，從而防止出現(xiàn)雜散光的問題。然而，因為在自動點焊中需要很大的焊盤表面積，所以LED陣列的寬度變得很大。因此，在LED陣列的寬度僅為大約125μm的情況下，焊盤表面積很小，從而焊盤在鍵合時易破損。
此外，在日本專利申請?zhí)亻_No.10-10747中，通過在LED與微囊(在該微囊處通過顯影使圖像信息可見)之間設(shè)置具有針孔的掩模來防止雜散光，來自LED的輸出光穿過針孔，并照射在微囊上。然而，這種機構(gòu)比較復(fù)雜，需要高組裝精度，并且需要許多制造工藝。

發(fā)明內(nèi)容
考慮以上情況，本發(fā)明提供了一種LED陣列頭和圖像記錄裝置，其防止了雜散光且結(jié)構(gòu)緊湊。
本發(fā)明的第一方面是一種LED陣列頭，包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相反側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；以及阻光元件，用于阻擋從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達所述引線。


下面將基于附圖詳細描述本發(fā)明的實施例，附圖中圖1是表示應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的LED陣列頭的圖像記錄裝置的結(jié)構(gòu)的示意性結(jié)構(gòu)圖；圖2是說明感光體與根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列頭之間關(guān)系的立體圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列頭的平面圖；圖4是表示其中根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列頭的鍵合線被阻光絕緣體覆蓋的狀態(tài)的剖視圖；圖5A是表示其中由于來自LED的發(fā)光點的光而導致雜散光的狀態(tài)的示意圖，圖5B是與圖5A相對應(yīng)的示意圖，其示出了一示例的結(jié)果；圖6是表示其中通過BSOB來鍵合根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列頭的狀態(tài)的剖視圖；圖7A是表示符合標準鍵合的鍵合線的形狀的說明圖，圖7B是表示符合BSOB的鍵合線的形狀的說明圖，圖7C是表示符合超低回路(ultra-low loop)的鍵合線的形狀的說明圖，而圖7D是表示符合STCB的鍵合線的形狀的說明圖；圖8B是表示LED陣列頭的放大平面圖，而圖8A是與圖8B相對應(yīng)的位置處的各條鍵合線的形狀的側(cè)視圖；圖9是表示在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列的鍵合線與相鄰LED陣列的LED之間設(shè)置有阻光壁的示例的剖視圖；
圖10是表示改變根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列的高度的示例的剖視圖；圖11是表示改變根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列的高度的另一示例的剖視圖；以及圖12是表示圖4的比較示例的剖視圖。
具體實施例方式
圖1中示出了應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED陣列頭20的圖像記錄裝置10。該圖像記錄裝置10是所謂的串聯(lián)(tandem)式圖像記錄裝置。圖像記錄裝置10具有基本上水平延伸的中間轉(zhuǎn)印帶12。中間轉(zhuǎn)印帶12下面設(shè)置有四個圖像記錄部14，分別與不同的顯影顏色相對應(yīng)。
紙托盤11設(shè)置在圖像記錄部14下面。從紙托盤11的送紙側(cè)向上延伸的傳送路徑13穿過與中間轉(zhuǎn)印帶12相接觸的二次轉(zhuǎn)印部15以及具有定影裝置的定影部17，然后到達出紙口。出紙口的外部是出紙托盤19。
圖像記錄部14中的每一個都具有感光體16、充電器18、LED陣列頭20、顯影裝置40以及清潔器42。
感光體16被成型為圓柱形管，其外周面是光接收表面16A?？梢栽诠饨邮毡砻?6A上形成靜電潛像。在感光體的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)上，光接收表面16A在顯影裝置40的下游側(cè)(以下簡稱為“下游側(cè)”)與中間轉(zhuǎn)印帶相接觸。
充電器18是導電輥。充電器18的中心由金屬形成，并被由合成樹脂制成的彈性層覆蓋。通過電源(未示出)施加負極性電壓。LED陣列頭20設(shè)置在充電器18的下游側(cè)。LED陣列頭20在感光體16的光接收表面16A(感光表面)上照射光圖像。這樣，對由充電器18進行了充電的感光體16進行了曝光，從而在其上形成靜電潛像。
顯影裝置40設(shè)置在LED陣列頭20的下游側(cè)。顯影裝置40中填充有雙組分顯影劑，其中調(diào)色劑和載體(carrier)混合在一起。對填充在顯影裝置40中的調(diào)色劑和載體進行攪伴、摩擦充電，并均勻地混合在一起。因此，調(diào)色劑與載體靜電吸引。
作為磁粉的載體受到被設(shè)置為與感光體16相對的磁輥44的磁力的吸引。吸附在磁輥44上的載體上的調(diào)色劑由于感光體16被曝光時的電勢(-200V)與顯影偏置電勢(-500V)之間的電勢差(顯影電勢)而靜電吸附在感光體16上。
這樣，顯影裝置40使得調(diào)色劑吸附在感光體16上，并對形成在感光體16上的靜電潛像進行顯影，從而形成調(diào)色劑圖像。然后，調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶12上，并且所有顏色的調(diào)色劑圖像最終彼此上下疊加在中間轉(zhuǎn)印帶12上。
另一方面，設(shè)置在顯影裝置40的下游側(cè)的清潔器42緊靠著感光體16的光接收表面16A并去除吸附在感光體16上的附著物(廢調(diào)色劑、廢載體等)。
下面將對根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的LED陣列頭進行描述。
如圖2所示，LED陣列頭20具有伸長的印制板22。印制板22上形成有電路，該電路用于提供對LED陣列頭20(各個LED 28)的驅(qū)動進行控制的各種信號。可以連續(xù)地處理與一行相對應(yīng)的量的圖像數(shù)據(jù)。
LED陣列(也稱為LED芯片)26、27以交錯的方式排成行，在印制板22上彼此相鄰，使得其縱向端部部分地彼此重疊。LED陣列26、27的頂表面上設(shè)置有沿LED陣列26、27的縱向一維排列成行的多個LED 28。設(shè)置了數(shù)量為與分辨率相對應(yīng)的像素數(shù)量(點數(shù))的LED 28。
另一方面，在與印制板22相對的位置設(shè)置有透鏡支架23。用作會聚透鏡(光學系統(tǒng))的棒形透鏡陣列(SLA)30沿著與印制板22的縱向相同的方向排列成行。通過棒形透鏡陣列30將來自LED陣列26、27的LED 28的光成像到感光體16上。
這里，在本示例性實施例中，使用自掃描LED(SLED)作為LED陣列26、27。SLED陣列可以根據(jù)兩條信號線選擇性地對開關(guān)發(fā)光進行開/關(guān)定時。因此，數(shù)據(jù)線可以公共使用，因此可以簡化布線。例如，可以使用日本專利申請?zhí)亻_(JP-A)No.8-216448中公開的結(jié)構(gòu)作為SLED陣列。
利用這些自掃描LED，與傳統(tǒng)LED陣列相比，可以大大減少用于將LED 26、27與印制板22電連接的第一電極焊盤32(見圖3)的數(shù)量。因此，第一電極焊盤32可以集中在LED陣列26、27的沿LED 28排列成行的方向的端部。
因此，如圖3所示，第一電極焊盤32設(shè)置在LED陣列26、27的縱向方向的兩側(cè)。第二電極焊盤24設(shè)置在印制板22的與第一電極焊盤相對應(yīng)的位置處。第一電極焊盤32和第二電極焊盤24通過由金屬線形成的鍵合線進行連接。
通過使第一電極焊盤32的數(shù)量遠小于傳統(tǒng)LED陣列中的數(shù)量，可以將LED陣列26、27制造得更加緊湊。因此，從一個晶片獲得的芯片的數(shù)量顯著增加，因此可以降低每芯片成本。
設(shè)置有第一電極焊盤32的位置上沒有LED 28。因此，為了沿感光體16(參見圖1)的軸向無間隙地執(zhí)行曝光，將在LED陣列27(或LED陣列26)上設(shè)置有第一電極焊盤32的部分設(shè)置為與相鄰LED陣列26(或LED陣列27)的LED 28相對。
因此，LED陣列27的第一電極焊盤32被設(shè)置在相鄰LED陣列26的LED 28附近的位置。在圖12的情況下，在鍵合線35與LED陣列27上的第一電極焊盤32接合的部分，來自LED陣列26的LED 28的發(fā)光點的光被鍵合線35的引線35A等反射，從而易于產(chǎn)生散射光和雜散光。(注意，對于LED陣列26的第一電極焊盤32與LED陣列27的情況相同，但是為方便起見，僅對LED陣列27側(cè)進行說明。)因此，在本示例性實施例中，如圖4所示，鍵合線34的位于第一電極焊盤32側(cè)的引線34A和焊球部分34B被阻光絕緣體50覆蓋。這里，硅或者環(huán)氧樹脂材料被用于阻光絕緣體50，并對阻光絕緣體50使用難以反射LED 28的光的黑色。此外，阻光絕緣體50被制成為不光滑，這樣就難以對LED 28的光進行規(guī)則反射。
通過使用阻光絕緣體50來覆蓋鍵合線34的位于第一電極焊盤32側(cè)的引線34A和焊球部分34B，阻擋了來自設(shè)置在相鄰LED陣列26處的LED28的發(fā)光點的光。因此，光不會被位于阻光絕緣體50內(nèi)部的引線34A反射，因此可以防止產(chǎn)生散射光和雜散光。
這里，圖5A和5B示意性地示出了通過CCD拍攝的從LED 28發(fā)出并穿過棒形透鏡陣列30的光的實驗結(jié)果。在比較示例中，如圖5A所示，出現(xiàn)了雜散光(形狀類似白色橢圓的點)。相反，在本示例性實施例的示例中，如圖5B所示，沒有出現(xiàn)雜散光。
通過使用阻光絕緣體50來覆蓋鍵合線34的第一電極焊盤32側(cè)，可以防止雜散光的產(chǎn)生。因此，可以不在第一電極焊盤32處執(zhí)行作為對雜散光的對策的STCB(所謂的自動點焊，稍后進行說明)。
因此，可以降低LED陣列27上的第一電極焊盤32的焊盤強度(所謂的拉拔強度)，并且可以將第一電極焊盤32的尺寸做得更小。此外，因為即使第一電極焊盤32很小也不會出現(xiàn)雜散光，所以可以制造緊湊的LED陣列26、27，從而可以使圖像記錄裝置10緊湊。
具體地，可以將LED陣列26、27的短邊方向上的尺寸制造得小于或等于130μm(該尺寸通常為300μm)。
此外，因為可以不在第一電極焊盤32上執(zhí)行作為對雜散光的對策的自動點焊，所以提高了生產(chǎn)的直行率(first run rate)。即，由于可以使對于第一電極焊盤32的鍵合力很小，所以LED陣列26、27很少出現(xiàn)諸如裂縫等的損傷，并且可以預(yù)期所制造的產(chǎn)品的產(chǎn)量的提高。
這里，鍵合線34的位于第一電極焊盤32側(cè)的引線34A和焊球部分34B被阻光絕緣體50覆蓋，從而可以阻擋來自設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的發(fā)光點的光。然而，本發(fā)明并不限于此，只要能夠防止雜散光即可。
例如，如圖6所示，可以執(zhí)行以下操作。在第一電極焊盤32上產(chǎn)生焊球之后，將鍵合線52鍵合在第二電極焊盤24上(第一鍵合)，并鍵合到第一電極焊盤32的焊球上(第二鍵合)。這樣，第一電極焊盤32上的焊球被擠壓(所謂的BSOB(焊球上點焊(Bond Stitch on Ball)))。第一電極焊盤32和第二電極焊盤24由此電連接。即，在第一電極焊盤32上沒有形成焊球部分，而是通過低回路來連接鍵合線52。
這樣，通過使用低回路(H2＜H1)來連接鍵合線52，并且使鍵合線52的高度位于設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的發(fā)光區(qū)(由所謂的方向角θ(光相對于LED的光軸的擴展角)表示的區(qū)域)的外部，可以使來自LED 28的發(fā)光點的光達不到達鍵合線52。注意，除了BSOB以外，還可以采用FJ回路(Kaijo公司提出的鍵合方法)，其為所謂的超低回路。
圖7A示出了符合標準鍵合的鍵合線34，圖7B示出了符合BSOB的鍵合線52，圖7C示出了符合超低回路的鍵合線54，圖7D示出了符合STCB(自動點焊)的鍵合線56。
圖8B是LED陣列26、27的放大圖。圖8A示出了與LED陣列26相連的鍵合線的側(cè)視圖。符合標準鍵合的鍵合線34由實線表示，符合BSOB的鍵合線52由單點劃線表示，符合超低回路的鍵合線54由虛線表示，而符合STCB的鍵合線56由細虛線表示。從圖中可以理解，回路高度按照標準鍵合、超低回路、BSOB和STCB的順序變低。
這里，對于標準鍵合(參見圖7A)，如果嘗試降低回路高度，則會出現(xiàn)焊球部分34B的頸部(底部)受損并變得易于斷裂等問題。因此必須改變鍵合規(guī)范。此外，當降低回路高度時，必須使焊球部分34B的鍵合直徑變小，或者必須使焊球部分34B的厚度變薄，從而在強度方面出現(xiàn)問題。
因此，理想地在第一電極焊盤32側(cè)使用不形成焊球部分34B的方法。因此，BSOB(參見圖7B)、超低回路(參見圖7C)以及STCB(參見圖D)是適合的。
對于BSOB，可以使回路足夠低，并且可以充分地保證拉拔強度。此外，F(xiàn)J回路消除了對于頸部強度的擔憂。FJ回路的回路高度稍高于BSOB。然而，對于FJ回路，可以使電極焊盤甚至比BSOB的更小，而無需改變鍵合規(guī)范。
另一方面，對于STCB，鍵合線56的回路高度是最低的，并且不會出現(xiàn)雜散光的問題。然而，因為STCB需要大的焊盤表面積，所以LED陣列26、27的寬度變大。因此，在LED陣列26、27的寬度僅為大約125μm的情況下，焊盤表面積很小，因而存在焊盤在鍵合時可能破裂的擔憂。
因此，通過不在第一電極焊盤32處執(zhí)行作為對雜散光的對策的STCB，可以使LED陣列26、27上的第一電極焊盤32的焊盤強度降低，并且可以使第一電極焊盤32的尺寸變小。
即，通過使用BSOB或超低回路作為用于使第一電極焊盤32和第二電極焊盤24電連接的鍵合方法，可以防止來自設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的發(fā)光點的雜散光，并且可以制造出緊湊的LED陣列26、27。
此外，可以使用BSOB或超低回路作為用于使第一電極焊盤32和第二電極焊盤24電連接的鍵合方法，此外，可以使用阻光絕緣體50來覆蓋鍵合線52或鍵合線54的連接第一電極焊盤32的一側(cè)。
接下來，將對根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的LED陣列頭進行說明。
如圖9所示，可以采用以下結(jié)構(gòu)通過在彼此相鄰設(shè)置的LED陣列26、27之間設(shè)置由硅或環(huán)氧樹脂材料形成的阻光壁60，阻光壁60阻擋了來自相鄰LED陣列26上的LED 28的發(fā)光點的光，從而該光不會到達鍵合線34。
此外，因為只要來自相鄰LED陣列26上的LED 28的發(fā)光點的光不到達鍵合線34即可，所以本發(fā)明并不限于此，阻光壁可以設(shè)置在LED陣列27上的第一電極焊盤32附近。
此外，本發(fā)明并不限于阻光壁，還可以采用圖10所示的以下結(jié)構(gòu)通過使設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的頂面低于第一電極焊盤32的頂面，通過設(shè)置有第一電極焊盤32的LED陣列27的側(cè)壁27A阻擋來自設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的發(fā)光點的光。來自LED 28的發(fā)光點的光不會到達鍵合線34。
此外，可以采用圖11所示的以下結(jié)構(gòu)通過使設(shè)置在相鄰LED陣列26中的LED 28的頂面高于第一電極焊盤32的頂面，鍵合線34位于這些LED 28的發(fā)光區(qū)(由方向角θ表示的區(qū)域)的外部。來自LED 28的發(fā)光點的光不會到達鍵合線34。
另外，可以使用阻光絕緣體50來覆蓋鍵合線34的第一電極焊盤32側(cè)。在此情況下，在通過阻光絕緣體來密封第一電極焊盤32時，不但防止了由于鍵合線34而導致的雜散光，而且可以防止阻光絕緣體朝向LED28流動。
以上對本發(fā)明的示例性實施例進行了說明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，本發(fā)明并不限于這些實施例。即，本發(fā)明的第一方面是一種LED陣列頭，包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；第二電極焊盤，設(shè)置在基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)并通過引線與第一電極焊盤電連接；以及阻光元件，用于阻擋從相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達所述引線。
在本發(fā)明的第一方面中，第一電極焊盤設(shè)置在第一LED陣列的端部，并被設(shè)置為與設(shè)置在相鄰LED陣列中的LED相對。此外，第二電極焊盤設(shè)置在基板的與相鄰LED陣列相對的一側(cè)，并通過引線與第一電極焊盤電連接。
這里，通過設(shè)置用于阻擋從相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達引線的阻光元件，使得來自這些LED的光不被引線反射，從而可以防止散射光和雜散光的出現(xiàn)。
因此，可以不在第一電極焊盤處執(zhí)行作為對雜散光的對策的自動點焊。因此，可以使LED陣列上的第一電極焊盤的焊盤強度降低，并且可以使第一電極焊盤的尺寸變小。
因此，由于LED芯片很小并且從一個晶片可獲得的芯片數(shù)量增加，所以可以降低LED芯片的成本。此外，因為即使第一電極焊盤很小也不會產(chǎn)生雜散光，所以可以制造出緊湊的LED陣列，從而可以使圖像記錄裝置更加緊湊。
此外，因為可以不在第一電極焊盤上執(zhí)行作為對雜散光的對策的自動點焊，所以提高了生產(chǎn)的直行率。即，由于可以使對于第一電極焊盤的鍵合力很小，所以LED陣列很少出現(xiàn)諸如裂縫等的損傷，并且可以預(yù)期所制造的產(chǎn)品的產(chǎn)量的提高。
在上述第一方面中，阻光元件可以包括覆蓋所述引線的第一電極焊盤側(cè)的阻光絕緣體。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過使用阻光絕緣體來覆蓋所述引線的第一電極焊盤側(cè)，阻擋了來自設(shè)置在相鄰LED陣列中的LED的發(fā)光點的光。因此，光不會被阻光絕緣體內(nèi)的引線反射，從而可以防止出現(xiàn)散射光和雜散光。這樣，可以獲得與上述第一方面基本相同的效果。
在上述結(jié)構(gòu)中，至少阻光絕緣體的表面可以是黑色，這樣基本上不對來自LED的光進行反射。
此外，阻光元件的表面可以是不光滑的，這樣基本上不對來自LED的光進行反射。
此外，在上述第一方面中，阻光元件可以包括設(shè)置在第一電極焊盤與面對該第一電極焊盤設(shè)置的LED之間的阻光壁。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過在第一電極焊盤與面對該第一電極焊盤設(shè)置的LED之間設(shè)置阻光壁，阻擋了來自設(shè)置在相鄰LED陣列中的LED的發(fā)光點的光。因此，可以獲得與上述第一方面基本相同的效果。
在上述結(jié)構(gòu)中，阻光壁可以設(shè)置在第一電極焊盤的附近。
此外，阻光壁可以設(shè)置在彼此相鄰的LED陣列之間。
此外，所述相鄰LED陣列的LED的頂面與第一電極焊盤的頂面的高度可以不同，使得從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光不會到達所述引線。
在上述結(jié)構(gòu)中，由于第一電極焊盤的頂面與設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的頂面之間的高度差，可以使得從設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的發(fā)光點發(fā)出的光不會到達所述引線。這樣，可以獲得與本發(fā)明第一方面基本相同的效果。
在上述結(jié)構(gòu)中，設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的頂面可以高于第一電極焊盤的頂面。
使得設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的頂面高于第一電極焊盤的頂面。這樣，除了可以獲得與本發(fā)明第一方面基本相同的效果以外，還可以在通過阻光絕緣體來密封第一電極焊盤部分時，防止阻光絕緣體流向LED。
在上述結(jié)構(gòu)中，設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的頂面可以低于第一電極焊盤的頂面。
使得設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的頂面低于第一電極焊盤的頂面。這樣，來自設(shè)置在所述相鄰LED陣列中的LED的發(fā)光點的光被設(shè)置有第一電極焊盤的LED陣列的側(cè)壁阻擋，從而可以獲得與本發(fā)明第一方面基本相同的效果。
此外，所述引線可以設(shè)置在相鄰LED陣列中所設(shè)置的LED的發(fā)光區(qū)的外部。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，通過將引線設(shè)置在相鄰LED陣列中所設(shè)置的LED的發(fā)光區(qū)的外部，使得來自這些LED的發(fā)光點的光不會到達引線。這樣，可以獲得與本發(fā)明第一方面基本相同的效果。
在本發(fā)明的第一方面中，可以通過諸如焊球上點焊等的低回路鍵合來提供引線。
在本發(fā)明的第一方面中，LED陣列在短邊方向上的尺寸可以小于或等于130μm。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過使LED陣列在短邊方向上的尺寸小于或等于130μm(通常為300μm)，可以使圖像記錄裝置更緊湊。
本發(fā)明的第二方面是一種圖像記錄裝置，其包括LED陣列頭，該LED陣列頭包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；第二電極焊盤，設(shè)置在基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與第一電極焊盤電連接；以及阻光元件，用于阻擋從相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達引線。
因為如上所述構(gòu)造了本發(fā)明，所以可以防止出現(xiàn)散射光和雜散光。此外，因為可以不在第一電極焊盤處執(zhí)行作為對雜散光的對策的自動點焊，所以可以使LED陣列上的第一電極焊盤的焊盤強度降低，并且可以使第一電極焊盤的尺寸變小。因此，由于LED芯片很小并且從一個晶片可獲得的芯片數(shù)量增加，所以可以降低LED芯片的成本。此外，因為即使第一電極焊盤很小也不會產(chǎn)生雜散光，所以可以制造緊湊的LED陣列，從而可以使圖像記錄裝置更加緊湊。此外，因為可以不在第一電極焊盤上執(zhí)行作為對雜散光的對策的自動點焊，所以提高了生產(chǎn)的直行率。即，由于可以使對于第一電極焊盤的鍵合力很小，所以LED陣列很少出現(xiàn)諸如裂縫等的損傷，并且可以預(yù)期所制造的產(chǎn)品的產(chǎn)量的提高。
出于例示和說明的目的提供了本發(fā)明實施例的以上說明。并不旨在對本發(fā)明進行窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的精確形式。顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到很多變型和修改。為了最好地說明本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用而選擇并描述了這些實施例，從而使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地構(gòu)想具體應(yīng)用。旨在由所附權(quán)利要求及其等同物來限定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種LED陣列頭，包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；以及阻光元件，用于阻擋從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達所述引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列頭，其中，所述阻光元件包括覆蓋所述引線的第一電極焊盤側(cè)的阻光絕緣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED陣列頭，其中，至少所述阻光絕緣體的表面是黑色的，這樣基本上不對來自所述LED的光進行反射。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED陣列頭，其中，所述阻光元件的表面是不光滑的，這樣基本上不對來自所述LED的光進行反射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列頭，其中，所述阻光元件包括設(shè)置在所述第一電極焊盤與和所述第一電極焊盤相對的LED之間的阻光壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED陣列頭，其中，所述阻光壁設(shè)置在所述第一電極焊盤的附近。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED陣列頭，其中，所述阻光壁設(shè)置在彼此相鄰的LED陣列之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列頭，其中，所述引線通過低回路鍵合來提供。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED陣列頭，其中，所述低回路鍵合是焊球上點焊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列頭，其中，所述LED陣列在短邊方向上的尺寸小于或等于130μm。
11.一種LED陣列頭，包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；其中，所述相鄰LED陣列的LED的頂面與所述第一電極焊盤的頂面的高度不同，使得從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光不會到達所述引線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED陣列頭，其中，所述相鄰LED陣列的LED的頂面高于所述第一電極焊盤的頂面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED陣列頭，其中，所述相鄰LED陣列的LED的頂面低于所述第一電極焊盤的頂面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED陣列頭，其中所述引線通過低回路鍵合來提供。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的LED陣列頭，其中，所述低回路鍵合是焊球上點焊。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED陣列頭，其中，所述LED陣列在短邊方向上的尺寸小于或等于130μm。
17.一種LED陣列頭，包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；其中，所述引線設(shè)置在所述相鄰LED陣列的LED的發(fā)光區(qū)的外部。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的LED陣列頭，其中，所述引線通過低回路鍵合來提供。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的LED陣列頭，其中，所述低回路鍵合是焊球上點焊。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的LED陣列頭，其中，所述LED陣列在短邊方向上的尺寸小于或等于130μm。
21.一種圖像記錄裝置，其包括LED陣列頭，該LED陣列頭包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；以及阻光元件，用于阻擋從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達所述引線。
22.一種圖像記錄裝置，其包括LED陣列頭，該LED陣列頭包括多個LED陣列，其中設(shè)置有多個LED；基板，其上交錯設(shè)置有所述LED陣列；多個第一電極焊盤，設(shè)置在所述LED陣列的端部并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED；多個第二電極焊盤，設(shè)置在所述基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)上并通過引線與所述第一電極焊盤電連接；其中，所述引線設(shè)置在所述相鄰LED陣列的LED的發(fā)光區(qū)的外部。
全文摘要
LED陣列頭及圖像記錄裝置。LED陣列頭包括多個LED陣列、基板、多個第一電極焊盤、多個第二電極焊盤和阻光元件。LED陣列中設(shè)置有多個LED。LED陣列交錯設(shè)置在基板上。第一電極焊盤設(shè)置在LED陣列的端部，并被設(shè)置為面對相鄰LED陣列的LED。第二電極焊盤設(shè)置在基板的與所述相鄰LED陣列相對的一側(cè)，并通過引線與第一電極焊盤電連接。阻光元件阻擋從所述相鄰LED陣列的LED發(fā)出的光到達所述引線。
文檔編號B41J2/45GK1966272SQ2006101018
公開日2007年5月23日 申請日期2006年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者渡邊陽一, 鈴木良雄, 園田榮德 申請人:富士施樂株式會社